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1. 发明申请

WO2017060160A1 HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS 审中-公开
标题翻译：半导体激光器和一种用于生产半导体激光器
公开(公告)号：WO2017060160A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：PCT/EP2016/073352
申请日：2016-09-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER, Frank , VON MALM, Norwin , RÜGHEIMER, Tilman , KIPPES, Thomas
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/042 , H01S5/02 , H01S5/024 , H01S5/22 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/0224 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2924/18162 , H01S5/0201 , H01S5/02228 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/176
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23)eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).
摘要翻译：在半导体激光器（1）的一个实施例包括半导体层序列（2）。半导体层序列（2）包括n型区域（23），p型区域（21）和中间有源区（22）。在一个Resonatorstrecke（3）的激光辐射产生的。所述Resonatorstrecke（3）平行于对准的有源区（22）。此外，半导体激光器（1）包括电动p接触（41），并且根据相关联的部分的半导体层序列（2）位于的电正触点（43）（21，23）和用于施加电流的权利在相应的区域（21，23）被布置。从p型区域（21）延伸的n接触（43）通过所述有源区（22）进入n型区域（23）和位于，在俯视图，（3）旁边Resonatorstrecke ，

2. 发明申请

WO2017055160A1 LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2017055160A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/072498
申请日：2016-09-22
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： GRONENBORN, Stephan , MILLER, Michael , DANNBERG, Peter , SCHUERMANN, Mark , MOENCH, Holger
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/028
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S2301/17
摘要： The invention describes a light emitting device (100). The light emitting device (100) comprises at least one light emitting structure (110), at least one processing layer (120) and at least one optical structure (130). The optical structure (130) comprises at least one material processed by means of processing light (150). The at least one processing layer (120) is arranged to reduce reflection of the processing light (150) ina direction of the optical structure (130) at least by 50%, preferably at least by 80%, more preferably at least by 95% and most preferably at least by 99% during processing of the material by means of the processing light (150). It is a basic idea of thepresent invention to incorporate a non-or low- reflective processing layer (120) on top of a light emitting structure (110) like a VCSEL array in order to enable on wafer processing of light emitting structures (130) like microlens arrays. The invention further describes a method of manufacturing such a light emitting device (100).
摘要翻译：本发明描述了一种发光器件（100）。发光器件（100）包括至少一个发光结构（110），至少一个处理层（120）和至少一个光学结构（130）。光学结构（130）包括通过处理光（150）处理的至少一种材料。所述至少一个处理层（120）被布置成减少所述光学结构（130）的方向上的所述加工光（150）的反射至少50％，优选至少80％，更优选至少95％并且最优选至少99％，在通过处理光（150）处理材料期间。本发明的基本思想是在诸如VCSEL阵列的发光结构（110）的顶部上并入非反射或低反射的处理层（120），以便能够对发光结构（130）进行晶片处理，像微透镜阵列。本发明还描述了一种制造这种发光器件（100）的方法。

3. 发明申请

WO2016133943A1 DENSELY-SPACED LASER DIODE CONFIGURATIONS 审中-公开
标题翻译：密封激光二极管配置
公开(公告)号：WO2016133943A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/US2016/018143
申请日：2016-02-17
申请人： II-VI INCORPORATED
发明人： BARBAROSSA, Giovanni , LICHTENSTEIN, Norbert
IPC分类号： H01S3/04 , H01S5/42 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/02236 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/4031
摘要： A densely -spaced single-emitter laser diode configuration is created by using a laser bar (or similar array configuration) attached to a submount component of a size sufficient to adequately support the enter laser structure. The surface of the submount component upon which the laser structure is attached is metallized and used to form the individual electrical contacts to the laser diodes within the integrated laser structure. Once attached to each other, the laser structure is singulated by creating vertical separations between adjacent light emission areas. The submount metallization is similarly segmented, creating separate electrodes that are used to individually energize their associated laser diodes.
摘要翻译：通过使用附接到足以支持进入激光器结构的尺寸的基座部件的激光棒（或类似的阵列配置）来创建致密空间的单发射器激光二极管配置。附接有激光结构的基座部件的表面被金属化并且用于在集成激光器结构内的激光二极管上形成各个电接触。一旦相互连接，通过在相邻的发光区域之间产生垂直分离来对激光器结构进行分割。基座金属化类似地分段，产生用于单独激励其相关联的激光二极管的单独的电极。

4. 发明申请

WO2012130643A1 VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES BAUELEMENTVERBUNDS 审中-公开
标题翻译：方法分离COMPONENT GROUPING
公开(公告)号：WO2012130643A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/054714
申请日：2012-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZULL, Heribert , PERZLMAIER, Korbinian , PLÖßL, Andreas , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd
发明人： ZULL, Heribert , PERZLMAIER, Korbinian , PLÖßL, Andreas , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/18 , H01S5/02
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L31/18 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01S5/0201
摘要： Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds (1) in eine Mehrzahl von Bauelementbereichen (10) angegeben, bei dem ein Bauelementverbund mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Bereich aufweist, bereitgestellt wird. Der Bauelementverbund wird an einem starren Hilfsträger (6) befestigt. Der Bauelementverbund wird in die Mehrzahl von Bauelementbereichen vereinzelt, wobei für jeden Bauelementbereich jeweils ein Halbleiterkörper (25) aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgeht. Die Bauelementbereiche werden von dem Hilfsträger entfernt.
摘要翻译：提供了一种用于分离的部件组件（1）成多个器件区域（10），其具有带用于生产或用于接收电磁辐射区域中设置（2）的半导体层序列的成分复合的方法。部件组件被安装在一个刚性的辅助支撑（6）。复合部件对每个器件区域中的每一种情况下分离成多个分量区域，其中从所述半导体层序列看到一个半导体本体（25）。该器件区域从子载波中移除。

5. 发明申请

WO2011141421A3 EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011141421A3
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2011057415
申请日：2011-05-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOENIG HARALD , STRAUSS UWE , REILL WOLFGANG
发明人： KOENIG HARALD , STRAUSS UWE , REILL WOLFGANG
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： An edge-emitting semiconductor laser (1001) is specified, having: - a semiconductor body (1) which comprises an active zone (5) suitable for producing electromagnetic radiation; - at least two facets (7) on the active zone (5), which form a resonator (55); - at least two contact points (2) which are spaced apart from one another in a lateral direction (100) by at least one intermediate region (22) and which are mounted on an outer face (11) of the semiconductor body (1).
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器（1001），包括： - 半导体主体（1），包括适合于产生电磁辐射活性区中的装置（5）; - 至少两个刻面（7）〜（5）形成的谐振器（55）的有源区; - 在横向方向（100）通过至少一个中间部分彼此连接的至少两个（22）间隔开的接触点（2）设置在所述半导体主体（1）的外表面（11）。

6. 发明申请

WO2011141421A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011141421A2
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2011/057415
申请日：2011-05-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , REILL, Wolfgang
发明人： KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , REILL, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (1001) angegeben, mit: - einem Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone (5) umfasst; - zumindest zwei Facetten (7) an der aktiven Zone (5), die einen Resonator (55) bilden; - zumindest zwei in lateraler Richtung (100) voneinander durch zumindest einen Zwischenbereich (22) beabstandete Kontaktstellen (2), die auf einer Außenfläche (11) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器（1001），包括： - 半导体主体（1），包括适合于产生电磁辐射活性区中的装置（5）; - 至少两个刻面（7）〜（5）形成的谐振器（55）的有源区; - 在横向方向（100）通过至少一个中间部分彼此连接的至少两个（22）间隔开的接触点（2）设置在所述半导体主体（1）的外表面（11）。

7. 发明申请

WO2010088613A1 PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING FOR LASER FACETS 审中-公开
标题翻译：激光光电化学蚀刻
公开(公告)号：WO2010088613A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/US2010/022753
申请日：2010-02-01
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , TAMBOLI, Adele C. , HU, Evelyn L. , DENBAARS, Steven P. , CHAKRABORTY, Arpan
发明人： TAMBOLI, Adele C. , HU, Evelyn L. , DENBAARS, Steven P. , CHAKRABORTY, Arpan
IPC分类号： H01L21/306 , H01L29/12
CPC分类号： H01L21/3063 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/021 , H01S5/32341
摘要： A method for fabricating a semiconductor laser device, by etching facets using a photoelectrochemical (PEC) etch, so that the facets are sufficiently smooth to support optical modes within a cavity bounded by the facets.
摘要翻译：一种制造半导体激光器件的方法，通过使用光电化学（PEC）蚀刻的蚀刻刻面，使得所述刻面足够光滑以支持由该刻面限定的空腔内的光学模式。

8. 发明申请

WO2009112020A3 METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIPS AND OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片，各种
公开(公告)号：WO2009112020A3
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009000332
申请日：2009-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL KARL , STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
发明人： ENGL KARL , STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/32
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semi-conductor chips having buried p-sides, comprising the following steps: a) producing a wafer (1, 2, 3) having a semi-conductor layer sequence (100, 200, 300), which comprises an n-doped layer (12, 22, 32), an active layer (13, 23, 33) and a p-doped layer (14, 24, 34), wherein the active layer is disposed between the n-doped layer and the p-doped layer and the p-doped layer is exposed, b) electrically activating the acceptors in the exposed p-doped layer (14, 24, 34) by a thermal activation method, c) covering the p-doped layer (14, 24, 34), and d) dicing the wafer (1, 2 3) into a plurality of optoelectronic semi-conductor chips.
摘要翻译：一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3）和具有正的半导体层序列（100，200，300）掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，34），其中，所述n型掺杂层和p掺杂之间的有源层层被设置和p掺杂层被暴露，b）通过热激活方法电激活在暴露的p型掺杂层（）的受体14，24，34，C），其覆盖p掺杂层（14，24， 34），以及d）切割所述晶片（1，2，3）为多个的光电子半导体芯片。

9. 发明申请

WO2008107204A1 DIODENLASERBARREN UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：二极管棒和方法及其
公开(公告)号：WO2008107204A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2008/001849
申请日：2008-03-07
申请人： JENOPTIK DIODE LAB GMBH , SEBASTIAN, Jürgen , HUELSEWEDE, Ralf
发明人： SEBASTIAN, Jürgen , HUELSEWEDE, Ralf
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/4025 , H01S5/4031
摘要： Es wird bereitgestellt ein Verfahren zur Herstellung von Diodenlaserbarren aus einem Wafer, bei dem auf dem Wafer eine Metallschicht so aufgebracht wird, daß sie sich nicht bis zu den späteren Facetten der zu vereinzelnden Diodenlaserbarren erstreckt, die Diodenlaserbarren vereinzelt und aufeinander gestapelt werden, wobei die Metallschicht ein Spalt zwischen den Facetten der aufeinandergestapelten Diodenlaserbarren erzeugt und die Metallschicht so gewählt ist, daß ein Zusetzen des Spaltes während einer Facettenbeschichtung verhindert wird.
摘要翻译：本发明提供了一种用于从晶片制备的二极管激光条，其中金属层被沉积在晶片上，它并不延伸到的后面的小面被分离二极管激光棒，分离的二极管激光棒和被堆叠，其中所述金属层产生堆叠的二极管激光条的端面之间的间隙和在选择了金属层，使得一个端面涂层期间防止的隙堵塞。

10. 发明申请

WO2007002024A2 ALGAINN-BASED LASERS PRODUCED USING ETCHED FACET TECHNOLOGY 审中-公开
标题翻译：使用蚀刻技术生产的基于ALGAINN的激光器
公开(公告)号：WO2007002024A2
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/US2006/023889
申请日：2006-06-20
申请人： BINOPTICS CORPORATION
发明人： BEHFAR, Alex, A. , SCHREMER, Alfred, T. , STAGARESCU, Cristian, B. , (NLN), VAINATEYA (NMI)
IPC分类号： H01S5/02 , H01L21/00
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500 °C and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.
摘要翻译：一种用于制造能够发射蓝光的激光的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束蚀刻GaN晶片以形成激光波导和反射镜。

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