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1. 发明申请

WO2016011002A1 3D PHOTONIC INTEGRATION WITH LIGHT COUPLING ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：三维光子整合与光耦合元件
公开(公告)号：WO2016011002A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/US2015/040344
申请日：2015-07-14
申请人： BIOND PHOTONICS INC.
发明人： KLAMKIN, Jonathan , RISTIC, Sasa
IPC分类号： G02B6/13
CPC分类号： H01S5/0224 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/124 , G02B6/13 , G02B6/14 , G02B6/34 , G02B6/4214 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12147 , H01S3/107 , H01S5/0085 , H01S5/021 , H01S5/02292 , H01S5/026 , H01S5/0287 , H01S5/1032 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S5/4062
摘要： Methods for realizing integrated lasers and photonic integrated circuits on complimentary metal-oxide semiconductor (CMOS)-compatible silicon (Si) photonic chips, potentially containing integrated electronics, are disclosed. The integration techniques rely on light coupling with integrated light coupling elements such as turning mirrors, lenses, and surface grating couplers. Light is coupled from between two or more substrates using the light coupling elements. The technique can realize integrated lasers on Si where a gain flip chip (the second substrate) is bonded to a Si chip (the first substrate) and light is coupled between a waveguide in the gain flip chip to a Si waveguide by way of a turning mirror or grating coupler in the flip chip and a grating coupler in the Si chip. Integrated lenses and other elements such as spot-size converters can also be incorporated to alter the mode from the gain flip chip to enhance the coupling efficiency to the Si chip. The light coupling integration technique also allows for the integration of other components such as modulators, amplifiers, and photodetectors. These components can be waveguide-based or non-waveguide based, that is to say, surface emitting or illuminating.
摘要翻译：公开了在可能包含集成电路的互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容硅（Si）光子芯片上实现集成激光器和光子集成电路的方法。集成技术依赖于与诸如转向镜，透镜和表面光栅耦合器的集成光耦合元件的光耦合。光使用光耦合元件从两个或更多个基板之间耦合。该技术可以在Si上实现集成的激光器，其中增益倒装芯片（第二衬底）被结合到Si芯片（第一衬底），并且光通过转动将增益倒装芯片中的波导耦合到Si波导倒装芯片中的反射镜或光栅耦合器以及Si芯片中的光栅耦合器。还可以集成透镜和诸如点尺寸转换器的其它元件来改变来自增益倒装芯片的模式，以增强对Si芯片的耦合效率。光耦合集成技术还允许其他组件如调制器，放大器和光电检测器的集成。这些组件可以是基于波导或非波导的，也就是表面发射或照明。

2. 发明申请

WO2013010058A1 ADIABATIC MODE-PROFILE CONVERSION BY SELECTIVE OXIDATION FOR PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：用于光电集成电路的选择性氧化的自适应模式分布转换
公开(公告)号：WO2013010058A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/US2012/046612
申请日：2012-07-13
申请人： INNOLUME GMBH , GUBENKO, Alexey , KRESTNIKOV, Igor , MIKHRIN, Sergey , LIVSHITS, Daniil , WOJCIK, Greg , KOVSH, Alexey
发明人： GUBENKO, Alexey , KRESTNIKOV, Igor , MIKHRIN, Sergey , LIVSHITS, Daniil , WOJCIK, Greg , KOVSH, Alexey
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/1228 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , H01S5/1064 , H01S5/2215
摘要： Waveguide designs and fabrication methods provide adiabatic waveguide eigen mode conversion and can be applied to monolithic vertical integration of active and passive elements in PICs. An advantage of the designs and methods is a simple fabrication procedure with only a single etching step in combination with subsequent well-controllable selective oxidation. As a result, improved manufacturability and reliability can be achieved.
摘要翻译：波导设计和制造方法提供绝热波导本征模式转换，可应用于PIC中有源和无源元件的单片垂直整合。设计和方法的优点是简单的制造过程，其中仅有一个蚀刻步骤与随后的良好可控选择氧化相组合。因此，可以实现改进的可制造性和可靠性。

3. 发明申请

WO2012002306A1 光導波路素子审中-公开
标题翻译：光波器件
公开(公告)号：WO2012002306A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/064635
申请日：2011-06-27
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 永瀬成範 , 庄司雄哉 , 須田悟史 , 金高健二 , 河島整 , 秋本良一 , 鍬塚治彦 , 石川浩
发明人：永瀬　成範 , 庄司　雄哉 , 須田　悟史 , 金高　健二 , 河島　整 , 秋本　良一 , 鍬塚　治彦 , 石川　浩
IPC分类号： G02F1/017 , G02B6/12
CPC分类号： G02F1/01708 , B82Y20/00 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02B2006/12107 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145
摘要：　サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。
摘要翻译：在使用子带间转换器件和硅细线的混合集成中，可以提高与硅细线的耦合效率; 可以通过增加光程长度来增强相位调制效果; 可以提高光栅开关的S / N比; 能够实现低能量运转等的高性能化。在使用可以形成量子阱结构的半导体材料（例如InGaAs和AlAsSb）并且具有由量子阱结构中的子带间跃迁产生的相位调制效应的半带内跃迁波导中，反射结构（R1）提供TE光信号，从而形成子带间过渡开关波导（10）。从波导端面（P1）输入的信号光（5）在波导中受到由设在光波导中的反射结构（R1）反射的相位调制效应，再次在波导中经受相位调制效应，并从波导端面（P1）输出。因此，相同的输入/输出端可以与硅细线波导共享，并且还可以增加光路长度。

4. 发明申请

WO2003040791A2 SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE WITH IMPROVED EFFICIENCY AND OUTPUT BEAM CHARACTERISTICS 审中-公开
标题翻译：具有提高效率和输出光束特性的半导体光学器件
公开(公告)号：WO2003040791A2
公开(公告)日：2003-05-15
申请号：PCT/US2002/031615
申请日：2002-11-04
申请人： QUANTUM PHOTONICS, INC. , SAINI, Simarjeet , HEIM, Peter, J. , S.
发明人： SAINI, Simarjeet , HEIM, Peter, J. , S.
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B2006/12078 , G02B2006/12195 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1064 , H01S5/22
摘要： An optical device is provided comprising a gain section adapted to emit radiation at a radiation wavelength, a coupling section adjacent to the gain section for transitioning radiation between an active waveguide and a passive waveguide, and a passive section adjacent to the coupling section supporting a single-lobed optical mode in the passive waveguide at the radiation wavelength. The passive waveguide has an index of refraction and dimension such that the confinement of the radiation within the active waveguide in the gain section is reduced.
摘要翻译：提供了一种光学装置，其包括适于发射辐射波长的增益部分，与增益部分相邻的耦合部分，用于在有源波导和无源波导之间转换辐射;以及与耦合部分相邻的被动部分，其支撑单个在无源波导中的放射波长的双光学模式。无源波导具有折射率和尺寸，使得增益部分中的有源波导内的辐射的限制减小。

5. 发明申请

WO2002063356A1 LOW LOSS ISOTOPIC OPTICAL WAVEGUIDES 审中-公开
标题翻译：低损失同位素光波
公开(公告)号：WO2002063356A1
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/US2002/003603
申请日：2002-02-06
申请人： PHONON TECHNOLOGIES CORPORATION , PAINTER, B., A., III , BROWN, Thomas, G.
发明人： PAINTER, B., A., III , BROWN, Thomas, G.
IPC分类号： G02B6/16
CPC分类号： G02B6/03694 , G02B6/02 , G02B6/03627 , G02B6/122 , G02B6/132 , G02B2006/12038 , G02B2006/12078
摘要： An optical waveguide is provided. Specifically, a low loss isotopic optical waveguide that comprises a core region having a first refractive index profile by virtue of comprising a first mixture of isotopes of at least one element, and a cladding region having a second refractive index by virtue of comprising a second mixture of isotopes of said at least one element, is provided. Preferably said at least one element comprises silicon and/or oxygen. The optical waveguide may further include germania dopant in the core.
摘要翻译：提供光波导。具体地说，一种低损耗同位素光波导，其包括具有第一折射率分布的芯区域，该核心区域由于包括至少一个元素的同位素的第一混合物和具有第二折射率的包层区域，其包含第二混合物的所述至少一种元素的同位素。优选地，所述至少一种元素包括硅和/或氧。光波导还可以包括核心中的锗掺杂剂。

6. 发明申请

WO2017004332A1 INTEGRATED ON-CHIP POLARIZER 审中-公开
标题翻译：集成在芯片偏振器
公开(公告)号：WO2017004332A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/US2016/040310
申请日：2016-06-30
申请人： CORIANT ADVANCED TECHNOLOGY, LLC
发明人： MA, Yangjin , HOCHBERG, Michael, J. , SHI, Ruizhi , LIU, Yang
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/126 , G02B6/14 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/126 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/14 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02B2006/12116
摘要： A low loss high extinction ratio on-chip polarizer is disclosed. The polarizer is formed of a mode convertor followed by a mode squeezer and a dump waveguide, and may be configured to pass a desired waveguide mode and reject undesired modes. An embodiment is described that transmits a TE0 mode while blocking a TM0 mode by converting it into a higher-order TEn mode in a waveguide taper, squeezing out the TEn mode in a second waveguide taper to lessen its confinement, and then dumping the TE0 mode in a waveguide bend that is configured to pass the TE0 mode.
摘要翻译：公开了一种低损耗高消光比片上偏振器。偏振器由模式转换器，随后是模式压缩器和倾倒波导形成，并且可以被配置为通过期望的波导模式并拒绝不期望的模式。描述了一种实施例，其通过在波导锥形中将TM0模式转换成较高阶的TEn模式来阻止TM0模式而发送TE0模式，在第二波导锥度中挤出TEn模式以减小其限制，然后倾倒TE0模式在配置成通过TE0模式的波导弯曲中。

7. 发明申请

WO2016023498A1 METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED OPTICAL CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：用于生产一体化光电路的方法
公开(公告)号：WO2016023498A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/CN2015/086800
申请日：2015-08-12
申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人： COLLINS, Thomas , TASSAERT, Martijn
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/13 , G02B6/131 , G02B6/4257 , G02B2006/12078 , G02B2006/12128 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , H01S3/0637 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/2207 , H01S5/2209
摘要： A method for producing an integrated optical circuit comprising an active device and a passive waveguide circuit includes: applying (501) an active waveguide structure (510, 511, 512) on a source wafer substrate (514); exposing (502) a portion (522) of the source wafer substrate (514) by selectively removing the active waveguide structure (510, 511, 512); applying (503) a passive waveguide structure (531, 532, 533) on the exposed portion (522) of the source wafer substrate (514), wherein an aggregation of the active waveguide structure (510, 511, 512) and the passive waveguide structure (531, 532, 533) forms the active device (550), the active device (550) having a bottom surface facing the source wafer substrate (514); removing (505) the source wafer substrate (514) from the active device (550); and attaching (506) the active device (550) to a target substrate (562) comprising the passive waveguide circuit such that the bottom surface of the active device (550) faces the target substrate (562).
摘要翻译：一种包括有源器件和无源波导电路的集成光电路的制造方法，包括：在源晶片衬底（514）上施加（501）有源波导结构（510,511,512）; 通过选择性地去除有源波导结构（510,511,512）来暴露（502）源晶片衬底（514）的一部分（522）; 在源晶片衬底（514）的暴露部分（522）上施加（503）无源波导结构（531,532,533），其中有源波导结构（510,511,512）和无源波导结构（531,532,533）形成有源器件（550），有源器件（550）具有面向源晶片衬底（514）的底表面; 从源器件（550）去除（505）源晶片衬底（514）; 以及将所述有源器件（550）（506）附接（506）到包括所述无源波导电路的目标衬底（562），使得所述有源器件（550）的底表面面向所述目标衬底（562）。

8. 发明申请

WO2014201269A1 SUB-VOLT DRIVE 100 GHZ BANDWIDTH ELECTRO-OPTIC MODULATOR 审中-公开
标题翻译： SUB-VOLT DRIVE 100 GHZ带宽电光调制器
公开(公告)号：WO2014201269A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/US2014/042154
申请日：2014-06-12
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人： DAGLI, Nadir
IPC分类号： G02B6/28
CPC分类号： G02F1/2255 , G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/42 , G02B2006/1204 , G02B2006/12047 , G02B2006/12054 , G02B2006/12078 , G02B2006/12128 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/0121 , G02F1/01708 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/12 , G02F2202/20 , G02F2202/42
摘要： Electro-optical modulators and methods of fabrication are disclosed. An electro-optical modulator includes a Mach-Zehnder interferometer formed in a substrate removed semiconductor layer and a coplanar waveguide. Signals from the coplanar waveguide are capacitively coupled to the Mach-Zehnder interferometer through first and second dielectric layers having strong dielectric constant dispersion.
摘要翻译：公开了电光调制器和制造方法。电光调制器包括形成在去除衬底的半导体层和共面波导中的马赫 - 曾德干涉仪。来自共面波导的信号通过具有强介电常数色散的第一和第二介电层电容耦合到马赫 - 曾德干涉仪。

9. 发明申请

WO2005019887A1 NANO-ELECTROMECHANICAL HIGH-INDEX CONTRAST GUIDED-WAVE OPTICAL SWITCH 审中-公开
标题翻译：纳米电子高指数对比引导光波开关
公开(公告)号：WO2005019887A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/US2004/026103
申请日：2004-08-12
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , ASSEFA, Solomon , BRYANT, Reginald, E. , ERCHAK, Alexei , FAN, Shanhui , IPPEN, Erich, P. , JOANNOPOULOS, John, D. , JOHNSON, Steven, G. , KOLODZIEJSKI, Leslie, A. , LIDORIKIS, Elefterios , PETRICH, Gale, S. , POVINELLI, Michelle, L.
发明人： ASSEFA, Solomon , BRYANT, Reginald, E. , ERCHAK, Alexei , FAN, Shanhui , IPPEN, Erich, P. , JOANNOPOULOS, John, D. , JOHNSON, Steven, G. , KOLODZIEJSKI, Leslie, A. , LIDORIKIS, Elefterios , PETRICH, Gale, S. , POVINELLI, Michelle, L.
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/3502 , G02B6/355 , G02B6/3566 , G02B6/357 , G02B6/3592 , G02B6/3596 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02B2006/12145 , G02B2006/12147
摘要： A nano-electrochemical optical switch includes an input optical waveguide that is provided with an optical signal. At least two output optical waveguides are coupled to the input optical waveguide. The deflection of the input optical waveguide aligns said input waveguides with one of either of the two output optical waveguides so as to allow transmission of the optical signal to one of either of the two output optical waveguides.
摘要翻译：纳米电化学光学开关包括具有光信号的输入光波导。至少两个输出光波导耦合到输入光波导。输入光波导的偏转将所述输入波导与两个输出光波导中的任一个波导对准，以便允许将光信号传输到两个输出光波导中的任一个中。

10. 发明申请

WO2004029678A1 OPTICAL GRATING FABRICATION 审中-公开
标题翻译：光学制造
公开(公告)号：WO2004029678A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/US2002/031004
申请日：2002-09-27
申请人： FIBERA, INC
发明人： WANG, David, W. , TSAI, John, C.
IPC分类号： G02B5/18
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B5/1857 , G02B6/124 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078
摘要： A process (400) to construct single-and multi-dimensional optical gratings (100, 800) of interlayers (110, 230, 310, 808) of differing refractive index, either in or atop a non-fiber substrate material (104, 202, 302). The optical gratings (100, 800) may particularly be Bragg type gratings, and thus suitable for receiving a laser beam (102, 240, 802) and forming there from one or more reflected beam portions (118, 248, 810) having one or more narrow wavelengths and a passed beam portion (120, 250, 812) of other wavelengths.
摘要翻译：一种在非纤维衬底材料（104,202）内或其上面构造具有不同折射率的中间层（110,230,310,808）的单维和多维光栅（100,800）的工艺（400），302）。光栅（100,800）可以特别地是布拉格型光栅，并且因此适合于接收激光束（102,240,802），并且从一个或多个反射光束部分（118,248,810）形成具有一个或多个更窄的波长和其他波长的通过光束部分（120,250,812）。

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