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1. 发明申请

WO2023079961A1 負荷駆動装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023079961A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/JP2022/038976
申请日：2022-10-19
申请人：株式会社デンソー
发明人：名倉　宏紀 , 株根　秀樹
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48
摘要：電力変換器（６０）は、バッテリ（１５）に接続される電源ライン（Ｌｐ）とグランドライン（Ｌｇ）との間に設けられ、バッテリ（１５）の直流電力を変換して負荷（８０）に供給する。制御回路（３０）は、バッテリ（１５）から供給される電圧により動作し、電力変換器（６０）の動作を制御する。逆接続保護リレー（５２）は、半導体スイッチング素子で構成され、ＯＦＦ時に、バッテリ（１５）が逆接続されたときグランドライン（Ｌｇ）から電力変換器（６０）を経由して電源ライン（Ｌｐ）に流れる電流を遮断する。逆接続保護リレー（５２）はグランドライン（Ｌｇ）に設けられている。逆接続保護リレー（５２）をＯＮするための電圧が、バッテリ（１５）が順接続されたときゲートに供給され、且つ、バッテリ（１５）が逆接続されたときゲートに供給されないように構成されている。

2. 发明申请

WO2023074141A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023074141A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/JP2022/033784
申请日：2022-09-08
申请人：富士電機株式会社
发明人：熊澤　佑貴
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/695 , H02M1/08
摘要：本発明は、スイッチング素子の放射ノイズを増加させずに高温時の当該スイッチング素子の損失を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。半導体装置（２ａ）は、ゲート信号が入力されるゲート（Ｇ）を有するＩＧＢＴ（２１）と、ＩＧＢＴ（２１）の温度を検知する温度検知素子（２３）と、ＩＧＢＴ（２１）のゲート（Ｇ）と基準電位端子（４１）との間に配置され、温度検知素子（２３）で検知された検知温度に応じてＩＧＢＴ（２１）のゲート（Ｇ）とエミッタ（Ｅ）との間の静電容量を調整する静電容量調整部（１１）とを備えている。

3. 发明申请

WO2023062745A1 電力用半導体素子の駆動回路、電力用半導体モジュール、および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023062745A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/JP2021/037882
申请日：2021-10-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：堀口　剛司 , 益原　貴志
IPC分类号： H02M1/08
摘要：電力用半導体素子（１）のための駆動回路（１００）は、第１の主電極（Ｃ）と制御電極（Ｇ）との間に接続された電圧クランプ回路（２０）と、制御電極（Ｇ）と第２の主電極（Ｅ）との間に直列に接続された容量素子（３１）およびスイッチング素子（３２）ならびに容量素子（３１）と並列に接続された抵抗素子（３３）を含む第２のターンオフ回路（３０）を含む。ターンオフ制御回路（４０）は、電力用半導体素子（１）のターンオフが開始された後、第１の主電極（Ｃ）と第２の主電極（Ｅ）との間の電圧が上昇するときに、第２のターンオフ回路（３０）のスイッチング素子（３２）をオン状態に切り替える。

4. 发明申请

WO2023032413A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023032413A1
公开(公告)日：2023-03-09
申请号：PCT/JP2022/024328
申请日：2022-06-17
申请人：ローム株式会社
发明人：原　英夫
IPC分类号： H03K17/06 , G01R19/14 , G01R19/165 , H02M1/08 , H02M3/155 , H03K5/08 , H03K17/08
摘要：ハイサイド及びローサイド側の第１、第２出力トランジスタと、第１及び第２出力トランジスタ間の接続ノードに接続される第１端子と、第１端子に対してブートストラップコンデンサを通じて接続されるよう構成される第２端子と、を備える。第１出力トランジスタは第１端子及び第２端子間の電圧に基づいて駆動される。所定の制御電源電圧が加わる端子と第２端子との間にスイッチ回路が設けられる。スイッチ回路は、直列接続されたＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴである第１及び第２スイッチ素子を有する。第１端子の電圧に応じて第１及び第２スイッチ素子のオン又はオフが制御される。

5. 发明申请

WO2023017648A1 スイッチング素子の駆動回路及びスイッチング回路审中-公开
公开(公告)号：WO2023017648A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/JP2022/013581
申请日：2022-03-23
申请人：オムロン株式会社
发明人：野坂　紀元 , 岡田　亘 , 田内　宏憲 , 岩井　聡
IPC分类号： H02M1/08 , H02M3/155
摘要：スイッチング素子の駆動回路において、ゲートサージを低減するとともに逆導通損失を低減する。第１スイッチング素子のゲート端子とソース端子に接続され、該第１スイッチング素子をオン及びオフするゲート駆動回路であって、ゲート端子に接続される第１端子と、ソース端子に接続される第２端子を有し、第１端子と電圧源との間に設けられた第１スイッチと、第１端子と第２端子との間に設けられた第２スイッチとを有し、該第１スイッチを閉じて第１端子からゲート端子に電流を供給する制御部と、ゲート端子に一端が接続され、第１端子に他端が接続され、互いに並列に接続された第１抵抗及び第１コンデンサと、ソース端子に一端が接続され、第２端子に他端が接続される第２コンデンサと、ソース端子にカソード端子が接続され、第２端子にアノード端子が接続され、第２コンデンサに並列に接続される第１ツェナーダイオードと、を備える。

6. 发明申请

WO2023009648A1 SYSTEMS AND METHODS FOR POWER CONVERSION WITH LC FILTER HAVING ADDITIONAL CAPACITOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2023009648A1
公开(公告)日：2023-02-02
申请号：PCT/US2022/038556
申请日：2022-07-27
申请人： THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人： PREINDL, Matthias , ZHOU, Liwei , EULL, William-Michael , JAHNES, Matthew
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/084 , H02M1/02 , H02M1/12 , H02M1/14 , H02M1/16
摘要： Systems and methods for a high-efficiency power converter incorporating a half-bridge topology with one or more an additional upper capacitor and a drain-source capacitor. The converter includes DC voltage terminals and a DC link capacitor coupled across a positive and negative DC terminal of the DC voltage terminals. The converter further includes a power switching element pair including a high side switch and a low side switch coupled together at a midpoint node. The converter further includes an LC filter having a switch-side inductor, a lower capacitor coupled between a second end of switch- side inductor and the negative DC terminal; and an upper capacitor coupled between the second end of the switch-side inductor and the positive DC terminal. The converter may further include drain-source capacitors coupled across the drain and source terminals of the switches.

7. 发明申请

WO2023286667A1 誘導負荷の駆動装置、及び、誘導負荷駆動回路の断線検出装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023286667A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/JP2022/026803
申请日：2022-07-06
申请人：日立Ａｓｔｅｍｏ株式会社
发明人：高木　良太
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/00 , H03K17/695
摘要：本発明に係る駆動装置及び断線検出装置は、誘導負荷とグランドとの間に接続されたｎ型ＭＯＳＦＥＴと、前記誘導負荷に並列接続された還流ダイオードと、第１ツェナーダイオードであって、誘導負荷と前記還流ダイオードとの並列接続回路と、前記ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインとの間にカソードが接続され、誘導負荷からのサージ電圧でブレイクダウンする、前記第１ツェナーダイオードと、制御回路であって、前記第１ツェナーダイオードのアノードの端子電圧が設定電圧よりも高いときに、前記還流ダイオードの断線を判断して前記ｎ型ＭＯＳＦＥＴの駆動を停止する、前記制御回路と、を有する。これにより、誘導負荷のオンオフのタイミングが不明であっても、還流ラインにおける断線の有無に対処できる。

8. 发明申请

WO2022264851A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022264851A1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：PCT/JP2022/022797
申请日：2022-06-06
申请人：ローム株式会社
发明人：柴田　幸太郎 , 松尾　昌明
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M1/08
摘要：半導体装置は、複数の第１半導体素子と、制御端子と、第１導通部材と、複数の第１回路部品とを備える。複数の第１半導体素子は、互いに並列接続され、各々が第３電極に入力される第１駆動信号に応じてスイッチング動作が制御される。第１導通部材は、第１駆動信号を入力するための制御端子に導通しており、前記第３電極間に電気的に介在する。第１導通部材は、信号配線部の一部および複数の接続部材を含む。各第１回路部品は、第１周波数帯におけるインピーダンスを増加させる。第１周波数帯は、第１導通部材の寄生インダクタンスを含んで形成される共振回路の共振周波数を含む。複数の第１半導体素子それぞれの第３電極は、複数の第１回路部品の少なくとも１つを介して互いに電気的に接続されている。

9. 发明申请

WO2022249297A1 半導体素子の駆動方法、及び、駆動装置、並びに、電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022249297A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/JP2021/019856
申请日：2021-05-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今村　泰隆 , 三井　陽平 , 和田　幸彦 , 三木　隆義
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/16 , H02M1/08 , H02M7/48
摘要：半導体素子は、駆動制御信号（Ｓｓｗ）に従ってゲート電圧が制御されることでオンオフ制御される。駆動制御信号（Ｓｓｗ）が第１のレベル（０）から第２のレベル（１）に遷移に応じてゲートを充電するターンオン動作において、ゲート電圧（Ｖｇ）のミラー期間（２００）の終了後の第１の時刻（ｔ１）において、駆動信号（Ｓｄｒ）を第１のレベル（０）に設定してゲートを放電することで、ゲート電圧（Ｖｇ）が一時的に低下する電圧低下期間（２１０）が設けられる。第２の時刻（ｔ２）において、駆動信号（Ｓｄｒ）は、再び第２のレベル（１）に設定されて、ゲートの充電が開始される。

10. 发明申请

WO2022244036A1 電力変換装置及び主回路給電装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022244036A1
公开(公告)日：2022-11-24
申请号：PCT/JP2021/018544
申请日：2021-05-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：檜垣　優介 , 地道　拓志 , 梶山　拓也 , 中山　暁斗
IPC分类号： H02M7/48 , H02M1/08
摘要：主回路蓄電要素（１）から主回路制御装置（３）へ制御電力を供給する主回路給電装置（４）は、直列接続された複数の分圧用蓄電要素（５）と、分圧用蓄電要素（５）に接続されるとともに分圧用蓄電要素（５）間の電力の授受により分圧用蓄電要素（５）の電圧をそれぞれ調整する電圧調整回路（６）と、主回路蓄電要素（１）の電圧を分圧用蓄電要素（５）間で分割させる分圧用の制御指令値および少なくとも１つの分圧用蓄電要素（５）をバイパスさせるバイパス用の制御指令値の２パターンの制御指令値を出力することにより電圧調整回路（６）を制御して、ＤＣ／ＤＣコンバータ（７）の入力電圧を調整する制御回路（８）を備える。

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