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1. 发明申请

WO2019112172A1 반도체 발광 소자를 이용한 차량 내 디스플레이 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2019112172A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/KR2018/012462
申请日：2018-10-22
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 최진혁 , 오헌석 , 이연지
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/48 , H01L33/22 , H01L33/58
CPC分类号： G02B1/14 , G09F9/33 , H01L27/15 , H01L33/22 , H01L33/48 , H01L33/58 , H01L51/52
摘要： 본 발명은 복수의 반도체 발광소자를 구비하고, 상면으로 빛이 출력되는 디스플레이부, 상기 디스플레이부의 상측에 배치되고, 일면에서 상기 디스플레이부의 측면을 에워싸도록 돌출되는 고정부를 구비하는 투명기판, 상기 디스플레이부의 하면을 덮도록 배치되고, 탄성부재로 이루어지는 탄성부, 상기 디스플레이부와 오버랩되지 않는 상기 투명기판의 일부 영역에 사출되어 결합하는 제1백커버 및 상기 디스플레이부와 오버랩되도록 배치되며, 상기 제1백커버에 고정되는 제2백커버를 포함하고, 상기 탄성부는 상기 디스플레이부를 상기 투명기판 방향으로 가압하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.

2. 发明申请

WO2019107825A1 엘이디 디스플레이 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2019107825A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/014310
申请日：2018-11-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차경훈 , 이원용 , 박원순 , 윤정훈 , 이택모
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L33/58
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L33/58
摘要： 본 발명의 사상에 따른 엘이디 디스플레이 장치는 기판과 상기 기판의 전방에 배치되는 복수의 엘이디 소자와 상기 기판의 전면에서 상기 복수의 엘이디 소자를 완전히 덮도록 형성되는 투과층과 상기 투과층의 전방에 배치되는 제 1편광부재와 상기 제 1편광부재의 전면에 배치되고, 외광이 입사되도록 마련되는 제 2편광부재를 포함하고, 상기 투과층은 상기 제 2편광부재와 상기 제 1편광부재를 통해 편광되는 외광이 상기 투과층에 투과되어 상기 기판의 전면 또는 상기 복수의 엘이디 소자에 의해 반사되어 상기 제 1편광부재로 향하는 동안, 외광의 편광이 유지되도록 마련된다.

3. 发明申请

WO2019093533A1 복수의 픽셀들을 포함하는 디스플레이용 발광 다이오드 유닛 및 그것을 갖는 디스플레이 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2019093533A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：PCT/KR2017/012558
申请日：2017-11-08
申请人： 서울바이오시스주식회사
发明人： 이정훈 , 채종현
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L33/36
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/36 , H01L33/50
摘要： 일 실시예에 따른 디스플레이용 발광 다이오드 유닛은, 복수의 픽셀들을 포함하며, 각각의 픽셀은, 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 제1 발광셀, 제2 발광셀 및 제3 발광셀; 제1 내지 제3 발광셀들을 독립적으로 구동할 수 있도록 상기 제1 내지 제3 발광셀들에 전기적으로 접속된 패드들; 제2 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제2 파장변환기; 및 제3 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제3 파장변환기를 포함하되, 제3 파장변환기는 제2 파장변환기보다 더 장파장으로 광의 파장을 변환하고, 제2 발광셀은 제1 발광셀보다 더 큰 면적을 가지며, 제3 발광셀은 제2 발광셀보다 더 큰 면적을 가진다. 복수의 픽셀을 포함하는 디스플레이용 발광 다이오드 유닛을 사용함으로써 회로 기판 상에 발광셀들을 쉽게 실장할 수 있다.

4. 发明申请

WO2018174425A1 분포 브래그 반사기 적층체를 구비하는 발광 다이오드 审中-公开
公开(公告)号：WO2018174425A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：PCT/KR2018/002542
申请日：2018-03-02
申请人： 서울바이오시스주식회사
发明人： 김재권 , 김종규 , 채종현
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L27/15
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/10 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층체; 및 반도체 적층체의 일측 상에 배치된 복수의 분포 브래그 반사기들을 포함하되, 복수의 분포 브래그 반사기들은 서로 다른 면적을 가지고 적층된다. 분포 브래그 반사기들을 이용함으로써 발광 다이오드의 출사광 지향 패턴을 조절할 수 있다.

5. 发明申请

WO2018139769A1 발광 셀들을 포함하는 발광 다이오드 审中-公开
公开(公告)号：WO2018139769A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/KR2017/015501
申请日：2017-12-26
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 장미나 , 김경완 , 이금주
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/62
摘要： 본 실시 예에 따른 발광 다이오드는 기판, 기판 위에 배열되며 서로 이격되는 제 1 발광 셀 및 제 2 발광 셀, 그리고 제 1 및 제 2 발광 셀들 사이의 분리 영역을 통해 제 1 및 제 2 발광 셀들을 전기적으로 연결하도록 구성되는 배선을 포함한다. 제 1 및 제 2 발광 셀들 각각은 분리 영역과 이웃하는 측면, 그리고 측면에 배열되는 돌출부들을 포함한다.

6. 发明申请

WO2017121659A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, LEUCHTVORRICHTUNG UND AUTOSCHEINWERFER 审中-公开
标题翻译：光电子结构元件，照明装置和汽车灯
公开(公告)号：WO2017121659A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/EP2017/050083
申请日：2017-01-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALEXANDER F., Pfeuffer
IPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/00 , F21S8/10
CPC分类号： H01L27/156 , F21S41/141 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62
摘要： Das optoelektronische Bauelement (100) weist eine pixellierte Strahlungsseite (4) mit einer Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Bildpunkten (40) auf. Eine der Strahlungsseite (4) gegenüberliegende Kontaktseite (30) umfasst eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten ersten Kontaktstrukturen (31). In Draufsicht auf die Strahlungsseite (4) betrachtet ist die Länge (L40) eines jeden Bildpunkts (40) größer als die Breite (Q40) des Bildpunktes. Die ersten Kontaktstrukturen (31) werden im bestimmungsgemäßen Betrieb einzeln und unabhängig voneinander elektrisch kontaktiert. Jedem Bildpunkt (40) ist dabei eine erste Kontaktstruktur (31) elektrisch eineindeutig zugeordnet. Jede erste Kontaktstruktur (31) überlappt in Draufsicht auf die Kontaktseite (30) zumindest mit dem zugeordneten Bildpunkt (40). Ferner gilt für jeden Bildpunkt (40) und einen in eine Querrichtung (Q) direkt benachbarten Bildpunkt (40), dass die beiden ersten Kontaktstrukturen (31) dieser beiden Bildpunkte (40) vorgegeben unterschiedlich bezüglich der zugehörigen Bildpunkte (40) angeordnet sind, sodass eine Translation, welche den Bildpunkt (40) auf den direkt benachbarten Bildpunkt (40) abbildet, die beiden zugeordneten ersten Kontaktstrukturen (31) nicht deckungsgleich ineinander überführt.
摘要翻译：光电子部件（100）具有像素化辐射侧（4），其具有多个彼此相邻布置的图像点（40）。与接触侧（30）相对的一个辐射侧（4）包括多个并置的第一接触结构（31）。在辐射侧（4）的平面图中看，每个像素（40）的长度（L40）大于像素的宽度（Q40）。在正常操作期间，第一接触结构（31）单独且彼此独立地电接触。在这种情况下，每个像素（40）以不明确的电方式与第一接触结构（31）相关联。每个第一接触结构（31）在俯视图中至少与相关像素（40）重叠在接触侧（30）上。此外，对于在横向方向（Q）上直接相邻的每个像素（40）和像素（40），这两个像素（40）的两个第一接触结构（31）相对于相关像素 40），使得将像素（40）成像到直接相邻的像素（40）上的平移不与两个相关联的第一接触结构（31）重合

7. 发明申请

WO2017096032A1 WIDE BAND GAP DEVICE INTEGRATED CIRCUIT ARCHITECTURE ON ENGINEERED SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：工程基板上的宽带隙器件集成电路架构
公开(公告)号：WO2017096032A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/US2016/064405
申请日：2016-12-01
申请人： QUORA TECHNOLOGY, INC.
发明人： ODNOBLYUDOV, Vladimir , BASCERI, Cem
IPC分类号： H01L21/20 , C04B35/00 , C30B29/06 , C30B29/36 , C30B33/10 , F21K99/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/28575 , H01L21/30612 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： Disclosed herein are wide band gap integrated circuits, such as gallium nitride (GaN) integrated circuits, including a plurality of groups of epitaxial layers formed on an engineered substrate, and methods of making the WBG integrated circuits. The epitaxial layers have a coefficient of thermal expansion (CTE) substantially matching the CTE of the engineered substrate. Mesas, internal interconnects, and electrodes configure each group of epitaxial layers into a WBG device. External interconnects connect different WBG devices into a WBG integrated circuit. The CTE matching allows the formation of epitaxial layers with reduced dislocation density and an overall thickness of greater than 10 microns on a six-inch or larger engineered substrate. The large substrate size and thick WBG epitaxial layers allow a large number of high density WBG integrated circuits to be fabricated on a single substrate.
摘要翻译：这里公开了宽带隙集成电路，诸如包括在工程衬底上形成的多组外延层的氮化镓（GaN）集成电路，以及制造WBG集成电路的方法。外延层具有基本上匹配工程衬底的CTE的热膨胀系数（CTE）。台面，内部互连和电极将每组外延层配置成WBG装置。外部互连将不同的WBG设备连接成WBG集成电路。 CTE匹配允许在六英寸或更大的工程衬底上形成具有降低的位错密度和总厚度大于10微米的外延层。大尺寸的衬底和厚的WBG外延层允许在单个衬底上制造大量的高密度WBG集成电路。

8. 发明申请

WO2017083731A1 A METHOD AND APPARATUS FOR USE IN THE MANUFACTURE OF A DISPLAY ELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制造显示元件的方法和设备
公开(公告)号：WO2017083731A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/US2016/061645
申请日：2016-11-11
申请人： OCULUS VR, LLC
发明人： HENRY, William , HUGHES, Patrick, Hoseph , POURCHET, Allan , O'KEEFFE, Joseph
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/12 , H01L33/00
CPC分类号： H05K13/0404 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L27/15 , H01L2221/68322 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381
摘要： Methods and apparatus for use in the manufacture of a display element. Some embodiments include a method for selective pick up of a subset of a plurality of electronic devices adhered to a handle layer. The method comprises modifying a level of adhesion between one or more electronic devices of the plurality of electronic devices adhered to the handle layer, such that the subset of the plurality of electronic devices has a level of adhesion to the handle layer that is less than a force applied by a pick up tool, PUT. This enables selective pick up of the subset of the plurality of electronic devices from the handle layer by the PUT.
摘要翻译：用于制造显示元件的方法和设备。一些实施例包括用于选择性拾取粘附到手柄层的多个电子设备的子集的方法。该方法包括修改粘附到手柄层的多个电子设备中的一个或多个电子设备之间的粘附水平，使得多个电子设备的子集具有小于手柄层的粘附水平由拾取工具PUT施加的力。这使得PUT能够从手柄层选择性地拾取多个电子设备的子集。

9. 发明申请

WO2017072634A1 DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：显示装置，电子装置和制造显示装置和电子装置的方法
公开(公告)号：WO2017072634A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/IB2016/056302
申请日：2016-10-20
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： SASAKI, Toshiki , SEO, Satoshi , OHSAWA, Nobuharu , YOKOYAMA, Kohei , JINBO, Yasuhiro
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G02F1/133553 , G02F1/1336 , G02F1/134309 , G02F2201/122 , G02F2202/16 , G02F2203/02 , H01L27/15 , H01L27/3232 , H01L27/3267 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L33/405 , H01L51/5218 , H01L51/5231
摘要： A novel display device that is highly convenient with low power consumption is provided. The display device includes a display element including a liquid crystal layer, a display element including a light-emitting layer, a first transistor, and a second transistor. The first transistor is electrically connected to an electrode of the display element including the liquid crystal layer, and the second transistor is electrically connected to an electrode of the display element including the light-emitting layer. The electrode of the display element including the liquid crystal layer and the electrode of the display element including the light-emitting layer each include a reflective film and a conductive film. The reflective film of the display element including the liquid crystal layer has a region containing a metal contained in the reflective film of the display element including the light-emitting layer.
摘要翻译：提供了一种低功耗高度便利的新型显示装置。该显示装置包括显示元件，该显示元件包括液晶层，包括发光层的显示元件，第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管电连接到包括液晶层的显示元件的电极，并且第二晶体管电连接到包括发光层的显示元件的电极。包括液晶层的显示元件的电极和包括发光层的显示元件的电极各自包括反射膜和导电膜。包括液晶层的显示元件的反射膜具有包含包含发光层的显示元件的反射膜中包含的金属的区域。

10. 发明申请

WO2017041661A1 一种半导体元件及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017041661A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/CN2016/097754
申请日：2016-09-01
申请人：厦门市三安光电科技有限公司
发明人：周圣伟 , 卓昌正 , 林兓兓 , 张家宏
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/48 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L27/15 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/46
摘要：一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括具有Al x N 1-x 层和Al y O 1-y 层(0＜x＜1，0＜y＜1)的超晶格结构缓冲层（20），其采用物理气相沉积（PVD）方法实现。超晶格结构缓冲层（20）在芯片制程的侧壁腐蚀过程中，可减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率。

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