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热词
    • 2. 发明申请
    • パワー素子
    • 功率元件
    • WO2005122273A1
    • 2005-12-22
    • PCT/JP2005/010691
    • 2005-06-10
    • 松下電器産業株式会社北畠 真楠本 修内田 正雄高橋 邦方山下 賢哉橋本 浩一
    • 北畠 真楠本 修内田 正雄高橋 邦方山下 賢哉橋本 浩一
    • H01L29/78
    • H01L29/7828H01L29/0696H01L29/0847H01L29/105H01L29/1608H01L29/365
    •  ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成され、かつトランジスタ構造を有するパワー素子であって、パワー素子の電流経路20は、正の温度依存性を示すオン抵抗を有するJFET(ジャンクション)領域2、ドリフト領域3、および基板4と、負の温度依存性を示すオン抵抗を有するチャネル領域1とを含んでいる。パワー素子全体におけるオン抵抗の温度変化は、正の温度依存性を示すオン抵抗を有するJFET(ジャンクション)領域2、ドリフト領域3、および基板4におけるオン抵抗の温度変化ΔR p と、負の温度依存性を示すオン抵抗を有するチャネル領域1におけるオン抵抗の温度変化ΔR n とを相殺させることによって得られる。パワー素子の温度を-30°Cから100°Cへ変化させた場合のパワー素子全体におけるオン抵抗の変化の、-30°Cにおけるパワー素子全体のオン抵抗に対する割合が50%以下である。
    • 功率元件由宽带隙半导体形成并具有晶体管结构。 功率元件的电流路径(20)包括具有正温度依赖性的导通电阻的JFET(结)区域(2),漂移区域(3)和基板(4)以及沟道区域 1)具有显示负温度依赖性的导通电阻。 通过抵消具有导通电阻的JFET(结)区域(2),漂移区域(3)和基板(4)中的导通电阻温度变化ΔRp,可获得整个功率元件的导通电阻温度变化 通过具有导通电阻的通道区域(1)中的导通电阻温度变化ΔRn显示正温度依赖性,显示出负温度依赖性。 在功率元件温度从-30℃变化到100℃的情况下,整个功率元件的导通电阻变化率为-30℃时整个功率元件的导通电阻为50% 或以下。
    • 3. 发明申请
    • 半導体素子およびその製造方法
    • 半导体元件及其制造方法
    • WO2007135940A1
    • 2007-11-29
    • PCT/JP2007/060108
    • 2007-05-17
    • 松下電器産業株式会社内田 正雄橋本 浩一林 将志
    • 内田 正雄橋本 浩一林 将志
    • H01L29/12H01L21/28H01L21/336H01L29/417H01L29/78
    • H01L29/7802H01L21/046H01L29/0696H01L29/1608H01L29/41741H01L29/66068H01L29/7828
    •  半導体層10と、半導体層の表面10sに形成された第1導電型半導体領域15sと、半導体層の表面10sにおいて、第1導電型半導体領域15sの周囲に形成された第2導電型半導体領域14sと、第1導電型半導体領域15sおよび第2導電型半導体領域14sに接触する導電面19sを有する導電体19とを備えた半導体素子であって、半導体層10は炭化珪素を含み、第1導電型半導体領域15sおよび導電面19sのうち少なくとも一方は円ではなく、第1導電型半導体領域15sおよび導電面19sは、導電面19sと第1導電型半導体領域15sとの間の位置合わせのズレ量がゼロから導電面19sの幅の1/3まで増加するに従って、導電面19sの輪郭のうち第1導電型半導体領域15sを横切る部分の長さがなめらかに変化する形状をそれぞれ有する。
    • 半导体元件设置有半导体层(10); 形成在所述半导体层的前表面(10s)上的第一导电类型半导体区域(15s) 在半导体层的前表面(10s)上形成在第一导电类型半导体区域(15s)的圆周上的第二导电类型半导体区域(14s) 以及具有与第一导电类型半导体区域(15s)和第二导电类型半导体区域(14s)接触的导电表面(19s)的导体(19)。 半导体层(10)包括碳化硅,并且至少第一导电类型半导体区域(15s)或导电表面(19s)不是圆形的。 第一导电类型半导体区域(15s)和导电表面(19s)中的每一个具有其中导电表面(19s)的轮廓和穿过第一导电类型半导体区域(15s)的部分的长度的形状 )随着导电表面(19s)和第一导电类型半导体区域(15s)之间的对准位移量从导通表面(19s)的宽度的零增加到1/3,平滑地改变。