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1. 发明申请

WO2012034394A1 一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2012034394A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/CN2011/072370
申请日：2011-04-01
申请人：北京大学 , 蔡一茂 , 黄如 , 秦石强 , 唐粕人 , 张丽杰 , 唐昱
发明人：蔡一茂 , 黄如 , 秦石强 , 唐粕人 , 张丽杰 , 唐昱
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/249 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1691
摘要：本发明提供一种三维结构阻变存储器阵列及其制造方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明三维结构阻变存储器阵列包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀出深槽，在深槽侧壁上淀积阻变材料以及顶电极层，其中底电极和顶电极在深槽侧壁上呈十字交叉，交叉点之间有阻变材料，每个交叉点形成一个阻变存储器单元，所有的阻变存储器单元形成三维阻变存储器阵列，阵列中的三维阻变存储器由隔离介质层隔离。本发明可以提高阻变存储器的存储密度，并且简化工艺，降低工艺成本。

2. 发明申请

WO2011106156A2 A MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON-BASED MEMORY ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：包含基于碳的存储元件的存储器单元及其形成方法
公开(公告)号：WO2011106156A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/US2011024188
申请日：2011-02-09
申请人： SANDISK 3D LLC , LI YUBAO , PING ER-XUAN
发明人： LI YUBAO , PING ER-XUAN
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/122 , H01L45/149 , H01L45/1616 , H01L45/1691
摘要： A method of forming a reversible resistance-switching metal-carbon-metal ("MCM") device is provided, the device including a first conducting layer, a second conducting layer, and a reversible resistance-switching element disposed between the first and second conducting layers, wherein the reversible resistance-switching element includes thermal CVD graphitic material and includes a highly resistive region that favors crack formation. Other aspects are also provided.
摘要翻译：提供一种形成可逆电阻切换金属 - 碳 - 金属（“MCM”）器件的方法，该器件包括第一导电层，第二导电层和设置在第一和第二导电层之间的可逆电阻切换元件层，其中可逆电阻切换元件包括热CVD石墨材料，并且包括有利于裂纹形成的高电阻区域。还提供其他方面。

3. 发明申请

WO2011049830A1 A MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON-BASED REVERSIBLE RESISTANCE SWITCHING ELEMENT COMPATIBLE WITH A STEERING ELEMENT, AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：包含与转向元件兼容的基于碳的可逆电阻开关元件的存储器及其形成方法
公开(公告)号：WO2011049830A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：PCT/US2010/052859
申请日：2010-10-15
申请人： SANDISK 3D, LLC , XU, Huiwen , PING, Er-Xuan , COSTA, Xiying , KWON, Thomas J.
发明人： XU, Huiwen , PING, Er-Xuan , COSTA, Xiying , KWON, Thomas J.
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1616 , H01L45/1691
摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a steering element (14) coupled to a carbon-based reversible resistivity switching material (12) that has an increased resistivity, and a switching current that is less than a maximum current capability of the steering element used to control current flow through the carbon -based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods and apparatus in accordance with this invention form a steering element, such as a diode, having a first cross - sectional area, coupled to a reversible resistivity switching material, such as aC, having a region that has a second cross - sectional area smaller than the first cross - sectional area.
摘要翻译：提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括耦合到具有增加的电阻率的碳基可逆电阻率开关材料（12）的转向元件（14）和小于最大值的开关电流用于控制通过碳基可逆电阻率切换材料的电流的导向元件的当前能力。在具体实施例中，根据本发明的方法和装置形成具有第一横截面面积的转向元件，例如二极管，该第二横截面积与可逆电阻率开关材料（例如aC）耦合，具有具有第二十字的区域 - 截面积小于第一横截面积。

4. 发明申请

WO2011025620A1 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING STOP LAYER FOR FULLY AMORPHOUS PHASE CHANGE MEMORY PORE CELL 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光停止层，用于完全不相变的记忆孔细胞
公开(公告)号：WO2011025620A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/US2010/043631
申请日：2010-07-29
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. , BREITWISCH, Matthew J. , LAM, Chung H.
发明人： BREITWISCH, Matthew J. , LAM, Chung H.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： A method for fabricating a phase change memory pore cell that includes forming a bottom electrode, forming a first dielectric layer on the bottom electrode, forming a sacrificial layer on the first dielectric layer, forming an isolation layer on the sacrificial layer, and forming a second dielectric layer on the isolation layer. The method further includes forming a via overlying the bottom electrode, the via extending to the sacrificial layer, etching through the sacrificial layer to the first dielectric layer to form a pore defined extending through the sacrificial layer and the first dielectric layer, depositing phase change material on the sacrificial layer and into the pore and removing the phase change material formed outside the pore, removing the sacrificial layer to expose the pore, the pore being vertically aligned, and forming a top electrode over the pore.
摘要翻译：一种相变存储孔单元的制造方法，包括形成底电极，在所述底电极上形成第一电介质层，在所述第一电介质层上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成隔离层，形成第二电介质层隔离层上的介电层。该方法还包括形成覆盖底部电极的通孔，延伸到牺牲层的通孔，通过牺牲层蚀刻到第一介电层，以形成限定的孔，延伸穿过牺牲层和第一介电层，沉积相变材料在牺牲层上并进入孔中，除去形成在孔外面的相变材料，去除牺牲层以暴露孔，孔垂直排列，并在孔上形成顶电极。

5. 发明申请

WO2011002705A2 HOLLOW GST STRUCTURE WITH DIELECTRIC FILL 审中-公开
标题翻译：带电介质填充的空心GST结构
公开(公告)号：WO2011002705A2
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/US2010/040178
申请日：2010-06-28
申请人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. , ZHENG, Jun-Fei
发明人： ZHENG, Jun-Fei
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/10
CPC分类号： H01L45/124 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1641 , H01L45/1691
摘要： A memory cell structure, including a substrate having a via therein bound at first and second ends thereof by electrodes. The via is coated on side surfaces thereof with GST material defining a core that is hollow or at least partially filled with material, e.g., germanium or dielectric material. One or more of such memory cell structures may be integrated in a phase change memory device. The memory cell structure can be fabricated in a substrate containing a via closed at one end thereof with a bottom electrode, by conformally coating GST material on sidewall surface of the via and surface of the bottom electrode enclosing the via, to form an open core volume bounded by the GST material, optionally at least partially filling the open core volume with germanium or dielectric material, annealing the GST material film, and forming a top electrode at an upper portion of the via.
摘要翻译：存储器单元结构，包括其中具有其中通过电极在其第一端和第二端处结合的通孔的衬底。通孔在其侧表面上涂有GST材料，该GST材料限定了空心的或至少部分填充有例如锗或介电材料的材料的芯。一个或多个这样的存储单元结构可以集成在相变存储器件中。存储器单元结构可以在包含通孔的基板中制造，所述通孔在其一端封闭有底部电极，通过在通孔的侧壁表面上共形涂覆GST材料以及封闭通孔的底部电极的表面以形成开放芯体积以GST材料为界，任选地用锗或电介质材料至少部分地填充开口核心体积，退火GST材料膜，并在通孔的上部形成顶部电极。

6. 发明申请

WO2008027209A3 PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS USING THE SAME AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：可编程电阻存储器件及其使用方法及其形成方法
公开(公告)号：WO2008027209A3
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/US2007018242
申请日：2007-08-17
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC , LIU JUN
发明人： LIU JUN
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691
摘要： A programmable resistance memory element and method of forming the same is described. The memory element includes a first electrode (14), a dielectric layer (21) over the first electrode and a second electrode (22) over the dielectric layer. The dielectric layer and the second electrode each have sidewalls. A layer of programmable resistance material (16), e.g., a phase change material, is in contact with the first electrode and at least a portion of the sidewalls of the dielectric layer and the second electrode. Memory devices including plural memory elements and systems incorporating such memory devices are also disclosed.
摘要翻译：描述了可编程电阻存储元件及其形成方法。存储元件包括第一电极（14），位于第一电极上方的电介质层（21）和位于电介质层上的第二电极（22）。电介质层和第二电极各自具有侧壁。诸如相变材料的可编程电阻材料层（16）与第一电极和电介质层和第二电极的侧壁的至少一部分接触。还公开了包括多个存储器元件和并入这种存储器件的系统的存储器件。

7. 发明申请

WO2007116749A1 不揮発性記憶素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007116749A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/JP2007/056424
申请日：2007-03-27
申请人：松下電器産業株式会社 , 三河巧 , 高木剛
发明人：三河巧 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1691
摘要：　第１の電極２と、第１の電極２より上方に形成される第２の電極６と、第１の電極２と第２の電極６との間に形成され、これらの電極２，６間に与えられる電気的パルスにより抵抗値が増加または減少する可変抵抗膜４と、第１の電極２及び第２の電極６間に設けられる層間絶縁膜３とを備え、層間絶縁膜３には、その表面から第１の電極２に至る開口部が形成され、可変抵抗膜４は、その開口部の内壁面に形成され、可変抵抗膜４により形成される前記開口部の内部領域には、埋め込み絶縁膜５が充填されている。
摘要翻译：非易失性存储元件包括第一电极（2），形成在第一电极（2）上方的第二电极（6），形成在第一电极（2）和第二电极（6）之间的可变电阻膜），并且其电阻值根据施加在电极（2,6）之间的电脉冲而增加或减小，以及设置在第一电极（2）和第二电极（6）之间的层间绝缘膜（3）。在层间绝缘膜（3）中形成有从其表面延伸到第一电极（2）的开口。可变电阻膜（4）形成在开口的内壁表面上。由可变电阻膜（4）形成的开口的内部区域填充有嵌入绝缘膜（5）。

8. 发明申请

WO2005093839A2 ELECTRIC DEVICE COMPRISING PHASE CHANGE MATERIAL 审中-公开
标题翻译：包含相变材料的电气设备
公开(公告)号：WO2005093839A2
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/IB2005/050923
申请日：2005-03-16
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , LANKHORST, Martijn, H., R. , MEINDERS, Erwin, R. , WOLTERS, Robertus, A., M. , WIDDERSHOVEN, Franciscus, P.
发明人： LANKHORST, Martijn, H., R. , MEINDERS, Erwin, R. , WOLTERS, Robertus, A., M. , WIDDERSHOVEN, Franciscus, P.
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/124 , H01L45/1286 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： The electric device (100) according to the invention has a resistor comprising a layer (7, 107) of a phase change material which is changeable between a first phase with a first electrical resistivity and a second phase with a second electrical resistivity different from the first electrical resistivity. The phase change material is a fast growth material. The electric device (100) further comprises a switching signal generator (400) for switching the resistor between at least three different electrical resistance values by changing a corresponding portion of the layer (7, 107) of the phase change material from the first phase to the second phase.
摘要翻译：根据本发明的电子设备（100）具有电阻器，该电阻器包括相变材料的层（7,107），所述相变材料层可以在具有第一电阻率的第一相和第二相之间变化，所述第二相具有不同于第一电阻率。相变材料是快速生长材料。电气设备（100）还包括切换信号发生器（400），用于通过将相变材料的层（7,107）的相对应部分从第一阶段改变为至少三个不同的电阻值来切换电阻器第二阶段

9. 发明申请

WO2004086459A3 METHOD FOR MAKING TAPERED OPENING FOR PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制作可编程电阻记忆元件的开口的方法
公开(公告)号：WO2004086459A3
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/US2004008633
申请日：2004-03-22
申请人： OVONYX INC
发明人： MAIMON JON , RODGERS JOHN
IPC分类号： H01L20060101 , H01L21/00 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1691 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要： A method for making a tapered opening. The defined tapered opening is useful for the fabrication of programmable resistance memory elements. The programmable resistance memory material may be a chalcogenide.
摘要翻译：一种锥形开口的制造方法。限定的锥形开口可用于制造可编程电阻存储元件。可编程电阻记忆材料可以是硫族化物。

10. 发明申请

WO2003032392A2 PROGRAMMABLE MICROELECTRONIC DEVICE, STRUCTURE, AND SYSTEM, AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：可编程微电子器件，结构和系统及其形成方法
公开(公告)号：WO2003032392A2
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/US2002/032099
申请日：2002-10-09
申请人： AXON TECHNOLOGIES CORPORATION , KOZICKI, Michael, N.
发明人： KOZICKI, Michael, N.
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L45/1266 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/009 , G11C2207/104 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： A microelectronic programmable structure suitable for storing information and a method of forming and programming the structure are disclosed. The programmable structure generally includes an ion conductor and a plurality of electrodes. Electrical properties of the structure may be altered by applying energy to the structure, and thus information may be stored using the structure.
摘要翻译：公开了一种适用于存储信息的微电子可编程结构和一种形成和编程结构的方法。可编程结构通常包括离子导体和多个电极。可以通过向结构施加能量来改变结构的电特性，因此可以使用该结构存储信息。

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