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1. 发明申请

WO2017006549A1 半導体ウエハ表面保護フィルムおよび半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体膜表面保护膜及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2017006549A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/JP2016/003156
申请日：2016-07-01
申请人：三井化学東セロ株式会社
发明人：鎌田　潤 , 川崎　登 , 宇杉　真一 , 助川　誠 , 木下　仁 , 五十嵐　康二 , 森本　哲光
IPC分类号： H01L21/304 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09J7/02 , C09J133/04 , C09J201/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09J7/20 , C09J133/04 , C09J133/10 , C09J201/02 , H01L21/283 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：本発明の目的は、半導体ウエハの回路形成面の凹凸に良好に追従させて貼り付けることができ、かつ高温工程を経た場合においても剥離時のウエハの割れや糊残りを抑制しうる半導体ウエハ表面保護フィルムを提供することである。本発明の半導体ウエハ表面保護フィルムは、基材層Ａと、粘着性吸収層Ｂと、粘着性表層Ｃとをこの順に有し、粘着性吸収層Ｂは、熱硬化性樹脂ｂ１を含む粘着剤組成物からなり、粘着性吸収層Ｂの２５℃以上２５０℃未満の範囲における貯蔵弾性率Ｇ'ｂの最小値Ｇ'ｂｍｉｎが０．００１ＭＰａ以上０．１ＭＰａ未満であり、２５０℃における貯蔵弾性率Ｇ'ｂ２５０が０．００５ＭＰａ以上であり、かつＧ'ｂｍｉｎを示す温度が５０℃以上１５０℃以下であり、粘着性表層Ｃの、２５℃以上２５０℃未満の範囲における貯蔵弾性率Ｇ'ｃの最小値Ｇ'ｃｍｉｎが０．０３ＭＰａ以上である。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种半导体晶片表面保护膜，该半导体晶片表面保护膜可以被牢固地符合半导体晶片的电路形成表面上的不规则性，并且抑制晶片中的裂纹并且甚至在剥离期间产生粘合剂残留物高温步骤。该半导体晶片表面保护膜按照所述的顺序具有基板层A，粘合剂吸收层B和粘合剂表面层C。粘合剂吸收层B包括含有热固性树脂b1的粘合剂组合物，所述粘合剂吸收层B具有在25℃至小于250℃的范围内的储能弹性模量G'b的最小值G'bmin为0.001 MPa至小于0.1MPa，250℃下的储能弹性模量G'b250为0.005MPa以上，G'bmin的温度为50-150℃。粘合表面层C的存储弹性模量G'c的最小值G'cmin在25℃至小于250℃的范围内为0.03MPa。

2. 发明申请

WO2016071785A1 ADHESIVE RESINS FOR WAFER BONDING 审中-公开
标题翻译：用于粘结粘合剂的粘合树脂
公开(公告)号：WO2016071785A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/IB2015/057910
申请日：2015-10-15
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , IBM UNITED KINGDOM LIMITED , IBM JAPAN LIMITED
发明人： GELORME, Jeffrey , HUNG, Li-Wen , ALLEN, Robert, David , SUNDBERG, Linda, Karin , SOORIYAKUMARAN, Ratnam
IPC分类号： H01L21/304 , C09J5/00 , C09J125/04 , C09J133/00 , H01L21/02
CPC分类号： C09J129/10 , C08F212/08 , C09J125/08 , C09J133/06 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y02P20/582 , C08F222/40 , C08F222/06 , C08F2222/402
摘要： A method for adhesive bonding in microelectronic device processing is provided that includes bonding a handling wafer to a front side of a device wafer with an adhesive of hydroxystyrene homo polymer and hydroxystyrene acrylate copolymer, styrene maleimide copolymers, or acrylate copolymer; and thinning the device wafer from the backside of the device wafer while the device wafer is adhesively engaged to the handling wafer. After the device wafer has been thinned, the adhesive comprising phenoxy resin may be removed by laser debonding, wherein the device wafer is separated from the handling wafer.
摘要翻译：提供了一种微电子器件处理中的粘合方法，其包括使用羟基苯乙烯均聚物和羟基苯乙烯丙烯酸酯共聚物，苯乙烯马来酰亚胺共聚物或丙烯酸酯共聚物的粘合剂将处理晶片接合到器件晶片的前侧; 以及当器件晶片与处理晶片粘合地接合时，从器件晶片的背面使器件晶片变薄。在器件晶片减薄之后，可以通过激光剥离除去包含苯氧基树脂的粘合剂，其中将器件晶片与处理晶片分离。

3. 发明申请

WO2016046741A1 WAFER-TRÄGER-ANORDNUNG, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG DER ANORDNUNG BEI DER BEARBEITUNG DES WAFERS 审中-公开
标题翻译：晶片载体的安排，方法使用和地层晶圆的处理过程中
公开(公告)号：WO2016046741A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/IB2015/057291
申请日：2015-09-22
申请人： NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人： LORENZ, Phillipp
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C23C16/4586 , B01J19/0046 , H01L21/6835 , H01L21/687 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/6875 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wafer-Träger-Anordnung, umfassend einen Wafer (1), ein Trägersystem (7, 4, 5), umfassend einen Träger (7) und eine Elastomerschicht (4, 5) und eine Verbindungsschicht (3), wobei die Verbindungsschicht eine Sol-Gel-Schicht ist. Die Erfindung betrifft ferner einen beschichteten Wafer für eine erfindungsgemäße Wafer-Träger-Anordnung, unter Verwendung einer Sol-Gel-Schicht als Verbindungsschicht für eine entsprechende Wafer-Träger-Anordnung sowie ein Verfahren zur Bearbeitung der Rückseite eines Wafers.
摘要翻译：本发明涉及一种包括一个晶片（1），载波系统中的晶片支承组件（7,4，5），其包括支撑件（7）和弹性体层（4,5）及粘合层（3），其特征在于连接层是溶胶 - 凝胶层。本发明进一步涉及涂布的晶片为根据本发明的晶片载体组件，使用溶胶 - 凝胶层作为用于相应的晶片载体组件的粘结层和用于晶片的背面的处理的方法。

4. 发明申请

WO2015156389A1 バックグラインドテープ用基材、及びバックグラインドテープ审中-公开
标题翻译：背面砂带和背面胶带
公开(公告)号：WO2015156389A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/JP2015/061225
申请日：2015-04-10
申请人：リンテック株式会社
发明人：森田　由希 , 斎藤　陽介 , 奥地　茂人
IPC分类号： H01L21/304 , B32B27/00 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B27/308 , B32B27/40 , B32B2307/54 , B32B2457/14 , C09J7/29 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2475/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：本発明のバックグラインドテープ用基材は、ヤング率が６００ＭＰａ以上の基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けられ、ウレタン含有硬化物から形成されるとともに、ｔａｎδのピーク温度が６０℃以下である緩衝層とを備える。
摘要翻译：背面研磨带的基材具有：杨氏模量为600MPa以上的基膜; 并且设置在基膜的一个表面上的缓冲层由含氨基甲酸酯的固化物形成，tanδ峰值温度为60℃以下。

5. 发明申请

WO2015152010A1 保護フィルム、及び、該保護フィルムを用いる半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：保护膜和使用保护膜的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2015152010A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/JP2015/059459
申请日：2015-03-26
申请人：三井化学東セロ株式会社
发明人：助川　誠 , 木下　仁 , 田原　修二
IPC分类号： H01L21/304 , C09J4/02 , C09J4/06 , C09J5/06 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00
CPC分类号： C09J133/068 , C08K5/0025 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J133/066 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2479/086 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , C08F2220/1808 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/1858 , C08F2220/325
摘要：　ポリイミド基材と、前記ポリイミド基材の片表面に設けられ、アクリル系重合体（ａ）、１分間半減期温度が１４０℃以上２００℃以下である熱ラジカル発生剤（ｂ）、及び架橋剤（ｃ）を含む組成物から得られた熱硬化性粘着層と、を有し、半導体ウェハの回路形成面に貼付される保護フィルム。
摘要翻译：粘合到半导体晶片的电路形成表面的保护膜，该保护膜具有聚酰亚胺基板，并且具有设置在聚酰亚胺基板的一个表面上的热可固化粘合剂层，该组合物包含丙烯酸类聚合物（a），具有140〜200℃的1分钟半衰期的热自由基发生剂（b）和交联剂（c）。

6. 发明申请

WO2015146856A1 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法审中-公开
标题翻译：用于半导体波导处理的粘合带和用于处理半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2015146856A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2015/058601
申请日：2015-03-20
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：岡　祥文 , 内山　具朗
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J201/00 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：　８０μｍ以上の高さの凹凸を表面に有する半導体ウエハに貼合し、該半導体ウエハの裏面を研削する工程で用いられる半導体ウエハ加工用粘着テープ（１０）であって、基材フィルム（１）上に粘着剤層（３）を有し、該粘着剤層（３）の厚みが、前記半導体ウエハ表面の凹凸高さの２５％～９０％であり、かつ、前記粘着剤層の厚みが前記半導体ウエハ加工用テープ（１０）全体の厚みの２５％以下である半導体ウエハ加工用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法。
摘要翻译：提供一种用于半导体晶片加工的粘合带（10），其粘附在具有等于或高于80μm的凸凹的半导体晶片的前表面上，并用于研磨半导体晶片的后表面的步骤，其中胶带被配置为在基材膜（1）上具有粘合剂层（3），粘合剂层（3）的厚度为半导体晶片的正面凸部和凹部的高度的25％至90％并且具有等于或小于用于半导体晶片处理的胶带（10）的总厚度的25％的厚度。还提供了一种用于处理半导体晶片的方法。

7. 发明申请

WO2015145807A1 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび加工物の製造方法审中-公开
标题翻译：保护膜成型薄膜，保护膜成型片和工件制造方法
公开(公告)号：WO2015145807A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2014/073265
申请日：2014-09-03
申请人：リンテック株式会社
发明人：佐伯　尚哉 , 稲男　洋一 , 山本　大輔 , 米山　裕之
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53 , B32B27/00 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , B23K26/0057 , B23K26/53 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2307/50 , B32B2307/548 , B32B2457/14 , C08J7/042 , C08J2333/10 , C08J2363/00 , C08J2363/04 , C09D133/10 , C09D163/00 , C09D163/04 , C09J7/29 , C09J133/10 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L2221/68313 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377
摘要：保護膜形成フィルム（１）および保護膜形成フィルム（１）から形成された保護膜の少なくとも一方は、測定温度０℃で測定された破断応力（ＭＰａ）と、測定温度０℃で測定された破断ひずみ（単位：％）との積が、１ＭＰａ・％以上２５０ＭＰａ・％以下である、保護膜形成フィルム（１）。かかる保護膜形成フィルム（１）によれば、ワークを分割加工して加工物を得る際にワークに対して行われるエキスパンド工程において、当該保護膜形成フィルム（１）または保護膜形成フィルム（１）から形成された保護膜が適切に分割されうる。
摘要翻译：提供一种保护膜形成膜（1），其中在测量温度为0°时测量的在0℃的测量温度下测量的断裂应力（MPa）和断裂应变（单位：％）的乘积对于至少一个保护膜形成膜（1）和由保护膜形成膜（1）形成的保护膜，C为1MPa·％-250MPa·∙％。该保护膜形成膜（1）能够使保护膜形成膜（1）或由保护膜形成膜（1）形成的保护膜在工件上进行的扩展步骤中适当地划分，被分割以获得加工的工件。

8. 发明申请

WO2015111310A1 ウエハ保護用粘着シート审中-公开
标题翻译：用于防护的粘合片
公开(公告)号：WO2015111310A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/JP2014/082017
申请日：2014-12-03
申请人：リンテック株式会社
发明人：榎　沙也香 , 森田　由希
IPC分类号： H01L21/301 , C09J4/02 , C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： C09J7/0217 , C09J7/29 , C09J7/385 , C09J133/10 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：基材（１１）、中間層（１２）、及び粘着剤層（１３）をこの順で有し、前記中間層が、非エネルギー線硬化性のアクリル系重合体（Ａ）１００質量部、及び質量平均分子量が５万～２５万のエネルギー線硬化性のアクリル系重合体（Ｂ）２５質量部以上を含む中間層形成用組成物から形成された層であり、前記粘着剤層が、エネルギー線硬化型のアクリル系重合体（Ｃ）を含む粘着剤組成物から形成さた層である、ウエハ保護用粘着シート（１ａ）を提供する。当該ウエハ保護用粘着シートは、エネルギー線照射後の中間層と粘着剤層との密着性に優れるため、被着体に貼付後に再剥離する際に、被着体への粘着剤層の残渣の付着を抑制し得、ウエハ表面の凹凸の差が大きい被着体に対しても優れた追従性を有し、且つ、長期間保管しても粘着力の変化率が小さく優れた経時安定性を有する。
摘要翻译：本发明提供一种用于晶片保护的粘合片（1a），其包括基底（11），中间层（12）和粘合剂层（13），其中：中间层由中间层 - 含有100质量份的非能量射线固化性丙烯酸类聚合物（A）和25质量份以上的质量平均分子量为50,000〜250,000的能量射线固化性丙烯酸类聚合物（B）的成型组合物 ; 并且粘合剂层由含有能量射线固化性丙烯酸类聚合物（C）的粘合剂组合物形成。由于用于晶片保护的该粘合片在能量射线照射之后中间层和粘合剂层之间具有优异的粘附性，所以可以抑制粘合剂层的残留物粘附到待接合物体上，如果粘合片从粘合后再次对象。用于晶片保护的粘合片对于具有差异大的凹凸的晶片表面的待粘合物体具有优异的追随性，即使长期保存后粘合力的变化小，从而表现出优异的长期稳定性。

9. 发明申请

WO2015105785A1 CYCLIC OLEFIN POLYMER COMPOSITIONS AND POLYSILOXANE RELEASE LAYERS FOR USE IN TEMPORARY WAFER BONDING PROCESSES 审中-公开
标题翻译：循环烯烃聚合物组合物和聚硅氧烷释放层用于临时波形粘结工艺
公开(公告)号：WO2015105785A1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：PCT/US2015/010290
申请日：2015-01-06
申请人： BREWER SCIENCE INC.
发明人： BAI, Dongshun , XU, Gu , BLUMENSHINE, Debbie
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/283 , B32B27/325 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2457/14 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： The invention broadly relates to cyclic olefin polymer bonding compositions and release compositions, to be used independently or together, that enable thin wafer handling during microelectronics manufacturing, especially during a full-wafer mechanical debonding process. The release compositions comprise compositions made from siloxane polymers and copolymers blended in a polar solvent, and that are stable at room temperature for longer than one month. The cyclic olefin polymer bonding compositions provide high thermal stability, can be bonded to fully-treated carrier wafers, can be mechanically or laser debonded after high-temperature heat treatment, and are easily removed with an industrially-acceptable solvent. Wafers bonded according to the invention demonstrate lower overall post-grind stack TTV compared to other commercial bonding materials and can survive 200°C PECVD processing.
摘要翻译：本发明广泛地涉及单独或一起使用的环烯烃聚合物粘合组合物和释放组合物，其能够在微电子学制造期间实现薄晶片处理，特别是在全晶片机械剥离过程中。释放组合物包含由硅氧烷聚合物和共聚物在极性溶剂中共混制成的组合物，并且在室温下稳定长达一个月以上。环状烯烃聚合物粘合组合物提供高热稳定性，可以结合到完全处理的载体晶片上，可以在高温热处理后机械或激光脱粘，并且易于用工业上可接受的溶剂除去。根据本发明的晶片与其他商业粘合材料相比表现出较低的整体后研磨堆叠TTV，并且能够经受200℃的PECVD处理。

10. 发明申请

WO2015046073A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2015046073A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/JP2014/074899
申请日：2014-09-19
申请人：日東電工株式会社
发明人：花園　博行 , 高本　尚英 , 福井　章洋
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/48 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/11019 , H01L2224/11502 , H01L2224/11515 , H01L2224/1155 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/27334 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29371 , H01L2224/29387 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要：　半導体チップにシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、被着体を準備する工程Ｂと、被着体に、シート状樹脂組成物付きチップを、シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付ける工程Ｃと、工程Ｃの後に、シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、工程Ｄの後に、工程Ｄにおける加熱よりも高温でシート状樹脂組成物を加熱して硬化させる工程Ｅとを含む半導体装置の製造方法。
摘要翻译：该半导体装置的制造方法包括：制备片状树脂组合物附着芯片的工序（A），其具有与半导体芯片接合的片状树脂组合物，步骤（B），用于制备所述芯片要被粘合的主体; 通过使片状树脂组合物作为接合面，将贴附有片状树脂组合物的芯片与主体接合的工序（C）在步骤（C）之后通过加热组合物半固化片状树脂组合物的步骤（D）; 和步骤（E），用于在步骤（D）之后在步骤（D）中在比加热温度高的温度下加热组合物来固化片状树脂组合物。

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