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1. 发明申请

WO2012111150A1 近接場光デバイス及びエネルギー移動の制御方法审中-公开
标题翻译：近场光学装置和控制能量转移的方法
公开(公告)号：WO2012111150A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/JP2011/053537
申请日：2011-02-18
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 杉浦聡 , 吉沢勝美 , 糟谷孝幸
发明人：杉浦　聡 , 吉沢　勝美 , 糟谷　孝幸
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/31
CPC分类号： G11B13/08 , F21K9/60 , G11B5/02 , G11B5/4886 , G11B9/1409 , G11B2005/0021
摘要：　本発明は、量子ドットを用いてエネルギー変換効率が高く、高密度記録や高解像度を実現できる近接場光デバイス及びエネルギー移動方法を提供することを課題とする。本発明に係る近接場光デバイス（１、１００、２００、３００、４００、５００）は、光源（１１、１０１、２０４、３０３、４０２、５０３）と、該光源からの出射された光に基づいて近接場光を発生する量子ドット（１５、１０５ａ、１０５ｂ、１０８、２０１、２０２、２０３、３０１、３０２、４０１、５０１、５０２）と、該近接場光のエネルギーの少なくとも一部を外部へ出力可能な出力端（１７、１１０、２０５、３０４、４０３、５０４）と、を備える。
摘要翻译：本发明解决了提供近场光学器件和能量传递控制方法的问题，其能够使用量子点来提高能量转换效率，并且能够实现高密度记录和高分辨率。这些近场光学器件（1,100,200,300,400,500）设置有光源（11,101,204,303,402,503），量子点（15,105a，105b，108,201），202,203,301,302,301,501,502,502），其基于从所述光源发射的光产生近场光，以及输出端（17,110,205,304,403,504），其为能够将近场光的能量的至少一部分输出到外部。

2. 发明申请

WO2013069070A1 半導体装置およびこれを用いたアクティブマトリクス駆動回路审中-公开
标题翻译：使用相同的半导体器件和主动矩阵驱动电路
公开(公告)号：WO2013069070A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/JP2011/006324
申请日：2011-11-11
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 秋山周哲 , 大塚正志 , 吉沢勝美
发明人：秋山　周哲 , 大塚　正志 , 吉沢　勝美
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/146
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L29/1083 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要：　半導体基板上に形成された第１導電型の半導体層１２と、半導体層１２に形成された第２導電型のドレイン電極層２１を有するドレイン領域１３と、半導体層１２に形成された第２導電型のソースオフセット層３２およびソース電極層３１を有するソース領域１４と、ドレイン領域１３とソース領域１４の間で半導体層１２の表面の活性領域に形成されたゲート酸化膜１５と、ドレイン領域１３とゲート酸化膜１５の間で半導体層１２の表面に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１６と、ゲート酸化膜１５上にＬＯＣＯＳ酸化膜１６に跨って形成されたゲート電極１８と、を備え、ソースオフセット層３２は、ゲート酸化膜１５に隣接して形成され、ソースオフセット層３２の不純物濃度は、半導体層１２の不純物濃度よりも高く、かつ、ソース電極層３１の不純物濃度よりも低く、ソース電極層３１は、ゲート酸化膜１５から離間してソースオフセット層３２内に形成されている。
摘要翻译：在本发明中，提供如下：形成在半导体基板的顶部的第一导电半导体层（12）形成在所述半导体层（12）上并具有第二导电漏电极层（21）的漏区（13）。形成在所述半导体层（12）上并具有第二导电源偏移层（32）和源电极层（31）的源区（14）。在所述半导体层（12）的表面的有源区域上形成在所述漏极区域（13）和所述源极区域（14）之间的栅极氧化膜（15）。在半导体层（12）的表面上形成在漏区（13）和栅极氧化膜（15）之间的LOCOS氧化物膜（16）; 以及形成在所述栅极氧化膜（15）的顶部上以跨越所述LOCOS氧化物膜（16）的栅电极（18）。源极偏移层（32）形成为与栅极氧化膜（15）相邻，并且源极偏移层（32）中的杂质浓度高于半导体层（12）的杂质浓度，并且低于源极电极层（31）。源极电极层（31）形成在与栅极氧化膜（15）相距一定距离的源极偏移层（32）内。

3. 发明申请

WO2013011957A1 近接場光デバイスの製造方法及び近接場光デバイス审中-公开
标题翻译：近场光学器件生产方法和近场光学器件
公开(公告)号：WO2013011957A1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/JP2012/067973
申请日：2012-07-13
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 糟谷孝幸 , 杉浦聡 , 吉沢勝美
发明人：糟谷　孝幸 , 杉浦　聡 , 吉沢　勝美
IPC分类号： G11B5/31 , G11B5/02 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/34313 , G11B5/3163 , G11B9/1409 , G11B2005/0021 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/18305 , H01S5/18386 , H01S5/3412 , H01S2301/18
摘要：　近接場光デバイスの製造方法は、透明基板（３２）の一方の面に近接場光発生部（１０）を形成するステップと、光源（２０）を形成するステップと、近接場光発生部が形成された透明基板と光源を貼り合わせるステップと、を備える。これにより、量産化に適した近接場光デバイスの製造方法を提供することができる。
摘要翻译：一种近场光学器件的制造方法具备：在透明基板（32）的一个面上形成近场光产生部（10）的工序。用于形成光源（20）的步骤; 以及将其上形成有近场光产生单元的透明基板与光源粘合的步骤。由此，可以提供适合于批量生产的近场光学装置的制造方法。

4. 发明申请

WO2012127573A1 光論理素子审中-公开
标题翻译：光学逻辑器件
公开(公告)号：WO2012127573A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/JP2011/056596
申请日：2011-03-18
申请人：パイオニア株式会社 , 吉沢勝美 , 沢渡義規
发明人：吉沢　勝美 , 沢渡　義規
IPC分类号： G02F3/00 , G02F1/01
CPC分类号： G02F3/02 , B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F2001/01791 , G02F2202/101
摘要：　光論理素子（１）は、基板（１１）と、該基板上に配置され、近接場相互作用によりエネルギーを授受可能な第１量子ドット（２１）及び第２量子ドット（２２）と、を備える。ここで特に、第１量子ドット及び第２量子ドット間の距離は、１３ｎｍ～２６ｎｍである。このように構成すれば、安定して論理動作が行われる光論理素子を提供することができる。
摘要翻译：光学逻辑器件（1）具有以下部件：衬底（11）; 第一量子点（21）和第二量子点（22），其设置在基板上并且能够通过近场相互作用传递能量。特别地，第一量子点和第二量子点之间的距离为13nm至26nm。以这种方式配置设备使得能够提供光逻辑设备，从而稳定执行逻辑操作。

5. 发明申请

WO2012111816A1 近接場光デバイス、それを用いた記録装置、および、記録方法审中-公开
标题翻译：近场光学装置，使用其的记录装置和记录方法
公开(公告)号：WO2012111816A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/JP2012/053849
申请日：2012-02-17
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 吉沢勝美 , 杉浦聡 , 糟谷孝幸
发明人：吉沢　勝美 , 杉浦　聡 , 糟谷　孝幸
IPC分类号： G11B5/02 , G02F1/01 , G11B5/31 , H01L29/06 , H01S5/026
CPC分类号： G11B13/08 , F21K9/60 , G11B5/02 , G11B5/4886 , G11B9/1409 , G11B2005/0021
摘要：　記録装置は、記録媒体（６０、６０１）に対して情報を記録する記録装置である。当該記録装置は、近接場光デバイス（１）と、該近接場光デバイスを制御する制御部（７０）と、を備える。該近接場光デバイスは、光源（１１）と、該光源上に積層された量子ドット構造体と、該量子ドット構造体内の量子ドットであって、夫々光源から出射された光に基づいて近接場光を発生する複数の量子ドット（１５）と、近接場光のエネルギーの少なくとも一部を量子ドット構造体の外部へ出力可能な出力端（１７）と、を備える。記録装置の制御部は、情報の記録時に、光を出射するように光源を制御することによって、出力端の大きさに基づく記録媒体の領域を昇温させる。
摘要翻译：该记录装置将信息记录在记录介质（60,601）中。记录装置包括：近场光学装置（1）; 以及用于控制近场光学装置的控制单元（70）。近场光学装置包括：光源（1）; 层叠在光源上的量子点结构; 量子点结构中的多个量子点（15），其基于从光源发射的光分别发射近场光; 以及能够输出量子点结构外的近场光的能量的至少一部分的输出端（17）。当记录信息时，记录装置的控制单元通过控制光源发光，基于输出端的量增加记录介质的区域的温度。

6. 发明申请

WO2012111184A1 近接場光デバイスを用いた記録装置、および、記録方法审中-公开
标题翻译：记录装置和使用近场光装置的记录方法
公开(公告)号：WO2012111184A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/JP2011/066269
申请日：2011-07-15
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 糟谷孝幸 , 杉浦聡 , 吉沢勝美
发明人：糟谷　孝幸 , 杉浦　聡 , 吉沢　勝美
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/31
CPC分类号： G11B13/08 , F21K9/60 , G11B5/02 , G11B5/4886 , G11B9/1409 , G11B2005/0021
摘要：　記録装置は、記録媒体（６０、６０１）に対して情報を記録する記録装置である。当該記録装置は、近接場光デバイス（１）と、該近接場光デバイスを制御する制御部（７０）と、を備え、該近接場光デバイスは、光源（１１）と、該光源から出射された光を受光することにより第１の近接場光を発生する量子ドット（１５）と、該第１の近接場光のエネルギーの少なくとも一部が付与される金属端（１７）と、を有し、情報の記録時に、制御部は、光を出射するように光源を制御することによって、金属端と記録媒体の一部の領域とが一体となって第２の近接場光を発生させ、記録媒体の一部の領域を発熱させる。
摘要翻译：记录装置将信息记录到记录介质（60,601）。该记录装置配备有近场光装置（1）和控制近场光装置（1）的控制单元（70）。近场光装置具有光源（11），当从光源发射的光被接收时产生第一近场光的量子点（15），以及金属端（17），至少部分赋予第一近场光的能量。当记录信息时，控制单元控制光源以发光，因此金属端和记录介质的一部分一起发射第二近场光，导致记录介质的一部分发热。

7. 发明申请

WO2013047003A1 近接場光デバイス、記録装置及びサンプル基板审中-公开
标题翻译：近场光学装置，记录装置和样品基板
公开(公告)号：WO2013047003A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/070998
申请日：2012-08-20
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 糟谷孝幸 , 杉浦聡 , 吉沢勝美
发明人：糟谷　孝幸 , 杉浦　聡 , 吉沢　勝美
IPC分类号： G11B9/14 , G11B5/02 , G11B5/31 , G11B7/135 , H01L29/06 , G01Q60/18 , G01Q80/00
CPC分类号： G11B5/314 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B2005/0021
摘要：近接場光デバイス（１００）は、外部から照射される光に基づいて近接場光を発生する量子ドット（１１３、１１６）と、発生された近接場光のエネルギーの少なくとも一部を外部へ出力可能な出力端（１１８）と、を備える。出力端は、該出力端の上方から平面的に見て、一の方向に沿う長さが、該一の方向と交わる他の方向に沿う長さよりも長くなるように形成されている。当該近接場光デバイスによれば、熱アシスト磁気記録により情報を適切に記録することができる。
摘要翻译：近场光学器件（100）具有基于从外部发射的光产生近场光的量子点（113,116），以及能够输出至少一部分的输出端（118）从外界产生的近场光的能量。输出端形成为从在输出端上方的平面观察的一个方向上的长度比沿与该一个方向相交的另一方向的长度长。近场光学装置能够通过热辅助磁记录适当地记录信息。

8. 发明申请

WO2011010389A1 半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011010389A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2009/063280
申请日：2009-07-24
申请人：パイオニア株式会社 , 沢渡義規 , 吉沢勝美
发明人：沢渡　義規 , 吉沢　勝美
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34306 , H01S5/3412
摘要：　半導体装置の製造方法は、温度３００Ｋにおいて、ＰＬ発光のピーク波長が１．２μｍ以上となる半導体装置の製造方法である。該製造方法は、半導体基板（１１０）上に、ＧａＡｓを含んでなるバッファ層（１２０）を形成する第１形成工程と、形成されたバッファ層上に、ＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を自己形成させる第２形成工程と、形成された量子ドットを覆うように、ＧａＡｓを含んでなるキャップ層（１４０）を形成する第３形成工程とを備える。第２形成工程において量子ドットを自己形成させる際の温度である第１成長温度よりも、第３形成工程においてキャップ層を形成する際の温度である第２成長温度が低い。
摘要翻译：一种在300K的温度下制造具有不小于1.2μm的PL发射峰值波长的半导体器件的方法。该方法包括：第一形成步骤，其中在半导体衬底上形成含有GaAs的缓冲层（120）（110）; 第二形成步骤，其中包含InAs的量子点（131）在这样形成的缓冲层上自形成; 以及第三形成步骤，其中形成包含GaAs的盖层（140）以覆盖由此形成的量子点。在第三形成步骤中形成盖层的第二生长温度低于在第二形成步骤中自形成量子点的第一生长温度。

9. 发明申请

WO2013047049A1 読取器、並びに、再生装置及び記録再生装置审中-公开
标题翻译：读取器，回放装置和记录和回放装置
公开(公告)号：WO2013047049A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/071592
申请日：2012-08-27
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 糟谷孝幸 , 杉浦聡 , 吉沢勝美
发明人：糟谷　孝幸 , 杉浦　聡 , 吉沢　勝美
IPC分类号： G11B11/105 , G01Q60/18 , G01Q80/00 , G11B5/02 , G11B5/31 , G11B7/005 , G11B7/135
CPC分类号： G11B5/09 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B5/314 , G11B7/1387 , G11B11/10545 , G11B11/10554 , G11B2005/0021 , Y10S977/947 , Y10S977/951
摘要：　読取器（１２）は、（ｉ）一又は複数の量子ドットと、（ｉｉ）該一又は複数の量子ドットの上層に積層された出力端（２２４）と、を有する近接場光デバイス（１２２）と、記録媒体の記録情報の再生時に、該近接場光デバイスにより形成される近接場光に起因する光を受光する受光手段（１２４）と、を備える。当該読取器によれば、熱アシスト磁気記録により記録された情報を、別途磁気回路を設けずに再生することができる。
摘要翻译：读取器（12）具有：近场光学器件（122），其具有（i）一个或多个量子点，以及（ii）层叠在所述第一层的上层上的输出端（224）一个或多个量子点; 以及当记录介质上记录的信息被重放时，接收归因于由近场光学装置形成的近场光的光的光接收装置（124）。读取器能够通过热辅助磁记录记录的信息进行回放，而不需要提供单独的磁路。

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