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1. 发明申请

WO2023027086A1 半導体デバイスの製造方法および製造装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023027086A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/JP2022/031780
申请日：2022-08-24
申请人：京セラ株式会社
发明人：神川　剛 , 谷口　祐基 , 林　雄一郎 , 三島　孝介
IPC分类号： H01L33/32 , C23C16/04 , C30B25/04 , H01L21/205 , H01L21/301 , H01S5/343
摘要：主基板の上方に第１半導体部（Ｓ１）が形成するされた半導体基板（１１）を準備する工程と、第１半導体部（Ｓ１）に複数のトレンチ（ＴＲ）を形成することで、第１半導体部（Ｓ１）を、複数のベース半導体部（８）に分割する工程と、複数のベース半導体部（８）の少なくとも１つの上方に、化合物半導体部（９）を形成する工程とを行う。

2. 发明申请

WO2022258767A1 STATION DE CHAUFFAGE COMPRENANT UN ÉMETTEUR LASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2022258767A1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：PCT/EP2022/065725
申请日：2022-06-09
申请人： SIDEL PARTICIPATIONS
发明人： FEUILLOLEY, Guy , DANEL, Laurent , LE PECHOUR, Anthony , CHOMEL, Nicolas
IPC分类号： H01S5/024 , B29C65/16 , H01S5/183 , H01S5/343 , H01S5/40 , H01S5/42 , H01S5/30
摘要： La présente invention concerne une station de chauffage (1) d'une installation de fabrication de récipients, ladite station de chauffage (1) comportant une pluralité d'émetteurs laser (4) qui comprennent respectivement une pluralité de puces laser (14) montées sur une face externe (12) d'au moins un support (10), chaque puce laser (14) comprenant au moins une diode laser (22) agencée pour émettre un rayonnement laser dans le domaine de l'infrarouge selon une direction d'émission (E) sensiblement perpendiculaire à la face externe (12) du support (10). Chaque diode laser (22) comprend au moins deux régions actives (24) empilées l'une sur l'autre selon la direction d'émission (E), chaque région active (24) participant au rayonnement laser émis par ladite diode laser (22).

3. 发明申请

WO2022240527A1 LASER HAVING REDUCED COHERENCE VIA PHASER SHIFTER 审中-公开
公开(公告)号：WO2022240527A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/US2022/024181
申请日：2022-04-11
申请人： MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC
发明人： SHAHIN, Shiva , ZIMMERMAN, Dale Eugene
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0625 , H01S5/065 , G02B26/08 , G02B27/01 , H01S5/10 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01S5/40 , G02B2027/0118 , G02B2027/0178 , G02B26/0833 , G02B27/0172 , G02B27/1033 , G02B27/48 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/06255 , H01S5/0652 , H01S5/1053 , H01S5/3413 , H01S5/34333 , H01S5/4012 , H01S5/4093
摘要： A laser device includes a laser (600) and a controller (622). The laser has an optical cavity (602) that includes an active gain section (604) and a phase shifter (606). The controller is configured to excite the active gain section to lase light out of the optical cavity. The controller is further configured to, while the light is being lased out of the optical cavity, modulate a refractive index of the phase shifter to shift an optical phase of lasing modes of the lased light to thereby reduce coherence of the lased light.

4. 发明申请

WO2022207221A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2022207221A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：PCT/EP2022/055266
申请日：2022-03-02
申请人： AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH
发明人： HALBRITTER, Hubert , JENTZSCH, Bruno , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/185 , H01S5/18 , H01S5/026 , H01S5/343
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) - eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich mindestens eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung (R) befindet, und - eine erste Elektrode (31) und eine zweite Elektrode (32), mit denen die Halbleiterschichtenfolge (2) elektrisch kontaktiert ist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der aktiven Zone (22) mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) aufweist, die für eine Strahlumlenkung der Strahlung (R) eingerichtet ist, und - sich die erste Elektrode (31) und die zweite Elektrode (32) an derselben Montageseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) wie die mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) befinden und die Montageseite (20) eine Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, und - eine Auskopplung der Strahlung (R) an einer der Montageseite (20) gegenüberliegenden Abstrahlseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) erfolgt.

5. 发明申请

WO2022197115A1 광자결정 반도체 레이저 소자 및 그 제작 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2022197115A1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：PCT/KR2022/003738
申请日：2022-03-17
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 전헌수 , 김명은
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/343 , H01S5/22
摘要： 본 발명의 일 실시예는, n형의 제1 기판의 제1 면 상에 형성된 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 형성되며 활성층을 포함하는 가이드층; 상기 가이드층 상에 형성된 p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 컨택트층; 상기 p형 컨택트층 상에 형성된 p형 전극층; 및 상기 n형의 제1 기판의 상기 제1 면 또는 상기 제1 면에 대향되는 제2 면의 적어도 일부에 접촉하는 n형 전극층;을 포함하고, 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층에는 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층을 관통하는 구멍들이 형성되며, 상기 구멍들은 광자결정 패턴을 형성하는, 광자결정 반도체 레이저 소자를 제공한다.

6. 发明申请

WO2021242343A1 MULTIWAVELENGTH NANOWIRE LASER ARRAY 审中-公开
公开(公告)号：WO2021242343A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/US2021/020444
申请日：2021-03-02
申请人： MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC
发明人： GRONIN, Sergei V. , GARDNER, Geoffrey Charles , KALLAHER, Raymond Leonard
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/40 , H01S5/343
摘要： A laser emitter is provided, including a substrate and a dielectric mask layer located proximate to and above the substrate in a thickness direction. The dielectric mask layer may have a plurality of trenches formed therein. The plurality of trenches may have a plurality of different respective widths. The laser emitter may further include a respective nanowire located within each trench of the plurality of trenches. Each nanowire may include a first semiconductor layer located above the substrate in the thickness direction. Each nanowire may further include a quantum well layer located proximate to and above the first semiconductor layer in the thickness direction. Each nanowire may further include a second semiconductor layer located proximate to and above the quantum well layer in the thickness direction.

7. 发明申请

WO2021200583A1 量子カスケードレーザ素子及び量子カスケードレーザ装置审中-公开
公开(公告)号：WO2021200583A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：PCT/JP2021/012673
申请日：2021-03-25
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：杉山　厚志 , 枝村　忠孝 , 秋草　直大
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/343
摘要：量子カスケードレーザ素子は、半導体基板と、量子カスケード構造を有する活性層を含み、光導波方向に沿って延在するように半導体基板上に形成された半導体メサと、半導体メサを半導体基板の幅方向に沿って挟むように形成された埋め込み層と、半導体メサ及び埋め込み層上にわたって形成されたクラッド層と、クラッド層上に形成された金属層と、を備える。クラッド層における半導体基板とは反対側の表面には、光導波方向に沿って延在する一対の溝部が形成されている。一対の溝部は、半導体基板の幅方向においてクラッド層を４つの領域に等分した場合の外側の２つの領域にそれぞれ配置されている。金属層は、一対の溝部に入り込んでいる。

8. 发明申请

WO2021187081A1 半導体レーザ素子审中-公开
公开(公告)号：WO2021187081A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：PCT/JP2021/007842
申请日：2021-03-02
申请人：パナソニック株式会社
发明人：持田　篤範 , 能崎　信一郎 , 江良　正範
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/343
摘要：半導体レーザ素子の端面保護膜の反射率を、広い波長範囲で１％以下とする。半導体レーザ素子（１）は、フロント側端面（５０Ｆ）及びリア側端面（５０Ｒ）を有する半導体積層体（５０）と、半導体積層体（５０）のフロント側端面（５０Ｆ）に配置される端面保護膜（１Ｆ）とを備える。端面保護膜（１Ｆ）は、フロント側端面（５０Ｆ）に配置される第１誘電体層（１０）と、第１誘電体層（１０）の外側に積層される第２誘電体層（２０）とを有する。第２誘電体層（２０）は、第１誘電体層（１０）に積層される第１層（２１）と、第１層（２１）に積層される第２層（２２）と、第２層（２２）に積層される第３層（２３）とを有する。レーザ光の波長λに対して、第２層（２２）の屈折率ｎ２は、第１層（２１）の屈折率ｎ１及び第３層（２３）の屈折率ｎ３より高く、第２層（２２）の膜厚は、λ／（８ｎ２）以上、３λ／（４ｎ２）以下である。

9. 发明申请

WO2021171031A1 REDUCING AUGER RECOMBINATION IN SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICES 审中-公开
公开(公告)号：WO2021171031A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：PCT/GB2021/050493
申请日：2021-02-26
申请人： UNIVERSITY OF SURREY
发明人： ADAMS, Alfred Rodney
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/20 , H01L33/06 , H01S5/343
摘要： A semiconductor optical device (40, 50, 60) comprises a first region 42 comprising an active region configured such that electrons and holes recombine in the active region to produce photons when a voltage is applied to the device. The device comprises at least one second region (43, 44, 53, 54, 62, 63) comprising a quantum well structure which is configured to trap electrons only, to trap holes only, or to trap different amounts of electrons and holes. The second region is arranged at a distance from the first region which is sufficiently close to the first region such that a charge imbalance develops in the first region when a voltage is applied to the device, thereby to reduce Auger recombination in the first region.

10. 发明申请

WO2021041138A1 METHOD FOR FABRICATING (LED) DICE USING LASER LIFT-OFF FROM A SUBSTRATE TO A RECEIVING PLATE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021041138A1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：PCT/US2020/047137
申请日：2020-08-20
申请人： SEMILEDS CORPORATION , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： CHU, Chen-Fu , CHAN, Shih-Kai , SHIH, Yi-Feng , DOAN, David, Trung , DOAN, Trung, Tri , OGAWA, Yoshinori , OTAKE, Kohei , KONDO, Kazunori , OHORI, Keiji , KITAGAWA, Taichi , MATSUMOTO, Nobuaki , OZAI, Toshiyuki , UEDA, Shuhei
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/22 , H01S5/343
摘要： A method for fabricating light emitting diode (LED) dice [32] includes the steps of: providing a substrate [30], and forming a plurality of die sized semiconductor structures [32] on the substrate [30]. The method also includes the steps of providing a receiving plate [42] having an elastomeric polymer layer [44], placing the substrate [30] and the receiving plate [42] in physical contact with an adhesive force applied by the elastomeric polymer layer [44], and performing a laser lift-off (LLO) process by directing a uniform laser beam [40] through the substrate [30] to the semiconductor layer [50] at an interface with the substrate [30] to lift off the semiconductor structures [32] onto the elastomeric polymer layer [44]. During the laser lift-off (LLO) process the elastomeric polymer layer [44] functions as a shock absorber to reduce momentum transfer, and as an adhesive surface to hold the semiconductor structures [32] in place on the receiving plate [42].

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