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1. 发明申请

WO2017139364A1 BROADBAND BACK MIRROR FOR A III-V CHIP IN SILICON PHOTONICS 审中-公开
标题翻译：用于硅光子III-V芯片的宽带背面镜
公开(公告)号：WO2017139364A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/US2017/016994
申请日：2017-02-08
申请人： SKORPIOS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： LAMBERT, Damien
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/22 , H01L21/768
CPC分类号： G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , H01S5/0202 , H01S5/021 , H01S5/02252 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/343 , H01S5/4025 , H01S5/4087 , H04B10/505 , H04J14/02
摘要： A semiconductor laser has a mirror formed in a gain chip. The mirror can be placed in the gain chip to provide a broadband reflector to support multiple lasers using the gain chip. The mirror can also be placed in the gain chip to have the semiconductor laser be more efficient or more powerful by changing an optical path length of the gain of the semiconductor laser.
摘要翻译：半导体激光器具有形成在增益芯片中的反射镜。可以将镜子放置在增益芯片中以提供宽带反射器以支持使用增益芯片的多个激光器。通过改变半导体激光器的增益的光程长度，也可以将反射镜放置在增益芯片中以使半导体激光器更高效或更强大。

2. 发明申请

WO2017115792A1 半導体レーザ素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体激光器件的方法
公开(公告)号：WO2017115792A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/JP2016/088872
申请日：2016-12-27
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：大木　泰 , 田島　正文
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/16
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/16
摘要：半導体レーザ素子の製造方法は、ターゲットを石英で覆ったプラズマスパッタリング装置に、端面から光を出射する構成を有する半導体発光素子を保持し、前記プラズマスパッタリング装置にて前記端面にプラズマを照射してクリーニングするクリーニング工程と、前記クリーニングした半導体発光素子を大気に対して暴露しないように成膜装置に搬送し、前記成膜装置にて、前記クリーニングした端面に誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、を含む。
摘要翻译：用于制造
所述的半导体激光装置中，覆盖所述目标石英保持装置具有用于从端面发射光的结构的半导体发光器件的等离子体溅射系统的方法，所述等离子体溅射装置通过在端面照射等离子体清洗的清洗工序，发光器件的半导体发光清洗被输送到成膜装置，以便不暴露于大气，在沉积设备中，电介质膜的端面和清洁上并且介电膜形成步骤。

3. 发明申请

WO2016162340A1 MONOLITHISCHE DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：单片二极管装置
公开(公告)号：WO2016162340A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2016/057452
申请日：2016-04-05
申请人： DILAS DIODENLASER GMBH
发明人： KELEMEN, Marc , HILZENSAUER, Sascha , GILLY, Jürgen , FRIEDMANN, Patrick , BIESENBACH, Jens
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/40 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/02 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4018 , H01L2224/24 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01S5/0216 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2086 , H01S5/4031 , H01S2301/176
摘要： Die Erfindung betrifft eine monolithische Diodenlaseranordnung (100), umfassend eine Vielzahl von auf einem gemeinsamen Trägersubstrat nebeneinander angeordnete Einzelemitter (101), die jeweils Kontaktfenster (19, 20) zur elektrischen Kontaktierung aufweisen, welche an den jeweiligen Einzelemittern (101) an einer dem Trägersubstrat gegenüberliegenden Vorderseite angeordnet sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Diodenlaseranordnung und eine Laservorrichtung mit einersolchen Diodenlaseranordnung.
摘要翻译：本发明涉及包括多个共同的载体基板上并列设置单个发射器（101）的整体式二极管激光器组件（100），每一个都包括接触窗口（19,20），用于电接触，其中在一个载体基片上的相应的单个发射器（101）相对的前侧布置。本发明还涉及一种用于制造这样的二极管激光器阵列的方法，以及具有这样的二极管激光器阵列的激光装置。

4. 发明申请

WO2015156781A1 NON-LASING SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE HAVING MULTIPLE-WAVELENGTH OUTPUT 审中-公开
标题翻译：具有多波长输出的非激光半导体光源
公开(公告)号：WO2015156781A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/US2014/033332
申请日：2014-04-08
申请人： PANDATA RESEARCH LLC
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/0625 , H01S5/12 , G01B9/02 , G01N21/47 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/50
CPC分类号： H01S5/1206 , H01L33/0045 , H01S5/0261 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/1092 , H01S5/12 , H01S5/1215 , H01S5/1237 , H01S5/50 , H01S2301/02 , H01S2301/16
摘要： A light source includes a waveguide having an optical path that extends longitudinally between a back facet and an emission facet. The optical path includes a gain region that generates light through spontaneous emission. At least some of the spontaneous emission light propagates to a multiwavelength grating in the optical path. The multiwavelength grating has a relatively high reflectivity at a plurality of discrete wavelengths, and a relatively low reflectivity at wavelengths other than the discrete wavelengths. The spontaneous emission light at the discrete wavelengths reflects back to the gain region, is amplified by the gain region, and exits the waveguide through the emission facet to form the output light. The output light has relatively high intensity at the discrete wavelengths, and relatively low intensity away from the discrete wavelengths. A heating element can tune the multiwavelength grating, which can shift the discrete wavelengths, together, upward and downward.
摘要翻译：光源包括具有在后面和发射面之间纵向延伸的光路的波导。光路包括通过自发发射产生光的增益区域。至少一些自发发射光传播到光路中的多波长光栅。多波长光栅在多个离散波长处具有相对高的反射率，并且在离散波长以外的波长处具有相对较低的反射率。离散波长处的自发发射光反射回增益区域，被增益区域放大，并通过发射小面离开波导，形成输出光。输出光在离散波长处具有相对高的强度，并且离离散波长相对较低的强度。加热元件可以调谐多波长光栅，其可以将离散波长一起向上和向下移动。

5. 发明申请

WO2015107365A1 TUNABLE SOI LASER 审中-公开
标题翻译： TUNABLE SOI激光器
公开(公告)号：WO2015107365A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/GB2015/050104
申请日：2015-01-19
申请人： ROCKLEY PHOTONICS LIMITED
发明人： RICKMAN, Andrew George , ZILKIE, Aaron
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/12 , H01S3/1055 , H01S3/106
CPC分类号： H01S5/125 , H01S3/1055 , H01S3/106 , H01S5/021 , H01S5/028 , H01S5/1007 , H01S5/1209 , H01S5/142 , H01S5/3031 , H01S5/3224 , H01S5/3427
摘要： A wavelength tunable silicon-on-insulator (SOI) laser comprising: a laser cavity including: a semiconductor gain medium (2) having a front end (21) and a back end (22); and a phase-tunable waveguide platform (3) coupled to the front end of the semiconductor gain medium; wherein the phase-tunable waveguide platform includes a first Distributed Bragg Reflector (31) and a second Distributed Bragg Reflector (32); at least one of the Distributed Bragg Reflectors having a comb reflectance spectrum; and wherein a mirror (10) of the laser cavity is located at the back end (22) of the semiconductor gain medium. The coupled cavity allows via the Vernier effect improved mode selectivity and the electro-optic tuning of the gratings results in faster wavelength tuning of the ECLD.A further phase control element (53) may compensate for a thermal wavelength drift of the laser.
摘要翻译：一种波长可调的绝缘体上硅（SOI）激光器，包括：激光腔，包括：具有前端（21）和后端（22）的半导体增益介质（2）以及耦合到所述半导体增益介质的前端的相位可调波导平台（3）; 其中所述相位可调谐波导平台包括第一分布布拉格反射器（31）和第二分布布拉格反射器（32）; 分布布拉格反射器中的至少一个具有梳状反射光谱; 并且其中所述激光腔的反射镜（10）位于所述半导体增益介质的后端（22）处。耦合腔允许通过游标效应改善模式选择性，并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快的波长调谐。另外的相位控制元件（53）可以补偿激光器的热波长漂移。

6. 发明申请

WO2015085544A1 一种激光器审中-公开
公开(公告)号：WO2015085544A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/CN2013/089244
申请日：2013-12-12
申请人：华为技术有限公司
发明人：陈熙 , 陈波 , 曾理 , 高磊
IPC分类号： H01S3/082
CPC分类号： H01S5/1007 , H01S5/021 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/06256 , H01S5/142 , H01S5/3013
摘要：一种激光器包括衬底和谐振腔，谐振腔中除了有源增益区、第一相移区、光学分支区、N个反射选模区外，还包括高反射面，其中高反射面的反射率大于N个反射选模区的反射率，从而使得激光从N个反射选模区输出。因为激光器中天然包括至少两个反射选模区，故输出的激光至少包括两束。上述激光器，一个激光器即可输出两路甚至多路激光，产生激光的效率高，相应的减少了产生单束激光的平均成本。

7. 发明申请

WO2014085435A1 MONOLITHIC WIDE WAVELENGTH TUNABLE MID-IR LASER SOURCES 审中-公开
标题翻译：单波长波长可调中红外激光源
公开(公告)号：WO2014085435A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/US2013/071971
申请日：2013-11-26
申请人： CORNING INCORPORATED , CANEAU, Catherine Genevieve , HUGHES, Lawrence Charles Jr. , XIE, Feng , ZAH, Chung-En
发明人： CANEAU, Catherine Genevieve , HUGHES, Lawrence Charles Jr. , XIE, Feng , ZAH, Chung-En
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/10 , H01S5/125 , H01S5/34 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0687 , B82Y20/00 , H01S3/1055 , H01S5/0014 , H01S5/028 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/1096 , H01S5/1218 , H01S5/1228 , H01S5/125 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/4043 , H01S5/4087
摘要： A monolithic tunable mid- infrared laser has a wavelength range within the range of 3- 14 μm and comprises a heterogeneous quantum cascade active region together with at least a first integrated grating. The heterogeneous quantum cascade active region comprises at least one stack, the stack comprising two, desirably at least three differing stages. Methods of operating and calibrating the laser are also disclosed.
摘要翻译：单片可调谐中红外激光器的波长范围在3〜14μm的范围内，并且包括非均质量子级联有源区以及至少第一集成光栅。非均质量子级联有源区包括至少一个堆叠，堆叠包括两个，期望地至少三个不同的阶段。还公开了操作和校准激光器的方法。

8. 发明申请

WO2014061328A1 III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光器元件，用于生产III族氮化物半导体激光器元件的方法，用于评估III族氮化物半导体激光器元件的光学共振器的端面的方法，以及用于评估SCRIPE GROVE的方法
公开(公告)号：WO2014061328A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/JP2013/070050
申请日：2013-07-24
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：高木　慎平
IPC分类号： H01S5/343 , G01B11/26 , H01L21/301 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/34333 , G01N21/958 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
摘要： III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した基板の半極性面上において戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザでは、角度ＡＬＰＨＡが７１度以上７９度以下の範囲であるときには、角度α１は１０度以上２５度以下の範囲であり、角度β１は０度以上５度以下の範囲である。エピ面に近い第１面付近の第１端面では、ｍ－ｎ面内において第１法線ベクトルＥＮＶ１とｃ＋軸ベクトルＶＣ＋との成す角度は、角度α１に近い値（例えば１０度以上２５度以下の範囲）を有する。基板裏面付近の第１端面では、ｍ－ｎ面内において第２法線ベクトルＥＮＶ２とｃ＋軸ベクトルＶＣ＋との成す角度は、角度β１に近い値（例えば０度以上５度以下の範囲）を有する。
摘要翻译：一种具有激光谐振器的III族氮化物半导体激光器，其能够减少在III族氮化物的c轴沿m轴方向倾斜的基板的半极性表面上的返回光引起的干扰，其中当所述角度（ALPHA）在71-79度范围内时，所述角度（α1）在10-25度范围内，并且所述角度（＆bgr; 1）在0度范围内，包含5度。在靠近外表面的第一表面附近的第一端面处，由mn平面内的第一法线向量（ENV1）和c +轴向量（VC +）形成的角度具有接近角度（ α1）（例如，在10〜25度的范围内）。在基板背面附近的第一端面处，由mn平面内的第二法线矢量（ENV2）和c +轴矢量（VC +）形成的角度具有接近于角度（＆bgr; 1 ）（例如，在0-5度的范围内）。

9. 发明申请

WO2014033106A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE 审中-公开
标题翻译：用于生产激光二极管，支持和激光二极管
公开(公告)号：WO2014033106A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/EP2013/067679
申请日：2013-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： AUEN, Karsten , DACHS, Jürgen , ENZMANN, Roland , GRAUL, Markus , HANEDER, Stephan , ROZYNSKI, Andreas , SWIETLIK, Tomasz , WALTER, Christoph
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/028 , G02B6/42
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/005 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01S5/0201 , H01S5/0217 , H01S5/02252 , H01S5/02268 , H01S5/028
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode (17), wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander auf- weist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung (6) ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite (4) des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung (12) ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement (14) die Spiegelschicht (15) des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及一种制造激光二极管（17），其中多个激光二极管的在晶片上制造的方法，该晶片被切成晶片的片，将每个晶片件具有彼此相邻时，多个激光二极管的方法，其中的一块晶片分割成第一支架（6）被插入时，其特征在于，前部的第一保持器（6），具有第一盖部件（10）突出超过前表面（4）的晶片块的和色调晶片片的前侧的下部，其中，非阴影上部区域（11）晶片轨迹，反射镜层（15），其中，所述晶片片插入在第二支架（12）被沉积，所述第二保持器（12）包括第二盖部件（14），其中，所述第二盖（14）中，反射镜层（15）前色调的上部，其特征在于，一个EL到晶片片的前端侧的非阴影下部 ektrisch导电接触层（19），其中所述片晶片然后被分成单个的激光二极管被沉积。此外，本发明涉及一种易于制造的激光二极管和固定装置用于执行该方法。

10. 发明申请

WO2014018940A1 POLARIZATION STABLE WIDELY TUNABLE SHORT CAVITY LASER 审中-公开
标题翻译：极化稳定的宽敞短路CAVITY激光
公开(公告)号：WO2014018940A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/US2013/052412
申请日：2013-07-26
申请人： THORLABS,INC. , PRAEVIUM RESEARCH, INC.
发明人： CABLE, Alex, Ezra , JAYARAMAN, Vijaysekhar , POTSAID, Benjamin, Michael
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
摘要： A tunable source includes a short-cavity laser optimized for performance and reliability in SSOCT imaging systems, spectroscopic detection systems, and other types of detection and sensing systems. A short cavity laser with a large free spectral range cavity, fast tuning response and single transverse, longitudinal and polarization mode operation is disclosed. Methods for obtaining polarization stable operation of the tunable source are presented.
摘要翻译：可调谐源包括针对SSOCT成像系统，光谱检测系统和其他类型的检测和感测系统中的性能和可靠性进行了优化的短腔激光器。公开了具有大自由光谱范围腔，快速调谐响应和单横向，纵向和偏振模式操作的短腔激光器。提出了获得可调谐源极化稳定运行的方法。

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