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1. 发明申请

WO2013058853A1 NON-VOLATILE MEMORY CELL COMPRISING METAL OXIDE RESISTIVE MEMORY ELEMENT AND AN ANTIFUSE LAYER 审中-公开
标题翻译：包含金属氧化物电阻记忆元件和抗反射层的非易失性存储单元
公开(公告)号：WO2013058853A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/US2012/048232
申请日：2012-07-26
申请人： SANDISK 3D LLC , HOU, Kun , CHEN, Yung-Tin , LAN, Zhida , XU, Huiwen
发明人： HOU, Kun , CHEN, Yung-Tin , LAN, Zhida , XU, Huiwen
IPC分类号： G11C17/16 , G11C13/00 , H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A non-volatile memory cell includes a first electrode, a steering element, a metal oxide storage element located in series with the steering element, a dielectric resistor located in series with the steering element and the metal oxide storage element, and a second electrode.
摘要翻译：非易失性存储单元包括与转向元件串联设置的第一电极，操舵元件，金属氧化物存储元件，与转向元件和金属氧化物存储元件串联的介质电阻器和第二电极。

2. 发明申请

WO2009122568A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122568A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056493
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1481 , G11B9/149 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/101
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素である第１化合物を含む第１化合物層と、少なくとも１種類の電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素を収容可能な空隙サイトを有する第２化合物を含む第２化合物層と、を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种可实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。信息记录/再现装置的特征在于，信息记录/再现装置包括第一层，第二层和保持在第一层和第二层之间的记录层，其在低电阻第一状态以及高电阻第二状态，并且所述记录层包括第一化合物层，所述第一化合物层包含第一化合物，所述第一化合物是含有至少两个阳离子元素的化合物，其中至少一个是具有未完全充满电子的轨道的过渡元素和包含第二化合物的第二化合物层，其包含至少一个具有未完全充满电子的轨道的过渡元素，并具有能够存储阳离子元素的间隙位点。

3. 发明申请

WO2009122567A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122567A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056492
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/149 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは周期表の１族～４族の元素及び１２族～１７族の元素から選択される元素である第１化合物を含む第１化合物層と、周期表の１族～４族の元素及び１２族～１７族の元素から選択される元素からなる第３化合物を含む絶縁層と、を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力で、熱安定性が高く、安定動作可能な不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种包括第一层，第二层和记录层的信息记录/再现装置，其被保持在第一层和第二层之间，并且在通过第一层和第二层的电流供应经历电阻从低电阻第一状态到高电阻第二状态的可逆转变，反之亦然。信息记录/再现装置的特征在于，记录层包括第一化合物层和绝缘层，第一化合物层含有含有至少两个阳离子元素的第一化合物，至少一个阳离子元素是具有轨道未完全填充电子，至少一个阳离子元素是选自元素周期表的第1至4族元素和第12至17族元素的元素，并且绝缘层包含第三种化合物，其包含选自组1的元素到元素周期表的4个元素和第12到17个元素。信息记录/再现装置可以实现高密度记录，低功耗，高热稳定性和稳定运行，是非易失性的。

4. 发明申请

WO2008129683A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2008129683A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/JP2007/061828
申请日：2007-06-12
申请人：株式会社東芝 , 塚本隆之 , 久保光一 , 鎌田親義 , 平井隆大 , 青木伸也 , 平岡俊郎
发明人：塚本隆之 , 久保光一 , 鎌田親義 , 平井隆大 , 青木伸也 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1436 , G11B9/1481 , G11B9/149 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/11517 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：　低消費電力で、かつ、熱安定性が高い不揮発性の情報記録再生装置を提案する。　本発明に係る情報記録再生装置は、記録層と、記録層に電圧を印加して記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを備える。記録層は、ウルフラマイト構造類様態あるいはシーライト構造類様態を有する材料により構成される。
摘要翻译：具有高热稳定性和低功耗的非易失性信息记录/重放装置。信息记录/再现装置包括记录层和用于通过向记录层施加电压来记录信息的装置，从而在记录层中产生相变。记录层由具有Wolframite结构或Scheelite结构的材料组成。

5. 发明申请

WO2007089914A2 FPGA ARCHITECTURE AT CONVENTIONAL AND SUBMICRON SCALES 审中-公开
标题翻译：常规和亚微米尺寸的FPGA架构
公开(公告)号：WO2007089914A2
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/US2007002805
申请日：2007-01-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , SNIDER GREGORY S , KUEKES PHILIP J
发明人： SNIDER GREGORY S , KUEKES PHILIP J
IPC分类号： H03K19/177 , G11C13/02
CPC分类号： H03K19/17748 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C8/10 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H03K19/17728 , H03K19/1778
摘要： Reconfigurable logic devices (500) and methods of programming the devices are disclosed. The logic device includes a look-up table (600, 600') (LUT) and at least one storage element (570) configured for sampling LUT output signals (520). The LUT (600, 600') comprises a plurality of input signals (510), an array of programmable impedance devices (110) operably coupled to the input signals (510), and the LUT output signals (520). Each programmable impedance devices (110) in the array includes a first electrode (120) operably coupled to one of the input signals (520), a second electrode (130) disposed to form a junction (150) wherein the second electrode (130) at least partially overlaps the first electrode (120), and a programmable material (140) disposed between the first electrode (120) and the second electrode (130). The programmable material (140) operably couples the first electrode (120) and second electrode (130) such that each programmable impedance device (110) exhibits a non-volatile programmable impedance. The array may be configured as a one-dimensional array (700, 700') or two-dimensional array (610, 610').
摘要翻译：公开了可重新配置的逻辑设备（500）和对设备进行编程的方法。逻辑器件包括被配置为对LUT输出信号（520）进行采样的查找表（600,600'）（LUT）和至少一个存储元件（570）。 LUT（600,600'）包括多个输入信号（510），可操作地耦合到输入信号（510）的可编程阻抗设备（110）阵列以及LUT输出信号（520）。阵列中的每个可编程阻抗器件（110）包括可操作地耦合到输入信号（520）中的一个的第一电极（120），布置为形成结（150）的第二电极（130），其中第二电极至少部分地与第一电极（120）重叠，以及设置在第一电极（120）和第二电极（130）之间的可编程材料（140）。可编程材料（140）可操作地耦合第一电极（120）和第二电极（130），使得每个可编程阻抗设备（110）呈现非易失性可编程阻抗。该阵列可以被配置为一维阵列（700,700'）或二维阵列（610,610'）。

6. 发明申请

WO2007008903A2 MEMORY CELL COMPRISING A THIN FILM THREE-TERMINAL SWITCHING DEVICE HAVING A METAL SOURCE AND/OR DRAIN REGION 审中-公开
标题翻译：包含金属源和/或排水区域的薄膜三端开关装置的存储单元
公开(公告)号：WO2007008903A2
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/US2006/026898
申请日：2006-07-11
申请人： SANDISK 3D LLC , SCHEUERLEIN, Roy, E. , PETTI, Christopher, J.
发明人： SCHEUERLEIN, Roy, E. , PETTI, Christopher, J.
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1203 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/31 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L27/101 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/2436 , H01L29/685 , H01L29/786 , H01L29/8605 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675
摘要： A nonvolatile memory cell comprising a switchable resistor memory element and a thin-film three- terminal switching device, preferably a MOSFET, in series. The switchable resistor memory element has the property of having at least two stable resistance states, for example a high-resistance state and a low-resistance state. It is switched between the two states, and its resistance state (and thus the data state of the cell) is sensed by providing appropriate current through the three-terminal switching device. Preferred embodiments of the present invention include a highly dense monolithic three dimensional memory array in which multiple memory levels of such memory cells are formed above a single substrate such as a monocrystalline silicon wafer.
摘要翻译：一种非易失性存储单元，包括可切换电阻存储元件和薄膜三端开关器件，优选地是串联的MOSFET。可切换电阻存储元件具有至少两个稳定的电阻状态的特性，例如高电阻状态和低电阻状态。它在两个状态之间切换，并且通过提供通过三端开关装置的适当电流来感测其电阻状态（以及因此的小区的数据状态）。本发明的优选实施例包括高密度单片三维存储器阵列，其中这种存储器单元的多个存储器级别形成在诸如单晶硅晶片的单个衬底上方。

7. 发明申请

WO2006086248A1 MEMORY DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER FOR IMPROVED SWITCHING SPEED AND DATA RETENTION 审中-公开
标题翻译：包括用于改进切换速度和数据保持的障碍层的存储器件
公开(公告)号：WO2006086248A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/US2006/003954
申请日：2006-02-06
申请人： SPANSION LLC , KRIEGER, Juri , SPITZER, Stuart
发明人： KRIEGER, Juri , SPITZER, Stuart
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/02
CPC分类号： H01L45/12 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： The present memory device (80) includes a first electrode (82), a passive layer (84) on and in contact with the first electrode (82), the passive layer (84) including copper sulfide, a barrier layer (86) on and in contact with the passive layer (84), an active layer (88) on and in contact with the barrier layer (86), and a second electrode (90) on and in contact with the active layer (88). The inclusion of the barrier layer (86) in this environment increases switching speed of the memory device (80), while also improving data retention thereof.
摘要翻译：本存储器件（80）包括在第一电极（82）上并与其接触的第一电极（82），钝化层（84），钝化层（84）包括硫化铜，阻挡层（86）并且与所述钝化层（84）接触，与所述阻挡层（86）接触并与所述阻挡层（86）接触的有源层（88）以及与所述有源层（88）接触并与所述有源层接触的第二电极（90）。在该环境中包含阻挡层（86）增加了存储器件（80）的切换速度，同时也提高了其数据保持性。

8. 发明申请

WO2004081977A2 MULTI-TERMINAL CHALCOGENIDE SWITCHING DEVICES 审中-公开
标题翻译：多终端总线切换设备
公开(公告)号：WO2004081977A2
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/US2004003111
申请日：2004-02-04
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES INC
发明人： OVSHINSKY STANFORD R , PASHMAKOV BOIL
IPC分类号： H01L45/00 , H01L
CPC分类号： H01L45/06 , G11C2213/51 , H01L45/04 , H01L45/1206 , H01L45/1213 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要： Multi-terminal electronic switching devices comprising a chalcogenide material switchable between a resistive state and a conductive state. The devices include a first terminal, a second terminal and a control terminal. Application of a control signal to the control terminal modulates the conductivity of the chalcogenide material between the first and second terminals and/or the threshold voltage required to switch the chalcogenide material between the first and second terminals from a resistive state to a conductive state. The devices may be used as interconnection devices or signal providing devices in circuits and networks.
摘要翻译：包括可在电阻状态和导电状态之间切换的硫族化物材料的多端子电子开关器件。这些设备包括第一终端，第二终端和控制终端。将控制信号施加到控制端子，调制第一和第二端子之间的硫族化物材料的导电性和/或将第一和第二端子之间的硫族化物材料从电阻状态切换到导通状态所需的阈值电压。这些设备可以用作电路和网络中的互连设备或信号提供设备。

9. 发明申请

WO2003071614A2 SILVER-SELENIDE/CHALCOGENIDE GLASS STACK FOR RESISTANCE VARIABLE MEMORY 审中-公开
标题翻译：用于电阻可变存储器的银 - 硒化物/氯乙烯玻璃堆叠
公开(公告)号：WO2003071614A2
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/US2003/004385
申请日：2003-02-14
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： CAMPBELL, Kristy, A. , MOORE, John
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/1616 , H01L45/1625
摘要： The invention is related to methods and apparatus for providing a resistance variable memory element with improved data retention and switching characteristics. According to an embodiment of the invention a resistance variable memory element is provided having at least one silver-selenide layer in between glass layers, wherein at least one of the glass layers is a chalcogenide glass, preferably having a Ge x Se 100-x composition.
摘要翻译：本发明涉及用于提供具有改进的数据保持和切换特性的电阻可变存储元件的方法和装置。根据本发明的实施例，提供了一种电阻可变存储元件，其在玻璃层之间具有至少一个硒化银层，其中至少一个玻璃层是硫族化物玻璃，优选具有GexSe100-x组成。

10. 发明申请

WO2003032392A2 PROGRAMMABLE MICROELECTRONIC DEVICE, STRUCTURE, AND SYSTEM, AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：可编程微电子器件，结构和系统及其形成方法
公开(公告)号：WO2003032392A2
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/US2002/032099
申请日：2002-10-09
申请人： AXON TECHNOLOGIES CORPORATION , KOZICKI, Michael, N.
发明人： KOZICKI, Michael, N.
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L45/1266 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/009 , G11C2207/104 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： A microelectronic programmable structure suitable for storing information and a method of forming and programming the structure are disclosed. The programmable structure generally includes an ion conductor and a plurality of electrodes. Electrical properties of the structure may be altered by applying energy to the structure, and thus information may be stored using the structure.
摘要翻译：公开了一种适用于存储信息的微电子可编程结构和一种形成和编程结构的方法。可编程结构通常包括离子导体和多个电极。可以通过向结构施加能量来改变结构的电特性，因此可以使用该结构存储信息。

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