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1. 发明申请

WO2018125201A1 SYNTHESIS OF POLYCARBOSILANES AND DERIVITIZATION TO HIGH DENSITY SIC FILL MATERIAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2018125201A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/US2016/069465
申请日：2016-12-30
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： MAHDI, Tayseer , BLACKWELL, James M. , TORRES, Jessica M. , BIELEFELD, Jeffery D. , PLOMBON, John J.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/18 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02167 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02529 , H01L21/02628 , H01L21/18 , H01L21/762
摘要： A dielectric film, a device including a dielectric film and a method of forming a dielectric film on a integrated circuit substrate wherein the dielectric film includes cross-linked carbosilane units selected from linear monomer units or at least one linear monomer unit and at least one heterocyclic monomer unit, wherein the linear monomer units include a C 2 to C 8 straight or branched alkenyl or alkynyl and the at least one heterocyclic monomer unit includes a saturated or unsaturated moiety including an even numbered ring structure of alternating silicon and carbon atoms.

2. 发明申请

WO2017194833A1 A METHOD OF FORMING AN APPARATUS COMPRISING QUANTUM DOTS 审中-公开
标题翻译：一种形成包含量子点的装置的方法
公开(公告)号：WO2017194833A1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：PCT/FI2017/050354
申请日：2017-05-08
申请人： EMBERION OY
发明人： BESSONOV, Alexander , BOWER, Chris , WHITE, Richard , MEDINA-SALAZAR, Ivonne , RYHÄNEN, Tapani
IPC分类号： H01L21/02 , H01L51/52 , G01T1/20 , G01T1/24 , B32B37/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/028 , H01L31/112 , H01L31/1892
摘要： A method and apparatus, the method comprising: depositing (11 ) a quantum dot solution (23) onto a first substrate (21); solidifying (13) the quantum dot solution (23) on the first substrate (21) to form a solid layer (25) of quantum dots; arranging (15) the first substrate (21) overlaying a second substrate (27) so that an electrical connection is established between the solid layer (25) of quantum dots and one or more electrical components on the second substrate (27).
摘要翻译：一种方法和设备，所述方法包括：在第一衬底（21）上沉积（11）量子点溶液（23）; 在第一基板（21）上固化（13）量子点溶液（23）以形成量子点的固体层（25）; 布置（15）覆盖第二衬底（27）的第一衬底（21），使得量子点的固体层（25）与第二衬底（27）上的一个或多个电子部件之间建立电连接。 p>

3. 发明申请

WO2017153752A1 A/M/X MATERIAL PRODUCTION PROCESS WITH ALKYLAMINE 审中-公开
标题翻译： A / M / X原料生产过程与烷基胺
公开(公告)号：WO2017153752A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/GB2017/050623
申请日：2017-03-08
申请人： OXFORD UNIVERSITY INNOVATION LIMITED
发明人： SNAITH, Henry James , NAYAK, Pabitra , WENGER, Bernard , NOEL, Nakita , HABISREUTINGER, Severin , MOORE, David
IPC分类号： H01L21/368 , H01L51/00 , H01L51/42
CPC分类号： H01L51/4226 , H01L21/02521 , H01L21/02628 , H01L51/0007 , H01L51/42 , H01L51/4213 , Y02E10/549
摘要： The present invention relates to a process for producing a layer of crystalline A/M/X material, wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising a first cation (M), which first cation is a metal or metalloid cation; and (b) a solvent, wherein the solvent comprises; (i) acetonitrile, propionitrile, acetone or a mixture thereof; and (ii) an alkylamine. The invention also relates to a composition comprising: (i) a compound of formula MX n , (ii) a compound of formula AX, (iii) acetonitrile, propionitrile, acetone or a mixture thereof; and (iv) an alkylamine of formula R A NH 2 , wherein R A is a C 1-8 alkyl group.
摘要翻译：本发明涉及生产结晶A / M / X材料层的方法，其中所述方法包括在基材上设置前体组合物，所述前体组合物包含：（a）第一前体化合物，其包含第一阳离子（M），该第一阳离子是金属或类金属阳离子; 和（b）溶剂，其中所述溶剂包含：（i）乙腈，丙腈，丙酮或其混合物; 和（ii）烷基胺。本发明还涉及一种组合物，其包含：（i）式MX n的化合物，（ii）式AX的化合物，（iii）乙腈，丙腈，丙酮或其混合物; 和（iv）式R 1 A-NH 2的烷基胺，其中R A是C 1-8芳基，烷基。

4. 发明申请

WO2017109123A1 METHOD FOR ASSEMBLING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS 审中-公开
标题翻译：半导体纳米晶的组装方法
公开(公告)号：WO2017109123A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/082465
申请日：2016-12-22
申请人： UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM
发明人： MARINO, Emanuele , KODGER, Thomas Edward , SCHALL, Peter
IPC分类号： H01L21/02 , C09K11/08 , C30B29/48
CPC分类号： H01L21/02628 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L21/02601
摘要： A method is described for for assembling semiconductor nanocrystals comprising: - providing a binary system comprising semiconductor nanocrystals with an effective particle diameter of at most 20 nm, a first solvent, and a second solvent, - the system having * a Ta, which is which is the temperature of the system at which aggregation starts to take place, * a Ts, which is the solvent separation temperature of the system, * an aggregation temperature range, which is the range between Ta and Ts with Ta being included and Ts not being included, * a homogeneous temperature range which is below Ta when Ta is lower than Ts and which is above Ta when Ta is higher than Ts, * a heterogeneous temperature range which is above Ts when Ta is lower than Ts and below Ts when Ta is higher than Ts, and, - bringing the temperature of the binary system from a value in the homogeneous temperature range to a value in the aggregation temperature range, thereby causing formation of an aggregate of said semiconductor nanocrystals.
摘要翻译：描述了用于组装半导体纳米晶体的方法，其包括：提供包含有效粒径至多20nm的半导体纳米晶体，第一溶剂和第二溶剂的二元体系， - 所述体系具有* a Ta是系统开始发生聚集的温度，* a是系统的溶剂分离温度，*是聚集温度范围，它是Ta和Ts之间的范围包含Ta并且不包含Ts，*当Ta低于Ts时，低于Ta的均匀温度范围，当Ta高于Ts时，低于Ta; *当Ta低时，高于Ts的不均匀温度范围当Ta高于Ts时，Ts低于Ts，并且， - 使二元体系的温度从均质温度范围内的值达到聚集温度范围内的值，由此导致形成聚集体的所述半导体纳米晶体。

5. 发明申请

WO2016134704A1 PV-SCHICHTFOLGE ERHALTEN DURCH EIN RAUMTEMPERATUR-VERFAHREN UND RAUMTEMPERATUR-VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PV-SCHICHTFOLGE 审中-公开
标题翻译： PV-LAYER IMPACT打通室温工艺和常温用于生产PV-LAYER IMPACT
公开(公告)号：WO2016134704A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/DE2016/100084
申请日：2016-02-26
申请人： DYNAMIC SOLAR SYSTEMS AG
发明人： LINDER, Patrick , LINDER, Daniel
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L31/046 , H01G9/2004 , H01G9/2095 , H01L21/02422 , H01L21/02601 , H01L21/02628
摘要： Nachteilig ist bei den klassischen, gedruckten PV-Schichtzellen, dass diese in der Herstellung häufig teure Vakuum-Präparationen und thermische Temper- oder Sinterschritte vorsehen, wobei die dünnen, dotierten Vakuum-Schichten sehr korrosions- und verschmutzungsanfällig sind. Aufgabe war es daher, die Nachteile zu überwinden und ein geeignetes Verfahren sowie eine passende PV-Schichtfolge bereitzustellen. Die Lösung erfolgt durch ein Raumtemperatur-Verfahren, bei dem wässrige Dispersionen auf einen Träger aufgedruckt und unter begleitender Reaktion ausgehärtet werden. Die begleitende Reaktion bildet Gradienten und auch nanoskalige Strukturen an den Schichtgrenzen aus, welche eine PV-aktive Schicht mit üblichem Leistungsvermögen und hoher Stabilität erzeugen. Um die 10% Wirkungsgrad sind stabil und ohne anfänglichen Leistungsverlust im Klimakammertest zugänglich und auf 20 Jahre Testzeit konstant mit geringer Schwankung verfügbar. Das Verfahren ist frei von Temper- oder Sinterschritten, erlaubt die Verwendung technisch reiner, günstiger Ausgangsstoffe und macht die PV-Schichtfolge als fertige, hoch flexible Zelle für einen Bruchteil des üblichen Invests einer Produktion oder eines Vertriebs zugänglich. Eine Produktion von PV-Schichtfolgen kann hier erstmals komplett analog zur Fertigung eines Printprodukts erfolgen. Mithin kann die Erfindung eine extrem vielseitige Anwendbarkeit sowohl Herstellungs- als auch Verwendungsseitig in all den Bereichen bieten, in denen etablierte PV-Dünnschichten bisher als zu teuer oder zu instabil abgelehnt wurden.
摘要翻译：经典的印刷PV层细胞，这些通常是昂贵的制造真空制剂和热退火或烧结步骤提供的薄的，掺杂的真空层的一个缺点是腐蚀非常耐容易发生污染。因此，该目的是克服缺点，并提供一个合适的方法和合适的PV层序列。该溶液通过室温下处理进行，在含水分散体印刷到支承体和伴随反应固化。在层边界梯度和纳米级结构的伴随反应的形式，这产生与标准的性能和高稳定性的光伏有源层。到10％的效率是在环境试验室中稳定，容易获得初始功率损耗和20年几乎没有变化不断地可用的测试时间。该方法是自由回火或烧结步骤，允许使用工业纯的，更廉价的起始原料的，使PV层序列作为结束时，用于通常的投资的生产或分配可访问的一小部分高度灵活的小区。的制造PV层序列可以首次完全类似于生产打印品的此处进行。因此，本发明可以在其中建立PV薄膜已被否决太昂贵或太不稳定的所有领域提供一个非常灵活的适用性生产和支出方面。

6. 发明申请

WO2016089840A1 COMPOSITIONALLY MATCHED MOLECULAR SOLDERS FOR SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：用于半导体的组合匹配分子焊料
公开(公告)号：WO2016089840A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/US2015/063145
申请日：2015-12-01
申请人： THE UNIVERSITY OF CHICAGO
发明人： DOLZHNIKOV, Dmitriy S. , ZHANG, Hao , JANG, Jaeyoung , SON, Jae Sung , PANTHANI, Matthew G. , TALAPIN, Dmitri V.
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/02568 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/84 , C01P2004/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , H01L21/02628 , H01L29/2203 , H01L29/267 , H01L29/66969 , H01L29/78681
摘要： Chalcogenidometallates of group IIB, IV and V elements and, particularly, alkali metal-containing chalcogenidometallates of cadmium, lead and bismuth are provided. Also provided are methods of using the chalcogenidometallates as molecular solders to form metal chalcogenide structures, including thin films, molded objects and bonded surfaces composed of metal chalcogenides.
摘要翻译：提供IIB，IV和V族元素的硫族金属元素，特别是含有镉，铅和铋的含碱金属的硫属金属氧酸盐。还提供了使用硫族金属金属盐作为分子焊料形成金属硫族化物结构的方法，包括薄膜，模制物体和由金属硫族化物组成的结合表面。

7. 发明申请

WO2016079087A1 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON DOTIERTEN, POLYKRISTALLINEN HALBLEITERSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产掺杂，多晶半导体层
公开(公告)号：WO2016079087A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/EP2015/076761
申请日：2015-11-17
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MADER, Christoph , WUNNICKE, Odo , MARTENS, Susanne , LEHMKUHL, Jasmin , GUENTHER, Christian
发明人： MADER, Christoph , WUNNICKE, Odo , MARTENS, Susanne , LEHMKUHL, Jasmin , GUENTHER, Christian
IPC分类号： H01L31/068 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/182 , B05D1/005 , B05D3/0254 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L31/0288 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von hochdotierten polykristallinen Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat, wobei eine erste Si-Precursorzusammensetzung enthaltend mindestens ein erstes Dotiermittel auf einen oder mehrere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird; optional eine zweite Si-Precursorzusammensetzung enthaltend mindestens ein zweites Dotiermittel auf einen oder mehrere andere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird, wobei das erste Dotiermittel ein Dotiermittel vom n-Typ ist und das zweite Dotiermittel ein Dotiermittel vom p-Typ ist oder umgekehrt; und die beschichteten Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats jeweils konvertiert werden, so dass aus dem Si-Precursor polykristallines Silizium entsteht. Die Erfindung betrifft ferner die nach dem Verfahren erhältlichen Halbleiter und ihre Verwendung, insbesondere bei der Herstellung von Solarzellen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在半导体衬底上制造高掺杂多晶半导体层的过程中，第一Si前体组合物的至少第一掺杂剂被施加到包括在半导体衬底的表面的一个或多个区域; 任选地包含至少在所述半导体衬底的表面的一个或多个其他区域的第二掺杂剂的第二Si前体组合物施加，其中该第一掺杂剂是n型，所述第二掺杂剂的掺杂剂的p型的掺杂剂，或反之亦然; 和所述半导体衬底的表面的涂覆区域被转换，分别使得多晶硅从Si前体产生的。本发明还涉及到半导体和获得通过该方法及其用途，特别是在太阳能电池的生产。

8. 发明申请

WO2016035696A1 積層構造体およびその製造方法、半導体装置ならびに結晶膜审中-公开
标题翻译：层压结构，制造方法，半导体器件和晶体膜
公开(公告)号：WO2016035696A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/JP2015/074380
申请日：2015-08-28
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人：織田　真也 , 高塚　章夫 , 人羅　俊実
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/16 , H01L33/26
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/242 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7395 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L33/42
摘要：　結晶性に優れた積層構造体および移動度が良好な前記積層構造体の半導体装置を提供する。コランダム構造を有する結晶基板上に、直接または別の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物を主成分として含む結晶膜が積層されている積層構造体であって、前記結晶基板が０．２°～１２．０°のオフ角を有しており、前記結晶性酸化物が、インジウム、アルミニウムおよびガリウムから選ばれる１種または２種以上の金属を含むことを特徴とする積層構造体。
摘要翻译：提供具有优异结晶性的层叠结构，以及具有上述层压结构并具有良好迁移率的半导体器件。叠层结构体是通过在具有刚玉结构的结晶性基材上层叠作为主要成分的具有刚玉结构的结晶性氧化物的结晶性膜，将结晶性膜直接层叠在基材上，或层叠在具有介于其间的另一层的衬底。层叠结构的特征在于，结晶性基板的偏离角为0.2°〜12.0°，结晶性氧化物包含选自铟，铝，镓的一种以上的金属。

9. 发明申请

WO2015113737A1 METHOD FOR PRODUCING A UV PHOTODETECTOR 审中-公开
标题翻译：生产紫外线光电转换器的方法
公开(公告)号：WO2015113737A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/EP2015/000073
申请日：2015-01-16
申请人： MERCK PATENT GMBH
发明人： HOOKER, Rebekah , DESHMUKH, Ranjan, Deepak , MISKIEWICZ, Pawel , KLYSZCZ, Andreas , BONRAD, Klaus , ALBRECHT, Thomas
IPC分类号： C23C18/12 , H01L21/02 , H01L51/56 , H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/032 , C23C16/44 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , H01L21/0242 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L51/0004 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： This invention relates to a method for producing a photodetector based on the deposition of precursor system having a liquid phase. The photodetectors are characterized by a certain group of semiconductor materials which can be used as the absorber in solar-blind UV detectors. A facile route for the formation of thin layers of such absorber materials is disclosed.
摘要翻译：本发明涉及一种基于具有液相的前体体系的沉积来生产光电检测器的方法。光电探测器的特征在于可以用作太阳盲UV检测器中的吸收体的一组半导体材料。公开了用于形成这种吸收材料薄层的简便路线。

10. 发明申请

WO2015113733A1 PREPARATION OF SEMICONDUCTOR FILMS 审中-公开
标题翻译：半导体膜的制备
公开(公告)号：WO2015113733A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/EP2015/000049
申请日：2015-01-14
申请人： MERCK PATENT GMBH
发明人： DESHMUKH, Ranjan Deepak , HOOKER, Rebekah , MISKIEWICZ, Pawel , SCHNEIDER, Joerg J. , NOWOTNY, Mathias
IPC分类号： H01L21/368
CPC分类号： H01L31/0322 , C01F7/30 , C01G3/02 , C01G9/02 , C01G15/00 , C01G19/006 , C01G19/02 , C01G49/06 , C01P2006/40 , C07F1/08 , C07F3/06 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/2244 , C07F15/025 , C09D5/24 , C09D11/52 , H01L21/02551 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , H01L31/1864
摘要： This invention relates to a precursor material, which can be decomposed to form semiconductors and metal oxides, or more generally, materials for electronic components. The precursors comprise metal complexes of hydroxamato ligands. The invention further relates to a preparation process for thin inorganic films comprising various metals (e.g. Cu/ln/Zn/Ga/Sn) and oxygen, selenium and/or sulfur. The thin films can be used in photovoltaic panels (solar cells), other semiconductor or electronic devices, and other applications using such films. The process uses molecular, metal containing precursor complexes with hydroxamato ligands. These can be combined in the process with chalcogenide sources or oxygen. Exemplarily, various metal oxides and copper-based chalcopyrites of the l-lll-VI 2 type are prepared with high purity at low temperatures.
摘要翻译：本发明涉及可分解形成半导体和金属氧化物的前体材料，或更一般地，涉及电子部件的材料。前体包含异羟肟酸配体的金属络合物。本发明还涉及包含各种金属（例如Cu / In / Zn / Ga / Sn）和氧，硒和/或硫的薄无机膜的制备方法。薄膜可用于光伏面板（太阳能电池），其他半导体或电子设备以及使用这种薄膜的其它应用。该方法使用分子，含金属的前体复合物与羟基配体配体。这些可以在该过程中与硫族化物源或氧气结合。示例性地，在低温下制备高纯度的1-111-VI2型的各种金属氧化物和铜基黄铜矿。

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