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1. 发明申请

WO2019108766A1 POWER MONITORING APPROACH FOR VCSELS AND VCSEL ARRAYS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019108766A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/US2018/063020
申请日：2018-11-29
申请人： VIXAR INC.
发明人： JOHNSON, Klein L. , SANDQUIST, David , BRENNER, Mary
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , H01S5/005 , H01S5/0217 , H01S5/02212 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/183 , H01S5/18361 , H01S5/34 , H01S5/423
摘要： The present disclosure relates to an approach for monitoring the output power of a VCSEL or VCSEL array in a relatively compact, low profile package. A VCSEL device or VCSEL package of the present disclosure may generally be configured with a photodiode for monitoring output power of one or more VCSELs. In some embodiments, one or more VCSEL devices may be arranged over or on a photodetector, such that the photodetector is configured to detect light emitted through a bottom of the VCSEL. In such embodiments, the VCSEL device may have a patterned bottom metal layer and/or an etched substrate to allow light to pass below or behind the VCSEL to the photodiode. In other embodiments, a photodetector may be arranged on a submount adjacent one or more VCSELs, and may be configured to detect light reflected via a diffuser in order to monitor output power.

2. 发明申请

WO2016041993A1 DISPOSITIF LASER A CAVITE EXTERNE VERTICALE A EMISSION PAR LA SURFACE A DOUBLE FREQUENCES, POUR LA GENERATION DE THZ ET PROCEDE DE GENERATION DE THZ 审中-公开
标题翻译：用于产生THZ的双频垂直外部辐射激光器件和用于产生THZ的方法
公开(公告)号：WO2016041993A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/EP2015/071139
申请日：2015-09-15
申请人： UNIVERSITE DE MONTPELLIER , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： GARNACHE-CREUILLOT, Arnaud , MYARA, Mikhael , BLIN, Stéphane , SAGNES, Isabelle , BEAUDOIN, Grégoire , SELLAHI, Mohamed , PAQUET, Romain
IPC分类号： H01S3/08 , H01S5/00 , H01S5/10 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/04
CPC分类号： H01S5/14 , H01S3/0804 , H01S3/1065 , H01S5/0078 , H01S5/041 , H01S5/105 , H01S5/1096 , H01S5/183 , H01S5/18319 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S2301/16 , H01S2302/02
摘要： Dispositif laser 100 de génération d'une onde optique 107 comprenant au moins deux fréquences, un tel dispositif laser 100 comprenant: un premier élément 111 comprenant une région de gain 104, un second miroir 106, distinct du premier élément 111, et agencé de façon à former avec le premier miroir 103 une cavité optique incluant la région de gain 104, des moyens de pompage 120 de la région de gain 104 de façon à générer l'onde optique 107, lequel dispositif laser 100 comprennant en outre: des moyens de mise en forme de l'intensité lumineuse de l'onde optique 107 agencés pour sélectionner au moins deux modes transverses de l'onde optique 107; des moyens de mise en forme du profil de phase longitudinal et/ou transversal de l'onde optique 107 et agencés pour régler les au moins deux modes transverses de l'onde optique 107.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生包括至少两个频率的光波（107）的激光装置（100），其中一个这样的激光装置（100）包括：第一元件（111），包括增益区（104），第二与第一元件（111）分离并且被布置成与第一反射镜（103）一起形成包括增益区域（104）的光学腔的反射镜（106）和用于泵送增益区（104），以产生光波（107）。所述激光装置（100）还包括：用于对光波（107）的光强进行整形的装置，该装置被布置成选择光波（107）的至少两个横向模式。以及用于对所述光波（107）的纵向和/或横向相位轮廓进行成形的装置，所述装置被布置成调整所述光波（107）的所述至少两个横向模式。

3. 发明申请

WO2015128254A1 LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GETTER LAYER 审中-公开
标题翻译：发光半导体器件与光子层
公开(公告)号：WO2015128254A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/EP2015/053606
申请日：2015-02-20
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： WEICHMANN, Ulrich , KOLB, Johanna Sophie , ENGELHARDT, Andreas Peter , MÖENCH, Holger , SCHEMMANN, Marcel Franz Christian
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/323 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/10 , H01S5/00 , H01S5/30 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/02204 , H01L33/0062 , H01L33/025 , H01L33/105 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18361 , H01S5/305 , H01S5/3432 , H01S2301/173
摘要： The invention describes a light emitting semiconductor device (100) comprising a substrate (120), a light emitting layer structure (155) and an AlGaAs getter layer (190) for reducing an impurity in the light emitting layer structure (155), the light emitting layer structure (155) comprising an active layer (140) and layers of varying Aluminum content, wherein the growth conditions of the layers of the light emitting layer structure (155) comprising Aluminum are different in comparison to the growth conditions of the AlGaAs getter layer (190). The AlGaAs getter layer (190) enables a reduction of the concentration of impurities like Sulfur etc. in the gas phase of a deposition equipment or growth reactor. The reduction of such impurities reduces the probability of incorporation of the impurities in the light emitting layer structure (155) which may affect the lifetime of the light emitting semiconductor device (100). The growth conditions are chosen out of the group Arsenic partial pressure, Oxygen partial pressure, deposition temperature, total deposition pressure and deposition rate of Aluminum. The invention further relates to a corresponding method of manufacturing such a light emitting semiconductor device (100).
摘要翻译：本发明描述了一种发光半导体器件（100），其包括用于减少发光层结构（155）中的杂质的衬底（120），发光层结构（155）和AlGaAs吸气剂层（190），所述光包括有源层（140）和不同铝含量的层的发光层结构（155），其中包含铝的发光层结构（155）的层的生长条件与AlGaAs吸气剂的生长条件相比是不同的层（190）。 AlGaAs吸气剂层（190）能够在沉积设备或生长反应器的气相中降低诸如硫等杂质的浓度。这种杂质的减少降低了可能影响发光半导体器件（100）寿命的发光层结构（155）中的杂质的并入概率。生长条件选自砷分压，氧分压，沉积温度，总沉积压力和铝沉积速率。本发明还涉及制造这种发光半导体器件（100）的相应方法。

4. 发明申请

WO2014105029A1 MODULATION OF VERTICAL CAVITY LASER (VCSEL) FOR ENHANCED RANGE OF MULTI-MODAL FIBER COMMUNICATION 审中-公开
标题翻译：用于多模光纤通信的增强范围的垂直腔激光器（VCSEL）的调制
公开(公告)号：WO2014105029A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/US2012/071868
申请日：2012-12-27
申请人： EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT, LLC
发明人： MARGALIT, Mordehai
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/041 , H01S5/0607 , H01S5/0614 , H01S5/06206 , H01S5/18361
摘要： Technologies are described for enabling VCSELs to transmit phase or frequency modulated signals, which may have a substantially smaller transmission bandwidth and are more robust to transmission in a highly dispersive media such as multi-mode fibers. By applying an electric, magnetic, or electromagnetic field across one or more reflector layers of the VCSEL, a refractive index of the reflector layer(s) may be modified. The VCSEL may then be excited and the laser beam generated by the VCSEL phase-modulated by modifying a magnitude of the applied field.
摘要翻译：描述了使VCSEL能够发送相位或频率调制信号的技术，其可以具有基本更小的传输带宽，并且对于诸如多模光纤的高度色散介质中的传输更加鲁棒。通过在VCSEL的一个或多个反射器层上施加电，磁或电磁场，可以改变反射层的折射率。然后可以激发VCSEL并且通过修改所施加的场的幅度由VCSEL相位调制产生的激光束。

5. 发明申请

WO2014018940A1 POLARIZATION STABLE WIDELY TUNABLE SHORT CAVITY LASER 审中-公开
标题翻译：极化稳定的宽敞短路CAVITY激光
公开(公告)号：WO2014018940A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/US2013/052412
申请日：2013-07-26
申请人： THORLABS,INC. , PRAEVIUM RESEARCH, INC.
发明人： CABLE, Alex, Ezra , JAYARAMAN, Vijaysekhar , POTSAID, Benjamin, Michael
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
摘要： A tunable source includes a short-cavity laser optimized for performance and reliability in SSOCT imaging systems, spectroscopic detection systems, and other types of detection and sensing systems. A short cavity laser with a large free spectral range cavity, fast tuning response and single transverse, longitudinal and polarization mode operation is disclosed. Methods for obtaining polarization stable operation of the tunable source are presented.
摘要翻译：可调谐源包括针对SSOCT成像系统，光谱检测系统和其他类型的检测和感测系统中的性能和可靠性进行了优化的短腔激光器。公开了具有大自由光谱范围腔，快速调谐响应和单横向，纵向和偏振模式操作的短腔激光器。提出了获得可调谐源极化稳定运行的方法。

6. 发明申请

WO2013060533A1 OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：面发光半导体激光器
公开(公告)号：WO2013060533A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/EP2012/068478
申请日：2012-09-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHWARZ, Hans-Jochen
发明人： SCHWARZ, Hans-Jochen
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/18361 , F02P23/04 , H01S5/18308 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3077
摘要： Die Erfindung betrifft einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (100) mit einem optischen Resonator (110), wobei der optische Resonator (110) mindestens einen ersten, als distributed Bragg reflector, DBR, ausgebildeten, Spiegel (120) aufweist, der einen Schichtaufbau mit einer Mehrzahl von Spiegelschichten (122a,.., 122h) umfasst, wobei zueinander benachbarte Spiegelschichten (122a,.., 122h) entlang einer Schichtdickenkoordinate (x) des Schichtaufbaus abwechselnd als Hochindexmaterial mit einem ersten Wert eines Realteils (n_re_h) des Brechungsindex und als Niedrigindexmaterial mit einem zweiten Wert eines Realteils (n_re_l) des Brechungsindex, der kleiner ist als der erste Wert, ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei als Hochindexmaterial und/oder als Niedrigindexmaterial ausgebildete Spiegelschichten des ersten Spiegels (120) jeweils einen unterschiedlichen Absorptionskoeffizienten und/oder eine unterschiedliche Dotierstoffkonzentration und/oder eine unterschiedliche Materialzusammensetzung der Spiegelschicht aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种具有光谐振器（110），其中所述光学谐振器（110）至少，第一形成，如分布式布拉格反射器的表面发射半导体激光器（100），DBR镜（120），其具有层结构，其具有多个反射镜层（122A，... 122H），其特征在于，彼此相邻的反射镜层（122A，.. 122H）沿着Schichtdickenkoordinate（X）的层结构交替地用作具有折射率的实部（n_re_h）的第一值，并且具有低折射率材料的高折射率材料这是比形成第一值，其特征在于在形成为高折射率材料和/或作为第一反射镜（120）每一个都具有不同的吸收系数的低折射率材料反射镜层的至少两个较小的折射率的实部（n_re_l）的第二值，和/或不同掺杂剂浓度和/或无具有反射层的terschiedliche材料组合物。

7. 发明申请

WO2012148757A1 OPTICALLY-PUMPED SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER WITH HEAT-SPREADING COMPOUND MIRROR-STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：具有热膨胀复合反射镜的光学泵浦表面发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2012148757A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/US2012/034090
申请日：2012-04-18
申请人： COHERENT, INC. , GOVORKOV, Sergei, V. , SPINELLI, Luis, A.
发明人： GOVORKOV, Sergei, V. , SPINELLI, Luis, A.
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/024 , H01S5/02 , H01S5/04 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/02484 , B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/0213 , H01S5/041 , H01S5/142 , H01S5/18361 , H01S5/18377 , H01S5/1838 , H01S5/34306
摘要： A gain-module (12) for use in an OPS -laser includes a multilayer semiconductor gain - structure (14) surmounting a multilayer compound mirror- structure (16). Within the multilayer compound mirror- structure is a relatively thick layer of diamond (20) which serves as a heat - spreader. The compound mirror- structure (16) comprises a partially reflecting DBR (18) and a high reflective DBR (22). The resonator may comprise a nonlinear crystal (32) for SHG. The thickness of the diamond (20) is about 1 mm.
摘要翻译：用于OPS激光器的增益模块（12）包括跨越多层复合镜结构（16）的多层半导体增益结构（14）。在多层复合材料中，镜面结构是相当厚的金刚石层（20），用作散热器。复合镜结构（16）包括部分反射DBR（18）和高反射DBR（22）。谐振器可以包括用于SHG的非线性晶体（32）。金刚石（20）的厚度约为1mm。

8. 发明申请

WO2012087282A1 VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：立体孔表面发射激光系统及其制造方法
公开(公告)号：WO2012087282A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/US2010/061326
申请日：2010-12-20
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, LP , TAN, Michael Renne Ty , FATTAL, David A. , LI, Jingjing , BEAUSOLEIL, Raymond G.
发明人： TAN, Michael Renne Ty , FATTAL, David A. , LI, Jingjing , BEAUSOLEIL, Raymond G.
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/021 , H01S5/02284 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/18386 , H01S5/423 , H01S2301/176
摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) system (10) and method (750) of fabrication are included. The VCSEL system (10) includes a first portion (12) comprising a first mirror (18) and a gain region (16) to amplify an optical signal in response to a data signal, the first portion (12) being fabricated on a first wafer. The system (10) also includes a second portion (14) comprising a second mirror (20) that is partially-reflective to couple the optical signal to an optical fiber (22). The second portion (14) can be fabricated on a second wafer (152). The system (10) further includes a supporting structure (24) to couple the first and second portions (12, 14) such that the first and second mirrors (18, 20) are arranged as a laser cavity having a predetermined length to resonate the optical signal.
摘要翻译：包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL）系统（10）和制造方法（750）。 VCSEL系统（10）包括第一部分（12），包括第一反射镜（18）和增益区域（16），以响应于数据信号放大光信号，第一部分（12）被制造在第一晶圆。系统（10）还包括第二部分（14），其包括部分反射以将光信号耦合到光纤（22）的第二反射镜（20）。第二部分（14）可以制造在第二晶片（152）上。该系统（10）还包括一个支撑结构（24），用于联接第一和第二部分（12,14），使得第一和第二反射镜（18,20）被布置为具有预定长度的激光腔，以使光信号。

9. 发明申请

WO2011106551A3 HCG REFLECTION ENHANCEMENT IN DIVERSE REFRACTIVE INDEX MATERIAL 审中-公开
标题翻译： HCG反射指数增强型折射率指数材料
公开(公告)号：WO2011106551A3
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/US2011026110
申请日：2011-02-24
申请人： UNIV CALIFORNIA , CHANG-HASNAIN CONNIE , CHASE CHRISTOPHER , KARAGODSKY VADIM
发明人： CHANG-HASNAIN CONNIE , CHASE CHRISTOPHER , KARAGODSKY VADIM
IPC分类号： G02B5/08
CPC分类号： G02B5/1809 , H01S5/18319 , H01S5/18361
摘要： Enhanced reflectivity High-Contrast Gratings are described which operate in different medium. An HCG is described with a deep / buried metallization layer separated at a distance of least three to four grating thicknesses from the grating. Reflective bandwidth of the HCG is substantially increased, such as by a factor of five, by inclusion of the deep / buried metallization layer. An HCG is described which provides high reflectivity, even when embedded into materials of a moderate to high index of refraction, such as semiconductor material. Vertical cavity surface emitting laser embodiments are described which utilize these reflectivity enhancements, and preferably utilize HCG reflectors for top and/or bottom mirrors.
摘要翻译：增强的反射率描述了在不同介质中工作的高对比度光栅。 HCG被描述为深度/掩埋的金属化层，距离光栅至少有三到四个光栅厚度的距离。 HCG的反射带宽通过包含深/掩埋金属化层而显着增加，例如5倍。描述了提供高反射率的HCG，即使当嵌入中等至高折射率的材料（例如半导体材料）时也是如此。描述了利用这些反射率增强的垂直腔表面发射激光器实施例，并且优选地使用用于顶部和/或底部反射镜的HCG反射器。

10. 发明申请

WO2004082084A3 MULTI-COLOR SEMICONDUCTOR LASERS 审中-公开
标题翻译：多色半导体激光器
公开(公告)号：WO2004082084A3
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/IL2004000230
申请日：2004-03-10
申请人： ORLEE LIGHT INNOVATIONS , EL-BAHAR AHARON RONI
发明人： EL-BAHAR AHARON RONI
IPC分类号： H01S20060101 , H01S3/13 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/10 , H01S5/183 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/343 , H01S5/42
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L2224/16145 , H01L2224/48463 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/18305 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18397 , H01S5/2009 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2301/173
摘要： A laser device (20) includes a substrate (22) and a multi-layer semiconductor structure formed on the substrate. The structure includes one or more active layers (26), which are adapted to amplify optical radiation at a plurality of different wavelengths, and at least two reflective regions (28,30), arranged to define at least one micro-cavity resonator containing the active layers and having an optical axis perpendicular to the substrate. An electrode (32,34) is coupled to apply an electrical current to the multi-layer semiconductor structure, causing the structure to emit laser radiation along the optical axis at the plurality of different wavelengths.
摘要翻译：激光装置包括基板和形成在基板上的多层半导体结构。该结构包括一个或多个有源层，其适于放大多个不同波长的光辐射，以及至少两个反射区域，其布置成限定至少一个包含有源层的微腔谐振器，并且具有基本上垂直于衬底。耦合电极以向多层半导体结构施加电流，使结构沿着多个不同波长的光轴发射激光辐射。

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