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1. 发明申请

WO2017112247A1 PERFORATED CONDUCTIVE MATERIAL FOR EMI SHIELDING 审中-公开
标题翻译：用于电磁干扰屏蔽的导电导电材料
公开(公告)号：WO2017112247A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/US2016/063300
申请日：2016-11-22
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： DIAS, Rajendra C. , HEPPNER, Joshua D. , MODI, Mitul B. , PRAKASH, Anna M
IPC分类号： H05K9/00 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/60 , H01L21/4825 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/49524 , H01L23/552 , H01L24/27 , H01L24/33 , H01L2224/97 , H01L2924/3025
摘要： An electric device and method of fabrication of that electric device is disclosed. The electric device includes one or more electrical devices attached to a substrate. The electric device further includes one or more grounding pads attached to the substrate. The electric device further includes a perforated conductive material placed on the substrate. The electric device further includes a molding compound deposited to cover the perforated conductive material, the one or more devices, and the one or more grounding pads.
摘要翻译：公开了一种电气装置和该电气装置的制造方法。电气设备包括附接到基板的一个或多个电气设备。电气设备还包括附接到基板的一个或多个接地垫。电子器件还包括放置在衬底上的穿孔导电材料。电气装置还包括模制化合物，其被沉积以覆盖穿孔的导电材料，一个或多个器件以及一个或多个接地垫。

2. 发明申请

WO2017034591A1 ROBUST INTERMETALLIC COMPOUND LAYER INTERFACE FOR PACKAGE IN PACKAGE EMBEDDING 审中-公开
标题翻译：用于包装嵌入的强大的互联层间接口
公开(公告)号：WO2017034591A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/US2015/047302
申请日：2015-08-27
申请人： INTEL IP CORPORATION
发明人： GEISSLER, Christian , SEIDEMANN, Georg
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/48 , H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L2224/03424 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05022 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05638 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/24137 , H01L2224/27849 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/33181 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015 , H01L2924/014
摘要： Embodiments may relate to an embedded package having a diffusion barrier layer may be placed between a copper (Cu) pad and a solder ball inside the embedded package. During the solder reflow process, an intermetallic compound (IMC) layer is created that does not come into contact with the Cu, so that subsequent high temperatures applied to the embedded package may not cause the Cu to be consumed through diffusion. Other embodiments may be described and/or claimed.
摘要翻译：实施例可以涉及具有扩散阻挡层的嵌入式封装可以放置在嵌入式封装内的铜（Cu）焊盘和焊球之间。在回流焊接过程中，产生不与Cu接触的金属间化合物（IMC）层，使得施加到嵌入式封装件的后续高温不会导致Cu通过扩散而消耗。可以描述和/或要求保护其他实施例。

3. 发明申请

WO2016185666A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2016185666A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/JP2016/002043
申请日：2016-04-15
申请人：株式会社デンソー
发明人：小野田　憲司 , 大前　翔一朗
IPC分类号： H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/4871 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/40 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/33 , H01L2224/3303 , H01L2224/371 , H01L2224/37599 , H01L2224/40 , H01L2224/83815 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14252 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H02P27/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：半導体装置は、金属部材（１５）と、第１半導体チップ（１３）と、第２半導体チップ（１４）と、第１はんだ（２４）と、第２はんだ（２５）と、を備える。第１半導体チップの発熱量は第２半導体チップの発熱量よりも大きい。第２半導体チップは第１半導体チップよりもヤング率が大きい材料を用いて形成される。第１半導体チップは、金属部材との対向面に、第１はんだ（２４）を介して金属部材に接続される第１金属層（１３ａ）を有する。第２半導体チップは、金属部材との対向面に、第２はんだ（２５）を介して金属部材に接続される第２金属層（１４ａ）を有する。第２はんだのうち、第２金属層の少なくとも外周端の一部に対応する厚みが、第１はんだの最大厚みよりも厚くされている。
摘要翻译：根据本发明的半导体器件设置有金属部件（15），第一半导体芯片（13），第二半导体芯片（14），第一焊料（24）和第二焊料（25）。由第一半导体芯片产生的热量大于由第二半导体芯片产生的热量。第二半导体芯片由比第一半导体芯片的杨氏模量大的材料形成。第一半导体芯片在面向金属构件的表面上具有经由第一焊料（24）连接到金属构件的第一金属层（13a）。第二半导体芯片在与金属构件相对的表面上具有经由第二焊料（25）连接到金属构件的第二金属层（14a）。在第二焊料中，对应于第二金属层的至少外周的一部分的厚度被制成大于第一焊料的最大厚度。

4. 发明申请

WO2016125674A1 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体模块和半导体模块的制造方法
公开(公告)号：WO2016125674A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/JP2016/052463
申请日：2016-01-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：守屋　要一 , 山本　祐樹 , 森下　康伸
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/28 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/28 , H01L23/3735 , H01L23/49531 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/29101 , H01L2224/33 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：　全ての外部導出リード端子を、封止樹脂の側面の同じ高さ部分から外部に導出させる。　リード端子を、絶縁基材６ａ～６ｃに固定された内部配線リード端子５１ａ～５３ｄと、封止樹脂から外部に導出された外部導出リード端子１５１ａ～１５３ｄとで構成し、内部配線リード端子５１ａ～５３ｄと外部導出リード端子１５１ａ～１５３ｄとを接合するようにした。外部導出リード端子１５１ａ～１５３ｄのうち、外部導出リード端子１５１ａおよび１５３ａ～１５３ｄは、それぞれ、複数の屈曲部を有している。
摘要翻译：所有外部引出引线端子从具有与密封树脂的侧表面相同高度的部分引出到外部。引线端子由固定到绝缘基板（6a-6c）的内部引线端子（51a-53d）和从密封树脂引出到外部的外部引出引线端子（151a-153d）形成。引线端子被配置为使得内部引线端子（51a-53d）和外部引出引线端子（151a-153d）彼此接合。在外部引出引线端子（151a-153d）中，外部引出引线端子（151a和153a-153d）分别设置有多个弯曲部分。

5. 发明申请

WO2016007176A1 SCALABLE PACKAGE ARCHITECTURE AND ASSOCIATED TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS 审中-公开
标题翻译：可扩展的包装架构和相关技术和配置
公开(公告)号：WO2016007176A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/US2014/046417
申请日：2014-07-11
申请人： INTEL CORPORATION , GANESAN, Sanka , ZIADEH, Bassam , NIMKAR, Nitesh
发明人： GANESAN, Sanka , ZIADEH, Bassam , NIMKAR, Nitesh
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/293 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0381 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/27 , H01L2224/28105 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32105 , H01L2224/32145 , H01L2224/3301 , H01L2224/33106 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/80903 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： Embodiments of the present disclosure describe scalable package architecture of an integrated circuit (IC) assembly and associated techniques and configurations. In one embodiment, an integrated circuit (IC) assembly includes a package substrate having a first side and a second side disposed opposite to the first side, a first die having an active side coupled with the first side of the package substrate and an inactive side disposed opposite to the active side, the first die having one or more through-silicon vias (TSVs) configured to route electrical signals between the first die and a second die, and a mold compound disposed on the first side of the package substrate, wherein the mold compound is in direct contact with a sidewall of the first die between the active side and the inactive side and wherein a distance between the first side and a terminating edge of the mold compound that is farthest from the first side is equal to or less than a distance between the inactive side of the first die and the first side. Other embodiments may be described and/or claimed.
摘要翻译：本公开的实施例描述了集成电路（IC）组件的可扩展封装体系结构以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，集成电路（IC）组件包括具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧的封装衬底，第一管芯具有与封装衬底的第一侧耦合的有源侧和不活动侧所述第一管芯具有配置成在所述第一管芯和第二管芯之间布置电信号的一个或多个穿硅通孔（TSV）以及设置在所述封装基板的第一侧上的模具化合物，其中，模具化合物在活性侧和非活性侧之间与第一模具的侧壁直接接触，并且其中距离第一侧最远的模具化合物的第一侧和终止边缘之间的距离等于或小于而不是第一模具的不活动侧和第一侧之间的距离。可以描述和/或要求保护其他实施例。

6. 发明申请

WO2015175872A1 STRUCTURES AND METHODS FOR SHIELDING MAGNETICALLY SENSITIVE COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法
公开(公告)号：WO2015175872A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/US2015/030959
申请日：2015-05-15
申请人： EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC.
发明人： LIN, Wenchin , JANESKY, Jason
IPC分类号： G11C11/15 , H01L23/14 , H01L23/552
CPC分类号： H01L43/02 , G11C5/005 , G11C11/16 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L27/222 , H01L43/12 , H01L2224/04042 , H01L2224/06136 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45015 , H01L2224/4824 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92147 , H01L2924/00014 , H01L2924/1441 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
摘要： Structures and methods are disclosed for shielding magnetically sensitive components. One structure includes a substrate, a bottom shield deposited on the substrate, a magnetoresistive semiconductor device having a first surface and a second surface opposing the first surface, the first surface of the magnetoresistive semiconductor device deposited on the bottom shield, a top shield deposited on the second surface of the magnetoresistive semiconductor device, the top shield having a window for accessing the magnetoresistive semiconductor device, and a plurality of interconnects that connect the magnetoresistive semiconductor device to a plurality of conductive elements.
摘要翻译：公开了用于屏蔽磁敏元件的结构和方法。一种结构包括衬底，沉积在衬底上的底部屏蔽，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的磁阻半导体器件，沉积在底部屏蔽上的磁阻半导体器件的第一表面，沉积在磁阻半导体器件的第二表面，顶部屏蔽件具有用于访问磁阻半导体器件的窗口，以及将磁阻半导体器件连接到多个导电元件的多个互连。

7. 发明申请

WO2015163453A1 パワーモジュール用基板ユニット及びパワーモジュール审中-公开
标题翻译：电源模块基板和电源模块
公开(公告)号：WO2015163453A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/JP2015/062545
申请日：2015-04-24
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：大井　宗太郎 , 大開　智哉
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/13 , H05K1/02
CPC分类号： H01L23/3736 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H01L23/3675 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/29117 , H01L2224/32501 , H01L2924/0002 , H05K1/02 , H05K1/0203 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H01L2924/00
摘要：　１枚のセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備える少なくとも１つのパワーモジュール用基板と；このパワーモジュール用基板の前記金属層が接合されたヒートシンクと；を有し、前記金属層が純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなり、前記ヒートシンクが純度９９．９０質量％以下のアルミニウム板からなり、前記回路層が、前記セラミックス基板に接合された純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなる第１層と、該第１層の表面に接合された純度９９．９０質量％未満のアルミニウム板からなる第２層との積層構造を有する。
摘要翻译：本发明具有：设置有陶瓷基板的至少一个功率模块基板，形成在陶瓷基板的一侧的电路层以及形成在陶瓷基板的另一侧的金属层。以及功率模块基板的金属层连接到的散热器。金属层包括纯度为至少99.99质量％的铝板，散热器包括纯度不超过99.90质量％的铝板。电路层具有双层结构，其中：第一层包括纯度至少为99.99质量％的铝板，铝板与陶瓷基板接合; 并且第二层包括纯度小于99.90质量％的铝板，所述铝板与第一层的表面接合。

8. 发明申请

WO2015150311A1 VERFAHREN ZUM MONTIEREN EINES ELEKTRISCHEN BAUELEMENTS, BEI DER EINE HAUBE ZUM EINSATZ KOMMT, UND ZUR ANWENDUNG IN DIESEM VERFAHREN GEEIGNETE HAUBE 审中-公开
标题翻译：用于安装电子部件中通风厨使用方法就要到了，在这个方法中，合适HOOD中的应用
公开(公告)号：WO2015150311A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/EP2015/056867
申请日：2015-03-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： BUSCHE, Nora , STROGIES, Jörg , WILKE, Klaus
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/473 , H01L23/495
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/46 , H01L23/473 , H01L23/495 , H01L23/49548 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40227 , H01L2224/73263 , H01L2224/753 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15192 , H01L2924/16152 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/165 , H01L2924/1679 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements (12) auf einen Substrat (13). Erfindungsgemäß wird das Fügen durch eine Haube (11) vereinfacht, indem in diese Haube eine Kontaktierungsstruktur (16) vorgesehen ist und diese beim Aufsetzen der Haube (11) auf verschiedenen Fügeleveln (28, 29) gleichzeitig mit einem Zusatzwerkstoff (35) gefügt wird. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine Haube, welche zur Anwendung in dem genannten Verfahren geeignet ist. Erfindungsgemäß besteht die Haube aus einem thermisch erweichbaren oder thermisch aushärtbaren Material, vorzugsweise aus einem Harz oder einem thermoplastischen Kunststoff. Die Haube wird vorzugsweise beim Fügen der Verbindungen soweit erwärmt, dass diese sich plastisch verformen lässt. Vorteilhaft werden auf diese Weise Toleranzen beim Fügen ausgeglichen, so dass es zu einer zuverlässigen Ausbildung aller Verbindungen kommen kann. Außerdem kann über die Haube ein erforderlicher Fügedruck aufgebaut werden, wie er beispielsweise bei Diffusionsverbindungen oder Sinterverbindungen der elektrischen Kontakte erforderlich ist.
摘要翻译：本发明涉及的基板（13）上安装的电子组件（12）的方法。根据本发明，通过由接触结构的发动机罩（11）促进了接合（16）在该罩提供，并且这将所述盖（11）在各种粘附物的水平（28，29）当在相同时间被添加与填充材料（35）。此外，本发明涉及一种机罩，其适于在所述方法中使用。根据本发明的一个热软化或热可固化材料的罩，优选为树脂或热塑性材料。该罩是优选直到它们可以被塑性变形的化合物的连接过程中被加热。有利地平衡公差在以这种方式连接，以便它可以来可靠地形成的所有连接。此外，所需要的焊接压力，可以根据需要，例如在扩散键或电触头的烧结连接被建立在所述罩。

9. 发明申请

WO2015145711A1 電力変換装置审中-公开
标题翻译：功率转换装置
公开(公告)号：WO2015145711A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2014/059071
申请日：2014-03-28
申请人：株式会社日立製作所
发明人：井出　英一 , 新谷　寛 , 谷江　尚史
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/373 , H01L23/40
CPC分类号： H01L23/3736 , H01L23/051 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/3735 , H01L23/40 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L24/33 , H01L25/00 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要：　パワー半導体チップを搭載した回路体を放熱体に設置するにあたり、ネジやバネ等の押圧部材の体積増加を低減し、電力変換装置の小型化を図ることである。　本発明に係る電力変換装置は、スイッチング素子を有する回路体と、第１凹部及び冷却面を形成するベース部材と、前記ベース部材の前記第１凹部に挿入される楔と、を備え、前記ベース部材の前記第１凹部は、前記冷却面を形成する基台部と、前記冷却面とは反対側の面に配置された第１壁と、当該第１壁と当該基台部を繋げる中間部と、により形成され、前記第１壁は、前記楔を挿入させるための挿入空間と、前記回路体の放熱面と伝熱経路を形成する伝熱面と、を形成し、前記中間部は、前記楔が前記挿入空間に挿入されることにより、前記第１壁が前記回路体の配置方向に向かって変位するように塑性変形する。
摘要翻译：本发明的目的是为了减少在散热体上配备功率半导体芯片的电路体的放置，减少螺钉，弹簧和其它按压部件中的体积增加，以便减小尺寸电力转换装置。本发明涉及的电力转换装置具备电路体，该电路体包括开关元件，形成第一凹部的基体和冷却面，以及插入基体的第一凹部的楔形物。基部构件的第一凹部由形成冷却面的基台平台部，配置在与冷却面相反的一侧的表面上的第一壁和连接第一壁和基台平台部的中间部形成。第一壁形成用于插入楔形物的插入空间，形成用于电路体的散热表面和热传递路径的热传递表面。当楔形物插入到插入空间中时，中间部分发生塑性变形，使得第一壁向电路体的放置方向移动。

10. 发明申请

WO2015087136A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015087136A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/IB2014/002704
申请日：2014-12-09
申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA , DENSO CORPORATION
发明人： KADOGUCHI, Takuya , HIRANO, Takahiro , HARADA, Arata , OKUMURA, Tomomi , FUKUTANI, Keita , NISHIHATA, Masayoshi
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： A semiconductor device includes a first switching element (20); a second switching element (30); a first metal member (50); a second metal member (54); a first terminal (40) that has a potential on a high potential side; a second terminal (42) that has a potential on a low potential side; a third terminal (44) that has a midpoint potential; and a resin part (66). A first potential part (P) has potential equal to a potential of the first terminal. A second potential part (N) has potential equal to a potential of the second terminal. A third potential part (O) has potential equal to a potential of the third terminal. A first creepage distance between the first potential part and the second potential part is longer than a minimum value of a second creepage distance between the first potential part and the third potential part and a third creepage distance between the second potential part and the third potential part.
摘要翻译：半导体器件包括第一开关元件（20）; 第二开关元件（30）; 第一金属构件（50）; 第二金属构件（54）; 在高电位侧具有电位的第一端子（40）; 在低电位侧具有电位的第二端子（42）; 具有中点电位的第三端子（44）; 和树脂部（66）。第一潜在部分（P）具有等于第一端子的电势的电位。第二电位部分（N）的电位等于第二端子的电位。第三可能部分（O）具有等于第三端子的电位的电位。第一电位部分和第二电位部分之间的第一爬电距离长于第一电位部分和第三电位部分之间的第二爬电距离的最小值和第二电位部分与第三电位部分之间的第三爬电距离。

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