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1. 发明申请

WO2014092089A1 パワー半導体装置、整流装置および電源装置审中-公开
标题翻译：功率半导体器件，整流器器件和电源器件
公开(公告)号：WO2014092089A1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：PCT/JP2013/083109
申请日：2013-12-10
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：恩田　智弘 , 石川　耕一 , 武田　翼
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/312 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/11 , H01L29/868 , H02M7/06
CPC分类号： H01L24/33 , H01L23/051 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L2224/06181 , H01L2224/26145 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/83385 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H02M7/06 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　本発明に係るパワー半導体装置は、ｐ基板型正極素子またはｎ基板型負極素子の半導体チップ（１０）を用いて構成されるが、ｐ基板型正極素子の半導体チップ（１０）の場合、半導体チップ（１０）は、接合材（４１）を介してベース電極体（３０）の上面に、ｐｎ接合部（１３）が近い側の主面が接合され、また、半導体チップ（１０）の他方の主面の上部には、接合材（４０）を介してリード電極体（２０）が接合される。そして、半導体チップ（１０）の端部側面には、絶縁保護膜（５０）が形成され、さらにその外部には、封止樹脂体（６０）が形成されている。
摘要翻译：该功率半导体装置使用p基板正极元件或n基板负极元件的半导体芯片（10）构成，但是在p基板正极元件的半导体芯片（10）的情况下，在靠近pn结（13）的一侧的半导体芯片（10）的主表面通过其间的接合材料（41）接合到基底电极体（30）的顶表面，并且引线电极体（20）之间的接合材料（40）连接到半导体芯片（10）的另一个主表面的顶部。此外，在半导体芯片（10）的端侧表面形成有绝缘保护膜（50），此外，在其外部形成有密封树脂体（60）。

2. 发明申请

WO2012008253A1 微細な物体の配置方法、配列装置、照明装置および表示装置审中-公开
标题翻译：处理精细物体的方法，安装精细物体的装置，照明装置和显示装置
公开(公告)号：WO2012008253A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/063558
申请日：2011-06-14
申请人：シャープ株式会社 , 柴田晃秀 , 根岸哲 , 小宮健治 , 矢追善史 , 塩見竹史 , 岩田浩 , 高橋明
发明人：柴田　晃秀 , 根岸　哲 , 小宮　健治 , 矢追　善史 , 塩見　竹史 , 岩田　浩 , 高橋　明
IPC分类号： H01L33/48 , G02F1/167 , G02F1/19 , G09F9/33
CPC分类号： C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要：　この微細な物体の配置方法は、基板準備工程で、第１の電極(１１１)と第２の電極(１１２)とが対向する場所で微細な物体(１２０)が配置される位置が規定される基板(１１０)を準備し、流体導入工程で、流体(１２１)を基板(１１０)上に導入する。流体(１２１)は、複数の微細な物体(１２０)を含む。微細な物体(１２０)は、誘電体で作製した表側層(１３０)と半導体で作製した裏側層(１３１)を配向構造として持つダイオード素子である。そして、微細物体配置工程で、第１の電極(１１１)と第２の電極(１１２)との間に交流電圧を印加することにより、微細な物体(１２０)を誘電泳動で第１の電極(１１１)と第２の電極(１１２)とが対向する場所(Ａ)で予め定められた位置、かつ表側層(１３０)を上向きに配置する。
摘要翻译：本发明提供一种微细物体的配置方法，其特征在于，在基板准备工序中准备基板（110），所述基板具有指定的位置，在所述基板的第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对，并且在流体引入步骤中，流体（121）被引入到基板（110）上。流体（121）包含多个细小物体（120）。精细物体（120）是二极管元件，每个元件具有作为对准结构的由电介质材料构成的前侧层（130）和由半导体构成的后侧层（131）。在微细物体配置步骤中，通过在第一电极（111）和第二电极（112）之间施加交流电压，通过介电电泳设置每个微细物体（120），其中前侧层（130）朝上在第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对的区域（A）中的预先确定的位置处。

3. 发明申请

WO2011016486A1 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置审中-公开
标题翻译：荧光物质，其生产方法和包括其的发光装置
公开(公告)号：WO2011016486A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/JP2010/063187
申请日：2010-08-04
申请人：昭和電工株式会社 , 独立行政法人物質・材料研究機構 , 塩井恒介 , 広崎尚登 , 道上勇一
发明人：塩井　恒介 , 広崎　尚登 , 道上　勇一
IPC分类号： C09K11/64 , C09K11/80 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　本発明は、一般式（Ａ１－ｘＲｘＭ２Ｘ）ｍ（Ｍ２Ｘ４）ｎ（但し、Ａ元素はＬｉ、Ｎａ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕから選ばれる１種以上の元素であり、Ｒ元素はＭｎ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ元素はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎから選ばれる１種以上の元素であり、Ｘ元素は酸素と窒素から選ばれる１種以上の元素であり、ｎおよびｍは１以上の整数であり、ｘは０＜ｘ＜１の実数である）で示される蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光装置を提供する。
摘要翻译：提供由通式（A1-xRxM2X）m（M2X4）n表示的荧光物质，荧光物质的制造方法和包含该荧光物质的发光装置。（式中，元素A是选自Li，Na，Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Sc，Y，La，Gd和Lu中的一种以上的元素;元素R是选自Mn， Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm和Yb;元素M是选自Si，Ge，Sn，Ti，Hf，Zr，Be，B，Al， Ga，In，Tl和Zn;元素X是氧和/或氮; n和m各自是1或更大的整数; x是0

4. 发明申请

WO2011008895A1 SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR WITH BACK SIDE BODY CONNECTION 审中-公开
标题翻译：具有背面连接的半导体绝缘体
公开(公告)号：WO2011008895A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/US2010/042028
申请日：2010-07-14
申请人： IO SEMICONDUCTOR , STUBER, Michael A. , MOLIN, Stuart B. , NYGAARD, Paul A.
发明人： STUBER, Michael A. , MOLIN, Stuart B. , NYGAARD, Paul A.
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/76256 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L27/1203 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/94 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： Embodiments of the present invention provide for the removal of excess carriers from the body of active devices in semiconductor-on-insulator (SOI) structures. In one embodiment, a method of fabricating an integrated circuit is disclosed. In one step, an active device is formed in an active layer of a semiconductor-on-insulator wafer. In another step, substrate material is removed from a substrate layer disposed on a back side of the SOI wafer. In another step, an insulator material is removed from a back side of the SOI wafer to form an excavated insulator region. In another step, a conductive layer is deposited on the excavated insulator region. Depositing the conductive layer puts it in physical contact with a body of an active device in a first portion of the excavated insulator region. The conductive layer then couples the body to a contact in a second detached portion of the excavated insulator region.
摘要翻译：本发明的实施例提供从绝缘体上半导体（SOI）结构中的有源器件的主体去除过量载流子。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在一个步骤中，有源器件形成在绝缘体上半导体晶片的有源层中。在另一步骤中，从设置在SOI晶片的背面的衬底层去除衬底材料。在另一步骤中，从SOI晶片的背侧去除绝缘体材料以形成挖掘的绝缘体区域。在另一个步骤中，导电层沉积在挖掘的绝缘体区域上。沉积导电层使其与挖掘的绝缘体区域的第一部分中的有源器件的主体物理接触。导电层然后将本体连接到挖掘的绝缘体区域的第二分离部分中的触点。

5. 发明申请

WO2010083922A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT DURCHKONTAKTIERUNG UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体部件通过与方法及其
公开(公告)号：WO2010083922A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/EP2009/067299
申请日：2009-12-16
申请人： AUSTRIAMICROSYSTEMS AG , SCHRANK, Franz , KRAFT, Jochen
发明人： SCHRANK, Franz , KRAFT, Jochen
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/0554 , H01L2224/13024 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
摘要： Ein Handling-Wafer wird mit einer Metallschicht (2) versehen und über eine Verbindungsschicht (12) mit der Rückseite eines IC-Wafers (3) verbunden. Nach dem Ätzen eines Kontaktloches (7) in den IC-Wafer und dem Aufbringen einer Metallisierung (13), die die Metallschicht (2) mit einer oberseitigen Anschlussmetallschicht (14) verbindet, wird der Handling- Wafer entfernt, so dass eine rückseitige Kontaktfläche (17) der Metallschicht freigelegt ist. Die so gebildete Durchkontaktierung ermöglicht eine beliebige Positionierung des Rückseitenkontaktes ohne aufwendigen Rückseitenprozess.
摘要翻译：处理晶片通过与IC晶片（3）的背面上的连接层（12）设置有金属层（2）和连接。在蚀刻之后，在IC晶片和金属化的连接金属层（2）具有上侧端子金属层（14）的应用程序（13）的接触孔（7），所述处理晶片上去除，使得后接触表面（ 17）暴露于所述金属层。通孔由此形成允许后侧接触的没有复杂的回过程的任意定位。

6. 发明申请

WO2009139787A1 LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGE ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：发光二极管封装组件
公开(公告)号：WO2009139787A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/US2008/072990
申请日：2008-08-13
申请人： OCCAM PORTFOLIO LLC , FJELSTAD, Joseph, C.
发明人： FJELSTAD, Joseph, C.
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/01029 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： An electrical device containing multiple light emitting diode (LED) dies each having respective first and second connectors suitable to receive current through the LED die. A common base layer of a first electrically conductive material has cavities into which at least one LED die is mounted with its second connector electrically connected by a conductive non-solder bonding material to the first conductive material of the base layer. One or more over-layer sections of a second electrically conductive material each are electrically connected by a bond to at least one of the first connector of a LED die. And an insulator electrically separates the first conductive material of the base layer from the second conductive material of over-layer sections.
摘要翻译：每个具有相应的第一和第二连接器的多个发光二极管（LED）管芯的电气设备适于接收通过LED管芯的电流。第一导电材料的公共底层具有空腔，至少一个LED管芯被安装在其中，其第二连接器通过导电非焊料接合材料电连接到基层的第一导电材料。第二导电材料的一个或多个超层部分各自通过结合电连接到LED管芯的第一连接器中的至少一个。并且绝缘体将基底层的第一导电材料与上层部分的第二导电材料电隔离。

7. 发明申请

WO2009039841A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2009039841A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001579
申请日：2008-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Elmar , WEGLEITER, Walter
发明人： BAUR, Elmar , WEGLEITER, Walter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L24/82 , H01L24/24 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/24051 , H01L2224/24998 , H01L2224/82007 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip angegeben, der eine Kontaktschicht (6) aufweist, die für viele gängige Anwendungen nicht optimal ist. Beispielsweise ist die Kontaktschicht zu dünn, um einen für den Halbleiterchip vorgesehenen Betriebsstrom ohne wesentliche Degradierung zu vertragen. Zudem wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, in dem der Halbleiterchip derart integriert werden kann, dass die suboptimale Beschaffenheit der Kontaktschicht kompensiert wird. Bei dem Bauelement ist der Halbleiterchip derart auf einem Trägerkörper (10) aufgebracht, dass die Kontaktschicht auf einer vom Trägerkörper abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Der Halbleiterchip und der Trägerkörper sind zumindest teilweise mit einer elektrischen Isolierschicht (3) bedeckt und ein auf der Isolierschicht aufgebrachter elektrischer Leiter (14) erstreckt sich lateral vom Halbleiterkörper weg und berührt zumindest eine Teilfläche der Kontaktschicht. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了具有接触层（6），这不是最佳的许多常见的应用的半导体芯片。例如，接触层太薄容忍一个提供用于半导体芯片的工作电流不显著降解。另外，光电子器件中指定，其中，所述半导体芯片可被集成，使得接触层的次优性质进行补偿。在该装置中，以这样的方式在半导体芯片上的承载体（10）被施加，使得接触层被布置在从所述半导体本体的支承体侧背向的侧面。在半导体芯片和支撑体被至少部分地覆盖有电绝缘层（3），并且在绝缘层施加的电导体（14）横向地从半导体本体离开和接触至少延伸的接触层的部分区域。此外，被指定用于制造所述部件的有利方法。

8. 发明申请

WO2008008939A3 EMI ABSORBING GAP FILLING MATERIAL 审中-公开
标题翻译： EMI吸收间隙填充材料
公开(公告)号：WO2008008939A3
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/US2007073437
申请日：2007-07-13
申请人： PARKER HANNIFIN CORP , FOSTER ROBERT H , BUNYAN MICHAEL H
发明人： FOSTER ROBERT H , BUNYAN MICHAEL H
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3737 , H01L23/552 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/32245 , H01L2224/83101 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01064 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12036 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199
摘要： A thermally conductive gap filling material for the absorption of electromagnetic (EM) radiation emitted from an electronic device is provided. The gap filling material facilitates conduction of excessive heat generated by the electronic device to a heat dissipater. The heat dissipater further dissipates the excessive heat to the surrounding environment. The gap filling material comprises a binder material and magnetic filler. The magnetic filler is dispersed in binder material. The magnetic filler absorbs EM radiation and causes the gap filling material to be thermally conductive.
摘要翻译：提供了用于吸收从电子设备发射的电磁（EM）辐射的导热间隙填充材料。间隙填充材料有助于将由电子设备产生的过量热量传导至散热器。散热器进一步将过度的热量散发到周围环境中。间隙填充材料包含粘合剂材料和磁性填充物。磁性填料分散在粘合剂材料中。磁性填充物吸收EM辐射并使间隙填充材料导热。

9. 发明申请

WO2006087065A3 POWER SEMICONDUCTOR ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：功率半导体组装
公开(公告)号：WO2006087065A3
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/EP2006000457
申请日：2006-01-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BAYERER REINHOLD , THOBEN MARKUS
发明人： BAYERER REINHOLD , THOBEN MARKUS
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/24 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
摘要： The invention relates to a power semiconductor assembly comprising a support (50), a first semiconductor chip (10) and a second semiconductor chip (20). The first semiconductor chip (10) has a first main connection (11) and a second main connection (12) that are disposed on opposite sides of the first semiconductor chip (10). The second semiconductor chip (20) has a first main connection (21) and a second main connection (22) that are disposed on opposite sides of the second semiconductor chip (20). The first side (51) of the carrier (50) is provided with a metallized structure (60) that has a first section (61) and a spaced-apart second section (62). The first semiconductor chip (10) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the first section (61) via its second main connection (12). The second semiconductor chip (20) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the second section (62) via its second main connection (22). The first connection (11) of the semiconductor chip (10) and the first main connection (21) of the second semiconductor chip (20) are electrically connected to each other and to a first connection contact (71) provided for connecting an external load (100) or an external supply voltage.
摘要翻译：本发明涉及与载体（50），第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的功率半导体器件。这里，第一主端子（11）和第二主端子（12），其被布置在第一半导体芯片（10）的相对侧上的第一半导体芯片（10）。第二半导体芯片（20）具有一个第一主端子（21）和第二主端子（22），其被布置在第二半导体芯片（20）的相对两侧。该载体（50）的第一侧（51）上设置有结构化的金属化（60）具有第一部分（61）和由其（62）间隔开的第二部分。在第一半导体芯片（10）被布置在所述载体（50）的第一侧（51），并通过它的第二主端子（12）机械地和导电地连接到所述第一部分（61）的装置。第二半导体芯片（20）被布置在所述载体（50）的第一侧（51）和通过它的第二主端子（22）机械地和导电地连接到所述第二部分（62）的装置。在第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的第一主端子（21）的第一主端子（11）被提供给彼此和一个外部负载（100）或外部电源第一端子触点（71）的连接导电互联。

10. 发明申请

WO2008018116A1 発電又は発光用半導体モジュール审中-公开
标题翻译：用于发电或发光的半导体模块
公开(公告)号：WO2008018116A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：PCT/JP2006/315600
申请日：2006-08-07
申请人：京セミ株式会社 , 中田仗祐
发明人：中田仗祐
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/042
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L24/33 , H01L31/035281 , H01L31/0488 , H01L31/0508 , H01L33/20 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要：　発電又は発光用の複数のロッド形の半導体素子を組み込んだ半導体モジュールから複数の半導体素子を簡単に回収、再利用、修理することができるように、半導体モジュール６０においては、収容ケース６２内に２つの分割モジュール６１が直列状に配置され、各分割モジュール６１は、複数行複数列のマトリックス状に整列された発電用半導体素子１と、各列の複数の半導体素子１を直列接続すると共に各行の複数の半導体素子１を並列する接続する導電接続機構とを透明合成樹脂でモールドし、接続導体６７を端部に突出させた。収容ケース６２の端部側に導電性の波形バネ７０と外部端子７６を設け、導電性波形バネ７０の機械的押圧力で２つの分割モジュール６１の直列接続を確保している。
摘要翻译：为了容易地从内置发电或发光的多个棒状半导体元件的半导体模块收集多个半导体元件并重新使用或修复它们，将两个分离模块（61）串联布置在半导体模块（60）中的容纳壳体（62）。在每个分割模块（61）中，布置成多行和列的矩阵的发电半导体元件（1）和用于将每行中的多个半导体元件（1）串联连接的导电连接机构，以及多个每个列中的半导体元件（1）平行地由透明合成树脂模制，并且允许连接导体（67）在末端突出。导电波形弹簧（70）和外部端子（76）设置在容纳壳体（62）的端侧，并且通过导电波形弹簧的机械按压力来确保两个分离模块（61）的串联（70）。

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