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1. 发明申请

WO2013084807A1 半導体レーザ素子の製造方法、及び、半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：制造半导体激光元件的方法和半导体激光元件
公开(公告)号：WO2013084807A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/JP2012/081051
申请日：2012-11-30
申请人：ソニー株式会社 , 住友電気工業株式会社
发明人：濱口　達史 , 高木　慎平
IPC分类号： H01S5/02 , H01L21/301 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3013 , H01L33/0062 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/04
摘要：　本開示の一実施の形態の半導体レーザ素子（１００）の製造方法では、半極性面（１ａ）を有する六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体基板（１）上に発光層（１４）を含むエピタキシャル層（２）が形成された生産基板（１１０）の表面に、割断ガイド溝（１０４）を形成する。この際、半導体レーザ素子（１００）の共振器端面（１０２，１０３）側のスクライブライン（ＢＬ１）上でかつ前記半導体レーザ素子（１００）の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、前記スクライブライン（ＢＬ１）に沿って延在しかつ断面形状がＶ字状である前記割断ガイド溝（１０４）を形成する。そして、前記割断ガイド溝（１０４）が形成された生産基板（１１０）を、前記スクライブライン（ＢＬ１）に沿って割断する。
摘要翻译：根据该半导体激光元件（100）的制造方法，在包含发光层（14）的外延层（2）的制造基板（110）的表面上形成有分割引导槽（104）形成在具有半极性表面（1a）的六方晶III族氮化物半导体衬底（1）上。沿着半导体激光元件（100）的朝向振荡器端面（102,103）的一侧的划线（BL1）延伸并且具有V形横截面的分割引导槽（104）是形成在划线（BL1）上的部分区域中，并且包括半导体激光元件（100）的至少一个拐角。其上形成有分割引导槽（104）的制造基板（110）沿着划线（BL1）分开。

2. 发明申请

WO2013031283A1 III族窒化物半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：第III族氮化物半导体激光器件
公开(公告)号：WO2013031283A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/060166
申请日：2012-04-13
申请人：住友電気工業株式会社 , ソニー株式会社 , 住友隆道 , 京野孝史 , 上野昌紀 , 善積祐介 , 塩谷陽平 , 足立真寛 , 高木慎平 , 簗嶋克典
发明人：住友　隆道 , 京野　孝史 , 上野　昌紀 , 善積　祐介 , 塩谷　陽平 , 足立　真寛 , 高木　慎平 , 簗嶋　克典
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333
摘要：ＣＯＤによる動作不良を低減できると共に放熱能力の低下も縮小できる構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ－ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ－ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。割断面２７、２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面等のへき開面とは異なる。半導体領域１９は、導波路ベクトルＬＧＶの方向に延在する第１～第３領域１９ｂ～１９ｄを含む。絶縁膜３１の開口３１ａは半導体領域１９の第３領域１９ｄのリッジ構造上に位置する。電極１５では、パッド電極１８の第１～第３電極部１８ｂ～１８ｄは、半導体領域１９の第１～第３領域１９ｂ～１９ｄ上にそれぞれ設けられている。第１電極部１８ｂは、割断面２７の縁に到達するアーム部１８ｂ＿ＡＲＭ１を有する。
摘要翻译：提供具有能够减少归因于COD的功能并减轻散热能力下降的结构的III族氮化物半导体激光器件。要成为激光谐振器的第一和第二横截面（27,29）与m-n平面相交。 III族氮化物半导体激光器件（11）具有在m-n平面和半极性面（17a）之间的交叉方向上延伸的激光波导。横截面（27,29）不同于诸如c平面，m平面和a平面的解理面。半导体区域（19）包括在波导矢量（LGV）的方向上延伸的第一至第三区域（19b-19d）。绝缘膜（31）的孔（31a）位于半导体区域（19）的第三区域（19d）的脊结构的上方。在电极（15）上，分别在半导体区域（19）的第一至第三区域（19b-19d）的上方设置焊盘电极（18）的第一至第三电极部分（18b-18d）。第一电极部分18b具有到达截面边缘的臂部分（18b_ARM1）。

3. 发明申请

WO2013002389A1 ＩＩＩ族窒化物半導体素子、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：第III类氮化物半导体元件和制造III类氮化物半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2013002389A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/JP2012/066769
申请日：2012-06-29
申请人：住友電気工業株式会社 , ソニー株式会社 , 塩谷陽平 , 善積祐介 , 京野孝史 , 住友隆道 , 上野昌紀 , 簗嶋克典 , 田才邦彦 , 中島博
发明人：塩谷　陽平 , 善積　祐介 , 京野　孝史 , 住友　隆道 , 上野　昌紀 , 簗嶋　克典 , 田才　邦彦 , 中島　博
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。
摘要翻译：提供：III族氮化物半导体元件，其具有接触电阻较低且载流子浓度相对较高的p型接触层，而不会劣化结晶度; 以及制造III族氮化物半导体元件的方法。该III族氮化物半导体元件设置有：设置在发光层（17）上的接触层（25a）; 接触层（25b），其设置在所述接触层（25a）上并与所述接触层（25a）直接接触; 以及设置在接触层（25b）上并与接触层（25b）直接接触的电极（37）。接触层（25a）和接触层（25b）由相同的p型氮化镓半导体形成; 接触层（25a）的p型掺杂剂浓度低于接触层（25b）的p型掺杂剂浓度。接触层（25a）和接触层（25b）之间的界面（J1）从垂直于参考轴线（Cx）的平面（Sc）以50°以上且小于130°的角度倾斜，其沿c轴延伸; 接触层（25b）的膜厚为20nm以下。

4. 发明申请

WO2011086854A1 ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子、及びＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法审中-公开
标题翻译：第III组元素氮化物半导体激光器元件及其制造方法III族元素氮化物半导体激光元件
公开(公告)号：WO2011086854A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/JP2010/073723
申请日：2010-12-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 善積祐介 , 高木慎平 , 塩谷陽平 , 京野孝史 , 足立真寛 , 上野昌紀 , 住友隆道 , 徳山慎司 , 片山浩二 , 中村孝夫 , 池上隆俊
发明人：善積　祐介 , 高木　慎平 , 塩谷　陽平 , 京野　孝史 , 足立　真寛 , 上野　昌紀 , 住友　隆道 , 徳山　慎司 , 片山　浩二 , 中村　孝夫 , 池上　隆俊
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/3202 , H01S2301/14
摘要：　六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、高い発振歩留まりのレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ－ｎ面に交差する。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ－ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。
摘要翻译：提供了一种III族元素氮化物半导体激光元件，其具有在支撑基体的半极性面上具有高振荡产率的激光谐振器，该支撑基体具有在m轴方向上倾斜的六方晶系III族元素氮化物的c轴。要成为激光谐振器的第一和第二分割横截面（27,29）与m-n面相交。 III族元素氮化物半导体激光元件（11）具有在m-n面和半极性面（17a）的交叉方向上延伸的激光引导路径。因此，可以利用能够实现低阈值电流的带状转变的发光。在激光结构（13）中，第一面（13a）是在第二面（13b）的相对侧的面。第一和第二分割横截面（27,29）从第一面（13a）的边缘（13c）延伸到第二面（13b）的边缘（13d）。第一和第二分割的横截面（27,29）不是通过干蚀刻形成的，并且不同于诸如c面，m面或者面的常规解理面。

5. 发明申请

WO2011077852A1 III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光元件及其制造III族氮化物半导体激光器元件的方法
公开(公告)号：WO2011077852A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/070214
申请日：2010-11-12
申请人：住友電気工業株式会社 , 高木慎平 , 善積祐介 , 片山浩二 , 上野昌紀 , 池上隆俊
发明人：高木　慎平 , 善積　祐介 , 片山　浩二 , 上野　昌紀 , 池上　隆俊
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
摘要：六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。レーザ共振器となる割断面２７、２９が、ｍ－ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ－ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、支持基体裏面にスクライブ跡を有し、エピ面からの押圧により形成される。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。
摘要翻译：公开了一种III族氮化物半导体激光元件，其中表现出谐振器镜所需的高质量的促进低阈值电流的激光谐振器设置在支撑衬底的半极性表面上，其中六方晶III族氮化物的c轴倾斜在m轴方向。构成激光谐振器的断裂面（27,29）与平面m-n相交。 III族氮化物半导体激光元件（11）包括在与平面mn和半极性面（17a）的交叉方向上延伸的激光波导，允许使用促进低阈值电流。断裂面（27,29）从第一面（13a）的边缘（13c）延伸到第二面（13b）的边缘（13d）。断裂面（27,29）还包括在支撑基板的后表面上的划线，通过经由外延面施加的压力形成断裂面（27,29）。断裂面（27,29）不是通过干蚀刻形成的，不同于以前的切割平面如c，m或平面。

6. 发明申请

WO2011068008A1 ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子、及びＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光元件及其制造方法III族氮化物半导体激光元件
公开(公告)号：WO2011068008A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/JP2010/069617
申请日：2010-11-04
申请人：住友電気工業株式会社 , 高木慎平 , 善積祐介 , 片山浩二 , 上野昌紀 , 池上隆俊
发明人：高木　慎平 , 善積　祐介 , 片山　浩二 , 上野　昌紀 , 池上　隆俊
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202
摘要：　六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のアノード側にある第１の面１３ａの四つの角のそれぞれに、切欠部１１３ａ等の切欠部が形成されている。切欠部１１３ａ等は、素子１１を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。スクライブ溝はレーザスクライバで形成され、スクライブ溝の形状はレーザスクライバを制御することによって調整される。例えば、切欠部１１３ａ等の深さとＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の厚みとの比は０．０５以上０．４以下、切欠部１１３ａの端部における側壁面の傾きは４５度以上８５度以下、切欠部１１３ｂの端部における側壁面の傾きは１０度以上３０度以下。
摘要翻译：公开了在六方晶III族氮化物的半极性表面上提供能够具有低阈值电流的激光振荡器的III族氮化物半导体元件和用于稳定制造所述III族氮化物半导体激光元件的方法。在阳极侧的III族氮化物半导体激光元件（11）的第一表面（13a）的四个角的每一个上形成有切割片（113a等）。切口段（113a等）是划分为元件（11）的划线槽的一部分。划线槽由激光刻划机形成，通过控制激光刻划机来调节划线槽的形状。例如，切口（113a等）的深度与III族氮化物半导体激光元件（11）的厚度之间的比例为0.05〜0.4，包括端面在切口边缘的倾斜角（ 113a）为45度至85度，并且切口（113b）的边缘上的侧壁表面的倾斜角为10度至30度（包括端面）。

7. 发明申请

WO2011040486A1 III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法审中-公开
标题翻译： III类氮化物半导体激光元件及其制备III族氮化物半导体激光元件的方法
公开(公告)号：WO2011040486A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/JP2010/066985
申请日：2010-09-29
申请人：住友電気工業株式会社 , 善積祐介 , 塩谷陽平 , 京野孝史 , 足立真寛 , 徳山慎司 , 住友隆道 , 上野昌紀 , 池上隆俊 , 片山浩二 , 中村孝夫
发明人：善積　祐介 , 塩谷　陽平 , 京野　孝史 , 足立　真寛 , 徳山　慎司 , 住友　隆道 , 上野　昌紀 , 池上　隆俊 , 片山　浩二 , 中村　孝夫
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
摘要：素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ－ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ－ｎ面（又はａ－ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ－側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。
摘要翻译：公开了具有长寿命的III族氮化物半导体激光元件。 III族氮化物半导体激光元件（11）设置有沿着m-n平面和半极性表面（17a）的交线的方向延伸的激光波导。形成激光谐振器的第一和第二端面（26,28）设置在激光波导的两端。第一和第二端面（26,28）与m-n平面（或a-n平面）相交。 c +轴向量与波导矢量（WV）形成锐角。波导矢量（WV）对应于从第二端面（28）到第一端面（26）的方向。第二端面（28）上的第二多层电介质膜（C-side）（43b）的厚度比第一端面（26）上的第一多层电介质膜（C +侧）（43a）的厚度薄，。

8. 发明申请

WO2010067500A1 半導体レーザ装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010067500A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2009/005359
申请日：2009-10-14
申请人：パナソニック株式会社 , 左文字克哉 , 川口真生 , 春日井秀紀
发明人：左文字克哉 , 川口真生 , 春日井秀紀
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/164 , H01S5/2201 , H01S5/3403 , H01S5/34333
摘要：　半導体レーザ装置は、基板の所定の領域の上を除いて基板の上に選択的に成長した半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、活性層１４を含み、光を出射する前方端面２０Ａと交差する方向に延びるストライプ状の光導波路を有している。活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。光導波路は、異常成長部１４ａと間隔をおき且つ前方端面２０Ａにおいて禁制帯幅増大部１４ｂを含むように形成されている。
摘要翻译：半导体激光装置设置有半导体层叠体（20），该半导体层层叠体在基板的规定区域以外选择性地生长在基板上。半导体层层叠体（20）具有活性层（14），并且具有在与从其输出光的前端面（20A）相交的方向上延伸的条状光波导。活性层（14）具有形成在规定区域的周边部分上的异常生长部分（14a）和形成在异常生长部分（14a）的圆周上的禁带宽度增加部分（14b），并且具有与活性层（14）的其它部分相比，除了异常生长部分（14a）之外，具有较大的禁带宽度。光波导通过与异常生长部分（14a）间隔开形成，以在前端表面（20A）上包括禁带宽度增加部分（14b）。

9. 发明申请

WO2010058805A1 MANUFACTURING METHOD, SURFACE-EMITTING LASER DEVICE, SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNER, AND IMAGE FORMING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：制造方法，表面发射激光器件，表面发射激光阵列，光学扫描仪和图像形成装置
公开(公告)号：WO2010058805A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/JP2009/069596
申请日：2009-11-12
申请人： RICOH COMPANY, LTD. , SHOUJI, Hiroyoshi , SATO, Shunichi , ISHII, Toshihiro , MAKITA, Kengo , HAYASHI, Masahiro , SASAKI, Toshihide , ITOH, Akihiro
发明人： SHOUJI, Hiroyoshi , SATO, Shunichi , ISHII, Toshihiro , MAKITA, Kengo , HAYASHI, Masahiro , SASAKI, Toshihide , ITOH, Akihiro
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/0202 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/173 , H01S2301/176
摘要： A manufacturing method for manufacturing a surface-emitting laser device includes the steps of forming a laminated body in which a lower reflecting mirror, a resonator structure including an active layer, and an upper reflecting layer having a selective oxidized layer are laminated on a substrate; etching the laminated body to form a mesa structure having the selective oxidized layer exposed at side surfaces thereof; selectively oxidizing the selective oxidized layer from the side surfaces of the mesa structure to form a constriction structure in which a current passing region is surrounded by an oxide; forming a separating groove at a position away from the mesa structure; passivating an outermost front surface of at least a part of the laminated body exposed when the separating groove is formed; and coating a passivated part with a dielectric body.
摘要翻译：制造表面发射激光器件的制造方法包括以下步骤：在基板上层叠下反射镜，包括有源层的谐振器结构和具有选择性氧化层的上反射层的层叠体; 蚀刻层叠体以形成在其侧表面露出的选择性氧化层的台面结构; 从台面结构的侧表面选择性氧化选择性氧化层以形成其中电流通过区被氧化物包围的收缩结构; 在远离台面结构的位置处形成分隔槽; 钝化形成分离槽时露出的层叠体的至少一部分的最外表面; 并用绝缘体涂覆钝化部分。

10. 发明申请

WO2010050451A1 半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体发光元件的方法
公开(公告)号：WO2010050451A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/JP2009/068366
申请日：2009-10-27
申请人：パナソニック電工株式会社 , パナソニック株式会社 , 山江和幸 , 福島博司 , 安田正治 , 岩橋友也 , 亀井英徳 , 前田修作
发明人：山江　和幸 , 福島　博司 , 安田　正治 , 岩橋　友也 , 亀井　英徳 , 前田　修作
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
摘要：　本発明の半導体発光素子の製造方法は、半導体層形成工程と、接合工程と、溝形成工程と、光照射工程と、剥離工程と、切断工程とを有する。半導体層形成工程において、透光性を有する第１ウエハの上面に多層窒化物半導体層を形成する。接合工程において、多層窒化物半導体層の上面に第２ウエハを接合する。溝形成工程において、第１ウエハの下面から少なくとも多層窒化物半導体層に到達する深さの溝を形成する。光照射工程において、多層窒化物半導体層の下面に第１ウエハを介して第１の光を照射する。これにより多層窒化物半導体層と第１ウエハとの間の接合力が低下される。剥離工程において、多層窒化物半導体層から第１ウエハを分離する。切断工程において、溝に沿って第２ウエハを切断し、これにより複数の半導体発光素子に分割する。
摘要翻译：一种制造半导体发光元件的方法，包括半导体层形成步骤，接合步骤，槽形成步骤，光照射步骤，分离步骤和切割步骤。在半导体层形成工序中，在透光性第一晶片的上表面形成氮化物半导体层叠层。在接合步骤中，第二晶片结合到氮化物半导体层叠层的上表面。在槽形成工序中，形成有从第一晶片的下表面到氮化物半导体层叠层的深度的槽。在光照射步骤中，氮化物半导体层叠层的下表面通过第一晶片照射第一光，从而降低氮化物半导体层叠层与第一晶片之间的结合力。在分离步骤中，第一晶片与氮化物半导体层叠层分离。在切割步骤中，沿着凹槽切割第二晶片，从而被分成多个半导体发光元件。

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