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1. 发明申请

WO2016085956A1 TUNABLE LASER WITH MULTIPLE IN-LINE SECTIONS INCLUDING SAMPLED GRATINGS 审中-公开
标题翻译：具有多个在线部分的可激光激光器，包括采样光栅
公开(公告)号：WO2016085956A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/US2015/062377
申请日：2015-11-24
申请人： APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.
发明人： ZHENG, Jun, , ANSELM, Klaus Alexander , ZHANG, Huanlin , MCINTOSH-DORSEY, Dion
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4087 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/5027
摘要： A tunable laser with multiple in-line sections including sampled gratings generally includes a semiconductor laser body with a plurality of in-line laser sections configured to be driven independently to generate laser light at a wavelength within a different respective wavelength range. Sampled gratings in the respective in-line sections have the same grating period and a different sampling period to produce the different wavelengths. The wavelength of the light generated in the respective laser sections may be tuned, in response to a temperature change, to a channel wavelength within the respective wavelength range. By selectively generating light in one or more of the laser sections, one or more channel wavelengths may be selected for lasing and transmission. By using sampled gratings with the same grating period in the multiple in-line sections, the multiple section tunable laser may be fabricated more easily.
摘要翻译：具有包括采样光栅的多个在线部分的可调激光器通常包括半导体激光器主体，其具有被配置为独立驱动的多个在线激光部分，以产生波长在不同的相应波长范围内的激光。相应的在线部分中的采样光栅具有相同的光栅周期和不同的采样周期以产生不同的波长。在相应的激光部分中产生的光的波长可以响应于温度变化被调谐到相应波长范围内的通道波长。通过选择性地在一个或多个激光部分中产生光，可以选择一个或多个信道波长用于激光和透射。通过在多个在线部分中使用具有相同光栅周期的采样光栅，可以更容易地制造多段可调谐激光器。

2. 发明申请

WO2015162671A1 波長可変レーザ光源、光送信器及び光送受信器モジュール审中-公开
标题翻译：波长可变激光光源，光学发射器和光学发射器/受体模块
公开(公告)号：WO2015162671A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/JP2014/061183
申请日：2014-04-21
申请人：富士通株式会社
发明人：高林　和雅 , 山本　剛之
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/50
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/0085 , H01S5/021 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1032 , H01S5/1209 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/24
摘要：　半導体光増幅器集積素子と、波長可変フィルタと、ミラーとを有する波長可変レーザ光源において、前記半導体光増幅器集積素子の一方の端面の側には第１の半導体光増幅器が形成されており、他方の端面の側には第２の半導体光増幅器及び第３の半導体光増幅器が形成されており、前記第１の半導体光増幅器と、前記第２の半導体光増幅器及び前記第３の半導体光増幅器との間には、前記第１の半導体光増幅器側から順に部分反射ミラー及び光分岐器が設けられており、前記光分岐器の分岐の各々に、前記第２の半導体光増幅器及び前記第３の半導体光増幅器が接続されており、前記半導体光増幅器集積素子における前記部分反射ミラーと前記ミラーとによりレーザ共振器が形成されており、前記部分反射ミラーと前記ミラーとの間の光路上には、前記波長可変フィルタ及び前記第１の半導体光増幅器が配置されていることを特徴とする。
摘要翻译：公开了具有半导体光放大器集成元件，波长可变滤波器和反射镜的波长可变激光光源。所述波长可变激光光源的特征在于，在所述半导体光放大器集成元件的一个端面侧形成有第一半导体光放大器，第二半导体光放大器和第三半导体光放大器形成在另一端面的一侧; 在第一半导体光放大器和第二和第三半导体光放大器之间，从第一半导体光放大器侧依次提供部分反射镜和光分支器件; 第二半导体光放大器和第三半导体光放大器分别连接到光分支装置的分支; 激光谐振器由半导体光放大器集成元件的部分反射镜和反射镜构成; 并且在部分反射镜和反射镜之间的光路上设置波长可变滤波器和第一半导体光放大器。

3. 发明申请

WO2015079939A1 外部共振器型発光装置审中-公开
标题翻译：外部谐振器型发光器件
公开(公告)号：WO2015079939A1
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：PCT/JP2014/080301
申请日：2014-11-17
申请人：日本碍子株式会社
发明人：近藤　順悟 , 山口　省一郎 , 吉野　隆史 , 武内　幸久
IPC分类号： H01S5/14
CPC分类号： H01S5/141 , G02B6/124 , H01S5/02252 , H01S5/0287 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/2202 , H01S2301/163
摘要：【課題】ペルチェ素子を使用することなく、モードホップを抑制し、波長安定性を高くし、光パワー変動を抑制できるようにする。【解決手段】外部共振器型発光装置は、単独で半導体レーザ光を発振する光源、およびこの光源と外部共振器を構成し、単一モード発振するグレーティング素子を備える。光源が、半導体レーザ光を発振する活性層を備えている。グレーティング素子が、半導体レーザ光が入射する入射面と所望波長の出射光を出射する出射面を有する光導波路、光導波路内に形成されたブラッググレーティング、および入射面とブラッググレーティングとの間に設けられている伝搬部を備える。式（１）～式（５）の関係が満足される。
摘要翻译： [问题]为了抑制模式跳跃，增加波长稳定性，并且在不使用珀耳帖元件的情况下抑制波束功率波动。 [解决方案]一种外部谐振器型发光器件，其配备有：独立地振荡半导体激光束的光源; 以及包括光源和外部谐振器并且以单一模式振荡的光栅元件。光源包括振荡半导体激光束的有源层。光栅元件包括：包含照射表面的光波导，半导体激光束照射到其上的发射表面和发射所需波长的发射光的发射表面; 形成在光波导内的布拉格光栅; 以及布置在照射表面和布拉格光栅之间的传播单元。满足公式（1） - （5）的关系。

4. 发明申请

WO2013171950A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2013171950A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/JP2013/001615
申请日：2013-03-12
申请人：パナソニック株式会社
发明人：高山　徹
IPC分类号： H01S5/22 , H01L33/02 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/2205 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/16
摘要：本発明の半導体発光素子において、半導体基板３００上に、第１導電型の第１クラッド層３１２と、量子井戸活性層３１４と、第２導電型の第２クラッド層３１６とがこの順に積層されている。第２クラッド層３１６に、リッジ型のストライプにより導波路が形成されている。レーザ光が出射される前端面におけるリッジストライプの幅をＷｆ、前端面とは反対側の後端面におけるリッジストライプの幅をＷｒ、前端面の反射率をＲｆ、後端面の反射率をＲｒとするとき、Ｒｆ＜Ｒｒ及びＷｆ＞Ｗｒの関係を有する。導波路には、基本横モード、１次高次横モード、２次高次横モード及び３次高次横モードが導波される。
摘要翻译：在该半导体发光元件中，依次将第一导电型第一包层（312），量子阱活性层（314）和第二导电型第二包层（316）层叠在半导体基板（300）上）。在第二包层（316）上通过脊状条形成波导。当发射激光的前端面上的脊条的宽度为Wf时，与前端面相反的后端面上的脊条的宽度为Wr，前端面反射率为Rf，后端面反射率为Rr，其关系为Rf Wr。通过波导引导基本横模，主高次横模，二次高阶横模和三次高阶横模。

5. 发明申请

WO2013021422A1 外部共振器型半導体レーザ素子及び光素子审中-公开
标题翻译：外部共振器半导体激光元件和光学元件
公开(公告)号：WO2013021422A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/JP2011/004526
申请日：2011-08-10
申请人：富士通株式会社 , 鄭錫煥
发明人：鄭　錫煥
IPC分类号： H01S5/14
CPC分类号： H01S5/026 , G02B6/12007 , G02B6/124 , G02B6/26 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/1032 , H01S5/1085 , H01S5/142 , H01S5/4031
摘要：　光増幅器に、リング共振器が結合する。第１及び第２の反射器で構成される光共振器の光の経路内に、リング共振器及び光増幅器が含まれる。光カプラが、光共振器内で、光増幅器からリング共振器に向かって導波する光の一部を、出力光導波路に分岐させる。
摘要翻译：环形谐振器连接到光放大器。环形谐振器和光放大器包括在由第一和第二反射器构成的光谐振器的光路中。光耦合器将光学谐振器内波导的光的一部分从光放大器分离成环形谐振器到输出光波导路径。

6. 发明申请

WO2011027580A1 ＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物晶体衬底，具有外延层的III族氮化物晶体衬底，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011027580A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/JP2010/051158
申请日：2010-01-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 石橋恵二 , 善積祐介
发明人：石橋　恵二 , 善積　祐介
IPC分类号： H01L33/16 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01S5/343
CPC分类号： C30B33/04 , B82Y20/00 , C30B29/403 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：　本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板（１）の任意の特定平行結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面（１ｓ）からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定平行結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ 1 と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ 2 とから得られる｜ｄ 1 －ｄ 2 ｜／ｄ 2 の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０ -3 以下であり、主表面（１ｓ）の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００－１）面（１ｃ）から＜１０－１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。これにより、発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法が提供される。
摘要翻译：公开了III族氮化物晶体基板（1），其特征在于，晶体基板的表面层的均匀变形为1.9×10 -3以下，均匀变形由| d1-d2 | / 当X射线的穿透深度为0.3μm时，从晶面间距d1获得的d2和当X射线的穿透深度为5μm时的晶面间距d2，其面间距是通过X射线获得的特定平行晶格面的间距衍射测量，其中满足晶体衬底的主表面（1s）的X射线的穿透深度，同时满足III族氮化物晶体衬底的任何特定平行晶格面的X射线衍射条件; 并且主表面（1s）的平面方向从10°方向的晶体基板的（0001）面或（000-1）面（1c）倾斜10° 至80°。这可以提供III族氮化物晶体衬底，具有外延层的III族氮化物晶体衬底，半导体器件及其制造方法，该方法适用于制造防止蓝色偏移的发光器件。

7. 发明申请

WO2011021139A2 A VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICE WITH ANGULAR-SELECTIVE FEEDBACK 审中-公开
标题翻译：具有选择性反馈的垂直孔表面发射激光器件
公开(公告)号：WO2011021139A2
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/IB2010/053686
申请日：2010-08-16
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH , MOENCH, Holger , GRONENBORN, Stephan
发明人： MOENCH, Holger , GRONENBORN, Stephan
IPC分类号： H01S5/14
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S3/08068 , H01S5/0287 , H01S5/1021 , H01S5/105 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S2301/18 , H01S2301/203
摘要： The present invention relates to a laser device comprising at least one large area VCSEL (101) and at least one optical feedback element (201, 301) providing an angular-selective feedback for laser radiation emitted from the laser. The angular-selective feedback is higher for at least one portion of laser radiation emitted at angles θ > 0 to the optical axis (601) of the laser than for laser radiation emitted on said optical axis (601). The invention also refers to a method of stabilizing a laser emission of a large area VCSEL in a desired angular distribution (501, 502). With the proposed device and method, the intensity distribution of a large area VCSEL can be stabilized in a desired shape, for example a ring shape.
摘要翻译：本发明涉及一种激光装置，其包括至少一个大面积VCSEL（101）和至少一个光学反馈元件（201,301），其提供从激光器发射的激光辐射的角度选择反馈。角度选择反馈对于以角度θ发射的激光辐射的至少一部分较高？ >相对于在所述光轴（601）上发射的激光辐射的光轴（601）。本发明还涉及一种稳定所需角度分布（501,502）中的大面积VCSEL的激光发射的方法。利用所提出的装置和方法，大面积VCSEL的强度分布可以稳定在期望的形状，例如环形。

8. 发明申请

WO2010005027A1 半導体レーザ装置审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2010005027A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/JP2009/062451
申请日：2009-07-08
申请人：浜岡東芝エレクトロニクス株式会社 , 遠山政樹 , 岡田眞琴 , 堀内理
发明人：遠山　政樹 , 岡田　眞琴 , 堀内　理
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/32341
摘要：　活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、非アモルファス膜を有する誘電体層と、前記誘電体層の表面及び内部の少なくともいずれかに設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种半导体激光装置，其具备包含有源层的层叠体，以及由电介质层形成的发光层，该电介质层与由所述层叠体构成的光谐振器的发光端面接触并具有非非晶膜，以及布置在所述电介质的表面或内部的导电单元层。

9. 发明申请

WO2009148360A1 ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР, ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР И ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ 审中-公开
标题翻译：二极管激光器，集成二极管激光器和整体半导体光学放大器
公开(公告)号：WO2009148360A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/RU2009/000278
申请日：2009-06-03
申请人： ШВЕЙКИН, Василий Иванович , ГЕЛОВАНИ, Виктор Арчилович , COHK, Алексей Николаевич , ЯРЕМА, Игорь Петрович
发明人： ШВЕЙКИН, Василий Иванович , ГЕЛОВАНИ, Виктор Арчилович , COHK, Алексей Николаевич , ЯРЕМА, Игорь Петрович
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/4031 , H01S2301/18
摘要： Предложены источники лазерного излучения трёх типов: диодного лазера, интегрального диодного лазера (в виде интегрально связанных диодных лазеров) и интегрального полупроводникового оптического усилителя (в виде интегрально соединённых задающего лазерного диода и полупроводникового усилительного элемента), состоящие из оригинальных оптического резонатора диодного лазера и вывода лазерного излучения. Оба отражателя в оптическом резонаторе диодного лазера, входящего в три типа указанных выше источников излучения, выполнены с обеих сторон с максимально высоким коэффициентом отражения, а вывод излучения из активного слоя осуществляется, минуя активный слой, через широкозонные полупроводниковые слои предложенной видоизменённой гетероструктуры диодного лазера с практически полностью просветлённой (менее 0,01 %) оптической гранью. Предложенное позволило создать сверхмощные, высокоэффективные, высокоскоростные и надёжные источники (трёх типов) одночастотного, одномодового и многомодового лазерного излучения высокого - качества в широком диапазоне длин волн при существенном упрощении технологии их изготовления и снижении себестоимости.
摘要翻译：本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器，一体二极管激光器（整体连接的二极管激光器形式）和集成半导体光放大器（以驱动激光二极管和半导体放大器元件的整体连接的形式）该放大器由二极管激光器的原始光学谐振器和原始激光辐射耦合器组成。属于三种类型的上述激光辐射源的二极管激光器的光学谐振器中的两个反射器在其两侧具有最大的可能的反射系数，并且从有源层的辐射耦合被执行，通过具有实际上完全抗反射（小于0.01％）的光学面的二极管激光器的本发明的改进的异质结构的宽带半导体层使有源层通过。本发明可以在宽波段范围内设计出超高功率，高性能，高速，可靠的三种单频，单模和多模高品质激光辐射源，简化了生产和切割其生产成本。

10. 发明申请

WO2009147853A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2009147853A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/JP2009/002506
申请日：2009-06-03
申请人：パナソニック株式会社 , 折田賢児 , 吉田真治
发明人：折田賢児 , 吉田真治
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要：　半導体発光素子は、互いに対向する２つの端面を有する共振器構造を含む半導体積層体（２５）と、２つの端面の少なくとも一方に形成された金属窒化物からなる第１の保護膜（２３ａ）とを有している。金属窒化物は、主成分にアルミニウム及び窒素を含み、且つイットリウム及びランタンのうちの少なくとも１つを含む。
摘要翻译：半导体发光元件具有包括具有两个彼此相对的端面的谐振器结构的半导体多层（25）和形成在两个端表面中的至少一个上的由金属氮化物构成的第一保护膜（23a）。金属氮化物在主要成分中包括铝和氮，并且包括钇和镧中的至少一种。

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