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1. 发明申请

WO2012127573A1 光論理素子审中-公开
标题翻译：光学逻辑器件
公开(公告)号：WO2012127573A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/JP2011/056596
申请日：2011-03-18
申请人：パイオニア株式会社 , 吉沢勝美 , 沢渡義規
发明人：吉沢　勝美 , 沢渡　義規
IPC分类号： G02F3/00 , G02F1/01
CPC分类号： G02F3/02 , B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F2001/01791 , G02F2202/101
摘要：　光論理素子（１）は、基板（１１）と、該基板上に配置され、近接場相互作用によりエネルギーを授受可能な第１量子ドット（２１）及び第２量子ドット（２２）と、を備える。ここで特に、第１量子ドット及び第２量子ドット間の距離は、１３ｎｍ～２６ｎｍである。このように構成すれば、安定して論理動作が行われる光論理素子を提供することができる。
摘要翻译：光学逻辑器件（1）具有以下部件：衬底（11）; 第一量子点（21）和第二量子点（22），其设置在基板上并且能够通过近场相互作用传递能量。特别地，第一量子点和第二量子点之间的距离为13nm至26nm。以这种方式配置设备使得能够提供光逻辑设备，从而稳定执行逻辑操作。

2. 发明申请

WO2011010389A1 半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011010389A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2009/063280
申请日：2009-07-24
申请人：パイオニア株式会社 , 沢渡義規 , 吉沢勝美
发明人：沢渡　義規 , 吉沢　勝美
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34306 , H01S5/3412
摘要：　半導体装置の製造方法は、温度３００Ｋにおいて、ＰＬ発光のピーク波長が１．２μｍ以上となる半導体装置の製造方法である。該製造方法は、半導体基板（１１０）上に、ＧａＡｓを含んでなるバッファ層（１２０）を形成する第１形成工程と、形成されたバッファ層上に、ＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を自己形成させる第２形成工程と、形成された量子ドットを覆うように、ＧａＡｓを含んでなるキャップ層（１４０）を形成する第３形成工程とを備える。第２形成工程において量子ドットを自己形成させる際の温度である第１成長温度よりも、第３形成工程においてキャップ層を形成する際の温度である第２成長温度が低い。
摘要翻译：一种在300K的温度下制造具有不小于1.2μm的PL发射峰值波长的半导体器件的方法。该方法包括：第一形成步骤，其中在半导体衬底上形成含有GaAs的缓冲层（120）（110）; 第二形成步骤，其中包含InAs的量子点（131）在这样形成的缓冲层上自形成; 以及第三形成步骤，其中形成包含GaAs的盖层（140）以覆盖由此形成的量子点。在第三形成步骤中形成盖层的第二生长温度低于在第二形成步骤中自形成量子点的第一生长温度。

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