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51. 发明申请

WO2010001519A1 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和制造方法
公开(公告)号：WO2010001519A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/002018
申请日：2009-05-08
申请人：信越半導体株式会社 , 添田聡 , 藤井敏史
发明人：添田聡 , 藤井敏史
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/206 , Y10T117/10 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　本発明は、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、引上げチャンバに設けられたガス導入口と、メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、整流筒の下端部から、整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、窓の開口面積が、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、単結晶から熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：公开了一种根据Czochralksi方法制造单晶的单晶制造装置，至少包括：容纳用于保持原料熔体的坩埚的主室和用于加热原料熔体的加热器; 连续设置在主室的上部的拉动室，其中生长的单晶被拉起并容纳在其中; 设置在所述拉动室中的气体入口; 石墨整流管，设置成从主室的顶部向下延伸; 以及绝缘环，其设置成从整流管的底端延伸并且以围绕整流管的方式向外向外扩张，其中至少一个窗口设置在距底部50至200mm的区域中整流管的端部，窗口的开放表面积占整流管底端50〜200mm区域的50％以上。因此，可以抑制来自单晶的辐射热的阻挡，可以提高对单晶的冷却效果。

52. 发明申请

WO2008025872A2 CRYSTAL MANUFACTURING 审中-公开
标题翻译：水晶制造
公开(公告)号：WO2008025872A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/FI2007/000217
申请日：2007-08-31
申请人： OKMETIC OYJ , ANTTILA, Olli , SAARNIKKO, Ari , PALOHEIMO, Jari
发明人： ANTTILA, Olli , SAARNIKKO, Ari , PALOHEIMO, Jari
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/20 , Y10T117/10 , Y10T117/104 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： An implementation of a Czochralski-type crystal growth has been shown and embodied. More particularly, a furnace with suitable insulation and flow arrangement is shown to improve the cost-efficiency of production of crystals. That is achieved by the shown new hot-zone structure, gas flows and the growth process which can decrease the power consumption, increase the lifetime of hot-zone parts and improve the productivity, e.g., by giving means for opening the hot-zone and easily adapting the hot-zone to a new crystal diameter.
摘要翻译：已经展示和体现了Czochralski型晶体生长的实现。更具体地说，示出了具有合适绝缘和流动布置的炉子以提高晶体生产的成本效率。这通过所示出的新的热区结构，气体流量和生长过程来实现，其可以降低功耗，延长热区部件的寿命并提高生产率，例如通过提供打开热区的装置和轻松地将热区调整为新的晶体直径。

53. 发明申请

WO2005084225A3 SYSTEM FOR CONTINUOUS GROWING OF MONOCRYSTALLINE SILICON 审中-公开
标题翻译：单晶硅连续生长系统
公开(公告)号：WO2005084225A3
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/US2005006058
申请日：2005-02-25
申请人： SOLAICX INC
发明人： BENDER DAVID L
IPC分类号： C30B15/10 , C30B1/00 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/14 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： An improved system based on the Czochralski process for continuous growth of a single crystal ingot comprises a low aspect ratio, large diameter, and substantially flat crucible, including an optional weir surrounding the crystal. The low aspect ratio crucible substantially eliminates convection currents and reduces oxygen content in a finished single crystal silicon ingot. A separate level controlled silicon pre-melting chamber provides a continuous source of molten silicon to the growth crucible advantageously eliminating the need for vertical travel and a crucible raising system during the crystal pulling process. A plurality of heaters beneath the crucible establish corresponding thermal zones across the melt. Thermal output of the heaters is individually controlled for providing an optimal thermal distribution across the melt and at the crystal / melt interface for improved crystal growth. Multiple crystal pulling chambers are provided for continuous processing and high throughput.
摘要翻译：基于用于连续生长单晶锭的切克劳斯基（Czochralski）方法的改进的系统包括低纵横比，大直径和基本平坦的坩埚，包括围绕晶体的可选堰。低长宽比坩埚基本上消除了对流电流并降低了成品单晶硅锭中的氧含量。独立的液位控制的硅预熔室向生长坩埚提供连续的熔融硅源，有利地消除了在晶体拉制过程中垂直行进和坩埚升高系统的需要。坩埚下面的多个加热器在熔体上建立相应的热区。加热器的热输出被单独控制，以在熔体和晶体/熔体界面处提供最佳的热分布，以改善晶体生长。提供多个晶体拉伸室用于连续处理和高通量。

54. 发明申请

WO2007037052A1 単結晶シリコン引き上げ装置、シリコン融液の汚染防止方法及びシリコン融液の汚染防止装置审中-公开
标题翻译：单晶硅拉丝装置，防止硅熔体污染的方法，以及防止硅胶污染的装置
公开(公告)号：WO2007037052A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/312791
申请日：2006-06-27
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 鴨川誠 , 下村庫一 , 鈴木禎之 , 海老大輔
发明人：鴨川誠 , 下村庫一 , 鈴木禎之 , 海老大輔
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　筒状体の下端と熱遮蔽体の間隙を通過するＡｒガスの流速は、単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体の配置に影響を受ける。したがって単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体の相対的な位置を調整して、筒状体の下端と熱遮蔽体の間隙を通過するＡｒガスの流速を制御する。すると、シリコン融液への塵の落下を低減し、単結晶シリコンの品質低下が防止される。
摘要翻译：通过单体硅上拉路径，筒状体和热屏蔽体的配置，影响筒状体的下端与热屏蔽体之间通过的Ar气体的流量。因此，通过调节单晶硅上拉路径，圆筒体和热屏蔽体的相对位置来调节通过圆柱体的下端与热屏蔽体之间的Ar气体的流量。根据该结构，可以减少硅熔体中的灰尘的下降，并且可以防止单晶硅的质量劣化。

55. 发明申请

WO2006070749A1 炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶の製造方法及びそれにより得られた炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶审中-公开
标题翻译：用于生产碳化硅（SiC）单晶和碳化硅（SiC）单晶的方法
公开(公告)号：WO2006070749A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/JP2005/023798
申请日：2005-12-26
申请人：松下電器産業株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 北岡康夫 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 川原実
发明人：北岡康夫 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 川原実
IPC分类号： C30B29/36 , C30B9/10 , C01B31/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　低コストで大型の炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶を製造可能な製造方法を提供する。　アルカリ金属フラックス中において、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）とを溶解し、これらを反応させることにより、炭化珪素単結晶を生成又は成長させる。前記アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）が好ましい。この方法によれば、例えば、１５００°C以下の低温条件であっても、炭化珪素単結晶が製造可能である。本発明の方法により得られる炭化珪素単結晶の一例を、図３（Ｂ）の写真に示す。
摘要翻译：公开了一种以低成本制造大尺寸碳化硅（SiC）单晶的方法。具体地，通过在碱金属助熔剂中使硅（Si）和碳（C）熔融和反应来生产或生长碳化硅单晶。优选锂（Li）作为碱金属。通过该方法，可以在低温条件下例如在1500℃以下制造碳化硅单晶。通过该方法获得的碳化硅单晶的一个实例在图1的照片中示出。图3（B）。

56. 发明申请

WO2005095680A1 半導体単結晶製造装置および黒鉛るつぼ审中-公开
标题翻译：半导体单晶制造设备和石墨坩埚
公开(公告)号：WO2005095680A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006321
申请日：2005-03-31
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 飯田哲広 , 野田暁子 , 冨岡純輔
发明人：飯田哲広 , 野田暁子 , 冨岡純輔
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1076 , Y10T117/1088
摘要：　半導体集積回路用ウェーハの材料となる高酸素濃度の単結晶から低酸素濃度の単結晶まで、所定の酸素濃度規格範囲で歩留まりよく製造できる半導体単結晶製造装置を提供する。るつぼ３を側周側から加熱するヒータ４ａ、４ｂ、４ｃのそれぞれ隣接するヒータの間の円環状領域の全周に渡って熱遮蔽物２０、２１が設けられている。熱遮蔽物２０、２１により、前記ヒータの各加熱領域を局所化し、るつぼ３およびるつぼ内融液８の温度分布を能動的に制御することで、高酸素濃度の単結晶から低酸素濃度の単結晶まで、所定の酸素濃度規格範囲で歩留まりよく製造することができる。
摘要翻译：提供了一种半导体制造设备，通过该半导体制造设备，可以制造具有高氧浓度至低氧浓度的单晶以在规定的氧浓度标准范围内以优异的产率用作半导体集成电路的晶片材料。在相邻的加热器（4a，4b，4c）之间的环形区域的整个圆周上设置有隔热罩（20,21），其从圆周侧加热坩埚（3）。隔热罩（20,21）定位加热器的每个加热区域，并且主动地控制坩埚（3）和坩埚中的熔体（8）的温度分布。因此，可以以规定的氧浓度标准范围内以优异的产率制造具有高氧浓度至低氧浓度的单晶。

57. 发明申请

WO2005080646A1 単結晶半導体の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶半导体的方法
公开(公告)号：WO2005080646A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002627
申请日：2005-02-18
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 浦雅富見 , 黒木英俊 , 指谷利治 , 古市登
发明人：浦雅富見 , 黒木英俊 , 指谷利治 , 古市登
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　　融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させることを目的とする単結晶半導体の製造方法であり、単結晶半導体（６）を引き上げる過程で、引き上げられる単結晶半導体（６）の回転速度（ω2）を所定値以上に調整し、かつ所定範囲の強度の磁場を融液（５）に印加する。特に、結晶周速度を０．１２６m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ１/３を３５．５≦Ｍ/Ｖ１/３≦６１．３に調整する。望ましくは、結晶周速度を０．１４１m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ１/３を４０．３≦Ｍ/Ｖ１/３≦５６．４に調整する。
摘要翻译：在制造单晶半导体的方法中，通过在单晶半导体中更均匀地吸收杂质，在通过从熔融物中拉出单晶半导体的工艺来降低半导体晶片平面内的杂质浓度不均匀性，以及因此，提高了晶片的平面性。在提升单晶半导体（6）的过程中，要上拉的单晶半导体（6）的旋转速度（ω）2被调节到规定值以上，并且具有强度在对熔体（5）施加规定的范围。特别地，晶体圆周速度调节为0.126m / sec或更高，M / V1 / 3在35.5 <= M / V1 / 3 <= 61.3。优选地，在40.3 <= M / V1 / 3 <= 56.4，将晶体圆周速度调节为0.141m / sec或更高，M / V1 / 3。

58. 发明申请

WO2004055249A1 化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置审中-公开
标题翻译：生产化合物半导体和晶体生长装置的单晶的方法
公开(公告)号：WO2004055249A1
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：PCT/JP2003/012695
申请日：2003-10-03
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 朝日聰明 , 佐藤賢次 , 矢辺貴幸 , 荒川篤俊
发明人：朝日聰明 , 佐藤賢次 , 矢辺貴幸 , 荒川篤俊
IPC分类号： C30B15/12
CPC分类号： C30B27/02 , C30B15/12 , C30B29/48 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： A process for producing a single crystal of compound semiconductor; and a crystal growing apparatus therefor. In particular, a process for producing a single crystal of compound semiconductor, for example, ZnTe compound semiconductor according to the liquid-enclosed Czochralski (LEC) process; and a crystal growing apparatus therefor. More specifically, a process for producing a single crystal of compound semiconductor with the use of a crystal growing apparatus of double crucible structure according to the LEC process, wherein a second crucible is covered with a lid of plate-shaped member provided with a pass-through slot, the pass-through slot enabling introduction of a crystal lifting shaft having a seed crystal holding part at its distal end in the second crucible, so that crystal growth is effected in such conditions that the atmosphere within the second crucible is substantially unchanged (semisealed conditions). Thus, in the crystal growth according to the LEC process, a single crystal of high quality wherein the ratio of crystal defects is low can be produced.
摘要翻译：一种化合物半导体单晶的制造方法; 及其晶体生长装置。特别地，涉及一种化合物半导体的单晶的制造方法，例如，根据液体封闭的切克劳斯基（LEC）工艺的ZnTe化合物半导体; 及其晶体生长装置。更具体地，使用根据LEC工艺的双坩埚结构的晶体生长装置来制造化合物半导体的单晶的方法，其中第二坩埚用设置有通孔的板状部件的盖子覆盖，通过槽，能够在第二坩埚中的远端引入具有晶种保持部的晶体升降轴，使得在第二坩埚内的气氛基本不变的条件下进行晶体生长（半成品条件）。因此，在根据LEC工艺的晶体生长中，可以产生其中晶体缺陷的比例低的高质量的单晶。

59. 发明申请

WO03069319A2 AUTOMATED MACROMOLECULAR CRYSTALLIZATION SCREENING 审中-公开
标题翻译：自动化大分子结晶筛选
公开(公告)号：WO03069319A2
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/US0303496
申请日：2003-02-04
申请人： UNIV CALIFORNIA
发明人： SEGELKE BRENT W , RUPP BERNHARD , KRUPKA HEIKE I
IPC分类号： B01J19/00 , C30B7/00 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B50/08 , C40B70/00 , G01N23/00
CPC分类号： B01J19/0046 , B01J2219/00315 , B01J2219/00369 , B01J2219/00542 , B01J2219/00585 , B01J2219/00599 , B01J2219/00659 , B01J2219/00689 , B01J2219/00691 , B01J2219/00704 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/00756 , C30B7/00 , C30B29/58 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B50/08 , C40B70/00 , Y10S117/90 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： An automated macromolecular crystallization screening system wherein a multiplicity of reagent mixes are produced. A multiplicity of analysis plates is produced utilizing the reagent mixes combined with a sample. The analysis plates are incubated to promote growth of crystals. Images of the crystals are made. The images are analyzed with regard to suitability of the crystals for analysis by x-ray crystallography. A design of reagent mixes is produced based upon the expected suitability of the crystals for analysis by x-ray crystallography. A second multiplicity of mixes of the reagent components is produced utilizing the design and a second multiplicity of reagent mixes is used for a second round of automated macromolecular crystallization screening. In one embodiment the multiplicity of reagent mixes are produced by a random selection of reagent components.
摘要翻译：一种自动化的大分子结晶筛选系统，其中生产多种试剂混合物。利用与样品结合的试剂混合物生产多种分析板。孵育分析板以促进晶体的生长。晶体的图像被制成。对这些图像进行分析，考虑晶体用于x射线晶体学分析的适用性。根据X射线晶体学分析晶体的预期适用性生成试剂混合物的设计。利用该设计生产第二批多种试剂组分混合物，并将第二批多种试剂混合物用于第二轮自动化大分子结晶筛选。在一个实施方案中，多种试剂混合物通过试剂组分的随机选择产生。

60. 发明申请

WO2003042435A1 SYSTEM FOR INCREASING CHARGE SIZE FOR SINGLE CRYSTAL SILICON PRODUCTION 审中-公开
标题翻译：用于增加单晶硅生产费用的系统
公开(公告)号：WO2003042435A1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/US2002/036696
申请日：2002-11-13
申请人： ADVANCED SILICON MATERIALS LLC , HARTMANN, Torsten, H. , WOOD, Henry, Dare
发明人： HARTMANN, Torsten, H. , WOOD, Henry, Dare
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B15/02 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： Methods and apparatuses are useful to add polycrystalline rod material (101) to the crucible of a CZ furnace (8) and thereby increase utilization of crucible volume in the production of large diameter CZ silicon ingots (101). Multiple silicon rods (101) are melted in the CZ furnace (8), and the subsequent production of a single crystal silicon ingot (101) can occur without operating the isolation valve (14) or opening the upper chamber of the furnace (8).
摘要翻译：方法和装置可用于将多晶棒材料（101）添加到CZ炉（8）的坩埚中，从而在生产大直径CZ硅锭（101）时增加坩埚体积的利用。多个硅棒（101）在CZ炉（8）中熔化，随后可以在不操作隔离阀（14）或打开炉子（8）的上部室的情况下发生单晶硅锭（101）。

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