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    • 5. 发明申请
    • 半導体装置および撮像装置
    • 半导体器件和成像器件
    • WO2016185883A1
    • 2016-11-24
    • PCT/JP2016/063037
    • 2016-04-26
    • ソニー株式会社
    • 琴尾 健吾小池 薫
    • H01L25/065H01L21/60H01L25/07H01L25/18
    • H01L27/14634G06F17/5068H01L23/522H01L23/5226H01L23/528H01L23/53228H01L23/562H01L23/585H01L24/08H01L24/89H01L25/065H01L25/07H01L25/18H01L27/14621H01L27/14627H01L27/14636H01L27/1469H01L2224/08145H01L2224/80121H01L2224/80895H01L2224/80896
    • 半導体チップ間の接合強度を向上させる。 半導体装置において、第1の半導体チップは、第1の絶縁層と第1の絶縁層により絶縁される第1の内層回路が電気的に接続される複数の第1のパッドと複数の第1のパッドの外側に配置される線状の第1の金属層とを有する第1の接合面を備える。第2の半導体チップは、第2の絶縁層と第1のパッドに対向する位置に配置されるとともに第2の絶縁層により絶縁される第2の内層回路が電気的に接続される複数の第2のパッドと第1の金属層に対向する位置に配置される線状の第2の金属層とを有して第1の接合面と接合される第2の接合面を備える。第1の金属層および第2の金属層の幅を、第1の半導体チップの端部から第1のパッドに至る領域の第1の絶縁層および第2の絶縁層の接合強度と第1の金属層および第2の金属層の接合強度とに基づく幅にする。
    • 本发明提高了半导体芯片之间的接合强度。 在该半导体器件中,第一半导体芯片设置有具有第一绝缘层的第一接合面,与第一绝缘层绝缘的第一内层电路与第一绝缘层绝缘的多个第一焊盘电连接的第一焊盘, 布线到多个第一焊盘的外侧的线状层。 第二半导体芯片设置有用于接合到第一接合表面并具有第二绝缘层的第二接合表面,多个第二焊盘电连接第二内层电路,第二内层电路布置在面向第一焊盘的位置 并且被第二绝缘层绝缘,并且布置在面向第一金属层的位置处的线状的第二金属层。 第一金属层和第二金属层的宽度是基于第一绝缘层和第二绝缘层在从第一半导体芯片的端部延伸到第一焊盘的区域中的接合强度和在接头上的宽度 第一金属层和第二金属层的强度。