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1. 发明申请

WO2011122058A1 光半導体集積素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光学半导体集成元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011122058A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/JP2011/050326
申请日：2011-01-12
申请人：富士通株式会社 , 奥村滋一 , 江川満 , 苫米地秀一 , 植竹理人
发明人：奥村　滋一 , 江川　満 , 苫米地　秀一 , 植竹　理人
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/2081 , B82Y20/00 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34306
摘要：　光半導体集積素子の信頼性及び性能の向上を図る。　光半導体集積素子（１）は、基板（３０）の（００１）面上方に形成された第１光半導体素子（１０）と、基板（３０）の（００１）面上方で、第１光半導体素子（１０）の［１１０］方向に、第１光半導体素子（１０）と光学的に接続されて形成された第２光半導体素子（２０）とを含む。第１光半導体素子（１０）は、第１コア層（１１）と、第１コア層（１１）上方に形成され、第２光半導体素子（２０）側の側面に、（００１）面となす角度θが５５°以上９０°以下の結晶面を有する第１クラッド層（１２）とを含む。
摘要翻译：为了提高光半导体集成元件的可靠性和性能，所公开的光半导体集成元件（1）包括：形成在基板（30）的（001）表面上方的第一光半导体元件（10）以及与所述第一光半导体元件（10）在所述基板（001）的所述（001）表面上方并且在所述第一光半导体元件（10）的[110]方向上光学连接的第二光半导体元件（20）。第一光学半导体元件（10）包括：第一芯层（11）; 以及形成在所述第一芯层（11）的上方并且具有与（001）面形成的角度（θ）在所述（001）面形成的角度（θ）为55°〜90°的平面的第一包覆层通过第二光学半导体元件（20）。

2. 发明申请

WO2011072964A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：WO2011072964A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/067402
申请日：2010-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , DINI, Dimitri , SCHILLGALIES, Marc
发明人： DINI, Dimitri , SCHILLGALIES, Marc
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/323 , H01S5/042 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0201 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S2304/12
摘要： Es wird ein Halbleiterlaser (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) und einen stegförmigen Bereich (3) aufweist. Der stegförmige Bereich weist eine entlang einer Emissionsrichtung verlaufende Längsachse (30) auf, welche bezüglich einer in Emissionsrichtung verlaufenden Mittelachse (25) des Halbleiterkörpers in Querrichtung versetzt angeordnet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers angegeben.
摘要翻译：公开的是半导体激光器（1），包括一个半导体主体（2），其具有用于产生辐射有源区（20）和一个脊形部分（3）。幅状部具有沿其布置成相对于在横向方向上在所述半导体主体的发射方向中心轴线（25）延伸的平面偏移发射（30）的纵向轴线方向延伸的轴。此外，被指示用于制造半导体激光器的方法。

3. 发明申请

WO2011068008A1 ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子、及びＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光元件及其制造方法III族氮化物半导体激光元件
公开(公告)号：WO2011068008A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/JP2010/069617
申请日：2010-11-04
申请人：住友電気工業株式会社 , 高木慎平 , 善積祐介 , 片山浩二 , 上野昌紀 , 池上隆俊
发明人：高木　慎平 , 善積　祐介 , 片山　浩二 , 上野　昌紀 , 池上　隆俊
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202
摘要：　六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のアノード側にある第１の面１３ａの四つの角のそれぞれに、切欠部１１３ａ等の切欠部が形成されている。切欠部１１３ａ等は、素子１１を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。スクライブ溝はレーザスクライバで形成され、スクライブ溝の形状はレーザスクライバを制御することによって調整される。例えば、切欠部１１３ａ等の深さとＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の厚みとの比は０．０５以上０．４以下、切欠部１１３ａの端部における側壁面の傾きは４５度以上８５度以下、切欠部１１３ｂの端部における側壁面の傾きは１０度以上３０度以下。
摘要翻译：公开了在六方晶III族氮化物的半极性表面上提供能够具有低阈值电流的激光振荡器的III族氮化物半导体元件和用于稳定制造所述III族氮化物半导体激光元件的方法。在阳极侧的III族氮化物半导体激光元件（11）的第一表面（13a）的四个角的每一个上形成有切割片（113a等）。切口段（113a等）是划分为元件（11）的划线槽的一部分。划线槽由激光刻划机形成，通过控制激光刻划机来调节划线槽的形状。例如，切口（113a等）的深度与III族氮化物半导体激光元件（11）的厚度之间的比例为0.05〜0.4，包括端面在切口边缘的倾斜角（ 113a）为45度至85度，并且切口（113b）的边缘上的侧壁表面的倾斜角为10度至30度（包括端面）。

4. 发明申请

WO2010067500A1 半導体レーザ装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010067500A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2009/005359
申请日：2009-10-14
申请人：パナソニック株式会社 , 左文字克哉 , 川口真生 , 春日井秀紀
发明人：左文字克哉 , 川口真生 , 春日井秀紀
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/164 , H01S5/2201 , H01S5/3403 , H01S5/34333
摘要：　半導体レーザ装置は、基板の所定の領域の上を除いて基板の上に選択的に成長した半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、活性層１４を含み、光を出射する前方端面２０Ａと交差する方向に延びるストライプ状の光導波路を有している。活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。光導波路は、異常成長部１４ａと間隔をおき且つ前方端面２０Ａにおいて禁制帯幅増大部１４ｂを含むように形成されている。
摘要翻译：半导体激光装置设置有半导体层叠体（20），该半导体层层叠体在基板的规定区域以外选择性地生长在基板上。半导体层层叠体（20）具有活性层（14），并且具有在与从其输出光的前端面（20A）相交的方向上延伸的条状光波导。活性层（14）具有形成在规定区域的周边部分上的异常生长部分（14a）和形成在异常生长部分（14a）的圆周上的禁带宽度增加部分（14b），并且具有与活性层（14）的其它部分相比，除了异常生长部分（14a）之外，具有较大的禁带宽度。光波导通过与异常生长部分（14a）间隔开形成，以在前端表面（20A）上包括禁带宽度增加部分（14b）。

5. 发明申请

WO2008099751A1 III族窒化物半導体発光素子审中-公开
标题翻译： III硝基半导体发光元件
公开(公告)号：WO2008099751A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/JP2008/052028
申请日：2008-02-07
申请人：ローム株式会社 , 太田裕朗 , 岡本國美
发明人：太田裕朗 , 岡本國美
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/2201
摘要：　この半導体レーザは、非極性面または半極性面を結晶成長主面としたIII族窒化物半導体からなる、少なくともｎ型層、発光層、およびｐ型層を有する半導体積層構造を備えている。レーザ出射端面は、ｃ面またはａ面から構成された劈開面である。より具体的には、前記半導体レーザは共振器を備えており、前記共振器は、前記レーザ出射端面と、このレーザ出射端面に対向し、当該レーザ出射端面と同じ面方位の端面とを一対の共振器端面として含む。
摘要翻译：半导体激光器设置有半导体多层结构，其由具有非极性面或半极性面的III族氮化物半导体作为晶体生长主面构成，并且具有至少n型层，发光层和p 型层。激光发射端面是由c面或a面组成的解理面。更具体地，半导体激光器设置有谐振器，并且谐振器包括激光发射端面和面向与激光发射端面相同的平面取向的激光发射端面的端平面，作为一对谐振器端面。

6. 发明申请

WO2008093573A1 半導体レーザ审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：WO2008093573A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/JP2008/050850
申请日：2008-01-23
申请人：ローム株式会社 , 岡本國美 , 太田裕朗
发明人：岡本國美 , 太田裕朗
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2201
摘要：　この半導体レーザは、ｃ面以外の結晶面を結晶成長主面とした六方晶構造のIII族窒化物半導体からなるファブリペロー型半導体レーザである。この半導体レーザは、ｃ軸と交差する平面に平行な＋ｃ軸側端面および－ｃ軸側端面を有し、＋ｃ軸側端面からのレーザ出力が、－ｃ軸側端面からのレーザ出力よりも大きくなるようにして、前記＋ｃ軸側端面をレーザ出射端面としてある。ｃ軸の前記結晶成長主面への投影ベクトルに平行に導波路が形成されていることが好ましい。また、前記結晶成長主面がｍ面であることが好ましい。さらに、前記＋ｃ軸側端面が＋ｃ面であり、前記－ｃ軸側端面が－ｃ面であることが好ましい。
摘要翻译：由六边形结构的III族氮化物半导体构成的法布里 - 珀罗型半导体激光器，其中除了c面以外的晶体面允许为晶体生长主面。半导体激光器具有+ c轴侧端面和-c轴侧端面与与c轴相交的平面平行。从+ c轴侧端面的激光输出设定为大于从-c轴侧端面的激光输出，+ c轴侧端面作为激光出射端面。波导优选与投影矢量平行地形成在c轴的晶体生长主面上。晶体生长主面优选为m面。此外，+ c轴侧端面优选为+ c面，-c轴侧端面优选为-c面。

7. 发明申请

WO2008073384A1 NON-POLAR AND SEMI-POLAR LIGHT EMITTING DEVICES 审中-公开
标题翻译：非极性和半极性发光器件
公开(公告)号：WO2008073384A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/US2007/025248
申请日：2007-12-11
申请人： THE REGENTS OF UNIVERSITY OF CALIFORNIA , JAPAN SCIENCE AND TECHLOLOGY AGENCY , DENBAARS, Steven, P. , SCHMIDT, Mathew, C. , KIM, Kwang, C. , SPECK, James, S. , NAKAMURA, Shuji
发明人： DENBAARS, Steven, P. , SCHMIDT, Mathew, C. , KIM, Kwang, C. , SPECK, James, S. , NAKAMURA, Shuji
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3404 , H01S5/34333
摘要： An (Al, Ga, In)N light emitting device, such as a light emitting diode (LED), in which high light generation efficiency is realized by fabricating the device on non- polar or semi-polar Ill-Nitride crystal geometries. Because non-polar and semi-polar emitting devices have significantly lower piezoelectric effects than c-plane emitting devices, higher efficiency emitting devices at higher current densities can be realized.
摘要翻译：一种（Al，Ga，In）N发光器件，例如发光二极管（LED），其中通过以非极性或半极性的氮化铟晶体几何形状制造器件来实现高发光效率。因为非极性和半极性发射器件具有比c面发射器件显着更低的压电效应，所以可以实现在更高电流密度下的更高效率的发射器件。

8. 发明申请

WO2006126414A1 窒化物半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造氮化物半导体发光元件的方法
公开(公告)号：WO2006126414A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/309680
申请日：2006-05-15
申请人：三洋電機株式会社 , 鳥取三洋電機株式会社 , 紺谷克徳
发明人：紺谷克徳
IPC分类号： H01S5/02 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/2231
摘要：　本発明のIII－Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法は、高密度転位部２２が低転位領域と交互に繰り返し配置されたIII－Ｖ族窒化物系化合物半導体基板上に、ストライプ状の発光領域が前記高密度転位部２２の延在方向と平行方向になるように低転位領域に発光素子領域２１を形成し、次いで、素子領域２１が形成された面２４とは反対側の面２５に前記高密度転位部２２を挟むように２本のスクライブライン２３を入れた後にブレイクすることにより、チップ分割と高密度転位部２３の除去を行うことを特徴とする。このとき前記２本のスクライブラインのピッチを１００μｍ以上とするとよい。これにより、外形に欠け等を生じさせること無く、且つ確実に高密度転位部を除去することができ、ジャンクションダウン実装・フリップチップ実装を行うことが可能なIII－Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
摘要翻译：在III-V族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法中，在III-V族氮化物半导体基板上的低位错区域形成发光元件区域（21），其中高密度位错部分（22）和低位错区域重复地交替布置，使得条状发光区域与高密度位错部分（22）延伸的方向平行，然后在使两条划线（23）具有高的位置之后基板被破坏位于与形成有元件区域（21）的平面（24）相反的一侧的平面（25）之间的密度位错部分（22）。因此，芯片被分离，并且可以去除高密度位错部分（22）。两个划线的间距优选为100μm以上。因此，可以进行用于制造可以可靠地去除高密度位错部分而不会产生外形和连接下降安装/倒装芯片安装中的切屑等的III-V族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法。

9. 发明申请

WO2004032292A2 HIGH PERFORMANCE VERTICALLY EMITTING LASERS 审中-公开
标题翻译：高性能垂直发射激光器
公开(公告)号：WO2004032292A2
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/US2003/030905
申请日：2003-09-29
申请人： QUINTESSENCE PHOTONICS CORPORATION
发明人： UNGAR, Jeffrey, E.
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18 , H01S5/1085 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/2201 , H01S5/3202
摘要： A semiconductor laser that has a reflective surface. The reflective surface redirects the light of an edge emitting laser diode to emit from the top or bottom surface of the diode. The laser may include a gain layer and a feedback layer located within a semiconductive die. The gain and feedback layers generate a laser beam that travels parallel to the surface of the die. The reflective surface reflects the laser beam 90 degrees so that the beam emits the die from the top or bottom surface. The reflective surface can be formed by etching a vicinally oriented III-V semiconductive die so that the reflective surface extends along a (111)A crystalline plane of the die.
摘要翻译：
具有反射表面的半导体激光器。反射表面重定向边缘发射激光二极管的光以从二极管的顶部或底部表面发射。激光器可以包括位于半导体管芯内的增益层和反馈层。增益层和反馈层产生平行于芯片表面传播的激光束。反射表面将激光束反射90度，使得光束从顶部或底部表面发射出模具。反射表面可以通过蚀刻邻近取向的III-V半导体管芯来形成，使得反射表面沿着管芯的（111）A晶面延伸。

10. 发明申请

WO2003071642A1 半導体発光装置およびそれを用いた光ディスク装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件和光盘使用它的光盘单元
公开(公告)号：WO2003071642A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001833
申请日：2003-02-20
申请人：ソニー株式会社 , 阿部博明 , 我妻新一 , 星望 , 鈴木洋一
发明人：阿部博明 , 我妻新一 , 星望 , 鈴木洋一
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/026 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4056 , H01S5/4087
摘要： An AlGaInP laser element (24) and an AlGaAs laser element (26) are disposed so that their respective stripes (28, 30) are parallel to each other. The AlGaInP laser element (24) is disposed on the (011) plane (22b) side of the substrate center line, and the AlGaAs laser element (26) on the (011) plane (22a) side of the substrate center line as viewed from the main emission plane (011) (22c) side of a laser beam. The substrate (22) is an off-substrate, and is tilted from the (011) plane (22a) toward the (011) plane (22b) at an angle (thetaoff) of at least 2 degrees and up to 15 degrees with respect to the (100) plane. The optical axis L1 of the AlGaInP laser element (24) is in parallel to the optical axis L2 of the AlGaAs laser element (26), or approaches the latter at an angle of about 0.5 degrees.
摘要翻译：设置AlGaInP激光元件（24）和AlGaAs激光元件（26），使得它们各自的条纹（28,30）彼此平行。 AlGaInP激光元件（24）设置在基板中心线的（011）面（22b）侧，并且如图所示在基板中心线的（011）面（22a）侧上的AlGaAs激光元件（26）从激光束的主发射面（011）（22c）侧。衬底（22）是偏离衬底，并且以（011）平面（22a）朝向（011）平面（22b）以与至少2度的角度（θoff）和至多15度的角度相对地倾斜到（100）飞机。 AlGaInP激光元件（24）的光轴L1与AlGaAs激光元件（26）的光轴L2平行，或者以约0.5度的角度接近。

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