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1. 发明申请

WO2015198377A1 半導体レーザ光源及び半導体レーザ光源の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光光源和半导体激光光源制造方法
公开(公告)号：WO2015198377A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/JP2014/066568
申请日：2014-06-23
申请人：富士通株式会社
发明人：木村　徳治 , 山本　剛之 , 高林　和雅 , 植竹　理人
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/1064 , H01S5/2227 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3412 , H01S5/34313
摘要：　第１の導電型の半導体材料により形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に、第１の導電型の半導体材料により形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成された導波路層と、前記導波路層の上に形成された第２の導電型の半導体材料により形成された上部クラッド層と、を有し、前記導波路層は、光が導波するコア領域と、前記コア領域の両側において前記コア領域よりも薄く形成されたリブ領域とを有しており、前記コア領域には活性層として量子ドット層が形成されており、前記リブ領域には、前記量子ドット層が形成されていないものであって、前記コア領域の幅が一定のレーザ部と、前記レーザ部に接しているレーザ光のスポットサイズを変換するスポットサイズ変換部とを有しており、前記スポットサイズ変換部は、前記レーザ部に接している側から、スポットサイズ変換部の端部に向かって、前記コア領域の幅が徐々に狭くなっていることを特徴とする。
摘要翻译：该半导体激光光源的特征在于具有：由第一导电型半导体材料形成的半导体基板; 在半导体衬底上由第一导电型半导体材料形成的下包层; 形成在下包层上的波导层; 以及在所述波导层上由第二导电型半导体材料形成的上部包覆层。半导体激光光源的特征还在于：波导层具有光引导的芯区域，以及形成为比芯区域的两侧的芯区域薄的肋区域; 在芯区域中形成量子点层作为有源层; 量子点层不形成在肋区域中; 所述半导体激光光源具有固定所述芯部区域的宽度的激光部，以及将所述光斑尺寸转换部与激光部接触的激光的光斑尺寸变换的光点尺寸变换部，并且在光点尺寸转换部分中，从光斑尺寸转换部分与激光部分接触的一侧，光点尺寸转换部分的光纤芯区域的宽度逐渐减小。

2. 发明申请

WO2014204748A1 OPTOELECTRONIC INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：光电集成电路
公开(公告)号：WO2014204748A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/US2014/041920
申请日：2014-06-11
申请人： OPEL SOLAR, INC. , THE UNIVERSITY OF CONNETICUT
发明人： TAYLOR, Geoff, W.
IPC分类号： H01L29/15
CPC分类号： H01L29/0688 , B82Y10/00 , G02B6/125 , H01L21/0259 , H01L27/144 , H01L27/15 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/155 , H01L29/66977 , H01L29/7786 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/18 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01S5/026 , H01S5/06203 , H01S5/18358 , H01S5/309 , H01S5/34 , H01S5/3412
摘要： A semiconductor device includes a substrate supporting a plurality of layers that include at least one modulation doped quantum well (QW) structure offset from a quantum dot in quantum well (QD-in-QW) structure. The modulation doped QW structure includes a charge sheet spaced from at least one QW by a spacer layer. The QD-in-QW structure has QDs embedded in one or more QWs. The QD-in-QW structure can include at least one template/emission substructure pair separated by a barrier layer, the template substructure having smaller size QDs than the emission substructure.
摘要翻译：半导体器件包括支撑多个层的衬底，其包括从量子阱（QD-in-QW）结构中的量子点偏移的至少一个调制掺杂量子阱（QW）结构。调制掺杂QW结构包括通过间隔层与至少一个QW隔开的电荷片。 QD-QW结构将QD嵌入在一个或多个QW中。 QD-QW结构可以包括由势垒层分开的至少一个模板/发射子结构对，模板子结构具有比发射子结构更小的尺寸QD。

3. 发明申请

WO2014076445A1 TUNABLE LASER FOR FLUORESCENCE MICROSCOPY 审中-公开
标题翻译：荧光显微镜的荧光激光
公开(公告)号：WO2014076445A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/GB2013/000487
申请日：2013-11-14
申请人： THE UNIVERSITY OF DUNDEE
发明人： FEDOROVA, Ksenia , RAFAILOV, Edik , SOLOLOVSKII, Grigorili
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/14 , G01N21/64 , H01S5/34 , H01S5/40 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0092 , B82Y20/00 , G01N21/47 , G01N21/6458 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/1092 , H01S5/142 , H01S5/3412 , H01S5/4087
摘要： A compact broadly tunable visible spectrum laser source which can provide a continuous wave (CW) output or a pulsed output with a picosecond pulse length for use in fluorescence microscopy. The laser source has a quantum-dot external-cavity diode laser optically coupled with a periodically poled nonlinear crystal waveguide in which, two or more tunable wavelengths may be generated substantially simultaneously in the visible spectral range. By using an one or more additional diffraction grating and a beam splitter in the external cavity setup to provide the coverage of a broad visible spectral range. Multi-wavelength emission is enabled using a coupled resonator with a beam splitter (6) and at least two diffraction gratings (3,5) and a Quantum-Dot active media (9) to realize the external cavity laser diode. The broad tunable emission is frequency- converted into the visible with a periodically poled waveguide SHG PPKTP (19).
摘要翻译：可以提供连续波（CW）输出的紧凑型宽可调谐可见光谱激光源或用于荧光显微镜的皮秒脉冲长度的脉冲输出。激光源具有与周期性极化的非线性晶体波导光学耦合的量子点外腔二极管激光器，其中可在可见光谱范围内基本上同时产生两个或多个可调谐波长。通过在外部空腔设置中使用一个或多个附加的衍射光栅和分束器来提供宽的可见光谱范围的覆盖。使用具有分束器（6）和至少两个衍射光栅（3,5）和量子点有源介质（9）的耦合谐振器来实现多波长发射，以实现外部腔激光二极管。使用周期性极化的波导SHG PPKTP（19）将宽可调谐发射频率转换成可见光。

4. 发明申请

WO2014053805A1 DUAL WAVELENGTH LASING DEVICE 审中-公开
标题翻译：双波长激光器件
公开(公告)号：WO2014053805A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/GB2013/052419
申请日：2013-09-17
申请人： UNIVERSITY COLLEGE CARDIFF CONSULTANTS LIMITED
发明人： SMOWTON, Peter Michael , SHUTTS, Samuel
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/10 , H01S5/125 , H01S5/34 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/0092 , H01S5/06255 , H01S5/1021 , H01S5/1092 , H01S5/125 , H01S5/341 , H01S5/3412 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/3436
摘要： A semiconductor lasing device (10) for emitting radiation at multiple distinct wavelengths, the device (10) comprising an active layer (16) having first portion (20) and a second portion (21), the first and second portions (20, 21) being separated by a Bragg grating (19) extending through the entire depth of the active layer (16), the first portion (20) defining a first lasing cavity (29) for emitting electromagnetic radiation at a first wavelength λ 1 and the first and second portions (20, 21) together defining a second lasing cavity (31) for emitting electromagnetic radiation at a second wavelength λ 2 .
摘要翻译：一种用于发射多个不同波长的辐射的半导体激光装置（10），所述装置（10）包括具有第一部分（20）和第二部分（21）的有源层（16），所述第一和第二部分）由延伸穿过有源层（16）的整个深度的布拉格光栅（19）分开，第一部分（20）限定用于发射第一波长λ1的电磁辐射的第一激光腔（29）第二部分（20,21）一起限定用于发射第二波长λ2的电磁辐射的第二激光腔（31）。

5. 发明申请

WO2014020329A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
标题翻译：半导体器件和制造方法
公开(公告)号：WO2014020329A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：PCT/GB2013/052034
申请日：2013-07-30
申请人： UCL BUSINESS PLC
发明人： LIU, Huiyun , LEE, Andrew David , SEEDS, Alwyn John
IPC分类号： H01L21/02 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3412 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02538 , H01L21/02549 , H01L21/02661 , H01S5/02 , H01S5/021 , H01S5/2018 , H01S5/3013 , H01S5/34 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/343 , H01S5/34313
摘要： A semiconductor device comprising a silicon substrate on which is grown a
摘要翻译：一种半导体器件，包括硅衬底，在其上生长厚度<100nm的AlAlO 2相关化合物的外延层，其后是除GaN缓冲层之外的化合物半导体。另外的III-V族化合物半导体结构可以在顶部外延生长。 AlAs外延层减少了与硅的界面的缺陷的形成和传播，因此可以提高在顶部生长的活性结构的性能。

6. 发明申请

WO2012130676A2 LAYER ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：层组装
公开(公告)号：WO2012130676A2
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/054948
申请日：2012-03-21
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN , STRITTMATTER, André , SCHLIWA, Andrei , GERMANN, Tim David , POHL, Udo W. , GAYSLER, Vladimir , SCHULZE, Jan-Hindrik
发明人： STRITTMATTER, André , SCHLIWA, Andrei , GERMANN, Tim David , POHL, Udo W. , GAYSLER, Vladimir , SCHULZE, Jan-Hindrik
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01L33/04 , B82Y20/00 , B82Y99/00 , H01L29/02 , H01S5/1067 , H01S5/2215 , H01S5/3201 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/773
摘要： The invention inter alia relates to a method of fabricating a layer assembly comprising the steps of: arranging a first layer on top of a carrier; arranging a second layer on top of the first layer; locally modifying the material of the buried first layer and providing at least one modified section in the first layer, wherein the modified material changes or induces mechanical strain in a portion of the second layer which is arranged above the at least one modified section; after locally modifying the material of the buried first layer, depositing a third material on top of the second layer, at least one characteristic of the third material being sensitive to the local mechanical strain in the second layer.
摘要翻译：本发明尤其涉及一种制造层组件的方法，包括以下步骤：在载体的顶部上布置第一层; 在第一层的顶部布置第二层; 在第一层中局部改性所述材料并提供至少一个改性部分，其中所述改性材料在所述第二层的布置在所述至少一个改性部分上方的部分中改变或引起机械应变; 在局部改变所埋入的第一层的材料之后，在第二层的顶部上沉积第三材料，第三材料的至少一个特性对第二层中的局部机械应变敏感。

7. 发明申请

WO2012095138A1 HALBLEITER-SCHICHTSTRUKTUR MIT QUANTENPUNKTEN, LEUCHTDIODE UND LASERDIODE 审中-公开
标题翻译：量子点，光镜和激光二极管二极管半导体层结构
公开(公告)号：WO2012095138A1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/EP2011/006282
申请日：2011-12-13
申请人： JULIUS-MAXIMILIANS-UNIVERSITÄT WÜRZBURG , HOEFLING, Sven , GERHARD, Sven , WORSCHECH, Lukas
发明人： HOEFLING, Sven , GERHARD, Sven , WORSCHECH, Lukas
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01S5/343 , B82Y20/00 , H01S5/34 , H01L33/30 , H01S5/40
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/30 , H01S5/3412 , H01S5/3422 , H01S5/34326
摘要： Halbleitermaterial (1) umfassend eine Schichtstruktur mit einer ersten Materialschicht (2) aus AIGaP, mit einer zweiten Materialschicht (3) aus AIGaP und mit einer Vielzahl von zwischen den AIGaP-Materialschichten (2,3) angeordneten Quantenpunkten (5), wobei die erste (2) und die zweite Materialschicht (3) AIGaP umfasst, wobei die Quantenpunkte (5) aus AllnP, GalnP und/oder AIGalnP aufgebaut sind und eine indirekte Bandlücke zeigen, und wobei in Richtung (4) des Schichtaufbaus jeweils mehrere Quantenpunkte (5) übereinander angeordnet und hierbei einzeln durch eine Zwischenlage (6) aus GaP und/oder AI/GalnP voneinander beabstandet sind. Weiter werden eine Leucht- und eine Laserdiode mit einem solchem Halbleitermaterial (1) angegeben. Mit dem angegebenen Halbleitermaterial (1) kann eine effiziente Lichtemission bis in den grünen Sprektralbereich hinein erzielt werden.
摘要翻译：包括具有第一材料层的层结构的半导体材料（1）（2）制成AIGaP，与（3）由AIGaP和具有多个的AIGaP材料层（2,3）之间布置的量子点（5）的第二材料层，其中，所述第一（2）和所述第二材料层（3）AIGaP，其中来自的AlInP，GaInP制成和/或AlGaInP中的量子点（5）被构造和示出了间接带隙，并且其中，在方向（4）在每种情况下的分层结构的多个量子点（5）叠置并单独地这通过由GaP和/或AI / GaInP制成的中间层（6）间隔开。此外，照明装置，并用这样的半导体材料（1）的激光二极管可以给出。与给定的半导体材料（1），一个有效的发光，可以实现高达绿色Sprektralbereich内部。

8. 发明申请

WO2012057802A1 NANOPARTICLE WAVEGUIDE APPARATUS, SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：纳米波导装置，系统和方法
公开(公告)号：WO2012057802A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/US2010/054878
申请日：2010-10-29
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , THYLEN, Lars , BRATKOVSKI, Alexandre , HOLMSTROM, Petter
发明人： THYLEN, Lars , BRATKOVSKI, Alexandre , HOLMSTROM, Petter
IPC分类号： G02B6/125
CPC分类号： G02B6/125 , B82Y20/00 , G02B6/107 , G02B6/1226 , G02B6/262 , G02F1/0126 , G02F2203/10 , H01S3/063 , H01S3/169 , H01S5/3412 , Y10S977/784 , Y10S977/786 , Y10S977/902
摘要： A nanoparticle waveguide apparatus (100), a nanoparticle waveguide photonic system (400) and a method (500) of photonic transmission employ a nearfield-coupled nanoparticle (NCN) waveguide to cooperatively propagate an optical signal (102). The nanoparticle waveguide apparatus (100) includes a first optical waveguide (110) adjacent to a second optical waveguide (120), the first optical waveguide (110) comprising an NCN waveguide having a plurality of nanoparticles (112). The nanoparticle waveguide photonic system (400) further includes a nearfield coupling (NC) modulator (420). The method (500) includes providing (510) the NCN waveguides and modulating (520) a coupling between one or both of first and second NCN waveguides and adjacent nanoparticles within one or both of the first and second NCN waveguides.
摘要翻译：纳米颗粒波导装置（100），纳米颗粒波导光子系统（400）和光子传输方法（500）采用近场耦合纳米颗粒（NCN）波导来协调地传播光信号（102）。纳米颗粒波导装置（100）包括与第二光波导（120）相邻的第一光波导（110），第一光波导（110）包括具有多个纳米颗粒（112）的NCN波导。纳米颗粒波导光子系统（400）还包括近场耦合（NC）调制器（420）。方法（500）包括提供（510）NCN波导并且调制（520）在第一和第二NCN波导的一个或两个内的第一和第二NCN波导和相邻纳米颗粒中的一个或两个的耦合。

9. 发明申请

WO2011110796A1 A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011110796A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/GB2010/002205
申请日：2010-11-30
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , TOSHIBA RESEARCH EUROPE LIMITED , ELLIS, David, Julian, Peter , BENNETT, Anthony, John , SHIELDS, Andrew, James
发明人： ELLIS, David, Julian, Peter , BENNETT, Anthony, John , SHIELDS, Andrew, James
IPC分类号： G02B6/13 , H01S5/34 , H01L29/12
CPC分类号： G02B6/13 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B2006/12078 , H01L29/127 , H01S5/3412
摘要： A semiconductor structure with a waveguide, the semiconductor structure has a plurality of layers, at least one of which being partially laterally oxidised, said laterally oxidised material modifying the lateral effective refractive index with said structure in order to form a waveguide within the structure, the structure also has a quantum dot, said quantum dot being configured to emit photons into said waveguide, the waveguide being configured such that it guides the output from a single quantum dot.
摘要翻译：具有波导的半导体结构，所述半导体结构具有多个层，其中至少一个部分地被侧向氧化，所述横向氧化的材料用所述结构改变横向有效折射率，以在该结构内形成波导，结构还具有量子点，所述量子点被配置为将光子发射到所述波导中，所述波导被配置为使得其引导来自单个量子点的输出。

10. 发明申请

WO2011010389A1 半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011010389A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2009/063280
申请日：2009-07-24
申请人：パイオニア株式会社 , 沢渡義規 , 吉沢勝美
发明人：沢渡　義規 , 吉沢　勝美
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34306 , H01S5/3412
摘要：　半導体装置の製造方法は、温度３００Ｋにおいて、ＰＬ発光のピーク波長が１．２μｍ以上となる半導体装置の製造方法である。該製造方法は、半導体基板（１１０）上に、ＧａＡｓを含んでなるバッファ層（１２０）を形成する第１形成工程と、形成されたバッファ層上に、ＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を自己形成させる第２形成工程と、形成された量子ドットを覆うように、ＧａＡｓを含んでなるキャップ層（１４０）を形成する第３形成工程とを備える。第２形成工程において量子ドットを自己形成させる際の温度である第１成長温度よりも、第３形成工程においてキャップ層を形成する際の温度である第２成長温度が低い。
摘要翻译：一种在300K的温度下制造具有不小于1.2μm的PL发射峰值波长的半导体器件的方法。该方法包括：第一形成步骤，其中在半导体衬底上形成含有GaAs的缓冲层（120）（110）; 第二形成步骤，其中包含InAs的量子点（131）在这样形成的缓冲层上自形成; 以及第三形成步骤，其中形成包含GaAs的盖层（140）以覆盖由此形成的量子点。在第三形成步骤中形成盖层的第二生长温度低于在第二形成步骤中自形成量子点的第一生长温度。

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