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1. 发明申请

WO2015120173A1 DC-DC CONVERTER HAVING TERMINALS OF SEMICONDUCTOR CHIPS 审中-公开
标题翻译：具有半导体晶片端子的直流 - 直流转换器
公开(公告)号：WO2015120173A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/US2015/014655
申请日：2015-02-05
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： LOPEZ, Osvaldo, Jorge , NOQUIL, Jonathan, Almeria
IPC分类号： H01L27/085 , H01L23/495 , H01L29/72
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/563 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3716 , H01L2224/37599 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48106 , H01L2224/48108 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49173 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1425 , H01L2924/1426 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H02M3/155 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2924/01028 , H01L2224/05599
摘要： In described examples, a power supply system (200) has a QFN leadframe with leads and a pad (201). The pad surface facing a circuit board has a portion recessed with a depth (270) and an outline suitable for attaching side -by-side the sync FET (210) and the control FET (220) semiconductor chips. The input terminal (220a) of the control FET (220) and the grounded output terminal (210a) of the sync FET (210) are coplanar with the un-recessed portion of the pad (201) switch node terminal, so that all terminals can be directly attached to contacts of a circuit board. A driver-and-control chip is vertically stacked to the opposite pad surface and encapsulated in a packaging compound.
摘要翻译：在所描述的示例中，电源系统（200）具有带导线的QFN引线框和焊盘（201）。面对电路板的焊盘表面具有凹陷深度（270）的部分和适于与同步FET（210）和控制FET（220）半导体芯片并排连接的轮廓。控制FET（220）的输入端子（220a）和同步FET（210）的接地输出端子（210a）与焊盘（201）开关节点端子的未凹陷部分共面，使得所有端子可以直接连接到电路板的触点。驱动器和控制芯片垂直地堆叠到相对的焊盘表面并且封装在封装复合体中。

2. 发明申请

WO2015083250A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015083250A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/JP2013/082543
申请日：2013-12-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：河面　英夫 , 王丸　武志 , 斉藤　省二
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/32
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/00 , H01L23/049 , H01L23/053 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/3736 , H01L23/4924 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48175 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83951 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/05032 , H01L2924/05042 , H01L2924/10161 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1207 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/30101 , H02M1/08 , H02M2001/325 , H03K17/0828 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：　本発明は、電力機器に使用される半導体装置に関し、ベース板（１６）と、ベース板（１６）上に搭載された絶縁基板（２９）と、絶縁基板上にはんだ層（３１）により接合された電力用スイッチング素子（２１）とを有し、ベース板（１６）、絶縁基板（２９）および電力用スイッチング素子（２１）とでモジュールを構成し、モジュール上に制御基板（ＣＳ）を備えた半導体装置であって、制御基板（ＣＳ）は、電力用スイッチング素子（２１）のコレクタ－エミッタ間電圧を測定し、コレクタ－エミッタ間電圧とコレクタ電流との積で規定される任意の目標電力を電力用スイッチング素子（２１）に供給するようにゲート電圧を変更する可変ゲート電圧回路（９０）を有している。
摘要翻译：用于动力装置的该半导体装置具有：基板（16），安装在基板（16）上的绝缘基板（29）; 以及通过焊料层（31）接合在所述绝缘基板上的功率开关元件（21）。模块由基板（16），绝缘基板（29）和电源开关元件（21）构成，在模块上设置有控制基板（CS）。控制基板（CS）具有可变栅极电压电路（90），该可变栅极电压电路（90）测量功率开关元件（21）的集电极 - 发射极电压，并且改变栅极电压，使得任意目标功率被提供给功率开关元件（21），所述酌情目标功率由集电极 - 发射极电压和集电极电流的乘积指定。

3. 发明申请

WO2017048219A1 ADVANCED NODE COST REDUCTION BY ESD INTERPOSER 审中-公开
标题翻译：先进的节点降低ESD插件
公开(公告)号：WO2017048219A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/US2015/049923
申请日：2015-09-14
申请人： INTEL IP CORPORATION
发明人： SEIDEMANN, Georg , GEISSLER, Christian , REINGRUBER, Klaus
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0296 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L27/0255 , H01L28/00 , H01L2224/02166 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/12105 , H01L2224/13007 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48108 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48157 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/19107 , H01L2924/014 , H01L2224/45099
摘要： An apparatus including an electrostatic discharge circuit including a first circuit portion coupled beneath a die contact pad of an integrated circuit die and a second circuit portion in an interposer separate from the integrated circuit die, the interposer including a first contact point coupled to the contact pad of the integrated circuit die and a second contact point operable for connection to an external source. A method including forming an integrated circuit die including a first electrostatic discharge structure beneath a contact pad of the die; and coupling the die to an interposer including an interposer contact and a second electrostatic discharge structure, wherein a signal at the contact pad of the die is operable to be routed through the interposer.
摘要翻译：一种包括静电放电电路的装置，包括耦合在集成电路管芯的管芯接触焊盘下方的第一电路部分和与集成电路管芯分开的插入器中的第二电路部分，所述插入器包括耦合到接触焊盘的第一接触点并且可操作用于连接到外部源的第二接触点。一种包括在芯片的接触焊盘下方形成包括第一静电放电结构的集成电路管芯的方法; 以及将所述管芯耦合到包括插入器接触件和第二静电放电结构的插入器，其中所述管芯的接触焊盘处的信号可操作地穿过所述插入件。

4. 发明申请

WO2011033566A1 半導体装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011033566A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/JP2009/004666
申请日：2009-09-17
申请人：パナソニック株式会社 , 藤岡知恵 , 横江稔志 , 熊野大地
发明人：藤岡知恵 , 横江稔志 , 熊野大地
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/607 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84205 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要：　半導体素子３のソース電極３ａの面積を拡大すると共に、リードフレーム２のソース端子２ｂの面積を拡大することにより、導電性リボン６と接合されるソース電極３ａの接合部８ａとソース端子２ｂの接合部８ｂとを拡大することができるため、オン抵抗を低減することができると共に、容易にボンディングツールの当接回数を削減して半導体素子３のストレスを低減することができる。
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其中通过增加与导电条（6）接合的源电极（3a）和源电极（2b）的接合部分（8b）的接合部分（8a）半导体元件（3）的源电极（3a）的面积，并且通过增加引线框架（2）的源电极（2b）的面积，因此导通电阻可以减小，并且接触频率可以减小接合工具，使得可以容易地减少半导体元件（3）上的应力。

5. 发明申请

WO2011030368A1 半導体装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011030368A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2009/004423
申请日：2009-09-08
申请人：パナソニック株式会社 , 藤岡知恵 , 横江稔志 , 熊野大地
发明人：藤岡知恵 , 横江稔志 , 熊野大地
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/37124 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84205 , H01L2224/85375 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　導電性リボン３０９を用いて電気的接続を行うリードのパッド形状部分３０３ａやダイパッド３０２等に押さえ領域３１０ａ，３１０ｂを付加することにより、リボンボンドの際に押さえ領域３１０ａ，３１０ｂを押さえて固定しながら強力な超音波を印加することができるため、導電性リボン３０９を強固に接合しながら接合部分の低抵抗化を図ることができる。又、導電性リボン３０９の接合強度が向上するため、導電性リボン３０９を積層化する必要がなくなり、容易に超音波による半導体チップ３０６に対するストレスを低減することができる。
摘要翻译：通过将保持区域（310a，310b）添加到引线的衬垫形部分（303a）中，可以在通过使用带进行接合时保持和固定保持区域（310a，310b）同时施加强超声波，通过使用导电带（309）电连接的管芯焊盘（302）等。因此，在牢固地接合导电带（309）的同时，能够降低接合部的电阻。此外，由于导电性带（309）的接合强度提高，导电性带（309）不需要堆叠成多层，并且能够容易地降低由超声波引起的对半导体芯片（306）的应力。

6. 发明申请

WO2008153206A1 パワーモジュール审中-公开
标题翻译：电源模块
公开(公告)号：WO2008153206A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/061181
申请日：2008-06-12
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 今井誠
发明人：今井誠
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/04 , H01L23/473 , H01L24/48 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48157 , H01L2224/48464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：溶接熱による樹脂ハウジングの溶融損傷を回避しつつスナバコンデンサを溶接することができるパワーモジュールを提供する。スナバコンデンサ１２のリード１２Ａ，１２ＢがＰ極バスバー２およびＮ極バスバー３の特定部位の上面にそれぞれ溶接される際、Ｐ極バスバー２およびＮ極バスバー３の特定部位に発生する溶接熱は、Ｐ極バスバー２およびＮ極バスバー３の特定部位の下面を露出させる開口１３，１４からそれぞれ放熱される。このため、溶接熱による樹脂ハウジング７の溶融損傷を回避しつつスナバコンデンサ１２を後付けにより溶接することができる。また、この溶接の際、別途の冷却ヘッド１５を開口１３，１４に挿入してＰ極バスバー２およびＮ極バスバー３の特定部位の下面をそれぞれ強制冷却することにより、樹脂ハウジング７の溶融損傷をより確実に回避することができる。
摘要翻译：提供了一种能够在避免由焊接热引起的树脂壳体的这种焊接损坏的同时焊接缓冲冷凝器（12）的功率模块。当缓冲电容器（12）的引线（12A和12B）分别与P极母线（2）和N极母线（3）的特定部分的上表面焊接时，焊接加热在P极母线（2）和N极母线（3）的特定部分产生，并且从开口（13和14）分别释放，通过该开口（13和14），特定部分的下表面 P极母线（2）和N极母线（3）露出。结果，缓冲冷凝器（12）可以稍后被焊接，同时避免了由于焊接热而导致的树脂壳体（7）的焊接损坏。在该焊接时，将另一个冷却头（15）在焊接时插入到开口（13,14）中，从而强制地冷却P极母线（2）的特定部分的下表面，并且N - 母线母线（3），从而可以更可靠地避免树脂外壳（7）的焊接损坏。

7. 发明申请

WO2017116981A1 EMBEDDED WIRE BOND WIRES FOR VERTICAL INTEGRATION WITH SEPARATE SURFACE MOUNT AND WIRE BOND MOUNTING SURFACES 审中-公开
标题翻译：垂直集成嵌入式导线粘接线，单独表面安装和导线安装表面
公开(公告)号：WO2017116981A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/US2016/068297
申请日：2016-12-22
申请人： INVENSAS CORPORATION
发明人： DELACRUZ, Javier, A. , AWUJOOLA, Abiola , PRABHU, Ashok, S. , LATTIN, Christopher, W. , SUN, Zhuowen
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/3121 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/11334 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17051 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48108 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H05K1/0284 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： In a vertically integrated microelectronic package, a first microelectronic device is coupled to an upper surface of a circuit platform in a wire bond-only surface area thereof. Wire bond wires are coupled to and extends away from an upper surface of the first microelectronic device. A second microelectronic device in a face-down orientation is coupled to upper ends of the wire bond wires in a surface mount-only area. The second microelectronic device is located above and at least partially overlaps the first microelectronic device. A protective layer is disposed over the circuit platform and the first microelectronic device. An upper surface of the protective layer has the surface mount-only area. The upper surface of the protective layer has the second microelectronic device disposed thereon in the face-down orientation in the surface mount-only area for coupling to the upper ends of the first wire bond wires.
摘要翻译：在垂直集成微电子封装中，第一微电子器件在其仅线接合表面区域中耦合到电路平台的上表面。引线接合线耦合到第一微电子器件的上表面并且远离第一微电子器件的上表面延伸。面朝下定向的第二微电子器件在仅表面安装区域中被耦合到引线接合线的上端。第二微电子器件位于第一微电子器件的上方并至少部分地重叠。保护层设置在电路平台和第一微电子器件上。保护层的上表面具有仅表面安装区域。保护层的上表面具有第二微电子器件，该第二微电子器件在表面安装区域中以面朝下方向设置在其上，用于耦合到第一丝焊线的上端。

8. 发明申请

WO2015173862A1 電力用半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：功率半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2015173862A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/JP2014/062608
申请日：2014-05-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川島　裕史 , 坂本　健 , 鹿野　武敏
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/49 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49052 , H01L2224/49171 , H01L2224/49505 , H01L2224/73265 , H01L2924/10161 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：　リードフレームを準備し、そのダイパッド（３）上に電力用半導体素子（５）を固着する。ダイパッド（３）の下面に絶縁膜（９）を介して金属板（８）を固着する。下金型（１２ａ）と上金型（１２ｂ）の間のキャビティ（１３）内に、インナーリード（１ａ）、ダイパッド（３）、電力用半導体素子（５）、絶縁膜（９）、及び金属板（８）を配置して封止樹脂（１０）により封止する。下金型（１２ａ）は、インナーリード（１ａ）の下方においてキャビティ（１３）の底面に設けられた段差部（１４）を有する。段差部（１４）の上面の高さはキャビティ（１３）内に配置された電力用半導体素子（５）の上面の高さよりも高い。キャビティ（１３）内に封止樹脂（１０）を注入する際に、金属板（８）の下面はキャビティ（１３）の底面に接し、封止樹脂（１０）を段差部（１４）の上方から電力用半導体素子（５）の上面に向かって下方向に流す。
摘要翻译：公开了一种功率半导体器件制造方法，其中制备引线框架，并且功率半导体元件（5）粘附在引线框架的管芯焊盘（3）上。金属板（8）之间具有绝缘膜（9）粘附在芯片焊盘（3）的下表面上。在下成型模具（12a）和上模塑片（12b）之间的腔（13）中，内引线（1a），芯片焊盘（3），功率半导体元件（5），绝缘膜）和金属板（8），并使用密封树脂（10）密封。下成型模具（12a）具有设置在空腔（13）的底面的台阶部（14），所述台阶部设置在内引线（1a）的下方。台阶部（14）的上表面的高度大于设置在空腔（13）中的功率半导体元件（5）的上表面的高度。在将密封树脂（10）注入到空腔（13）中时，金属板（8）的下表面与空腔（13）的底表面接触，并且密封树脂（10）是使得从台阶部分（14）的上方朝向功率半导体元件（5）的上表面向下流动。

9. 发明申请

WO2013059297A1 MICROELECTRONIC PACKAGE WITH STACKED MICROELECTRONIC UNITS AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
标题翻译：具有堆叠微电子单元的微电子封装及其制造方法
公开(公告)号：WO2013059297A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/US2012/060585
申请日：2012-10-17
申请人： INVENSAS CORPORATION
发明人： CASKEY, Terrence , MOHAMMED, Ilyas
IPC分类号： H01L25/10 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/117 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/14131 , H01L2224/27334 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48145 , H01L2224/4824 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73217 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/852 , H01L2224/92144 , H01L2224/92147 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06596 , H01L2225/1035 , H01L2225/1052 , H01L2225/1076 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/186 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
摘要： A microelectronic package (10) may include a first microelectronic unit (12) including a semiconductor chip (16A) having first chip contacts (28), an encapsulant (30) contacting an edge of the semiconductor chip, and first unit contacts (42) exposed at a surface of the encapsulant (30) and electrically connected with the first chip contacts (28). The package (10) may include a second microelectronic unit (14) including a semiconductor chip (16C) having second chip contacts (28C) at a surface thereof, and an encapsulant (54) contacting an edge of the chip of the second unit (14) and having a surface extending away from the edge. The surfaces of the chip (16C) and the encapsulant (54) of the second unit (14) define a face of the second unit. Package terminals (76) at the face may be electrically connected with the first unit contacts (42) through bond wires (100) electrically connected with the first unit contacts (42), and the second chip contacts (28C) through metallized vias (72) and traces (74) formed in contact with the second chip contacts (28C).
摘要翻译：微电子封装（10）可以包括第一微电子单元（12），其包括具有第一芯片触点（28）的半导体芯片（16A），与半导体芯片的边缘接触的密封剂（30）和第一单元触点（42）暴露在密封剂（30）的表面处并与第一芯片触头（28）电连接。封装（10）可以包括第二微电子单元（14），其包括在其表面具有第二芯片触点（28C）的半导体芯片（16C）和与第二单元的芯片的边缘接触的密封剂（54）并且具有远离边缘延伸的表面。芯片（16C）和第二单元（14）的密封剂（54）的表面限定第二单元的面。面上的封装端子（76）可以通过与第一单元触点（42）电连接的接合线（100）和第二芯片触点（28C）穿过金属化通孔（72）与第一单元触点（42）电连接）和与第二芯片触点（28C）接触形成的迹线（74）。

10. 发明申请

WO2016072012A1 電力用半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：功率半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016072012A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/JP2014/079554
申请日：2014-11-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川島　裕史 , 坂本　健 , 近藤　聡 , 鹿野　武敏 , 高井　善弘 , フェリシャーニ　クラウディオ
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/56 , H01L23/50 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/49537 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49558 , H01L23/49568 , H01L23/49861 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48137 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：電力用半導体素子と、制御素子と、電力用半導体素子と制御素子とをそれぞれ保持している第１および第２リードフレームと、電力用半導体素子と第１リードフレームとを接続する第１金属配線と、電力用半導体素子と制御素子とを接続する第２金属配線と、これらを覆う封止体とを備え、第１リードフレームは、電力用半導体素子を搭載している搭載面を有するダイパッドと、第１金属配線の一方端が接続された接続面を有する第１インナーリードとを含み、封止体の表面のうち搭載面に沿った方向に交差する側面において、第１および第２リードフレームが突出していない側面部分には、他の領域よりも表面粗さが粗い樹脂注入口痕が形成されており、樹脂注入口痕は、搭載面に沿った方向から見たときに接続面に対し第１金属配線が位置する側とは反対側に形成されている。
摘要翻译：本发明提供有：功率半导体元件; 控制元件用于分别保持功率半导体元件和控制元件的第一和第二引线框架; 连接功率半导体元件和第一引线框架的第一金属布线; 连接功率半导体元件和控制元件的第二金属布线; 以及用于覆盖这些部件的密封体。第一引线框架包括具有安装有功率半导体元件的安装面的管芯焊盘和具有与第一金属布线的一端连接的连接面的第一内引线。在密封体的表面中，在第一和第二引线框架不突出的侧面的一部分中形成具有比其他区域更高的表面粗糙度的树脂注入孔标记，侧表面与沿着安装面。当从连接表面之后的方向观察时，树脂注入孔标记形成在与第一金属布线相对于连接表面定位的一侧相反的一侧。

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