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1. 发明申请

WO2017091152A1 WAFER LEVEL INTEGRATION OF HIGH POWER SWITCHING DEVICES ON CMOS DRIVER INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译： CMOS驱动集成电路中大功率开关器件的晶片级集成
公开(公告)号：WO2017091152A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/SG2016/050577
申请日：2016-11-23
申请人： AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人： RHEE, Daniel Minwoo , CHAI, Tai Chong
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/50 , H01L23/48 , H01L25/04 , H01L23/34
CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/34 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L24/97 , H01L25/04 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/73253 , H01L2224/96 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： A semiconductor package module and the method for its fabrication are provided. The semiconductor package module includes a substrate, a driver integrated circuit (IC), one or more power switching devices and one or more highly conductive clips. Each of the one or more switching devices is physically integrated in the semiconductor package module at a wafer level and has a gate connected to the driver IC by a gate-to-driver interconnection. Each of the one or more highly conductive clips is connected to a source of a corresponding one of the one or more power switching devices by a source-to-clip interconnection. Also, each of the one or more highly conductive clips has a first surface planarly located in the semiconductor package with a similar first surface of the driver IC for co-bonding of the source-to- clip interconnections and the gate-to-driver interconnections.
摘要翻译：提供半导体封装模块及其制造方法。该半导体封装模块包括衬底，驱动器集成电路（IC），一个或多个功率开关器件以及一个或多个高导电夹。一个或多个开关器件中的每一个以晶片级物理地集成在半导体封装模块中，并且具有通过栅极到驱动器互连连接到驱动器IC的栅极。一个或多个高导电性片段中的每一个通过源到夹互连连接到一个或多个功率开关器件中的相应一个的源极。而且，一个或多个高度导电夹具中的每一个具有平面地位于半导体封装中的第一表面，其具有驱动器IC的类似第一表面，用于共源键合源 - 夹互连和栅极 - 驱动器互连

2. 发明申请

WO2016202539A1 METHOD FOR PRODUCING A METALLIC CONTACT FACE BY USING A SHAPED METAL BODY SUPPORTED ON ONE SIDE, A POWER SEMICONDUCTOR WITH THE METALLIC CONTACT FACE AND A BOND SHIELD FOR PRODUCING THE METALLIC CONTACT FACE 审中-公开
标题翻译：通过使用支撑在一侧的成形金属体制造金属接触面的方法，具有金属接触面的功率半导体和用于生产金属接触面的粘结膜
公开(公告)号：WO2016202539A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/EP2016/061747
申请日：2016-05-25
申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH
发明人： OSTERWALD, Frank , ULRICH, Holger , RUDZKI, Jacek , PAULSEN, Lars , BECKER, Martin , SCHEFUSS, Frank
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3164 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L2224/02319 , H01L2224/02335 , H01L2224/0235 , H01L2224/0239 , H01L2224/03334 , H01L2224/03505 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05139 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/371 , H01L2224/45014 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2924/01029
摘要： A method for producing a metallic contact face, suitable for tying an electric conductor to it, for contacting a power semiconductor (10), having the following steps: applying a carrier film (20) on the power semiconductor (10) while leaving uncovered the power contacts of the power semiconductor (10); arranging a shaped metal body (30') on the carrier film (20) so that a first section arranged on the carrier film (20) forms a contact face for tying a wire or a ribbon and a second section of the shaped metal body projects above a power contact beyond the face of the carrier film (20), the carrier film (20) forming a single-sided support for the section, projecting beyond the face of the carrier film (20), of the shaped metal body (30'); and connecting the section of the shaped metal body (30') projecting beyond the face of the carrier film (20) to the power contact while deforming the shaped metal body (30'). Alternatively, a method for producing a metallic contact face, suitable for tying an electric conductor to it, for contacting a power semiconductor (10), having the following steps: applying a bond shield having a carrier film (20) and a shaped metal body (30') arranged on the carrier film (20), wherein the shaped metal body (30') comprises a first shaped metal body section arranged on the carrier film (20) and a second shaped metal body section projecting beyond the face of the carrier film (20), and the first shaped metal body section is connected to the second shaped metal body section via a deformation region on the power semiconductor (10), so that the shaped metal body section projecting beyond the face of the carrier foil (20) is arranged above a control or power contact of the power semiconductor (10); and connecting the shaped metal body section, projecting beyond the face of the carrier film (20), with the control or power contact while deforming the shaped metal body (30'). Connecting the section of the shaped metal body (30') projecting beyond the face of the carrier film (20) to the power contact takes place in particular via silver sintering.
摘要翻译：一种用于制造金属接触面的方法，适用于将电导体与其接合，用于接触功率半导体（10），具有以下步骤：将载体膜（20）施加到功率半导体（10）上，同时不覆盖功率半导体（10）的电源触点; 在载体膜（20）上布置成形金属体（30'），使得布置在载体膜（20）上的第一部分形成用于捆扎线或带的接触面，并且成形金属体的第二部分突出在载体膜（20）的表面之上的动力接触之上，载体膜（20）形成用于截面的单面支撑件，突出超过载体膜（20）的表面，成形金属体（30） “）; 并且在使所述成形金属体（30'）变形的同时将所述成形金属体（30'）的在所述载体膜（20）的表面上突出的部分连接到所述动力接触部。或者，一种用于制造金属接触面的方法，适用于将电导体与其接合，用于接触功率半导体（10），具有以下步骤：施加具有载体膜（20）和成形金属体（30'），其中所述成形金属体（30'）包括布置在所述载体膜（20）上的第一成形金属体部分和突出超过所述载体膜（20）的表面的第二成形金属体部分载体膜（20），并且第一成形金属体部通过功率半导体（10）上的变形区域连接到第二成形金属体部，使得成形金属体部突出超过载体箔（的表面） 20）布置在功率半导体（10）的控制或电源触点之上; 并且在使所述成形金属体（30'）变形的同时，使所述成形金属体部分突出超过所述载体膜（20）的表面与所述控制或动力接触。将穿过载体膜（20）的表面突出的成形金属体（30'）的部分连接到电源接触件特别是通过银烧结进行。

3. 发明申请

WO2016002803A1 パワーモジュール用基板ユニット及びパワーモジュール审中-公开
标题翻译：电源模块基板单元和电源模块
公开(公告)号：WO2016002803A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2015/068884
申请日：2015-06-30
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：大井　宗太郎 , 大開　智哉
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/562 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/568 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/051 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3735 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2924/00014 , H01L2224/84801
摘要：　パワーモジュール用基板ユニット５１は、回路層１２は複数の小回路層１２Ｓにより構成され、セラミックス基板層１１が少なくとも一枚で構成され、金属層１３が少なくとも一枚で構成されており、小回路層１２Ｓが、セラミックス基板層１１の一方の面に接合された第１アルミニウム層１５と、その第１アルミニウム層１５に固相拡散接合された第１銅層１６とを有する積層構造とされ、金属層１３が第１アルミニウム層１５と同一材料により形成され、放熱板３０が銅又は銅合金により形成され、金属層１３と放熱板３０とが固相拡散接合されており、第１銅層１６の厚さをｔ１（ｍｍ）、接合面積をＡ１（ｍｍ２）、耐力をσ１（Ｎ／ｍｍ２）とし、前記金属層との接合位置における放熱板３０の厚さをｔ２、接合面積をＡ２（ｍｍ２）、耐力をσ２（Ｎ／ｍｍ２）としたときに、比率（ｔ１×Ａ１×σ１）／（ｔ２×Ａ２×σ２）が０．８０以上１．２０以下とされる。
摘要翻译：一种用于功率模块的衬底单元（51），其中：电路层（12）由多个小电路层（12S）构成; 陶瓷基板层（11）由至少一片构成; 并且金属层（13）由至少一个片构成。每个小电路层（12S）具有多层结构，其包括与陶瓷基板层（11）的一个表面接合的第一铝层（15）和与第一铝层（16）接合的第一铜层（16）（15）通过固相扩散。金属层（13）由与第一铝层（15）相同的材料形成。散热板（30）由铜或铜合金形成，金属层（13）和散热板（30）通过固相扩散而彼此接合。如果t1（mm）是第一铜层（16）的厚度，则A1（mm2）是第一铜层（16）的接合面积，σ1（N / mm2）是第一铜层如图16所示，t2是在散热板（30）与金属层接合的位置处的散热板（30）的厚度，A2（mm2）是散热板（30）的接合面积上述位置和σ2（N / mm2）是上述位置处的散热板（30）的证明应力，比率（t1×A1×σ1）/（t2×A2×σ2）来自 0.80〜1.20（含）。

4. 发明申请

WO2015151285A1 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：WO2015151285A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/JP2014/060009
申请日：2014-04-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：谷　昌和 , 出口　善行
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/3675 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/84 , H01L2224/37028 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/8482 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：　本発明に係る半導体モジュールは、基板もしくはバスバに配置された半導体素子を他の電子部品と電気的に接続させるために用いられる導電部材が、半導体素子との接合部における、導電部材と半導体素子との線膨張係数差による冷熱ストレスを低減し、接続対象の寸法公差を吸収できる柔軟性を有する構造を備えており、この結果、半導体装置の電流容量の増大と、半導体モジュールの信頼性向上の両立を図ることを実現している。
摘要翻译：本发明的半导体模块具有这样的结构，其中用于将设置在基板或母线上的半导体元件电连接到另一电子部件的导电部件具有足够的柔性，从而可以减少由在与半导体元件的接合处的导电构件和半导体元件之间的线膨胀系数的差异，并且吸收连接对象中的尺寸公差。结果，可以增加半导体器件的电流容量并提高半导体模块的可靠性。

5. 发明申请

WO2015144833A1 TRÄGER UND CLIP JEWEILS MIT SINTERBARER, VERFESTIGTER PASTE ZUR VERBINDUNG MIT EINEM HALBLEITERELEMENT, ENTSPRECHENDE SINTERPASTE UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译： CARRIER和剪辑每个烧结，凝固粘贴到相关的半导体元件，相当于烧结物膏剂及相应方法和使用
公开(公告)号：WO2015144833A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/EP2015/056596
申请日：2015-03-26
申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
发明人： BENEDIKT, Michael , KREBS, Thomas , SCHÄFER, Michael , SCHMITT, Wolfgang , HINRICH, Andreas , KLEIN, Andreas , BRAND, Alexander , BLEIFUSS, Martin
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/4821 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27505 , H01L2224/27848 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/2939 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/371 , H01L2224/37639 , H01L2224/4005 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40499 , H01L2224/73263 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/9221 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen Träger (z.B. Stanzgitter) und einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement, der wenigstens eine Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement und mehrere Anschlüsse (11) aufweist. Sie zeichnet sich dadurch aus, dass das Material des Trägers bzw. Clips ein Metall umfasst und auf der Funktionsfläche (10) eine Schicht (12) aus einer verfestigten (getrockneten) Sinterpaste, insbesondere einer Silber und/oder eine Silberverbindung enthaltenden Sinterpaste angeordnet ist, wobei der Träger bzw. Clip und die Schicht (12) aus Sinterpaste ein Zwischenprodukt bilden, das mit dem Halbleiterelement verbindbar ist. Der Träger und der Clip werden zur Herstellung einer Verpackung mit Stanzgitter (Leadframe Package) durch Verbindung mit dem Clip mittels Sintern der verfestigten Sinterpasten in einem Arbeitsgang verwendet.
摘要翻译：本发明涉及一种支撑件（例如，引线框架）和至少一个半导体元件的夹子，其具有至少一个功能性表面（10）用于连接到所述半导体元件和多个端子（11）。它的特征在于，所述支撑件或夹子的材料包括金属和功能表面（10）上制成的凝固（干燥）烧结膏的层（12），尤其是银和/或银 - 的含化合物烧结膏被布置，其中所述载体或剪辑和由烧结膏的层（12）形成中间产物，其可连接到所述半导体元件。所述载体和所述夹子可用于由通过烧结在单一操作中烧结固化浆料的装置连接到所述夹子制造具有引线框架（引线框架封装）的封装件。

6. 发明申请

WO2014174573A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014174573A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/JP2013/061787
申请日：2013-04-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：國光　威宏 , 田中　大輔
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49534 , H01L23/49541 , H01L23/49558 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49589 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/89 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2224/4103 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/146 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要：　リードフレームの２つの座面（２１、２３）を橋絡するように搭載されたチップコンデンサ（３５）として、樹脂電極を有する樹脂電極コンデンサを用いた。これにより、チップコンデンサ（３５）に座面（２１、２３）の段差による応力や、封止の際のモールド樹脂（７）の圧力による応力が加わった場合に、樹脂電極が剥離することで素子基体の破損を防ぐことができ、半導体装置の故障を防ぐことができる。
摘要翻译：使用其中具有树脂电极的树脂电极电容器用作芯片电容器（35）的半导体器件，其被安装成桥接引线框架的两个安置表面（21,23）。作为这种结构的结果，当片状电容器（35）由于在座表面（21,23）之间的高度差或由于在密封期间来自模制树脂（7）的压力而受到应力时，树脂电极剥离，使得可以防止对器件基板的损坏并防止半导体器件的故障。

7. 发明申请

WO2013076064A1 VERFAHREN ZUM KONTAKTIEREN EINES HALBLEITERS UND KONTAKTANORDNUNG FÜR EINEN HALBLEITER 审中-公开
标题翻译：方法半导体所述的用于半导体联系人及联系安排的
公开(公告)号：WO2013076064A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/EP2012/073074
申请日：2012-11-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SUESKE, Erik , GEINITZ, Eckart , BRAUN, Gerhard
发明人： SUESKE, Erik , GEINITZ, Eckart , BRAUN, Gerhard
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/768 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/26145 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/37011 , H01L2224/37012 , H01L2224/371 , H01L2224/4007 , H01L2224/40245 , H01L2224/49171 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/07025 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiters (10) sowie eine Kontaktanordnung (1) für einen Halbleiters (10), wobei der Halbleiter (10) an mindestens einer ersten Fläche durch Ausbildung einer ersten Lötschicht (30) mit einer vorgegebenen Dicke flächig mit einem ersten Kontaktpartner (20) verbunden ist. Erfindungsgemäß ist eine Polyimidschicht (14) als Begrenzungsmittel auf dem Halbleiter (10) aufgebracht, welche die Abmessungen und/oder die Form von mindestens einer Lötfläche (12) des Halbleiters (10) vorgibt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将半导体（10）和一个接触装置（1）的半导体（10）接触，其中所述半导体（10）的至少第一面通过形成第一焊料层（30），具有预定厚度的表面被连接到第一接触（20）。根据本发明，聚酰亚胺层（14）和限位装置在半导体（10）被施加，其限定了尺寸和/或半导体（10）中的至少一个焊接表面（12）的形状。

8. 发明申请

WO2013001905A1 リードフレーム、及び、パワーモジュール审中-公开
标题翻译：引导框架和电源模块
公开(公告)号：WO2013001905A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/JP2012/061272
申请日：2012-04-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 門口卓矢 , 三好達也 , 川島祟功 , 奥村知巳
发明人：門口　卓矢 , 三好　達也 , 川島　祟功 , 奥村　知巳
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L23/4951 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要：　材料歩留まりの高いリードフレーム、及び、パワーモジュールを提供することを課題とする。　リードフレームは、平面視において、半導体素子が配置される領域の一の側に延伸する複数の第１リードと、平面視において、前記半導体素子が配置される領域の前記一の側とは反対側の他の側に延伸する複数の第２リードと、平面視において、前記複数の第１リードのうち端に位置する第１リードの外側に並べられる第３リードと、前記第３リードに接続され、前記第１リード、前記第２リード、及び前記第３リードのガイドフレームの一部であるとともに、前記ガイドフレームの当該一部以外の部分を切除した後に、前記第３リードに接続される配線になる配線部とを含む。
摘要翻译：本发明解决了提供高产量的引线框架和功率模块的问题。引线框架包括：在平面图中在设置有半导体元件的区域的一侧上延伸的多个第一引线; 多个第二引线在平面图中在与设置半导体元件的区域的一侧相对的另一侧延伸; 第三引线，其设置在俯视图中位于多个第一引线的一端的第一引线的外侧上; 并且连接到第三引线的布线部分构成用于第一引线，第二引线和第三引线的引导框架的一部分，并且用作在引导框架的部分之后连接到第三引线的布线，排除去除上述部分。

9. 发明申请

WO2012137333A1 モールドモジュール、及び電動パワーステアリング装置审中-公开
标题翻译：模具和电动转向装置
公开(公告)号：WO2012137333A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/JP2011/058808
申请日：2011-04-07
申请人：三菱電機株式会社 , 田中大輔 , 浅尾淑人 , 大前勝彦 , 渡辺哲司
发明人：田中　大輔 , 浅尾　淑人 , 大前　勝彦 , 渡辺　哲司
IPC分类号： B62D5/04 , H01L23/28 , H02K5/08
CPC分类号： H01L23/42 , B62D5/04 , B62D5/0406 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3737 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40247 , H01L2224/83801 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H02K3/522 , H02K5/08 , H02K5/225 , H02K7/1166 , H02K9/22 , H02K11/33 , H05K2201/10924 , H05K2201/10931 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】電子リレーやインバータ回路部で使用される半導体チップ等の各電子部品の温度分布を均一化し、放熱性を向上させ得るモールドモジュール、及び電動パワーステアリング装置を提供する。【解決手段】この発明によるモールドモジュール、及び電動パワーステアリング装置は、配線を形成する複数のターミナルと前記夫々のターミナルに実装された複数の電子部品とをモールド樹脂によりモールディングし、前記複数のターミナルは、その少なくとも一部分が前記モールド樹脂の裏面に露出しているモールドモジュール、及びこれを用いた電動パワーステアリング装置である。
摘要翻译： [问题]为了提供一种模制模块，其中使用于电子继电器和逆变器电路部分中的每个电子部件（例如半导体芯片）的温度分布均匀，并且可以提高散热特性，并提供电动助力转向装置。 [解决方案]本发明的模制模块和电动助力转向装置是：使用模制树脂模制形成布线的多个端子和安装在每个端子上的多个电子部件的模制模块，以及每个端子的至少一部分从模制树脂的后表面露出; 以及使用该模制模块的电动助力转向装置。

10. 发明申请

WO2010130235A2 METHOD FOR CONTACT SINTERING STRIP-SHAPED CONTACT ELEMENTS 审中-公开
标题翻译： KONTAKTSINTERUNG带状接触元件的方法
公开(公告)号：WO2010130235A2
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/DE2010000374
申请日：2010-04-12
申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH , OSTERWALD FRANK , RUDZKI JACEK , EISELE RONALD
发明人： OSTERWALD FRANK , RUDZKI JACEK , EISELE RONALD
CPC分类号： H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/05001 , H01L2224/05083 , H01L2224/05155 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/37026 , H01L2224/371 , H01L2224/37599 , H01L2224/40091 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8484 , H01L2224/85205 , H01L2224/8584 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20757 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205 , H01L2924/01006
摘要： The invention relates to a method for contact sintering a semiconductor element for power electronics with a strip-shaped contact element, which is fixed on the semiconductor element by means of pressure sintering, wherein the strip-shaped contact element is a woven ribbon contact made of a plurality of metal stranded wires. The stranded wires are dip-wetted with wet sinter paste in the region of the contacting end regions, and pressure sintering is carried out using a heated die, which sinters the contact region in the form of points using pressure and heat.
摘要翻译：发生过程Kontaktsinterung功率电子用带形接触元件，它是由压力烧结固定在半导体元件，其中，所述带状的接触元件是由多个金属丝股线编织的接触引线的半导体器件与湿烧结膏中的多股绞合线的潜水润湿在接触件容纳端的部分的面积和压力烧结是利用冲头temperaturbeaufschlagten，与烧结的压力和温度的接触点状区域进行。

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