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1. 发明申请

WO2010029607A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2010029607A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/JP2008/066229
申请日：2008-09-09
申请人：株式会社東芝 , 青木伸也 , 久保光一 , 塚本隆之 , 平井隆大 , 鎌田親義 , 中居司
发明人：青木伸也 , 久保光一 , 塚本隆之 , 平井隆大 , 鎌田親義 , 中居司
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1233 , G11B9/04 , G11C13/0011 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/146
摘要：　第１金属元素を含む第１酸化物と、第１酸化物と同じ結晶構造を有し、第１金属元素と異なる第２金属元素を含む第２酸化物と、の混晶を含む第１化合物を含む第１層を有する記録層と、前記記録層への電圧の印加、及び、前記記録層への電流の通電、の少なくともいずれかによって、前記記録層に状態変化を発生させて情報を記録する駆動部と、を備え、前記第１金属元素及び前記第２金属元素のうちイオン半径の小さい方の組成比は、前記結晶構造に基づく、前記第１金属元素のイオン及び前記第２金属元素のイオンがつくる格子の浸透しきい値以上であることを特徴とする情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：信息记录/再现装置设有记录层和驱动部分。记录层具有含有第一化合物的第一层。第一化合物包含含有第一金属元素的第一氧化物和具有与第一氧化物相同的晶体结构的第二氧化物的混合晶体，并且含有与第一金属元素不同的第二金属元素。驱动部通过至少向记录层施加电压或向记录层传送电流来改变记录层的状态来记录信息。具有较小离子半径的第一金属元素或第二金属元素的组成比是基于晶体的第一金属元素的离子和第二金属元素的离子或更高的离子形成的晶格的渗透的阈值结构体。

2. 发明申请

WO2008153005A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2008153005A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060562
申请日：2008-06-09
申请人：株式会社東芝 , 塚本隆之 , 久保光一 , 鎌田親義 , 平井隆大 , 青木伸也 , 平岡俊郎
发明人：塚本隆之 , 久保光一 , 鎌田親義 , 平井隆大 , 青木伸也 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04 , G11C13/00 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C13/003 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1436 , G11B9/1481 , G11B9/149 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/17 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：　本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも、化学式１：A x M y X 4 (0.１≦x≦2.2、1.5≦y≦2)で表されるスピネル構造を有する第１化合物を含むように構成されることを特徴とする。但し、Aは、Zn, Cd, Hgのグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、Mは、Cr, Mo, W, Mn, Reのグループから選択される少なくとも１種類の遷移元素であり、Xは、Oである。
摘要翻译：信息记录/再现装置设有记录层，以及用于通过向记录层施加电压而在记录层中产生相变来记录信息的装置。记录层至少含有由化学式（1）表示的具有尖晶石结构的第一化合物：AxMyX4（0.1 = x = 2.2,1.5 = y = 2），其中A是选自以下的至少一种元素：由Zn，Cd和Hg组成的组，M是选自Cr，Mo，W，Mn和Re中的至少一种的过渡元素，X是O.

3. 发明申请

WO2009122571A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122571A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056498
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 中居司 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 久保光一 , 平岡俊郎 , 山口豪
发明人：中居司 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 久保光一 , 平岡俊郎 , 山口豪
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/149 , G11B11/002 , G11B11/08 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C16/0483 , G11C2211/565 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147
摘要：　高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。　本発明の情報記録再生装置は、異なる電気抵抗率の２以上の状態が記録される記録層と、記録層に電圧又は電流を与えて記録層の状態を変化させるときに陽極側となる記録層の一端に配置される導電性酸化物層とを備える。導電性酸化物層の電気抵抗率は、記録層の電気抵抗率の最小値よりも小さい。導電性酸化物層は、(i) ZnO、SnO 2 、CoO、TiO s (1≦s≦2)、In 2 O 3 、IrO 2 、RuO 2 のグループから選択される主成分としての第１材料と、(ii) Ga 2 O 3 、Al 2 O 3 、Nb 2 O 5 、SnO 2 、Ta 2 O 5 、Sb 2 O 3 、ZnO、TiO s (1≦s≦2)のグループから選択されるドーパントとしての第２材料との混合体から構成される。
摘要翻译：本发明提供一种能够实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。信息记录/再现装置包括其上记录有两个或多个不同电阻状态的记录层和设置在记录层一端的导电氧化物层，当将电压或电流施加到记录层时，改变记录层的状态，在阳极一侧。导电氧化物层的电阻小于记录层的电阻的最小值。导电氧化物层由（i）第一材料作为主要成分的混合物形成，所述第一材料选自ZnO，SnO 2，CoO，TiO（其中1 = s = 2），In 2 O 3，IrO 2和RuO 2，和（ii）选自由Ga 2 O 3，Al 2 O 3，Nb 2 O 5，SnO 2，Ta 2 O 5，Sb 2 O 3，ZnO和TiO（其中1 = s = 2）组成的组中的掺杂剂的第二材料。

4. 发明申请

WO2009116139A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009116139A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2008/055001
申请日：2008-03-18
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： G11B9/04
摘要：　高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。　本発明の情報記録再生装置は、記録層に含まれる第１化合物が２種類以上の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、前記２種類以上の陽イオン元素の少なくとも１つは、電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下であり、前記記録層は、相変化により少なくとも低抵抗状態と高抵抗状態の２値を有する。本発明の情報記録再生装置は、さらに、前記記録層に直接的或いは間接的に付加され、前記記録層の前記高抵抗状態の電気抵抗率よりも大きな電気抵抗率を有する抵抗層を備える。
摘要翻译：本发明提供一种能够实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。在信息记录/再现装置中，包含在记录层中的第一化合物包括具有两个或更多个阳离子元素的复合化合物。两个或更多个阳离子元素中的至少一个是具有不完全填充有电子的d轨道的过渡元素。相邻阳离子元素之间的最短距离不大于0.32nm，并且记录层具有取决于相变的低电阻状态和高电阻状态的至少两个值。此外，信息记录/再现装置直接或间接添加到记录层，并且在记录层的高电阻状态下设置有比电阻高的电阻层。

5. 发明申请

WO2009104239A1 不揮発性記憶装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009104239A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2008/052636
申请日：2008-02-18
申请人：株式会社東芝 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 久保光一 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
发明人：鎌田親義 , 塚本隆之 , 久保光一 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/06 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1675 , Y10S257/92 , Y10S977/712 , Y10S977/734
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に狭持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、その主面の面内において、第１の部分と、前記第１の部分より窒素の含有量が相対的に高い第２の部分と、を有することを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：非挥发性存储装置设置有夹在第一层和第二层之间的第一层，第二层和记录层，并且可逆地在电阻低的第一状态和第二状态之间移动，通过第一层和第二层提供的电流的电阻较高。记录层具有第一部分和第二部分，其氮含量相对高于非易失性存储装置的主面中的第一部分。还提供了一种低功耗的非易失性信息记录/重放装置。

6. 发明申请

WO2008129684A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2008129684A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/JP2007/061829
申请日：2007-06-12
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 鎌田親義 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 鎌田親義 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G11B9/149 , B82Y10/00 , G11B9/14
摘要：　高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。　本発明の例に係わる情報記録再生装置は、電極層及び記録層からなる積層構造と、電極層に付加されるバッファ層と、記録層に電圧を印加して記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを備える。記録層は、少なくとも２種類の陽イオンを有する複合化合物から構成され、陽イオンの少なくとも１種類は、電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素である。記録層は、CuxAyXz (0.1≦x≦1.1、0.9≦y≦1.1、1.8≦z≦2.2)で表される材料から構成され、かつ、デラフォサイト構造を有する第１化合物を含む。バッファ層は、M 3 N 4 , M 3 N 5 , MN 2 ,或いはM 4 O 7 ,MO 2 ,M 2 O 5 で表される材料から構成される。
摘要翻译：本发明提供一种高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/重放装置。一个实施例中的信息记录/再现装置包括一层叠结构，包括一电极层和一记录层，一缓冲层加到该电极层上，以及用于向记录层施加电压以引起记录层相变的装置，以及从而记录信息。记录层包含含有至少两种类型的阳离子的双重化合物，并且至少一种阳离子是具有电子不饱和的d轨道的过渡元素的阳离子。记录层由CuxAyXz表示的材料形成，其中0.1 = x = 1.1,0.9 = y = 1.1，1.8 = z = 2.2，并且含有具有非对称结构的第一化合物。缓冲层由M 3 N 4 N 3，N 3 N 5 N，M N 3 N 3， M 2，S 2，O 2，O 2，O 2，N 2， > 5 。

7. 发明申请

WO2010103609A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2010103609A1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/JP2009/054462
申请日：2009-03-09
申请人：株式会社東芝 , 平井隆大 , 中居司 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也
发明人：平井隆大 , 中居司 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/00
CPC分类号： H01L27/0688 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要：　本発明の例に係わる情報記録再生装置は、半導体基板３１と、半導体基板３１上に形成される第一内部接続層ＩＣＡ１と、第一内部接続層ＩＣＡ１上に形成される第一メモリセルアレイ層ＭＡＬ１と、第一メモリセルアレイ層ＭＡＬ１上に形成される第二内部接続層ＩＣＡ２とを備える。第一メモリセルアレイ層ＭＡＬ１は、アライメントマーク２２Ｂを有する絶縁層２１と、絶縁層２１上に形成され、記録層２５及び電極層２６を含む積層構造とから構成され、積層構造内の全ての層は、可視光の透過率が１％以上の材料から構成される。
摘要翻译：信息记录/再现装置设置有半导体基板（31），形成在半导体基板（31）上的第一内部连接层（ICA1），形成在第一内部连接层上的第一存储单元阵列层（MAL1） ICA1）和形成在第一存储单元阵列层（MAL1）上的第二内部连接层（ICA2）。第一存储单元阵列层（MAL1）由具有对准标记（22B）的绝缘层（21）和形成在绝缘层（21）上并包括记录层（25）和多层结构电极层（26）。多层结构中的所有层由可见光透过率为1％以上的材料构成。

8. 发明申请

WO2009122568A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122568A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056493
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1481 , G11B9/149 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/101
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素である第１化合物を含む第１化合物層と、少なくとも１種類の電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素を収容可能な空隙サイトを有する第２化合物を含む第２化合物層と、を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种可实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。信息记录/再现装置的特征在于，信息记录/再现装置包括第一层，第二层和保持在第一层和第二层之间的记录层，其在低电阻第一状态以及高电阻第二状态，并且所述记录层包括第一化合物层，所述第一化合物层包含第一化合物，所述第一化合物是含有至少两个阳离子元素的化合物，其中至少一个是具有未完全充满电子的轨道的过渡元素和包含第二化合物的第二化合物层，其包含至少一个具有未完全充满电子的轨道的过渡元素，并具有能够存储阳离子元素的间隙位点。

9. 发明申请

WO2009122567A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122567A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056492
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/149 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは周期表の１族～４族の元素及び１２族～１７族の元素から選択される元素である第１化合物を含む第１化合物層と、周期表の１族～４族の元素及び１２族～１７族の元素から選択される元素からなる第３化合物を含む絶縁層と、を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力で、熱安定性が高く、安定動作可能な不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种包括第一层，第二层和记录层的信息记录/再现装置，其被保持在第一层和第二层之间，并且在通过第一层和第二层的电流供应经历电阻从低电阻第一状态到高电阻第二状态的可逆转变，反之亦然。信息记录/再现装置的特征在于，记录层包括第一化合物层和绝缘层，第一化合物层含有含有至少两个阳离子元素的第一化合物，至少一个阳离子元素是具有轨道未完全填充电子，至少一个阳离子元素是选自元素周期表的第1至4族元素和第12至17族元素的元素，并且绝缘层包含第三种化合物，其包含选自组1的元素到元素周期表的4个元素和第12到17个元素。信息记录/再现装置可以实现高密度记录，低功耗，高热稳定性和稳定运行，是非易失性的。

10. 发明申请

WO2008153099A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2008153099A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060775
申请日：2008-06-12
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0033 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/149 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C16/3427 , G11C2213/53 , G11C2213/75 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：　電極層及び記録層を有する積層構造と、前記電極層に付加されるバッファ層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する電圧印加部と、を備え、前記記録層は、ＡｘＭｙＸ３（０．１≦ｘ≦１．１、０．７５≦ｙ≦１）で表されるイルメナイト構造であって、前記Ａと前記Ｍは互いに異なる元素であり、前記Ａと前記Ｍの少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、前記ＡはＢｅ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、前記ＭはＴｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｈよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、前記ＸはＯ（酸素）、Ｎ（窒素）よりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素である第１化合物を含む第１の層を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种信息记录/再现装置，包括具有电极层和记录层，添加到电极层中的缓冲层的层压结构以及用于向记录层施加电压以引起相位变化的电压施加部分记录层，从而在记录层中记录信息。信息记录/再现装置的特征在于记录层具有含有第一化合物的第一层，第一化合物具有由AxMyX3（0.1 = x = 1.1,0.75 = y = 1）表示的钛铁矿结构，A和M为 A和M中的至少一个是具有未完全填充电子的轨道的过渡元素，A是包括选自Be，Mg，Fe，Co，Ni，Cu中的至少一种元素的元素 Zn，M是包含选自Ti，Ge，Sn，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Nb，Ta，Mo，W，Re，Ru中的至少一种元素的元素， Rh和X是包括选自O（氧）和N（氮）中的至少一种元素的元素。

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