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1. 发明申请

WO2016103604A1 SURFACE EMITTING LASER, INFORMATION ACQUIRING APPARATUS, IMAGING APPARATUS, LASER ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：表面发射激光，信息获取装置，成像装置，激光阵列和制造表面发射激光的方法
公开(公告)号：WO2016103604A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/JP2015/006108
申请日：2015-12-08
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： NAKANISHI, Koichiro , NAGATOMO, Yasuhiro
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/18366 , H01S5/041 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/423
摘要： A surface emitting laser having a wide wavelength tunable band is provided. A surface emitting laser includes a first reflecting mirror (102); a second reflecting mirror (116); and an active layer (104) arranged between the first reflecting mirror (102) and the second reflecting mirror (116), a gap being formed between the second reflecting mirror (116) and the active layer (104), an oscillation wavelength being tunable. The second reflecting mirror (116) includes a beam (108) comprising a single-crystal semiconductor, and a dielectric multilayer film (110) supported by the beam (108), and the dielectric multilayer film (110) is arranged in an opening (118) formed in the beam (108).
摘要翻译：提供具有宽波长可调波段的表面发射激光器。表面发射激光器包括第一反射镜（102）; 第二反射镜（116）; 以及布置在第一反射镜（102）和第二反射镜（116）之间的有源层（104），在第二反射镜（116）和有源层（104）之间形成间隙，振荡波长可调。第二反射镜（116）包括由单晶半导体构成的光束（108）和由光束（108）支撑的电介质多层膜（110），电介质多层膜（110）布置在开口 118）。

2. 发明申请

WO2014189518A1 HIGH BRIGHTNESS PULSED VCSEL SOURCES 审中-公开
标题翻译：高亮度脉冲VCSEL源
公开(公告)号：WO2014189518A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/US2013/042523
申请日：2013-05-23
申请人： JOSEPH, John, R. , CARSON, Richard, F. , WARREN, Mial, E. , LEAR, Kevin, L. , WILCOX, Tom
发明人： JOSEPH, John, R. , CARSON, Richard, F. , WARREN, Mial, E. , LEAR, Kevin, L. , WILCOX, Tom
IPC分类号： H01S3/04
CPC分类号： H01S5/02438 , H01S5/0224 , H01S5/02256 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18305 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/423 , H01S2301/176
摘要： A VCSEL device having a mesa for generating laser light includes a centralized thermal containment area and a thermal discharge area surrounding the centralized thermal containment area. The device includes a thermal lensing structure for enhancing or controlling heat flow within the centralized thermal containment area and the thermal discharge area and creating and maintaining an index of refraction between the centralized thermal containment area and the thermal discharge area. The VCSEL device operates as a multimode device when driven at a first current in a continuous wave and the VCSEL device operates as a single mode device when driven at a second current at a pulse rate shorter than an overall thermal time constant of the VCSEL device.
摘要翻译：具有用于产生激光的台面的VCSEL装置包括集中的热容纳区域和围绕集中式热容纳区域的热放电区域。该装置包括用于增强或控制集中式热容纳区域和热放电区域内的热流的热透镜结构，并且在中央集热区域和热放电区域之间产生并保持折射率。当以连续波中的第一电流驱动时，VCSEL器件作为多模器件工作，当以比VCSEL器件的整体热时间常数短的脉冲速度在第二电流下驱动时，VCSEL器件作为单模器件工作。

3. 发明申请

WO2014023777A2 WAVELENGTH SWEEPABLE LASER SOURCE 审中-公开
公开(公告)号：WO2014023777A2
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/EP2013/066572
申请日：2013-08-07
申请人： DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET
发明人： YVIND, Kresten , ANSBÆK, Thor , CHUNG, Il-Sug , HANSEN, Ole
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1096 , B82Y20/00 , H01S5/0222 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18366 , H01S5/18383 , H01S5/18386 , H01S5/18397 , H01S5/3013 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S2301/17
摘要： Wavelength sweepable laser source is disclosed, wherein the laser source is a semiconductor laser source adapted for generating laser light at a lasing wavelength. The laser source comprises a substrate, a first reflector, and a second reflector. The first and second reflector together defines an optical cavity, and are arranged to support light oscillation in the optical cavity along an optical path in a direction normal to the substrate. The optical cavity comprises a void in the optical path. The second reflector is resiliently suspended by a suspension in a distance from the first reflector and having a rest position, the second reflector and suspension together defining a microelectromechanical MEMS oscillator. The MEMS oscillator has a resonance frequency and is adapted for oscillating the second reflector on either side of the rest position. The laser source further comprises electrical connections adapted for applying an electric field to the MEMS oscillator. Furthermore, a laser source system and a method of use of the laser source are disclosed
摘要翻译：公开了波长可扫描的激光源，其中激光源是适于产生激光波长的激光的半导体激光源。激光源包括衬底，第一反射器和第二反射器。第一反射器和第二反射器一起限定光学腔，并且布置成沿垂直于基板的方向的光路支持光学腔中的光振荡。光腔包括光路中的空隙。第二反射器通过与第一反射器相距一定距离的悬架弹性地悬挂并且具有静止位置，第二反射器和悬架一起限定微机电MEMS振荡器。 MEMS振荡器具有共振频率并且适于在静止位置的任一侧上振荡第二反射器。该激光源还包括适用于向MEMS振荡器施加电场的电连接。此外，公开了一种激光源系统和该激光源的使用方法

4. 发明申请

WO2014018943A1 MEMS-TUNABLE SHORT CAVITY LASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2014018943A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/US2013/052416
申请日：2013-07-26
申请人： THORLABS, INC. , PRAEVIUM RESEARCH, INC.
发明人： CABLE, Alex, Ezra , JAYARAMAN, Vijaysekhar , POTSAID, Benjamin, Michael
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
摘要： A MEM S-iunable source includes a short-cavity laser optimized for performance and reliability in SSOCT imaging systems, spectroscopic detection systems, and other types of detection and sensing systems. A MEMS-tunable short cavity laser with a large free spectral range cavity, fast tuning response and single transverse and longitudinal mode operation is disclosed. A MEMS-actuation mechanism including a stress- engineering silicon nitride membrane with multiple supporting struts enabling flat and wide frequency response is disclosed. The supports for low-ripple operation of the tunable source are also discussed.
摘要翻译： MEM S-iunable源包括针对SSOCT成像系统，光谱检测系统和其他类型的检测和感测系统中的性能和可靠性进行了优化的短腔激光器。公开了具有大自由光谱范围腔，快速调谐响应和单横向和纵向模式操作的MEMS可调谐短腔激光器。公开了一种MEMS致动机构，其包括具有多个支撑支柱的应力工程氮化硅膜，其具有平坦和宽的频率响应。还讨论了可调谐源的低纹波运算的支持。

5. 发明申请

WO2014018939A2 AMPLIFIED WIDELY TUNABLE SHORT CAVITY LASER 审中-公开
标题翻译：放大的宽敞轻便小孔激光
公开(公告)号：WO2014018939A2
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/US2013/052411
申请日：2013-07-26
申请人： THORLABS, INC. , PRAEVIUM RESEARCH, INC.
发明人： CABLE, Alex, Ezra , JAYARAMAN, Vijaysekhar , POTSAID, Benjamin, Michael
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
摘要： An amplified tunable source includes a short-cavity laser coupled to an optical amplifier for high power, spectrally shaped operation. The short-cavity laser is coupled to a quantum well semiconductor optical amplifier with two quantum states for broadened gain. Two preferred wavelength ranges of the amplified tunable source include 1200-1400nm and 800-1100nm. Also disclosed is the short cavity tunable laser coupled to a fiber amplifier. Various combinations of tunable optical filters with the amplified tunable source to reduce noise or improve spectral purity are presented.
摘要翻译：放大的可调谐源包括耦合到光放大器的短腔激光器用于高功率，光谱形状的操作。短腔激光器耦合到具有两个量子态的量子阱半导体光放大器，用于增宽增益。放大可调源的两个优选波长范围包括1200-1400nm和800-1100nm。还公开了耦合到光纤放大器的短腔可调激光器。提出了可调谐光学滤波器与放大的可调谐源的各种组合，以减少噪声或提高光谱纯度。

6. 发明申请

WO2013081176A1 SURFACE-EMITTING LASER ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE-EMITTING LASER ELEMENT, AND ATOMIC OSCILLATOR 审中-公开
标题翻译：表面发射激光元件，制造表面发射激光元件的方法和原子振荡器
公开(公告)号：WO2013081176A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/JP2012/081582
申请日：2012-11-29
申请人： RICOH COMPANY, LTD. , SUZUKI, Ryoichiro , SATO, Shunichi
发明人： SUZUKI, Ryoichiro , SATO, Shunichi
IPC分类号： H01S5/183 , H03L7/26
CPC分类号： H01S5/187 , B82Y20/00 , G04F5/145 , H01S5/026 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18344 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/2086 , H01S5/3407 , H01S5/34313 , H01S5/34373 , H01S5/4087 , H01S5/42 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H03B17/00 , H03L7/26
摘要： Disclosed is a surface-emitting laser element including a semiconductor substrate and plural surface-emitting lasers configured to emit light with mutually different wavelengths, each surface-emitting laser including a lower Bragg reflector provided on the semiconductor substrate, a resonator provided on the lower Bragg reflector, an upper Bragg reflector provided on the resonator, and a wavelength adjustment layer provided in the upper Bragg reflector or lower Bragg reflector, the wavelength adjustment layers included in the surface-emitting lasers having mutually different thicknesses, at least one of the wavelength adjustment layers including adjustment layers made of two kinds of materials, and numbers of the adjustment layers included in the wavelength adjustment layers being mutually different.
摘要翻译：公开了一种表面发射激光器元件，包括半导体衬底和多个表面发射激光器，其被配置为发射具有相互不同波长的光，每个表面发射激光器包括设置在半导体衬底上的下布拉格反射器，设置在下布拉格反射器，设置在谐振器上的上布拉格反射器和设置在上布拉格反射器或下布拉格反射器中的波长调节层，包括在具有相互不同厚度的表面发射激光器中的波长调节层，波长调整中的至少一个包括由两种材料制成的调整层的层和波长调整层中包括的调节层的数量彼此不同。

7. 发明申请

WO2013016676A2 METHOD AND APPARATUS INCLUDING IMPROVED VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS 审中-公开
标题翻译：包括改进的垂直表面发射激光器的方法和装置
公开(公告)号：WO2013016676A2
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/US2012/048661
申请日：2012-07-27
申请人： MYTEK, LLC (doing business as VIXAR) , HIBBS-BRENNER, Mary, K. , JOHNSON, Klein, L. , DUMMER, Matthew, M.
发明人： HIBBS-BRENNER, Mary, K. , JOHNSON, Klein, L. , DUMMER, Matthew, M.
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1833 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18333 , H01S5/18336 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/2063 , H01S5/34326 , H01S2301/166
摘要： VCSELs and methods having improved characteristics. In some embodiments, these include a semiconductor substrate; a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) on the substrate; a first electrical contact formed on the VCSEL; a second electrical contact formed on the substrate, wherein the VCSEL includes: a first resonating cavity having first and second mirrors, at least one of which partially transmits light incident on that mirror, wherein the first second mirrors are electrically conductive. A first layer is between the first mirror and the second mirror and has a first aperture that restricts the path of current flow. A second layer is between the first layer and the second mirror and also restricts the electrical current path. A multiple-quantum-well (MQW) structure is between the first mirror and the second mirror, wherein the first and second apertures act together to define a path geometry of the current through the MQW structure.
摘要翻译：具有改进特性的VCSEL和方法。在一些实施例中，这些包括半导体衬底; 衬底上的垂直腔表面发射激光器（VCSEL）; 在VCSEL上形成的第一电接触; 形成在所述基板上的第二电触点，其中所述VCSEL包括：具有第一和第二反射镜的第一谐振腔，其中至少一个部分透射入射在所述反射镜上的光，其中所述第一第二反射镜是导电的。第一层位于第一反射镜和第二反射镜之间，并且具有限制电流流动路径的第一孔。第二层位于第一层和第二层之间，也限制了电流路径。多量子阱（MQW）结构在第一反射镜和第二反射镜之间，其中第一和第二孔一起作用以限定通过MQW结构的电流的路径几何形状。

8. 发明申请

WO2012155911A1 REFLECTIVITY-MODULATED GRATING MIRROR 审中-公开
标题翻译：反光调制镜
公开(公告)号：WO2012155911A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/DK2012/050157
申请日：2012-05-09
申请人： DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET , CHUNG, Il-Sug
发明人： CHUNG, Il-Sug
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0655 , H01S5/105 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18325 , H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/18386 , H01S5/3095
摘要： The invention relates to vertical cavity lasers (VCL) incorporating a reflectivity-modulated grating mirror (1) for modulating the laser output. A cavity is formed by a bottom mirror (4), an active region (3), and an outcoupling top grating mirror (1) formed by a periodic refractive index grating region in a layer structure comprising a p- and a n-doped semiconductor layer with an electrooptic material layer (12) arranged there between. The grating region comprises a grating structure formed by periodic perforations to change the refractive index periodically in directions normal to the oscillation axis. A modulated voltage (91) is applied in reverse bias between the n- and p-doped layers to modulate the refractive index of the electrooptic material layer (12) and thereby the reflectivity spectrum of the grating mirror (1). The reflectivity of the grating mirror (1) can be modulated between a reflectivity with little or no out coupling and a reflectivity with normal out coupling, wherein lasing in the VCL is supported at both the first and the second reflectivity. As the out coupling mirror modulates the output, the lasing does not need to be modulated, and the invention provides the advantage of lower power consumption at high modulation speeds.
摘要翻译：本发明涉及结合有用于调制激光输出的反射率调制光栅镜（1）的垂直腔激光器（VCL）。空腔由底部反射镜（4），有源区域（3）和外耦合顶部光栅镜（1）形成，该反射镜顶部光栅反射镜（1）由层状结构中的周期性折射率光栅区形成，该层结构包括p型和n型掺杂半导体层之间布置有电光材料层（12）。光栅区域包括通过周期性穿孔形成的光栅结构，以便以垂直于振荡轴线的方向周期性地改变折射率。在n和p掺杂层之间以反向偏压施加调制电压（91），以调制电光材料层（12）的折射率，从而调制光栅镜（1）的反射光谱。光栅反射镜（1）的反射率可以在具有很少或不具有耦合的反射率和具有正向耦合的反射率之间进行调制，其中VCL中的激光在第一和第二反射率都被支持。由于外耦合镜调制输出，因此不需要对激光进行调制，本发明提供了在高调制速度下较低功耗的优点。

9. 发明申请

WO2012056648A1 半導体基板、半導体基板の製造方法および垂直共振器面発光レーザ审中-公开
标题翻译：半导体基板，制造半导体基板的方法和垂直孔表面发射激光
公开(公告)号：WO2012056648A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/JP2011/005822
申请日：2011-10-18
申请人：住友化学株式会社 , 市川磨
发明人：市川　磨
IPC分类号： H01S5/183 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC分类号： H01L21/02546 , B82Y20/00 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/18311 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2304/04
摘要：　ｐ型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、ｐ型結晶層が、３－５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、６×１０１７ｃｍ－３以上、６×１０１９ｃｍ－３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。
摘要翻译：提供一种用于垂直腔表面发射激光器的半导体衬底，其包括p型晶体层，并且其中p型晶体层由3-5族化合物半导体构成，包含碳原子作为p型杂质原子，并且包含浓度不小于6×1017cm-3且不大于6×1019cm-3的氢原子。

10. 发明申请

WO2012046420A1 電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュール审中-公开
标题翻译：电子元件，表面发射激光，表面发射激光阵列，光源和光模块
公开(公告)号：WO2012046420A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/JP2011/005506
申请日：2011-09-29
申请人：古河電気工業株式会社 , 清水均 , 川北泰雅
发明人：清水　均 , 川北　泰雅
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18308 , G02B5/0816 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：　第１半導体層と第２半導体層との周期構造で構成される半導体多層構造を備える電子素子であって、前記半導体多層構造の少なくとも一部において、前記第１半導体層と前記第２半導体層とが互いに異なる導電型を有する。前記第１半導体層と前記第２半導体層とが互いに異なる屈折率を有しており、前記半導体多層構造は多層膜反射鏡として機能する。これにより、寄生容量が低減された電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュールを提供する。
摘要翻译：电子元件设置有由第一半导体层和第二半导体层的周期性结构构成的半导体多层结构。在半导体多层结构的至少一部分中，第一半导体层和第二半导体层具有彼此不同的导电类型。第一半导体层和第二半导体层具有彼此不同的折射率，并且半导体多层结构用作多层膜反射镜。因此，提供了具有减小的寄生电容的电子元件，表面发射激光器，表面发射激光器阵列，光源和光模块。

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