基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD
- 专利标题（中）：半导体器件和制造方法
- 申请号：PCT/GB2013/052034 申请日：2013-07-30
- 公开(公告)号：WO2014020329A1 公开(公告)日：2014-02-06
- 发明人： LIU, Huiyun , LEE, Andrew David , SEEDS, Alwyn John
- 申请人： UCL BUSINESS PLC
- 申请人地址： The Network Building 97 Tottenham Court Road London W1T 4TP GB
- 专利权人： UCL BUSINESS PLC
- 当前专利权人： UCL BUSINESS PLC
- 当前专利权人地址： The Network Building 97 Tottenham Court Road London W1T 4TP GB
- 代理机构： TYSON, Robin Edward
- 优先权： GB1213673.5 20120801
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01S5/34
摘要：
A semiconductor device comprising a silicon substrate on which is grown a
摘要（中）：
一种半导体器件，包括硅衬底，在其上生长厚度<100nm的AlAlO 2相关化合物的外延层，其后是除GaN缓冲层之外的化合物半导体。 另外的III-V族化合物半导体结构可以在顶部外延生长。 AlAs外延层减少了与硅的界面的缺陷的形成和传播，因此可以提高在顶部生长的活性结构的性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |