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1. 发明申请

WO2017108121A1 SEMICONDUCTOR DIE PACKAGE WITH MORE THAN ONE HANGING DIE 审中-公开
标题翻译：半导体死亡包裹与更多一个垂悬的死的模子
公开(公告)号：WO2017108121A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2015/081130
申请日：2015-12-23
申请人： INTEL IP CORPORATION , ALBERS, Sven , REINGRUBER, Klaus , PATTEN, Richard , SEIDEMANN, Georg , GEISSLER, Christian
发明人： ALBERS, Sven , REINGRUBER, Klaus , PATTEN, Richard , SEIDEMANN, Georg , GEISSLER, Christian
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/92 , H01L23/49816 , H01L23/5385 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/08237 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2401 , H01L2224/24145 , H01L2224/245 , H01L2224/73259 , H01L2224/80815 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/9222 , H01L2224/92224 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/16251 , H01L2924/014 , H01L2224/80001 , H01L2224/19 , H01L2924/00012
摘要： An apparatus is described that includes a semiconductor die package. The semiconductor die package includes a semiconductor die package substrate having a top side and a bottom side. The semiconductor die package includes I/O balls on the bottom side of the semiconductor die package substrate. The I/O balls are to mount to a planar board. The semiconductor die package includes a first semiconductor die mounted on the bottom side of the semiconductor die package substrate. The first semiconductor die is vertically located between the bottom side of the semiconductor die package substrate and a second semiconductor die that is a part of the semiconductor die package.
摘要翻译：描述了包括半导体管芯封装的设备。半导体管芯封装包括具有顶侧和底侧的半导体管芯封装衬底。半导体管芯封装包括在半导体管芯封装衬底的底侧上的I / O球。 I / O球将安装到平面板上。半导体管芯封装包括安装在半导体管芯封装衬底的底侧上的第一半导体管芯。第一半导体管芯垂直地位于半导体管芯封装衬底的底侧和作为半导体管芯封装的一部分的第二半导体管芯之间。

2. 发明申请

WO2016187032A1 RADIO FREQUENCY ISOLATION USING SUBSTRATE OPENING 审中-公开
标题翻译：使用基板开放的无线电频率隔离
公开(公告)号：WO2016187032A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/US2016/032436
申请日：2016-05-13
申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人： MASON, Jerod F. , BARTLE, Dylan Charles , WHITEFIELD, David Scott
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/762 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/6835 , H01L21/7624 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L21/84 , H01L23/3121 , H01L23/49827 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2223/6677 , H01L2224/03002 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H04B1/40 , H04B1/401 , H04B10/40 , H01L2224/03 , H01L2224/45099
摘要： Radio-frequency (RF) devices are fabricated by providing a field-effect transistor (FET) formed over a an oxide layer formed on a substrate layer and removing at least a portion of the substrate layer to form an opening exposing at least a portion of a backside of the oxide layer, the opening being positioned to enhance RF performance for one or more components of the RF device.
摘要翻译：射频（RF）器件通过提供在形成在衬底层上的氧化物层上形成的场效应晶体管（FET）来制造，并去除衬底层的至少一部分以形成露出至少一部分氧化物层的背面，所述开口定位成增强RF装置的一个或多个部件的RF性能。

3. 发明申请

WO2016155965A3 CONTACT ARRANGEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID CONTACT ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：联系安排及联系安排制造方法
公开(公告)号：WO2016155965A3
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/EP2016054278
申请日：2016-03-01
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： MUELLER IMMANUEL , ORSO STEFFEN
IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/1304 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/00013 , H01L2924/014 , H01L2924/01015 , H01L2924/2076 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a contact arrangement of at least one semiconductor component (10), in particular a power semiconductor component. According to the invention, an electrical connection (15.2) of the semiconductor component (10) has a metal coating made of Al or an Al alloy. Furthermore, the electrical connection is connected to at least one wire bond or ribbon bond (40) made of Cu or a Cu alloy. A contact element (30), a bottom side (31) of which is connected to the electrical connection (15.2) and a top side (32) of which is connected to the wire bond or ribbon bond (40), is located between the at least one electrical connection (15.2) and the wire bond or ribbon bond (40). The contact element additionally has at least two adjoining layers (30.1, 30.2), the bottom side (31) being formed by an Al or Al alloy layer (30.1), and the contact element (30) comprising at least one other layer (30.2) made of Cu or a Cu alloy, Ag or an Ag alloy, and/or Ni or a Ni alloy.
摘要翻译：本发明涉及至少一个半导体部件（10）的一个接触装置，特别是功率半导体元件。在这种情况下，半导体组件（10）的电连接（15.2）包括Al或Al合金的金属化。此外，Cu中的至少一根电线或带键（40）或Cu合金，分别电连接。所述至少一个电连接（15.2）和所述丝或带之间的键（40）被布置设置有底部（31）与所述电连接（15.2）的接触元件（30）和具有一顶部（32）与导线 - 或带键（40）连接。接触元件也具有至少两个相邻的层（30.1,30.2），其中，在形成Al或Al合金构成的层（30.1）的下侧（31）和从接触元件（30）至少一个另外的层（30.2） Cu或Cu合金，由Ag或Ag合金和/或Ni或Ni合金构成。

4. 发明申请

WO2016174758A1 固体撮像装置および撮像システム审中-公开
标题翻译：固态图像拾取器件和图像拾取系统
公开(公告)号：WO2016174758A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/JP2015/062942
申请日：2015-04-30
申请人：オリンパス株式会社
发明人：近藤　亨
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L23/60 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/48 , H01L27/0296 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L2224/05554 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06152 , H01L2224/06155 , H01L2224/06177 , H01L2224/08145
摘要：固体撮像装置は、光電変換素子が配された第１基板と、第１基板に積層して配置され、光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路の少なくとも一部が配された第２基板と、第１基板に設けられ、第１基板の外部に向かって電気的に接続可能に設けられた接続表面を有する電極部と、第１基板と第２基板との間に配置され、第１基板および第２基板とを電気的に接続する基板接続部と、第２基板において、基板接続部のうち電極部に接続された基板接続部と周辺回路との間の回路に接続された静電保護回路と、を備え、第１基板および第２基板が積層される積層方向から見るとき、静電保護回路は、基板接続部のいずれとも重ならない位置に配置されている。
摘要翻译：该固体摄像装置设置有：设置光电转换元件的第一基板; 第二基板，其通过层压在第一基板上而布置，并且其中设置有至少一些外围电路，所述外围电路包括控制电路和读出电路，用于基于光电转换元件的电荷读出信号 ; 电极部，其设置在所述第一基板中，并且具有设置成面对所述第一基板的外侧的连接面，使得所述连接面能够电连接; 基板连接部分，其设置在第一基板和第二基板之间，并且将第一基板和第二基板彼此电连接; 以及静电保护电路，其连接到所述外围电路和连接到所述基板连接部中的所述电极部的基板连接部之间的电路，所述静电保护电路位于所述第二基板中。当从层叠第一基板和第二基板的层叠方向观察时，静电保护电路设置在静电保护电路不与任何一个基板连接部分重叠的位置。

5. 发明申请

WO2016157394A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016157394A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2015/060024
申请日：2015-03-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：錦沢　篤志 , 谷藤　雄一 , 岡　浩偉 , 団野　忠敏 , 中村　弘幸
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：　樹脂封止型の半導体装置において、導電性のダイパッドＤＰ上に、絶縁性を有する接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２が搭載され、かつ、導電性を有する接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１が搭載されている。半導体チップＣＰ２の第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、接合材ＢＤ２で覆われた部分の第１の長さは、半導体チップＣＰ１の第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、接合材ＢＤ１で覆われた部分の第２の長さよりも大きい。
摘要翻译：在本发明中，树脂密封型半导体装置被配置为通过具有绝缘性的接合材料BD2将半导体芯片CP2安装在导电性芯片焊盘DP上，半导体芯片CP1经由具有导电性能。在由半导体芯片CP2的第一表面和第二表面的交点形成的第一侧中的由接合材料BD2覆盖的部分的第一长度长于由接合材料BD1覆盖的部分的第二长度第二侧由半导体芯片CP1的第三侧面和第四侧面的交点形成。

6. 发明申请

WO2016155965A2 KONTAKTANORDNUNG UND VERFAHREN ZU HERSTELLUNG DER KONTAKTANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：联系安排及联系安排制造方法
公开(公告)号：WO2016155965A2
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/054278
申请日：2016-03-01
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： MUELLER, Immanuel , ORSO, Steffen
IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/1304 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/00013 , H01L2924/014 , H01L2924/01015 , H01L2924/2076 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Kontaktanordnung zumindest eines Halbleiterbauelementes, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement. Dabei weist ein elektrischer Anschluss des Halbleiterbauelementes eine Metallisierung aus Al oder einer Al-Legierung auf. Ferner ist der elektrische Anschluss mit zumindest einem Draht-oder Bändchenbond aus Cu oder einer Cu-Legierung verbunden. Zwischen dem zumindest einen elektrischen Anschluss und dem Draht-oder Bändchenbond ist ein Kontaktelement angeordnet, welches mit einer Unterseite mit dem elektrischen Anschluss und mit einer Oberseite mit dem Draht-oder Bändchenbond verbunden ist. Das Kontaktelement weist zudem zumindest zwei angrenzende Schichten auf, wobei die Unterseite aus einer Schicht aus Al oder einer Al-Legierung gebildet ist und das Kontaktelement zumindest eine weitere Schichtaus Cu oder einer Cu-Legierung, aus Ag-oder einer Ag-Legierung und/oder aus Ni oder einer Ni-Legierung umfasst.
摘要翻译：本发明涉及至少一个半导体元件的一个接触装置，特别是功率半导体元件。在这种情况下，半导体元件与Al的金属化或Al合金的电连接。此外，具有至少一个金属丝或由Cu或Cu合金的条带接合的电连接被连接。所述至少一个电端子与所述导线或带式接合被布置，其连接到与所述电连接的底部的接触元件和具有与所述金属丝或条带接合的顶面之间。接触元件也具有至少两个相邻层，其中所述底部是从Al的层或Al合金和接触元件的Cu或Cu合金，Ag或Ag合金和/或至少一个另外的层形成包括Ni或Ni合金制成。

7. 发明申请

WO2016117072A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016117072A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：PCT/JP2015/051648
申请日：2015-01-22
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：池田　侑一郎 , 小谷　憲
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/10162 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3862 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置ＰＫＧは、半導体チップＣＰと、リードＬＤ３と、半導体チップＣＰのパッド電極ＰＤ２とリードＬＤ３とを電気的に接続するワイヤＢＷ５と、半導体チップＣＰのパッド電極ＰＤ３とリードＬＤ３とを電気的に接続するワイヤＢＷ３と、それらを樹脂で封止する封止体と、を有する。半導体チップＣＰは、内部回路５ｂと内部回路５ｃとスイッチ回路部ＳＷとを含み、内部回路５ｃとパッド電極ＰＤ３との間では信号の伝送が可能である。スイッチ回路部ＳＷは、内部回路５ｂとパッド電極ＰＤ２との間で信号の伝送が可能な第１状態と、内部回路５ｂとパッド電極ＰＤ２との間で信号の伝送が不可能な第２状態と、を設定可能な回路である。半導体装置ＰＫＧの動作中は、スイッチ回路部ＳＷは、第２状態に固定されている。
摘要翻译：半导体器件PKG具有：半导体芯片CP; 铅LD3; 将半导体芯片CP的焊盘电极PD2与引线LD3电连接的布线BW5; 将半导体芯片CP的焊盘电极PD3与引线LD3电连接的布线BW3; 以及用树脂密封半导体芯片，引线，焊盘电极和电线的密封体。半导体芯片CP包括内部电路5b，内部电路5c和开关电路部分SW，并且可以在内部电路5c和焊盘电极PD3之间传输信号。开关电路部分SW是其中可以在内部电路5b和焊盘电极PD2之间传输信号的第一状态和第二状态，其中信号不能在内部电路5b和焊盘之间传输电极PD2，可设置。开关电路部分SW在半导体器件PKG工作时固定在第二状态。

8. 发明申请

WO2016059744A1 鉛フリー半田付け方法及び半田付け物品审中-公开
标题翻译：无铅焊接方法和焊接品
公开(公告)号：WO2016059744A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/JP2015/004289
申请日：2015-08-26
申请人：富士電機株式会社
发明人：渡邉　裕彦 , 齋藤　俊介 , 小野　眞裕 , 渡辺　孝志 , 佐野　真二 , 大西　一永
IPC分类号： B23K1/19 , B23K1/00 , B23K35/26 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/34 , B23K101/40 , B23K101/42
CPC分类号： H01L24/48 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2201/42 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/40 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32227 , H01L2224/32507 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48245 , H01L2224/48506 , H01L2224/4852 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/85359 , H01L2224/85805 , H01L2224/85825 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H05K3/3463 , H05K2201/10166 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/0103 , H01L2924/01078 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01051 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：　Ａｇ含有部材に半田付けされるＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法において、ボイドの発生防止及び半田濡れ性を向上させる。本発明のＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法は、質量Ｍ（ｇ）の半田付け前のＳｎ－Ａｇ系鉛フリー半田に含まれるＡｇ濃度Ｃ（質量％）と、Ａｇ含有部材に含まれるＡｇの溶出量Ｂ（ｇ）との関係が、１．０質量％　≦（Ｍ×Ｃ＋Ｂ）Ｘ１００／（Ｍ＋Ｂ）≦　４．６質量％となるＡｇを含有し、残部がＳｎおよび不可避不純物よりなる組成を有する鉛フリー半田と、前記Ａｇ含有部材と接触させる第１工程と、前記鉛フリー半田を加熱して溶融する第２工程と、前記鉛フリー半田を冷却する第３工程と、を備えるＡｇ含有鉛フリー半田の半田付け方法。
摘要翻译：用于将要焊接的含Ag的铅释放焊料焊接到含Ag构件的方法中，防止了空隙和焊料润湿性的发生。根据本发明的用于焊接含Ag的无铅焊料的方法包括：第一步骤，其中含Ag组分和无铅焊料，其具有包含Ag的组成，使得Ag浓度C 焊锡前的Sn-Ag系无铅焊料的质量M（g）中含有的Ag含量（质量％）和含Ag成分中所含的Ag的溶出量B（g）满足1.0质量％≤（M× C + B）×100 /（M + B）≤4.4质量％，其余量由Sn和不可避免的杂质构成，彼此接触; 第二步，其中无铅焊料被加热和熔化; 以及第三步骤，其中无铅焊料被冷却。

9. 发明申请

WO2016048753A1 INTEGRATION OF ELECTRONIC ELEMENTS ON THE BACKSIDE OF A SEMICONDUCTOR DIE 审中-公开
标题翻译：电子元件在半导体器件背面的集成
公开(公告)号：WO2016048753A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/US2015/050439
申请日：2015-09-16
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： RAMACHANDRAN, Vidhya , RAY, Urmi
IPC分类号： H01L23/60 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L27/06
CPC分类号： H05K1/181 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L27/0629 , H01L27/0694 , H01L28/40 , H01L29/945 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05568 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06568 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H05K1/115 , H05K3/301 , H05K3/303 , H05K3/4038 , H05K2201/10166 , H05K2201/10174 , H05K2201/10515 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： Systems and methods include a first semiconductor die (100) with a substrate (104) having a first side (102) and a second side (106) opposite to the first side. A first set of electronic elements (110a) is integrated on the first side. A second set of electronic elements (108a, b,c) is integrated on the second side. One or more through- substrate vias (112) through the substrate are used to couple one or more of the first set of electronic elements and one or more of the second set of electronic elements. The through-substrate vias may be through-silicon vias (TSVs) or a through-glass vias (TGVs). The first semiconductor die (100) may be stacked with a second semiconductor die (202), with the first side or the second side of the first semiconductor die interfacing an active side of the second semiconductor die.
摘要翻译：系统和方法包括具有衬底（104）的第一半导体管芯（100），其具有第一侧面（102）和与第一侧面相对的第二侧面（106）。第一组电子元件（110a）集成在第一侧上。第二组电子元件（108a，b，c）被集成在第二侧上。通过衬底的一个或多个贯穿衬底通孔（112）用于耦合第一组电子元件和第二组电子元件中的一个或多个的一个或多个。贯通衬底通孔可以是硅通孔（TSV）或透玻璃通孔（TGV）。第一半导体管芯（100）可以与第二半导体管芯（202）堆叠，第一半导体管芯的第一侧或第二侧与第二半导体管芯的有源侧相接。

10. 发明申请

WO2016002455A1 放射線検出器用ＵＢＭ電極構造体、放射線検出器及びその製造方法审中-公开
标题翻译：辐射检测器UBM电极结构体，辐射检测器及其制造方法
公开(公告)号：WO2016002455A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2015/066781
申请日：2015-06-10
申请人： JX日鉱日石金属株式会社
发明人：村上　昌臣 , 三上　充 , 村上　幸司 , 野田　朗 , 伊森　徹
IPC分类号： G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/08
CPC分类号： G01T1/24 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676 , H01L27/14696 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/08 , H01L31/115 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0558 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664
摘要：ＵＢＭ層を形成する時の金属電極層の劣化を抑制し、十分な電気特性を実現する放射線検出器用ＵＢＭ電極構造体、放射線検出器及びその製造方法を提供する。本発明の放射線検出器用ＵＢＭ電極構造体は、ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅからなる基板を有する放射線検出器用ＵＢＭ電極構造体であって、前記基板上に無電解めっきにより形成したＰｔ又はＡｕ電極層と、前記Ｐｔ又はＡｕ電極層上にスパッタにより形成したＮｉ層と、前記Ｎｉ層上にスパッタにより形成したＡｕ層と、を備える。
摘要翻译：本发明提供一种放射线检测器UBM电极结构体，放射线检测器及其制造方法，能够抑制UBM层形成时的金属电极层的劣化，能够实现充分的电特性。根据本发明，辐射检测器UBM电极结构体包括包含CdTe或CdZnTe的衬底，并且通过无电镀形成在衬底上形成的Pt或Au电极层，通过在Pt或Au电极层上形成的Ni层溅射和通过溅射形成在Ni层上的Au层。

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