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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR MODULATION EINES LASERS UND MODULIERBARER LASER
    • 方法调制激光器和激光模块化
    • WO2017012991A1
    • 2017-01-26
    • PCT/EP2016/066796
    • 2016-07-14
    • JENOPTIK LASER GMBH
    • LEITNER, Martin
    • H01S5/00G02F1/355H01S5/026H01S5/10
    • H01S5/0092G02F1/3558G02F2001/3546H01S5/0064H01S5/0085H01S5/0265H01S5/1014
    • Die Erfindung betrifft die Modulation von Laserstrahlung, die durch Frequenzvervielfachung aus Diodenlaserstrahlung erzeugt wird. Zur Frequenzvervielfachung wird ein periodisch gepolter Kristall (9) eingesetzt, der quasiphasenangepasst betrieben wird. Der periodisch gepolte Kristall wird mit einem elektrischen oder magnetischen Feld (15) beaufschlagt, welches die Quasiphasenanpassung stört. Durch die Modulation einer Kenngröße des Feldes, beispielsweise Feldstärke oder Amplitude, wird die Ausgangsstrahlung moduliert. Die Laserdiode (4) kann aus einem erzeugenden Bereich (5) und einem integrierten Verstärker mit trapezförmigen Wellenleiter (6) bestehen und kann im Dauerstrichbetrieb betrieben werden. Ein optisches Element (7) zur Strahlformung und ein optischer Isolator (8) können sich zwischen Laserdiode (4) und dem periodisch gepolten Kristall (9) befinden. Die frequenzkonvertierte und die Laserstrahlung können über einen dichroitischen Spiegel (14) getrennt werden.
    • 本发明涉及的激光辐射,其通过二极管激光器的辐射的倍频生成的调制。 用于倍频是周期性极化的晶体(9)被使用,其被操作的准相位匹配。 周期性极化晶体经受电场或磁场(15),其与所述准相位匹配干涉。 由场的参数的调制,例如,电场强度或幅度,输出辐射被调制。 的激光二极管(4)可以由生成部(5)和与梯形波导(6)集成放大器制成,并且可以以连续波模式操作。 光束成形光学元件(7)和一个光隔离器(8)可以是激光二极管(4)和位于所述周期性极化晶体(9)之间。 经频率转换和激光辐射可通过一个二向色镜(14)被分离。
    • 6. 发明申请
    • 集積型半導体レーザ素子
    • 集成电路型半导体激光元件
    • WO2013069483A1
    • 2013-05-16
    • PCT/JP2012/077777
    • 2012-10-26
    • 古河電気工業株式会社木本 竜也小林 剛向原 智一
    • 木本 竜也小林 剛向原 智一
    • H01S5/026H01S5/12H01S5/227H01S5/343
    • H01S5/4087B82Y20/00H01S5/026H01S5/0265H01S5/1039H01S5/12H01S5/2222H01S5/227H01S5/34306H01S5/50
    •  互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をN、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれLdfb、Δν0とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれLsoa、A、Δνとし、Δν/Δν0をRとすると、所定の関係式が成り立つ。
    • 集成电路型半导体激光元件以集成形式组合:半导体激光器以单一模式以相互不同的振荡波长振荡; 多个分布式反馈光耦合装置,分别输入从所述多个半导体激光器输出并且具有与这些半导体激光器相同数量的输入端口并且能够合并和输出其输出光束的光束; 以及放大来自所述光耦合器件的输出光的半导体光放大器。 如果这些半导体激光器的数量为N,则半导体激光器的振荡器长度和输出的激光束的谱线宽度分别为Ldfb,Deltanu0,半导体放大器的放大器长度和放大率以及光谱线宽度 放大输出激光束分别为Lsoa,A,Deltanu,Deltanu / Deltanu0为R,它们之间存在规定的关系。
    • 8. 发明申请
    • FAST WAVELENGTH SWITCHING
    • 快速波长切换
    • WO2012042249A1
    • 2012-04-05
    • PCT/GB2011/051812
    • 2011-09-26
    • OCLARO TECHNOLOGY LIMITEDWHITBREAD, Neil, DavidCARTER, Andrew, Cannon
    • WHITBREAD, Neil, DavidCARTER, Andrew, Cannon
    • H01S5/026H01S5/0625H01S5/40H01S5/06H01S5/00H01S5/042
    • H01S3/13H01S5/0085H01S5/026H01S5/0265H01S5/042H01S5/0612H01S5/06256H01S5/1209H01S5/4012H01S5/4031H04J14/02
    • There is described a laser assembly for providing light at a switchable output wavelength. The assembly comprises first and second tuneable lasers (101, 201), each configurable to emit light at a laser wavelength chosen from a range of wavelengths. Light is transmitted from the first laser while the second laser is retuned to change the chosen laser wavelength thereof. Each laser comprises one or more thermally sensitive control components for controlling the operation of the laser and an additional component electrode (104, 204) located adjacent to at least one of the one or more control components (103, 203). The laser is configured so that the sum of electrical currents supplied to each control component (103, 203) and its corresponding additional component (104, 204) remains substantially constant in use. Switching from one laser to the other may be realized by monolithically integrated SOA (108, 208) with adjacent dummy SOA (109, 209) to keep the thermal load of the assembly constant and to prevent a thermal drift after wavelength switching.
    • 描述了用于以可切换输出波长提供光的激光组件。 该组件包括第一和第二可调谐激光器(101,201),每个可调激光器可配置成以从波长范围选择的激光波长发射光。 光从第一激光器传输,而第二激光器被重新调整以改变其选择的激光波长。 每个激光器包括用于控制激光器的操作的一个或多个热敏感控制部件和与一个或多个控制部件(103,203)中的至少一个相邻定位的附加部件电极(104,204)。 激光器被配置为使得提供给每个控制部件(103,203)及其对应的附加部件(104,204)的电流的总和在使用中保持基本恒定。 从一个激光器切换到另一个激光器可以通过具有相邻虚拟SOA(109,209)的单片集成SOA(108,208)来实现,以保持组件的热负载恒定并且防止波长切换之后的热漂移。
    • 10. 发明申请
    • METHOD FOR IMPROVEMENT OF BEAM QUALITY AND WAVELENGTH STABILIZED OPERATION OF A SEMICONDUCTOR DIODE LASER WITH AN EXTENDED WAVEGUIDE
    • 具有扩展波长的半导体二极管激光器的光束质量和波长稳定运行的改进方法
    • WO2010060998A3
    • 2010-09-30
    • PCT/EP2009066005
    • 2009-11-27
    • PBC LASERS GMBHSHCHUKIN VITALYLEDENTSOV NIKOLAI
    • SHCHUKIN VITALYLEDENTSOV NIKOLAI
    • H01S5/10H01S5/02H01S5/14H01S5/20H01S5/22
    • H01S5/1021H01S5/0265H01S5/028H01S5/1017H01S5/1032H01S5/1082H01S5/14H01S5/16H01S5/2004H01S5/2027H01S5/2036H01S5/22H01S5/3213H01S2301/08
    • A method for improving the functionality of a semiconductor diode laser having an extended vertical waveguide, wherein the active medium is located closer to the top cladding layer of the waveguide. The vertical optical modes of the laser include at least one vertical optical mode extended over the entire extended vertical waveguide and at least one vertical optical mode localized at the active medium. The goal of using a laser with an extended vertical waveguide is to obtain lasing in narrow beams with high brightness and/or wavelength stabilized lasing. In both cases lasing in a localized mode is highly undesirable due to the resulting reduced brightness of the device and disadvantages related to the catastrophic optical damage of the mirrors of the facet for the localized mode and needs to be suppressed. Several methods of configuring the tilted wave laser in the longitudinal direction are disclosed. In one embodiment the resonator length (in the longitudinal direction) is specifically selected to be equal to the length of the return path of the tilted wave multiplied by a rational number such that the tilted wave in the extended vertical waveguide forms a closed loop. In this embodiment, the lasing from the narrow waveguide, in which the active medium is located, is suppressed.
    • 一种用于改善具有扩展垂直波导的半导体二极管激光器的功能的方法,其中有源介质位于更靠近波导的顶部包层的位置。 激光器的垂直光学模式包括在整个扩展垂直波导上延伸的至少一个垂直光学模式和位于活动介质的至少一个垂直光学模式。 使用具有扩展垂直波导的激光器的目标是在具有高亮度和/或波长稳定的激光的窄光束中获得激光。 在两种情况下,由于器件的亮度降低和与局部模式的面的反射镜的灾难性光学损伤有关的缺点,并且需要被抑制,因此局部模式的激光是非常不期望的。 公开了在纵向上配置倾斜波激光器的几种方法。 在一个实施例中,谐振器长度(沿纵向方向)被特别选择为等于倾斜波的返回路径的长度乘以有理数,使得延伸的垂直波导中的倾斜波形成闭环。 在本实施例中,抑制了活性介质所在的窄波导的激光。