基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：PCT/JP2013/082543 申请日：2013-12-04
- 公开(公告)号：WO2015083250A1 公开(公告)日：2015-06-11
- 发明人： 河面 英夫 , 王丸 武志 , 斉藤 省二
- 申请人： 三菱電機株式会社
- 申请人地址： 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo JP
- 专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 Tokyo JP
- 代理机构： 吉竹 英俊
- 主分类号： H02M1/08
- IPC分类号： H02M1/08 ; H02M1/32
摘要：
本発明は、電力機器に使用される半導体装置に関し、ベース板（１６）と、ベース板（１６）上に搭載された絶縁基板（２９）と、絶縁基板上にはんだ層（３１）により接合された電力用スイッチング素子（２１）とを有し、ベース板（１６）、絶縁基板（２９）および電力用スイッチング素子（２１）とでモジュールを構成し、モジュール上に制御基板（ＣＳ）を備えた半導体装置であって、制御基板（ＣＳ）は、電力用スイッチング素子（２１）のコレクタ－エミッタ間電圧を測定し、コレクタ－エミッタ間電圧とコレクタ電流との積で規定される任意の目標電力を電力用スイッチング素子（２１）に供給するようにゲート電圧を変更する可変ゲート電圧回路（９０）を有している。
摘要（中）：
用于动力装置的该半导体装置具有：基板（16），安装在基板（16）上的绝缘基板（29）; 以及通过焊料层（31）接合在所述绝缘基板上的功率开关元件（21）。 模块由基板（16），绝缘基板（29）和电源开关元件（21）构成，在模块上设置有控制基板（CS）。 控制基板（CS）具有可变栅极电压电路（90），该可变栅极电压电路（90）测量功率开关元件（21）的集电极 - 发射极电压，并且改变栅极电压，使得任意目标功率被提供给功率开关元件 （21），所述酌情目标功率由集电极 - 发射极电压和集电极电流的乘积指定。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H02 | 发电、变电或配电 |
| ----H02M | 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节 |
| ------H02M1/00 | 变换装置的零部件 |
| --------H02M1/08 | .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路 |