专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2015052875A1 半導体装置审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：WO2015052875A1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：PCT/JP2014/004719
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社デンソー
发明人：鈴木　智久 , 成瀬　孝好 , 曽根　弘樹
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L23/5329 , H01L2224/05085 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置は、内部配線層（２３）と、前記内部配線層上に積層される複数の絶縁層（３３，３４）と、前記複数の絶縁層の上方に配置されて、その少なくとも一部が前記複数の絶縁層を介して前記内部配線層の少なくとも一部と対向する電極パッド（２５）と、を備える。前記複数の絶縁層は、前記内部配線層上に積層される隣接絶縁層（３４）のヤング率が他の絶縁層（３３）のヤング率よりも小さい。前記隣接絶縁層の破壊強度が前記他の絶縁層の破壊強度よりも大きい。
摘要翻译：该半导体装置设置有内部布线层（23），层叠在内部布线层上的多个绝缘层（33,34）和布置在多个绝缘层上方的电极焊盘（25），使得至少一个其部分面向内部布线层的至少一部分，其间具有多个绝缘层。在多个绝缘层中，层叠在内部布线层上的相邻的绝缘层（34）的杨氏模量低于另一绝缘层（33）的杨氏模量。相邻绝缘层的击穿强度大于另一绝缘层的击穿强度。

2. 发明申请

WO2006098219A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2006098219A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/304610
申请日：2006-03-09
申请人：住友ベークライト株式会社 , 杉野光生 , 八月朔日猛 , 坂本有史
发明人：杉野光生 , 八月朔日猛 , 坂本有史
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/12 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L21/563 , H01L23/14 , H01L23/5222 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05085 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置１００は、ＢＧＡ基板１１０、半導体チップ１０１、バンプ１０６およびバンプ１０６の周囲に充填されたアンダーフィル１０８とを備えている。半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。バンプ１０６は鉛フリーはんだからなる。アンダーフィル１０８は、弾性率が１５０ＭＰａ以上８００ＭＰａ以下の樹脂材料により構成され、ＢＧＡ基板１１０の基板面内方向の線膨張率は１４ｐｐｍ／°C未満となっている。
摘要翻译：半导体器件（100）设置有施加在凸块（106）周围的BGA基板（110），半导体芯片（101），凸块（106）和底部填充物（108）。半导体芯片（101）的层间绝缘膜（104）由低介电常数膜构成。凸块（106）由无铅焊料构成。底部填充材料（108）由弹性模量为150MPa以上但不高于800MPa的树脂材料构成，BGA基板（110）的基板平面方向的线膨胀系数小于14ppm /℃。

3. 发明申请

WO2013187187A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2013187187A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/JP2013/063999
申请日：2013-05-21
申请人：セイコーインスツル株式会社
发明人：理崎　智光 , 中西　章滋 , 桜井　ひと美 , 島崎　洸一
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/45 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L27/0296 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05011 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05085 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/45144 , H01L2224/48451 , H01L2224/48463 , H01L2224/78301 , H01L2224/78303 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/35 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2924/00015
摘要：　パッド開口部の下のクラックを抑制しつつチップサイズを大きくしないために、保護膜６は、一部の最上層金属膜３を露出するパッド開口部９を有する。このパッド開口部９は矩形で正方形であり、開口幅はｄ０である。第二金属膜２は、パッド開口部９の下において開口部を有する。この開口部は矩形で正方形であり、開口幅はｄ４である。保護膜６の開口端と第二金属膜２の開口端との距離はｄ３である。第二金属膜２は、矩形のリング形状であり、パッド開口部９の内側に、距離ｄ３だけはみ出している。
摘要翻译：为了防止芯片尺寸的增加，在抑制焊盘开口下方的裂纹的同时，保护膜（6）具有暴露最顶层金属膜（3）的一部分的焊盘开口（9）。垫片开口（9）是正方形的，开口的宽度为d0。第二金属膜（2）在焊盘开口（9）的下方具有开口。开口是正方形，开口宽度为d4。保护膜（6）的开口端与第二金属膜（2）的开口端之间的距离为d3。第二金属膜（2）具有矩形环状，并且在焊盘开口（9）的内侧突出距离d3。

4. 发明申请

WO2007083432A1 弾性表面波装置及び弾性境界波装置审中-公开
标题翻译：表面声波装置和边界声波装置
公开(公告)号：WO2007083432A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2006/322383
申请日：2006-11-09
申请人：株式会社村田製作所 , 田中伸拓
发明人：田中伸拓
IPC分类号： H03H9/72 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/725 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05026 , H01L2224/05085 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H03H9/0576 , H03H9/1092 , H01L2224/05599
摘要：　容量結合を低減することができる弾性表面波装置及び弾性境界波装置を提供する。　圧電基板１２とカバー３２とが、支持層３０を介して間隔を設けて結合されている。圧電基板１２のカバー３２に対向する主面１４には、支持層３０の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成されている。カバー３２に関して圧電基板１２とは反対側に、送信側弾性表面波フィルタ及び受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極２８が形成されている。受信側弾性表面波フィルタとアンテナ端子とを電気的に接続する配線の一部が、カバー３２に設けられている。
摘要翻译：可以减小电容耦合的表面声波装置和弹性边界波装置。压电基板（12）和盖（32）以一定间隔通过支撑层（30）连接。在面向盖（32）的压电基板（12）的主表面（14）上，在支撑层（30）的内侧形成有透射侧声表面波滤波器和接收侧声表面波滤波器。在与压电基板（12）相对于盖（32）相对的一侧，包括与发送侧声表面波滤波器和接收侧声表面波滤波器电连接的天线端子的外部电极（28），与发送侧声表面波滤波器电连接的发送输入端子和与接收侧声表面波滤波器电连接的接收输出端子。用于电连接接收侧声表面波滤波器和天线元件的布线的一部分设置在盖（32）上。

5. 发明申请

WO2006097982A1 半導体集積回路装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体集成电路器件的方法
公开(公告)号：WO2006097982A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2005/004344
申请日：2005-03-11
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 長谷部昭男 , 松本秀幸 , 寄崎眞吾 , 本山康博 , 岡元正芳 , 成塚康則 , 岡本直樹
发明人：長谷部昭男 , 松本秀幸 , 寄崎　眞吾 , 本山康博 , 岡元正芳 , 成塚康則 , 岡本直樹
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/073 , G01R31/28
CPC分类号： H01L24/10 , G01R31/2889 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05085 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：　プローブ検査時において、チップ内に形成された回路を破壊することなく探針をテストパッドに接触させるために、ナット１１、１３およびボルト１６Ｃによる固定によって、加重治具１４、押圧具９、エラストマ９Ａ、接着リング６およびプランジャ３を一体とし、ばね押さえ治具１８と加重治具１４との間に設置されたばね１９の弾性力がこれら一体となった部材をパッドＰＤ３、ＰＤ４に向かって押し下げるように作用するようにし、プランジャ３内のばね３Ａから薄膜シート２へ伝わる押圧力は、薄膜シート２の引き伸ばしのみに用いられるようにする。
摘要翻译：为了在探针检查期间使探针与测试垫接触而不破坏在芯片中形成的电路，加权夹具（14），按压工具（9），弹性体（9A），粘附环（6）和柱塞（3）通过用螺母（11,13）和螺栓（16C）固定而被一体化，布置在弹簧保持夹具（18）和加重夹具（14）之间的弹簧（19）的弹力是允许操作以将一体构件压向垫（PD3，PD4），并且从柱塞（3）中的弹簧（3A）传递到薄膜片（2）的按压力仅用于拉伸薄膜片（2）。

6. 发明申请

WO2015159579A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015159579A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/JP2015/054123
申请日：2015-02-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉田　基 , 遠藤　加寿代 , 藤田　淳 , 岡部　博明 , 須賀原　和之
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/33 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872 , H01L2224/02166 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/04026 , H01L2224/05084 , H01L2224/05085 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05562 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/10126 , H01L2224/13082 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13624 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/33181 , H01L2924/00014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/04941 , H01L2224/056 , H01L2224/051 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　本発明は、高温動作においてもＣｕ配線の酸化を抑制する半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る半導体装置は、主面を有する基板１と、基板１の主面の側に選択的に形成されたＣｕ電極８と、Ｃｕ電極８の上面にその端部を除いて形成された酸化防止膜１４と、基板１の主面上に形成され、Ｃｕ電極８の側面および上面の端部を覆う有機樹脂膜１０と、有機樹脂膜１０と基板１の主面との間、並びに有機樹脂膜１０とＣｕ電極８の側面および上面の端部との間に、両者に接して形成される拡散防止膜１１と、を備える。
摘要翻译：本发明的目的在于提供即使在高温运转时也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。根据本发明的半导体器件具有：具有主表面的衬底（1）; 选择性地形成在基板（1）的主表面侧上的Cu电极（8）; 除了上表面的边缘部分之外，形成在Cu电极（8）的上表面上的防氧化膜（14）形成在基板（1）的主面上并覆盖Cu电极（8）的上表面的侧面和边缘部分的有机树脂膜（10）; 和形成在所述有机树脂膜（10）和所述基板（1）的主面之间且所述有机树脂膜（10）与所述侧面和所述上表面的边缘部分之间的扩散防止膜（11）的铜电极（8）的上表面的侧面和边缘部分与所述有机树脂膜（10）接触。

7. 发明申请

WO2014119348A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2014119348A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/JP2014/050192
申请日：2014-01-09
申请人：セイコーインスツル株式会社
发明人：山本　祐広
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/5226 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/05085 , H01L2224/05088 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85206 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　ボンディングパッドの下の層間絶縁膜に衝撃によるクラックが入ることを防止するために、第一金属膜１２と最上層となる第２金属膜１５との間に小径金属プラグ１４ａと大径金属プラグ１４ｂを配置し、大径金属プラグ１４ｂの上方の第二金属膜１５の表面に凹部１７が設けられたボンディングパッドとする。
摘要翻译：为了防止在接合焊盘下方的层间绝缘膜的冲击发生裂纹，提供了一种接合焊盘，其中小直径金属插塞（14a）和大直径金属插塞（14b）位于第一金属膜（12）和作为最上层的第二金属膜（15），并且在第二金属膜（15）的大直径金属塞（14b）上方的表面设置有凹部（17）。

8. 发明申请

WO2005122238A1 半導体集積回路装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体集成电路器件的工艺
公开(公告)号：WO2005122238A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2004/008414
申请日：2004-06-09
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 神田信 , 渡辺孝司 , 廣田大介
发明人：神田信 , 渡辺孝司 , 廣田大介
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2894 , H01L22/20 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05085 , H01L2224/05553 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要：　薄膜プローブを備えたプローブカードを用いて行うプローブ検査時において、薄膜プローブの破損を防ぐために、外観検査装置５１により検査対象であるウエハの主面の外観を検査し、ウエハの主面への異物の付着およびウエハの主面のバンプ電極の形状の異常などの外観不良の結果をウエハの面内における各チップの配列通りにウエハマップデータとしてまとめた後に、このウエハマップデータをサーバー５２を介してプローブ検査装置５３に送信し、プローブ検査装置５３はウエハマップデータをもとに外観不良が検出されたチップに対してのプローブ検査を省略しつつ、外観不良が検出されなかった他のチップに対してプローブ検査を実施する。
摘要翻译：当使用配备有薄膜探针的探针卡进行探针标记检查时，目视检查系统（51）目视检查检查对象（即，晶片）的主表面的外观，收集检查结果，例如粘附在晶片的主表面上的晶片的主表面上的尘埃颗粒或凸起电极的异常形状，作为晶片平面中各芯片的排列顺序的晶片映射数据。晶片地图数据通过服务器（52）发送到探针检查系统（53），对于没有根据晶片图数据进行目视检查的芯片，省略了检测标记检查，并且进行探针标记检查通过目视检查的其他芯片。

9. 发明申请

WO01004956A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO01004956A1
公开(公告)日：2001-01-18
申请号：PCT/EP2000/006242
申请日：2000-07-03
IPC分类号： H01F17/00 , H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L23/64 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/73
CPC分类号： H01L23/645 , H01L2224/02381 , H01L2224/05001 , H01L2224/05011 , H01L2224/05023 , H01L2224/05085 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a semiconductor device (100) with a semiconductor body (10) comprising at least one semiconductor element (H) with an active area (A) and a coil (20) coupled to said element (H). The coil (20) and a further coil (21) jointly form a transformer (F). The semiconductor body (10) is secured to a carrier plate (30) which comprises an electrically insulating material and is covered with a conductor track (21). According to the invention, the further coil (21) is positioned on the carrier plate (30) and is formed by the conductor track (21) and electrically separated from the coil (20). In this way, a device (100) is obtained which is easier to manufacture than the known device. Moreover, the communication between the element (H) and the outside world does not involve an electrical coupling and hence, for example, bonding wires, are not necessary. The invention is particularly advantageous for a (discrete) bipolar transistor, which can suitably be used for surface mounting. The invention further comprises an easy method of manufacturing a device (100) according to the invention.
摘要翻译：本发明涉及具有半导体本体（10）的半导体器件（100），该半导体本体（10）包括至少一个具有有源区（A）的半导体元件（H）和耦合到所述元件（H）的线圈（20）。线圈（20）和另外的线圈（21）共同形成变压器（F）。半导体本体（10）固定在承载板（30）上，承载板（30）包括电绝缘材料并被导体轨道（21）覆盖。根据本发明，另外的线圈（21）位于承载板（30）上并且由导体轨道（21）形成并与线圈（20）电隔离。以这种方式，获得比已知装置更容易制造的装置（100）。此外，元件（H）和外界之间的连通不涉及电耦合，因此例如不需要接合线。本发明对于可以适当地用于表面安装的（分立的）双极晶体管是特别有利的。本发明还包括一种制造根据本发明的装置（100）的简单方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式