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    • 7. 发明申请
    • 半導体装置
    • WO2023002616A1
    • 2023-01-26
    • PCT/JP2021/027368
    • 2021-07-21
    • 東京電力ホールディングス株式会社
    • 原口 能純
    • H01L27/146H04N5/369
    • 固体撮像素子の耐放射線性を向上させる。 半導体装置(100)は、半導体基板(1)と、前記半導体基板に形成された画素回路(10)とを備え、前記画素回路は、前記半導体基板に形成された第1導電型の第1半導体領域(2)と、前記第1半導体領域上に形成され、前記第1半導体領域とともにフォトダイオード(PPD)を構成する第2導電型の第2半導体領域(3)と、平面視において、前記フォトダイオードを囲むように前記第2半導体領域と離間して前記半導体基板に形成された第2導電型の第3半導体領域(6,7)と、前記半導体基板の平面に垂直な方向から見て、前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間に形成され、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域とともに、前記フォトダイオードに蓄積された電荷を排出するオーバーフロートランジスタ(Mpdr)を構成するゲート領域(5)と、を有する。