基本信息:
- 专利标题： OPTOELECTRONIC INTEGRATED CIRCUIT
- 专利标题（中）：光电集成电路
- 申请号：PCT/US2014/041920 申请日：2014-06-11
- 公开(公告)号：WO2014204748A1 公开(公告)日：2014-12-24
- 发明人： TAYLOR, Geoff, W.
- 申请人： OPEL SOLAR, INC. , THE UNIVERSITY OF CONNETICUT
- 申请人地址： P.O. Box 555 Storrs Mansfield, CT 06268 US
- 专利权人： OPEL SOLAR, INC.,THE UNIVERSITY OF CONNETICUT
- 当前专利权人： OPEL SOLAR, INC.,THE UNIVERSITY OF CONNETICUT
- 当前专利权人地址： P.O. Box 555 Storrs Mansfield, CT 06268 US
- 代理机构： MANNINO, Christian et al.
- 优先权： US13/921,311 20130619
- 主分类号： H01L29/15
- IPC分类号： H01L29/15
摘要：
A semiconductor device includes a substrate supporting a plurality of layers that include at least one modulation doped quantum well (QW) structure offset from a quantum dot in quantum well (QD-in-QW) structure. The modulation doped QW structure includes a charge sheet spaced from at least one QW by a spacer layer. The QD-in-QW structure has QDs embedded in one or more QWs. The QD-in-QW structure can include at least one template/emission substructure pair separated by a barrier layer, the template substructure having smaller size QDs than the emission substructure.
摘要（中）：
半导体器件包括支撑多个层的衬底，其包括从量子阱（QD-in-QW）结构中的量子点偏移的至少一个调制掺杂量子阱（QW）结构。 调制掺杂QW结构包括通过间隔层与至少一个QW隔开的电荷片。 QD-QW结构将QD嵌入在一个或多个QW中。 QD-QW结构可以包括由势垒层分开的至少一个模板/发射子结构对，模板子结构具有比发射子结构更小的尺寸QD。