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1. 发明申请

WO2017204978A1 DIAMOND-LIKE CARBON COATED SEMICONDUCTOR EQUIPMENT 审中-公开
标题翻译：类金刚石碳涂层半导体设备
公开(公告)号：WO2017204978A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：PCT/US2017/029649
申请日：2017-04-26
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： CULIC-VISKOTA, Jelena , ABAZARNIA, Nader N.
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324
CPC分类号： G01R31/2601 , C23C14/0605 , C23C14/16 , C23C16/06 , C23C16/26 , C23C28/32 , C23C28/322 , C23C28/343 , G01R1/04 , G01R1/44 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/68757
摘要： Embodiments of the present disclosure describe semiconductor equipment devices having a metal workpiece and a diamond-like carbon (DLC) coating disposed on a surface of the metal workpiece, thermal semiconductor test pedestals having a metal plate and a DLC coating disposed on a surface of the metal plate, techniques for fabricating thermal semiconductor test pedestals with DLC coatings, and associated configurations. A thermal semiconductor test pedestal may include a metal plate and a DLC coating disposed on a surface of the metal plate. The metal plate may include a metal block formed of a first metal and a metal coating layer formed of a second metal between the metal block and the DLC coating. An adhesion strength promoter layer may be disposed between the metal coating layer and the DLC coating. Other embodiments may be described and/or claimed.
摘要翻译：本公开的实施例描述了具有金属工件和设置在金属工件的表面上的类金刚石碳（DLC）涂层的半导体设备装置，具有金属板和热敏半导体测试基座的热半导体测试基座设置在金属板表面上的DLC涂层，用于制造具有DLC涂层的热半导体测试基座的技术以及相关配置。热半导体测试基座可以包括金属板和设置在金属板的表面上的DLC涂层。金属板可以包括由第一金属形成的金属块和在金属块和DLC涂层之间由第二金属形成的金属涂层。粘合强度促进剂层可以设置在金属涂层和DLC涂层之间。其他实施例可以被描述和/或要求保护。

2. 发明申请

WO2016183811A1 METHODS AND APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
标题翻译：清洗半导体波形的方法和装置
公开(公告)号：WO2016183811A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/CN2015/079342
申请日：2015-05-20
申请人： ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人： WANG, Hui , CHEN, Fufa , CHEN, Fuping , WANG, Jian , WANG, Xi , ZHANG, Xiaoyan , JIN, Yinuo , JIA, Zhaowei , XIE, Liangzhi , WANG, Jun , LI, Xuejun
IPC分类号： H01L21/02 , B08B3/12 , B08B3/10
CPC分类号： H01L21/67253 , B08B3/12 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67092
摘要： A method for cleaning semiconductor substrate without damaging patterned structure on the substrate using ultra/mega sonic device comprising applying liquid into a space between a substrate and an ultra/mega sonic device; setting an ultra/mega sonic power supply at frequency f 1 and power P 1 to drive said ultra/mega sonic device; before bubble cavitation in said liquid damaging patterned structure on the substrate, setting said ultra/mega sonic power supply at frequency f 2 and power P 2 to drive said ultra/mega sonic device; after temperature inside bubble cooling down to a set temperature, setting said ultra/mega sonic power supply at frequency f 1 and power P 1 again; repeating above steps till the substrate being cleaned. Normally, if f 1 ＝f 2 , then P 2 is equal to zero or much less than P 1 ; if P 1 ＝P 2 , then f 2 is higher than f 1 ; if the f 1 2 , then, P 2 can be either equal or less than P 1 .
摘要翻译：一种用于使用超/超声波装置清洁半导体衬底而不损坏衬底上的图案结构的方法，包括将液体施加到衬底和超/超声波器件之间的空间中; 设置频率f1和功率P1的超/超声波电源，以驱动所述超/超声波设备; 在基板上的所述液体破坏性图案化结构中的气泡空化之前，将所述超/超声波电源设置在频率f2和功率P2以驱动所述超/超声波装置; 在气泡冷却后的温度降至设定温度后，再次将频率f1和功率P1设置为超声波/超声波电源; 重复上述步骤直到清洁基材。通常，如果f1 = f2，则P2等于零或远小于P1; 如果P1 = P2，则f2高于f1; 如果f1

3. 发明申请

WO2016157461A1 接合装置、接合方法及び加圧ユニット审中-公开
标题翻译：接合装置，接合方法和加压装置
公开(公告)号：WO2016157461A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2015/060290
申请日：2015-03-31
申请人：新電元工業株式会社
发明人：松林　良
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/68 , H01L24/29 , H01L24/83
摘要：　本発明の接合装置１００は、基板１２に金属粒子ペースト１６を介して電子部品１４を載置した組立体１０を挟み込んで圧力及び熱を伝達する第１伝達部材２１０及び第２伝達部材２２０を有する加圧ユニット２００を加圧しながら加熱することによって基板１２と電子部品１４とを接合する接合装置であって、互いに対向する位置に配置された第１加熱部１２２及び第２加熱部１２４を有する加熱機構部１２０と、第１加熱部１２２及び第２加熱部１２４の間の空間における第１加熱部１２２及び第２加熱部１２４のいずれにも接触しない位置に加圧ユニット２００を位置決めするための位置決め機構部１３０と、第１加熱部１２２及び第２加熱部１２４のうちの少なくとも一方を移動させることにより加圧ユニット２００を加圧する加圧機構部１４０とを備える。　本発明の接合装置１００によれば、基板１２と電子部品１４とを高い接合力で接合することができる。
摘要翻译：该接合装置100是将基板12和电子部件14一体地加压在一起，同时加压包括夹着组件10的第一传递部件210和第二传递部件220的加压单元200，加压单元200中的电子组件14被放置在衬底12上，其间具有金属颗粒糊状物16，并且将压力和热量传递到组件，该接合装置包括：加热机构部分120，包括第一加热部分122和第二加热部分124，第一加热部分122和第二加热部分124布置在彼此相对的位置; 用于将加压单元200定位在第一加热部分122和第二加热部分124之间的位置处的定位机构部分130，其中加压单元既不接触第一加热部分122也不接触第二加热部分124; 以及通过移动第一加热部122和/或第二加热部124来对加压单元200进行加压的加压机构部140.通过该接合装置100，能够以高的接合力将基板12和电子部件14接合在一起。

4. 发明申请

WO2016121685A1 レーザーダイシング装置审中-公开
标题翻译：激光设备
公开(公告)号：WO2016121685A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/JP2016/052003
申请日：2016-01-25
申请人：株式会社東京精密
发明人：百村　和司
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/046 , B23K26/53 , G01B11/00
CPC分类号： B23K26/046 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/032 , B23K26/0648 , B23K26/53 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , G01B11/00 , G01B11/0608 , H01L21/67092 , H01L21/67259 , H01L21/78
摘要：　ウェーハのレーザー光照射面に形成された薄膜のばらつきによる影響を受けることなく、ウェーハのレーザー光照射面の高さ位置の検出を精度よく安定して行うことができるレーザーダイシング装置を提供する。ＡＦ装置110（高さ位置検出手段）は、光源部200から出力されたＡＦ用レーザー光L2（波長の異なる複数のＡＦ用レーザー光L2a、L2bの合成光）をウェーハＷの表面に照射し、その反射光を検出光学系400にて波長毎に検出する。ＡＦ信号処理部500は、検出光学系400の検出結果に基づき、ウェーハＷのレーザー光照射面の変位を示す変位信号を制御部50に送る。さらにＡＦ装置110は、光源部200から集光レンズ106に至るまでの光路である照射光路に配設されたフォーカス光学系310を備える。フォーカス光学系310は、ＡＦ用レーザー光L2の集光点をウェーハ厚み方向に調整する。
摘要翻译：提供一种激光切割装置，其能够稳定且高精度地检测晶片的激光束照射面的高度位置，而不受由形成在晶片的激光束照射面上的薄膜的不均匀性的影响。 AF装置110（高度位置检测装置）从光源单元200输出的AF激光束L2（具有不同波长的多个AF激光束L2a和L2b的合成光束）照射晶片W的表面，并且检测通过检测光学系统400，通过各波长的反射光。基于从检测光学系统400获得的检测结果，AF信号处理单元500将位移信号发送到控制单元50，所述位移信号指示位移此外，AF装置110设置有聚焦光学系统310，聚焦光学系统310设置在照射光路上，即从光源单元到聚光透镜106的光路聚焦光学系统310调整晶片厚度方向的AF激光束L2的聚光点。

5. 发明申请

WO2016093284A1 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法审中-公开
标题翻译：基板堆叠装置和基板堆叠方法
公开(公告)号：WO2016093284A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/JP2015/084570
申请日：2015-12-09
申请人：株式会社ニコン
发明人：菅谷　功 , 岡本　和也 , 三ッ石　創 , 福田　稔
IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L23/544 , B23K20/002 , B23K20/023 , B23K20/24 , B23K37/0408 , B23K2201/40 , B65H31/34 , H01L21/67092 , H01L21/67288 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L24/94 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2223/54493
摘要：　基板重ね合わせ装置であって、一部が接触した第１基板および第２基板の接触領域を一部から広げて第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせる基板重ね合わせ装置であって、接触領域が広がるときに、少なくとも第１基板の複数の方向に生じる変形量が異なり、変形量の違いによる第１基板および第２基板の間の位置ずれを抑制する抑制部を備える。上記基板重ね合わせ装置において、抑制部は、位置ずれの量が所定の値以下になるように位置ずれを抑制してもよい。
摘要翻译：提供了一种基板堆叠装置，其是通过从部件开始扩大与第一基板和第二基板接触的第二基板之间的接触区域来堆叠第一基板和第二基板的基板堆叠装置。至少在第一基板上产生的多个方向上的变形量在接触区域扩大时变化，并且由于变形量的差异，设置有用于抑制第一基板和第二基板之间的偏移的抑制单元。在基板堆叠装置中，抑制单元可以抑制偏移量等于或小于规定值的偏移。

6. 发明申请

WO2016088444A1 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法审中-公开
标题翻译：真空泵，水平/抛光装置和硅波浪/抛光方法
公开(公告)号：WO2016088444A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/JP2015/078219
申请日：2015-10-05
申请人：株式会社SUMCO
发明人：鳥居　勘太郎
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00 , B24B37/30
CPC分类号： H01L21/687 , B24B9/00 , B24B9/065 , B24B37/02 , B24B37/27 , B24B37/30 , B24B41/068 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6838
摘要：　吸着チャック（１１）は、円形の吸着面（１１１Ａ）を有する吸着チャックステージ（１１１）と、前記吸着面（１１１Ａ）に設けられた吸着保護パッド（１１２）と、を備え、前記吸着面（１１１Ａ）には、中心側に位置する中央領域（１１１Ｄ）と外周側に位置する外周領域（１１１Ｅ）とに区画する環状又は円弧状の凹部（１１１Ｃ）が形成され、かつ、前記中央領域（１１１Ｄ）には放射状の凹部（１１１Ｆ）が形成され、前記吸着保護パッド（１１２）は、前記放射状の凹部（１１１Ｆ）と連通する開口孔（１１２Ａ）を有し、前記吸着保護パッド（１１２）は、前記放射状の凹部（１１１Ｆ）を除いた前記中央領域（１１１Ｄ）で前記吸着面（１１１Ａ）と接合されることを特徴とする。
摘要翻译：真空吸盘（11）具有真空吸盘台（111），真空吸盘台（111）具有圆形真空表面（111A），并且还配备有设置在真空表面（111A）上的真空保护垫（112）其特征在于：形成用于限定位于中心侧的中心区域（111D）的环形或弧形的凹部（111C）和位于外周侧的外周区域（111E），形成在真空表面（111A）; 在中心区域（111D）中形成具有辐射形状的凹部（111F）; 真空保护垫（112）具有连接到具有辐射形状的凹部（111F）的通孔（112A）并且除了具有辐射形状的凹部（111F）之外的中心区域（111D）中，真空保护垫（112）接合到真空表面（111A）的一部分。

7. 发明申请

WO2016071793A1 DOUBLE LAYER RELEASE TEMPORARY BOND AND DEBOND PROCESSES AND SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：双层释放临时债券和债权流程和制度
公开(公告)号：WO2016071793A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/IB2015/058157
申请日：2015-10-22
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , IBM UNITED KINGDOM LIMITED , IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED
发明人： KNICKERBOCKER, John , DANG, Bing , ANDRY, Paul , TSANG, Cornelia, Kang-l , HUNG, Li-Wen , BUDD, Russell
IPC分类号： H01L23/32
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B43/006 , B32B2457/14 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/14
摘要： A bonded structure contains a substrate containing at least one feature, the substrate having a top surface; a first release layer overlying the top surface of the substrate, the first release layer being absorptive of light having a first wavelength for being decomposed by the light; an adhesive layer overlying the first release layer, and a second release layer overlying the adhesive layer. The second release layer is absorptive of light having a second wavelength for being decomposed by the light having the second wavelength. The bonded structure further contains a handle substrate that overlies the second release layer, where the handle substrate is substantially transparent to the light having the first wavelength and the second wavelength. Also disclosed is a debonding method to process the bonded structure to remove and reclaim the adhesive layer for re-use. In another embodiment a multi-step method optically cuts and debonds a bonded structure.
摘要翻译：粘合结构包含含有至少一个特征的基底，所述基底具有顶表面; 所述第一释放层覆盖所述基板的顶表面，所述第一释放层吸收具有第一波长的光以被所述光分解; 覆盖第一释放层的粘合剂层和覆盖粘合剂层的第二剥离层。第二释放层吸收具有第二波长的光，以被具有第二波长的光分解。接合结构还包含覆盖第二释放层的手柄衬底，其中手柄衬底对于具有第一波长和第二波长的光基本上是透明的。还公开了一种脱粘方法，用于处理粘合结构以除去和回收用于再次使用的粘合剂层。在另一个实施方案中，多步法可光学地切割和剥离键合结构。

8. 发明申请

WO2016014870A1 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光装置及方法
公开(公告)号：WO2016014870A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/US2015/041856
申请日：2015-07-23
申请人： APPLIED MATERIALS, INC
发明人： OSTERHELD, Thomas H. , BAJAJ, Rajeev
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B57/02 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67075 , H01L21/67092
摘要： Embodiments of the invention provide a non-uniform substrate polishing apparatus that includes a polishing pad with two or more zones, each zone adapted to apply a different slurry chemistry to a different area on a substrate to create a film thickness profile on the substrate having at least two different film thicknesses. Polishing methods and systems adapted to polish substrates are also provided, as are numerous other aspects.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种不均匀的衬底抛光装置，其包括具有两个或更多个区域的抛光垫，每个区域适于将不同的浆料化学品施加到衬底上的不同区域上，以在衬底上形成膜厚分布，最少两个不同的膜厚度。还提供了适于抛光底物的抛光方法和系统，以及许多其它方面。

9. 发明申请

WO2015165679A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM VERGLEICHMÄSSIGEN EINES SUBSTRATSTAPELS 审中-公开
标题翻译：方法和设备比较过高的基片叠
公开(公告)号：WO2015165679A1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/EP2015/057054
申请日：2015-03-31
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： BURGGRAF, Jürgen , LINDNER, Friedrich Paul
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vergleichmäßigung der Dickenvariation eines aus einem Produktsubstrat (4) und einem Trägersubstrat (2) bestehenden, insbesondere mittels einer Verbindungsschicht (3) verbundenen, Substratstapels (1) durch lokale Beaufschlagung lokaler Dickenmaxima (12) mittels einer mindestens eine Beaufschlagungseinheit (9, 9', 9", 9''', 9 IV , 9 V , 9 VI ) aufweisenden Beaufschlagungseinrichtung (11, 11', 11"). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于由至少一个的装置通过一粘结层的装置均衡的产物底物（4）和（2）组成的载体基片的厚度变化，特别是（3）连接，该衬底叠层（1）通过本地冲击局部厚度最大值（12）施加单元（9,9”，9”，9' ''，9IV，9V，9VI）具有偏置装置（11,11”，11" ）。此外，本发明涉及一种相应的装置。

10. 发明申请

WO2015159973A1 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置，基板处理系统和基板处理方法
公开(公告)号：WO2015159973A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/JP2015/061848
申请日：2015-04-17
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：小畠　厳貴 , 八木　圭太 , 渡辺　和英 , 塩川　陽一 , 丸山　徹 , 高橋　信行
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67742 , B24B37/04 , B24B37/20 , H01L21/30612 , H01L21/30625 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/6708 , H01L21/67092 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/6838 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：　ＣＡＲＥ法を用いた基板処理装置を改善する。　処理液の存在下で基板と触媒とを接触させて、基板の被処理領域を研磨するための基板処理装置は、基板を保持するように構成された基板保持部と、触媒を保持するように構成された触媒保持部と、基板の被処理領域と触媒とが接触した状態で、基板保持部と触媒保持部とを相対的に移動させるように構成された駆動部と、を備える。触媒は、基板よりも小さい。
摘要翻译：改进了使用CARE工艺的基板处理装置。一种用于在处理液体存在下使基板与催化剂接触来研磨基板的待处理区域的基板处理装置设置有：基板保持单元，其构造成保持基板; 构造成保持催化剂的催化剂保持单元; 以及驱动单元，其构造成使所述基板保持单元和所述催化剂保持单元与所述基板的待处理区域和所述催化剂彼此接触地相对移动。催化剂小于底物。

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