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1. 发明申请

WO2016150783A1 PROCEDE DE MESURE DE LA MODULATION DE FREQUENCE D'UNE SOURCE LASER 审中-公开
标题翻译：用于测量激光源的频率调制的方法
公开(公告)号：WO2016150783A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/055639
申请日：2016-03-16
申请人： THALES
发明人： MINET, Jean , PILLET, Grégoire , FENEYROU, Patrick
IPC分类号： G01J9/04 , G01S17/00 , H01S5/0683
CPC分类号： G01J9/04 , G01S7/4911 , G01S7/497 , G01S17/325 , H01S5/0014 , H01S5/0622
摘要： L'invention a pour objet un procédé de mesure de la modulation de fréquence f(t) d'une source laser qui comprend les étapes suivantes : - modulation de la source laser selon une période T, par une commande de modulation, - au cours d'une même période T, réalisation de plusieurs mesures d'une intensité lumineuse de battement entre deux bras d'un interféromètre situé en aval de la source laser et apte à introduire un retard τ entre les deux bras, ces mesures étant synchronisées avec la commande de la modulation, - calcul de la fréquence f(t) à partir des mesures, - pendant chaque période T, f(t) varie mais le retard τ est considéré constant, - le retard τ évolue temporellement sur plusieurs périodes T, - les mesures effectuées à l'instant t i au cours d'une même période sont réitérées à t i +k T, avec k≥1 et en ce que le retard τ a évolué d'une itération à l'autre.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测量激光源的频率调制f（t）的方法，其包括以下步骤： - 通过调制控制在一段时间T内对激光源进行调制， - 在同一周期T内承载测量位于激光源下游的干涉仪的两个臂之间的光照强度的几个测量，并且能够在两个臂之间引入延迟τ，所述测量与调制控制同步，从而计算频率f（t）在每个周期T，f（t）期间的测量变化，但延迟τ被认为是恒定的， - 延迟τ在几个周期T内暂时改变， - 在相同时间段内在时间ti处进行的测量在ti + k T，k≥1，延迟τ从一次迭代变为另一次迭代。

2. 发明申请

WO2013005759A1 半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：半导体激光元件
公开(公告)号：WO2013005759A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/JP2012/067051
申请日：2012-07-04
申请人：日亜化学工業株式会社 , 枡井真吾 , 川田康博 , 藤本英之 , 道上敦生
发明人：枡井　真吾 , 川田　康博 , 藤本　英之 , 道上　敦生
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
摘要：　ジャンクションダウン接合時の傾きを抑制することができ、しかも放熱性の高いリッジタイプの半導体レーザ素子を提供するために、基板と、基板上に設けられ基板の反対側の面にリッジを有する半導体部と、リッジ上に設けられた電極と、リッジの両側の半導体部上に設けられた絶縁膜と、電極上に設けられたパッド電極と、を備え、パッド電極側を実装面側とする半導体レーザ素子において、パッド電極を絶縁膜上に延在して設け、半導体部とパッド電極の間の前記リッジから離れた一部にスペーサ部を設けた。
摘要翻译：为了提供一种脊型半导体激光元件，其可以在执行结合接合时抑制元件的倾斜并且具有良好的散热特性，所述半导体激光元件设置有：基板; 半导体部分，其形成在所述基板上，并且在与所述基板相对的一侧的面上包括脊; 形成在脊上的电极; 在脊的两侧的半导体部分上形成绝缘膜; 以及形成在电极上的焊盘电极。在该焊接电极侧为安装面侧的该半导体激光元件中，形成在绝缘膜的上方延伸的焊盘电极，在远离脊部的部分，在半导体部与焊盘电极之间形成间隔部。

3. 发明申请

WO2012107321A1 WDM PON WITH NON TUNABLE LEGACY ONUS 审中-公开
标题翻译： WDM PON与非易失性LONACY ONUS
公开(公告)号：WO2012107321A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/EP2012/051520
申请日：2012-01-31
申请人： ALCATEL LUCENT , PÖHLMANN, Wolfgang , PFEIFFER, Thomas , HERON, Ronald
发明人： PÖHLMANN, Wolfgang , PFEIFFER, Thomas , HERON, Ronald
IPC分类号： H04J14/02 , H01S5/00
CPC分类号： H04B10/07 , H01S5/0014 , H01S5/0607 , H04J14/0221 , H04J14/0282
摘要： The present document relates to optical transmission systems. In particular, the present document relates to a system and method enabling the coexistence of tunable and non-tunable Optical Network Units (ONUs) in a passive optical network (PON), e.g. a wavelength division multiplexing (WDM) PON. A media access controller for a passive optical network (200) is described. The passive optical network (200) comprises a first optical line terminal (201) with a receiver for a first wavelength range; a second optical line terminal (202) with a receiver for a second wavelength range, adjacent to the first wavelength range; and an optical network unit (101) with a transmitter having a transmitter wavelength which drifts between the first and the second wavelength range. The media access controller is adapted to assign the optical network unit (101) to the first (201) and the second (202) optical line terminal, such that an optical burst transmitted by the optical network unit (101) is received by the first optical line terminal (201) and the second optical line terminal (202).
摘要翻译：本文件涉及光传输系统。特别地，本文件涉及能够在无源光网络（PON）中共存可调谐和不可调光网络单元（ONU）的系统和方法，例如，波分复用（WDM）PON。描述了用于无源光网络（200）的媒体访问控制器。无源光网络（200）包括具有第一波长范围的接收机的第一光线路终端（201）具有与第一波长范围相邻的第二波长范围的接收器的第二光线路终端（202）; 以及具有发射器波长在第一和第二波长范围之间漂移的发射机的光网络单元（101）。媒体接入控制器适于将光网络单元（101）分配给第一（201）和第二（202）光线路终端，使得由光网络单元（101）发送的光脉冲串由第一光线路终端（201）和第二光线路终端（202）。

4. 发明申请

WO2012047169A1 METHOD FOR CALIBRATING A TUNABLE LASER 审中-公开
标题翻译：用于校准可激活激光的方法
公开(公告)号：WO2012047169A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/SE2011/051190
申请日：2011-10-05
申请人： SYNTUNE AB , ERIKSSON, Urban , LEWÉN, Robert , WESSTRÖM, Jan-OLof , ÖHMAN, Filip
发明人： ERIKSSON, Urban , LEWÉN, Robert , WESSTRÖM, Jan-OLof , ÖHMAN, Filip
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/0687
CPC分类号： H01S5/0617 , H01S5/0014 , H01S5/06256 , H01S5/0687 , H01S5/1007
摘要： Method for calibrating a tunable semiconductor laser (121;10) comprising at least a phase section (12) and at least a first Bragg reflector section (14a,14b), through which sections a phase current and a first reflector current, respectively, is applied, which laser (121;10) is not actively temperature stabilized, said method comprising the steps of a)selecting a phase current;b)identifying a range (203) of reflector currents that achieves emission of light from the laser (121;10) within a desired frequency band of operation;c) scanning the reflector current or currents over the range (203) of reflector currents, for each of at least two different phase currents, and reading the relative output power of the laser (121;10) for each point scanned; d) identifying at least one stable operating point (302);e)identifying and storing into a memory at least one stable, continuous tuning line (305) as constructed by interpolating between neighboring stable operating points (302);f)calibrating the laser frequency by scanning along said identified tuning line (305) and observing a fed back signal (113) from a target (110) for the light emitted from the laser (121;10);g)measuring the temperature of the laser (121;10) when step f) was conducted; and h)storing into the memory the temperature of the laser (121;10) and at least one operating point along the tuning line (305) indicative of the target frequency range.
摘要翻译：用于校准可调谐半导体激光器（121; 10）的方法，所述可调谐半导体激光器包括至少相位部分（12）和至少第一布拉格反射器部分（14a，14b），相位电流和第一反射器电流分别通过该部分所述方法包括以下步骤：a）选择相电流; b）识别实现来自激光器（121; 121）的光的发射的反射器电流的范围（203） 10）在期望的操作频带内; c）对于至少两个不同相电流中的每一个扫描反射器电流的范围（203）上的反射器电流或电流，并且读取激光器的相对输出功率（121; 10）扫描每一点; d）识别至少一个稳定工作点（302）; e）通过在相邻的稳定操作点（302）之间进行内插构造来识别和存储至少一个稳定的，连续的调谐线（305）并存储到存储器中; f）校准激光通过沿所述识别的调谐线（305）扫描并从目标（110）观察从激光（121; 10）发射的光的反馈信号（113）; g）测量激光器的温度（121; 10）进行步骤f）时; 以及h）将指示所述目标频率范围的所述激光器（121; 10）的温度和沿着所述调谐线（305）的至少一个操作点存储到所述存储器中。

5. 发明申请

WO2011071568A3 STRUCTURE AND METHOD FOR ACHIEVING SELECTIVE ETCHING IN (Ga,A1,In,B)N LASER DIODES 审中-公开
标题翻译：（Ga，A1，In，B）N激光二极管实现选择性蚀刻的结构和方法
公开(公告)号：WO2011071568A3
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/US2010046015
申请日：2010-08-19
申请人： UNIV CALIFORNIA , FARRELL ROBERT M , HAEGER DANIEL A , HSU PO SHAN , MISHRA UMESH K , DENBAARS STEVEN P , SPECK JAMES S , NAKAMURA SHUJI
发明人： FARRELL ROBERT M , HAEGER DANIEL A , HSU PO SHAN , MISHRA UMESH K , DENBAARS STEVEN P , SPECK JAMES S , NAKAMURA SHUJI
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3213
摘要： A structure and method that can be used to achieve selective etching in (Ga,A1,In,B)N laser diodes, comprising fabricating (Ga,A1,In,B)N laser diodes with one or more Al-containing etch stop layers.
摘要翻译：可用于实现（Ga，Al，In，B）N激光二极管中的选择性蚀刻的结构和方法，包括用一个或多个含Al蚀刻停止层制造（Ga，Al，In，B）N激光二极管。

6. 发明申请

WO2011077856A1 III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光元件及其制造III族氮化物半导体激光器元件的方法
公开(公告)号：WO2011077856A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/070292
申请日：2010-11-15
申请人：住友電気工業株式会社 , 善積祐介 , 高木慎平 , 池上隆俊 , 上野昌紀 , 片山浩二
发明人：善積　祐介 , 高木　慎平 , 池上　隆俊 , 上野　昌紀 , 片山　浩二
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
摘要：六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９がｍ－ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用するために、ｍ－ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。角度αは角度βと異なり、角度αと角度βとの差が０．１度以上である。
摘要翻译：公开了一种III族氮化物半导体激光元件，其中有助于减少由光反馈引起的干扰的激光谐振器设置在支撑基板的半极性面上，其中六方晶III族氮化物的c轴在m轴方向上倾斜。构成激光谐振器的第一和第二断裂面（27,29）与平面m-n相交。 III族氮化物半导体激光元件（11）包括激光波导，该激光波导在与平面mn和半极面（17a）的交叉方向上延伸，以便有助于低阈值的带状转变的发射光可以使用电流。第一和第二断裂面（27,29）从第一面（13a）的边缘（13c）延伸到第二面（13b）的边缘（13d）。断裂面（27,29）不是通过干蚀刻形成的，不同于以前的切割平面如c，m或平面。角度α与角度β不同，角度α和角度β之间的差异大于或等于0.1度。

7. 发明申请

WO2010117667A3 METHODS AND DEVICES FOR EVALUATING THE OPERATING CHARACTERISTICS OF A DBR LASER DIODE 审中-公开
标题翻译：用于评估DBR激光二极管的操作特性的方法和装置
公开(公告)号：WO2010117667A3
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/US2010028769
申请日：2010-03-26
申请人： CORNING INC , HU MARTIN H , NGUYEN HONG K , SMITH PAUL W
发明人： HU MARTIN H , NGUYEN HONG K , SMITH PAUL W
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/06256
摘要： In accordance with one embodiment of the present disclosure, a method of evaluating the operating characteristics of a DBR laser diode is provided. According to the method, a diagnostic electrical current (II)is injected into the wavelength tuning section of the DBR laser to generate amplified spontaneous emission (ASE) of light in the wavelength tuning section. Light emitted from the wavelength tuning section is absorbed by the gain section and photo current (ISAIN) generated by the light absorbed in the gain section is measured. The photo current (ISAIN) measured in the gain section can be correlated with an evaluation of the operating characteristics of the DBR laser diode. For example, the measured photo current (ISAIN) can be correlated with a substandard operating characteristic when it departs from a given photo current metric by more than an acceptable amount. Alternatively, the measured photo current (ISAIN) can be correlated with a certified operating characteristic when it departs from the given photo current metric by an acceptable amount. Additional embodiments are disclosed and claimed.
摘要翻译：根据本公开的一个实施例，提供了一种评估DBR激光二极管的工作特性的方法。根据该方法，将诊断电流（II）注入到DBR激光器的波长调谐部分中，以在波长调谐部分中产生放大的自发发光（ASE）。从波长调谐部发出的光被增益部吸收，并且测量由增益部吸收的光产生的光电流（ISAIN）。在增益部分中测量的光电流（ISAIN）可以与对DBR激光二极管的工作特性的评估相关。例如，当测量的光电流（ISAIN）从给定的光电流度量偏离超过可接受的量时，其可以与不合标准的工作特性相关。或者，当其测量的光电流（ISAIN）当其从给定的光电流度量偏离可接受的量时，可以与经认证的操作特性相关联。公开并要求保护附加实施例。

8. 发明申请

WO2011007777A1 III族窒化物半導体光素子、エピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：第III组氮化物半导体光学元件和外延衬底
公开(公告)号：WO2011007777A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/JP2010/061839
申请日：2010-07-13
申请人：住友電気工業株式会社 , 善積祐介 , 塩谷陽平 , 秋田勝史 , 上野昌紀 , 京野孝史 , 中村孝夫
发明人：善積　祐介 , 塩谷　陽平 , 秋田　勝史 , 上野　昌紀 , 京野　孝史 , 中村　孝夫
IPC分类号： H01S5/343 , H01L21/28
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3202
摘要：低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。支持体１３の主面１３ａは、基準平面Ｓｃに対して４０度以上１４０度以下の角度ＡＬＰＨＡを成しており、基準平面Ｓｃは該III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する。主面１３ａは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０１６ｃｍ－３以上１×１０１９ｃｍ－３以下である。
摘要翻译：提供了包括已经被制成显示低电阻的p型GaN基半导体层的III族氮化物基半导体光学元件。支撑体（13）的主表面（13a）相对于参考平面（Sc）形成至少40度且至多140度的角度（ALPHA），并且参考平面（Sc）垂直于参考轴（Cx）沿III族氮化物基半导体的交流轴延伸。主表面（13a）表现出半极性或非极性。在支撑体（13）的主表面（13a）上设置n型GaN基半导体层（15）。 n型GaN类半导体层（15），有源层（19）和p型GaN系半导体层（17）沿着法线轴（Nx）配置。在p型GaN类半导体层（17）中，添加镁作为p型掺杂剂，p型GaN系半导体层（17）包含碳作为p型掺杂剂。 p型GaN类半导体层（17）的碳浓度为2×10 16 cm -3以上1×10 19 cm -3以下。

9. 发明申请

WO2010104553A1 A POWER STABILIZIED LASER DIODE ARRAY 审中-公开
标题翻译：电源稳定激光二极管阵列
公开(公告)号：WO2010104553A1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/US2010/000588
申请日：2010-02-26
申请人： EASTMAN KODAK COMPANY , FAIBIS, Aurel , SEGEV, Tamir
发明人： FAIBIS, Aurel , SEGEV, Tamir
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/068 , H01S5/40 , B41J2/455 , H04N1/40 , H01S5/06
CPC分类号： H01S5/06804 , B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/47 , G06K15/1209 , G06K15/1261 , H01S5/0014 , H01S5/0617 , H01S5/4025
摘要： A system for controlling optical-power stability of emitting laser diodes (204), the laser diodes exhibiting temperature changes at the laser diode junctions (312), the temperature changes are predicted according to the laser diodes duty cycle. The system includes, a laser diodes arranged to emit light on a target (14); a data stream analyzer (408) configured to receive incoming data stream (324) analyze the data and produce an image data occurrence factor of larger than zero values (424) representing the data in the incoming data stream (324); and an optical power stabilizer (412) configured to control current intensity (428) applied on a laser diode according to the image data occurrence factor (424).
摘要翻译：一种用于控制激光二极管（204）的激光二极管（204）的光功率稳定性的系统，激光二极管接头（312）表现出温度变化，温度变化根据激光二极管占空比来预测。该系统包括：激光二极管，被配置为在目标（14）上发光; 数据流分析器（408），被配置为接收输入数据流（324），分析数据并产生大于零值（424）的图像数据出现因子，代表输入数据流（324）中的数据; 以及光功率稳定器（412），被配置为根据图像数据发生因子（424）控制施加在激光二极管上的电流强度（428）。

10. 发明申请

WO2010073919A1 試験装置の制御方法审中-公开
标题翻译：用于控制测试设备的方法
公开(公告)号：WO2010073919A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/JP2009/070681
申请日：2009-12-10
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社 , 小野晴義 , 馬場功 , 杉山誠
发明人：小野晴義 , 馬場功 , 杉山誠
IPC分类号： G01R31/28 , G01M11/00 , G01R31/26
CPC分类号： H01S5/0014 , G01R31/01
摘要：　試験装置の制御方法は、複数の被試験デバイスステーションと、同じ項目を測定可能な複数の測定部と、複数の被試験デバイスステーションと複数の測定部との接続組合せを変更可能なマトリクススイッチと、を備える試験装置において、複数の測定部を用いて標準デバイスを測定することによって測定部の点検を行う測定部点検ステップを複数の測定部に対して行う第１ステップと、被試験デバイスステーションに標準サンプルを搭載し標準サンプルが搭載された被試験デバイスステーションと接続された測定部を用いて標準サンプルの点検を行う被試験デバイスステーション点検ステップを複数の被試験デバイスステーションに対して行う第２ステップと、を含む。
摘要翻译：一种用于控制设置有多个测试仪器设备的测试设备的方法，能够测量相同项目的多个测量单元和用于改变被测设备测试站之间的连接的组合的矩阵开关，以及测量单位。该方法包括：第一步骤，通过使用测量单元测量标准装置，对测量单元进行检查子步骤的测量单元检查子步骤;以及第二步骤，对被测器件进行设备 - 测试台检查将标准样品安装在测试仪器上的子步骤，并使用连接到安装了标准样品的测试仪器下的测量单元检查标准样品。

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