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1. 发明申请

WO2004008512A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004008512A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008736
申请日：2003-07-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 楠本修 , 北畠真 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 内田正雄
发明人：楠本修 , 北畠真 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 内田正雄
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/0485 , H01L21/8213 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/1029 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7725 , H01L29/7828 , H01L29/7838 , H01L29/812 , H01L29/872 , Y10S438/931
摘要：　蓄積型ＭＩＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１０１上にエピタキシャル成長された高抵抗ＳｉＣ層１０２と、ウェル領域１０３と、ウェル領域１０３の表面領域に形成された多重δドープ層を有するｎ型の蓄積チャネル層１０４と、コンタクト領域１０５と、ゲート絶縁膜１０８と、ゲート電極１１０とを備えている。蓄積チャネル層１０４は、アンドープ層１０４ｂと、量子効果によるアンドープ層１０４ｂへのキャリアの浸みだしが可能なδドープ層１０４ａとを交互に積層した構造となっている。また、蓄積チャネル層１０４及びコンタクト領域１０５内まで侵入して、コンタクト領域１０５に直接接触するソース電極１１１が設けられている。イオン注入より形成されていたソース領域が不要となり、製造コストが低減する。
摘要翻译：电荷存储型MISFET包括在SiC衬底（101）上外延生长形成的高电阻SiC层（102），阱区（103），形成在表面上的n型存储沟道层（104）具有多个δ掺杂层，接触区（105），栅极绝缘膜（108）和栅电极（110）。存储通道层（104）具有交替形成未掺杂层（104b）和δ掺杂层（104a）的结构，并且可以将载流子从δ掺杂层（104a）渗出到未掺杂层（104b）中量子效应。还提供了一个源极电极（111），其穿过存储沟道层（104）进入接触区域（105）并与接触区域（105）直接接触。通常通过离子注入形成的源极区域不是必需的，其制造成本相应地降低。

2. 发明申请

WO2002099870A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的生产方法
公开(公告)号：WO2002099870A1
公开(公告)日：2002-12-12
申请号：PCT/JP2002/005515
申请日：2002-06-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 楠本修 , 横川俊哉 , 内田正雄 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 北畠真 , 高橋邦方
发明人：楠本修 , 横川俊哉 , 内田正雄 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 北畠真 , 高橋邦方
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068
摘要： A p−type high−resistance layer (2) and an n−type base layer (3) are sequentially epitaxial−grown on a p−type SiC substrate (1). After a source layer (4) is formed in the base layer (3) by ion implanting, a trench (7) penetrating the source layer (4) and a base layer (5) and reaching the high−resistance layer (2) is formed by dry etching (first etching) using high−density plasma with an Al mask (6) kept attached. Although a shape abnormality called a micro−trench (8) occurs on the bottom end of the trench (7), the radius of curvature of the micro−trench (8) may be increased by dry−etching the entire surface under a strong isotropy condition after the Al mask (6) is removed.
摘要翻译：在p型SiC衬底（1）上顺序地外延生长p型高电阻层（2）和n型基极层（3）。在通过离子注入在基底层（3）中形成源极层（4）之后，穿透源极层（4）和基底层（5）并到达高电阻层（2）的沟槽（7）通过使用具有保持附着的Al掩模（6）的高密度等离子体的干蚀刻（第一蚀刻）形成。虽然称为微沟槽（8）的形状异常发生在沟槽（7）的底端，但是可以通过在强各向同性下干法蚀刻整个表面来增加微沟槽（8）的曲率半径 Al掩模（6）被去除后的状态。

3. 发明申请

WO2007013367A1 半導体素子及び電気機器审中-公开
标题翻译：半导体元件和电器件
公开(公告)号：WO2007013367A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2006/314489
申请日：2006-07-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 山下賢哉
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 山下賢哉
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L23/62 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/4868 , H01L2224/48724 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/85399 , H01L2224/85424 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/48744
摘要：　本発明の半導体素子(20)は、複数の電界効果トランジスタ(90)と、ショットキー電極（9a）とを備え、前記複数の電界効果トランジスタ(90)が形成された領域の外周に沿うようにして前記ショットキー電極（9a）を設けた。
摘要翻译：半导体元件（20）设置有多个场效应晶体管（90）和肖特基电极（9a）。肖特基电极（9a）沿着形成场效应晶体管（90）的区域的外周排列。

4. 发明申请

WO2006022387A1 半導体装置及びそれを用いたモジュール审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用其的模块
公开(公告)号：WO2006022387A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015575
申请日：2005-08-26
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 橋本浩一
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 橋本浩一
IPC分类号： H02M1/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/095
CPC分类号： H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：　本発明の半導体装置（２９）は、第１の電極と第２の電極と制御電極と信号出力電極とを有するとともに、第１の電極と信号出力電極との間に介在し制御電極への入力信号に応じて導通・非導通の制御がなされるトランジスタ素子部（２８ａ，２８ｂ）と、信号出力電極と第２の電極との間に介在する抵抗素子部（Ｒａ，Ｒｂ）とを構成する第１の半導体領域を有し、第１の半導体領域がワイドバンドギャップ半導体により構成されている２つのレベルシフトスイッチ（２８Ａ、２８Ｂ）と、カソード側電極およびアノード側電極と第２の半導体領域とを有し、第２の半導体領域がワイドバンドギャップ半導体により構成されているダイオード（２３）とを備えている。
摘要翻译：半导体器件（29）设置有具有第一电极，第二电极，控制电极和信号输出电极的两个电平移位开关（28A，28B）。开关还设置有构成晶体管元件部分（28a，28b）的第一半导体区域，其布置在第一电极和信号输出电极之间，并且被控制为通过对应于控制的输入信号来承载电力电极和布置在信号输出电极和第二电极之间的电阻元件部分（Ra，Rb）。第一半导体区域由宽带隙半导体构成。半导体器件还设置有二极管（23），其中布置阴极侧电极，阳极侧电极和第二半导体区域，并且第二半导体区域由宽带隙半导体构成。

5. 发明申请

WO2005122273A1 パワー素子审中-公开
标题翻译：功率元件
公开(公告)号：WO2005122273A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/010691
申请日：2005-06-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 橋本浩一
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 橋本浩一
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7828 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365
摘要：　ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成され、かつトランジスタ構造を有するパワー素子であって、パワー素子の電流経路２０は、正の温度依存性を示すオン抵抗を有するＪＦＥＴ（ジャンクション）領域２、ドリフト領域３、および基板４と、負の温度依存性を示すオン抵抗を有するチャネル領域１とを含んでいる。パワー素子全体におけるオン抵抗の温度変化は、正の温度依存性を示すオン抵抗を有するＪＦＥＴ（ジャンクション）領域２、ドリフト領域３、および基板４におけるオン抵抗の温度変化ΔＲ p と、負の温度依存性を示すオン抵抗を有するチャネル領域１におけるオン抵抗の温度変化ΔＲ n とを相殺させることによって得られる。パワー素子の温度を－３０°Cから１００°Cへ変化させた場合のパワー素子全体におけるオン抵抗の変化の、－３０°Cにおけるパワー素子全体のオン抵抗に対する割合が５０％以下である。
摘要翻译：功率元件由宽带隙半导体形成并具有晶体管结构。功率元件的电流路径（20）包括具有正温度依赖性的导通电阻的JFET（结）区域（2），漂移区域（3）和基板（4）以及沟道区域 1）具有显示负温度依赖性的导通电阻。通过抵消具有导通电阻的JFET（结）区域（2），漂移区域（3）和基板（4）中的导通电阻温度变化ΔRp，可获得整个功率元件的导通电阻温度变化通过具有导通电阻的通道区域（1）中的导通电阻温度变化ΔRn显示正温度依赖性，显示出负温度依赖性。在功率元件温度从-30℃变化到100℃的情况下，整个功率元件的导通电阻变化率为-30℃时整个功率元件的导通电阻为50％或以下。

6. 发明申请

WO2007013377A1 半導体素子及び電気機器审中-公开
标题翻译：半导体元件和电器件
公开(公告)号：WO2007013377A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2006/314516
申请日：2006-07-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 山下賢哉
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 山下賢哉
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/52 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48666 , H01L2224/4868 , H01L2224/48724 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　電界効果トランジスタ(90)と、ショットキー電極(9a)と、複数のボンディングパッド(12S，12G)と、を備えた半導体素子(20)において、前記複数のボンディングパッド(12S，12G)の少なくともいずれかが前記ショットキー電極(9a)の上方に位置するように配設した。
摘要翻译：半导体元件（20）设置有场效应晶体管（90），肖特基电极（9a）和多个接合焊盘（12S，12G）。至少一个接合焊盘（12S，12G）布置在肖特基电极（9a）上方。

7. 发明申请

WO2005024941A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2005024941A1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/JP2004/013263
申请日：2004-09-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/3672 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Disclosed is a semiconductor device which comprises a semiconductor chip (61) including a power semiconductor element using a wide band gap semiconductor, bases (62, 63), first and second intermediate members (65, 68a), a heat transferring member (66), a heat dissipating fin (67), and a sealing material (68) for sealing the semiconductor chip (61), the first and second intermediate members (65, 68a) and the heat transferring member (66). End portions of the bases (62, 63) are respectively formed as external connection terminals (62a, 63a). The second intermediate member (68a) is made of a material having a lower thermal conductivity than the first intermediate member (65), and has a larger contact area with the semiconductor chip (61) than the first intermediate member (65).
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其包括半导体芯片（61），其包括使用宽带隙半导体的功率半导体元件，基座（62,63），第一和第二中间构件（65,68a），传热构件（66），散热片（67）和用于密封半导体芯片（61），第一和第二中间构件（65,68a）和传热构件（66）的密封材料（68）。基座（62,63）的端部分别形成为外部连接端子（62a，63a）。第二中间构件（68a）由具有比第一中间构件（65）低的热导率的材料制成，并且与半导体芯片（61）的接触面积比第一中间构件（65）大。

8. 发明申请

WO2003107422A1 半導体デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003107422A1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/JP2003/007585
申请日：2003-06-13
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/62 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/7806 , H01L29/7828 , H01L29/7838 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2224/84205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　半導体モジュールは、ＳｉＣ基板上に、個別に動作することが可能なセグメント１（半導体素子）を備えている。セグメント１は、ＳｉＣ基板の主面側に設けられたソース電極パッド２及びゲート電極パッド３と、ＳｉＣ基板の裏面側に設けられたドレイン電極パッドとを備えている。相隣接するセグメント１同士間を電気的に分離するためのトレンチ，ショットキーダイオード等の素子分離領域を備えている。検査で良品であることが確認されたセグメント１の電極パッド２，３のみが電極端子４１，４３に接続されている。
摘要翻译：半导体模块包括能够单独操作并提供在SiC衬底上的段（半导体器件）（1）。每个段（1）包括形成在SiC衬底（1）的主表面上的源电极焊盘（2）和栅电极焊盘（3）以及形成在SiC衬底（1）的背面上的漏电极焊盘。半导体模块还包括诸如沟槽和肖特基二极管的元件隔离区域，用于将相邻的区段（1）彼此电隔离。仅通过测试可以接受的段（1）的电极焊盘（2,3）连接到电极端子（41,43）。

9. 发明申请

WO2007135940A1 半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007135940A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2007/060108
申请日：2007-05-17
申请人：松下電器産業株式会社 , 内田正雄 , 橋本浩一 , 林将志
发明人：内田正雄 , 橋本浩一 , 林将志
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/66068 , H01L29/7828
摘要：　半導体層１０と、半導体層の表面１０ｓに形成された第１導電型半導体領域１５ｓと、半導体層の表面１０ｓにおいて、第１導電型半導体領域１５ｓの周囲に形成された第２導電型半導体領域１４ｓと、第１導電型半導体領域１５ｓおよび第２導電型半導体領域１４ｓに接触する導電面１９ｓを有する導電体１９とを備えた半導体素子であって、半導体層１０は炭化珪素を含み、第１導電型半導体領域１５ｓおよび導電面１９ｓのうち少なくとも一方は円ではなく、第１導電型半導体領域１５ｓおよび導電面１９ｓは、導電面１９ｓと第１導電型半導体領域１５ｓとの間の位置合わせのズレ量がゼロから導電面１９ｓの幅の１／３まで増加するに従って、導電面１９ｓの輪郭のうち第１導電型半導体領域１５ｓを横切る部分の長さがなめらかに変化する形状をそれぞれ有する。
摘要翻译：半导体元件设置有半导体层（10）; 形成在所述半导体层的前表面（10s）上的第一导电类型半导体区域（15s）在半导体层的前表面（10s）上形成在第一导电类型半导体区域（15s）的圆周上的第二导电类型半导体区域（14s）以及具有与第一导电类型半导体区域（15s）和第二导电类型半导体区域（14s）接触的导电表面（19s）的导体（19）。半导体层（10）包括碳化硅，并且至少第一导电类型半导体区域（15s）或导电表面（19s）不是圆形的。第一导电类型半导体区域（15s）和导电表面（19s）中的每一个具有其中导电表面（19s）的轮廓和穿过第一导电类型半导体区域（15s）的部分的长度的形状）随着导电表面（19s）和第一导电类型半导体区域（15s）之间的对准位移量从导通表面（19s）的宽度的零增加到1/3，平滑地改变。

10. 发明申请

WO2005076327A1 炭化珪素半導体素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005076327A1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/JP2005/001240
申请日：2005-01-28
申请人：松下電器産業株式会社 , 高橋邦方 , 北畠真 , 山下賢哉 , 内田正雄 , 楠本修 , 宮永良子
发明人：高橋邦方 , 北畠真 , 山下賢哉 , 内田正雄 , 楠本修 , 宮永良子
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/046
摘要：　半導体素子の製造方法は、炭化珪素基板１上に形成された炭化珪素薄膜２内にイオンを注入する工程と、炭化珪素基板を減圧雰囲気で加熱することで炭化珪素基板の表面にカーボン層５を形成する工程と、カーボン層５を形成する工程より高い圧力で、且つ高い温度の雰囲気中で炭化珪素基板を活性化アニールする工程とを含んでいる。
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：将离子注入设置在碳化硅衬底（1）上的碳化硅薄膜（2）中; 在真空气氛中加热得到的碳化硅衬底，从而在所得碳化硅衬底的表面上形成碳层（5）; 在比碳层（5）形成步骤高的压力的气氛中进行活化退火。

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