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1. 发明申请

WO2013125157A1 シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置审中-公开
标题翻译：用于计算硅胶表面高度位置的方法，用于绘制单晶硅的方法和用于绘制单晶硅的装置
公开(公告)号：WO2013125157A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/JP2013/000276
申请日：2013-01-22
申请人：信越半導体株式会社
发明人：増田　直樹 , 柳町　隆弘
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/20 , C30B29/06 , G01B11/0608 , G01B11/08 , G01B21/08 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要：　本発明は、ＣＺシリコン単結晶を引上げる際に、シリコン融液面の高さ位置を算出する方法であって、シリコン単結晶に対して任意の角度に設置したＣＣＤカメラを用い、シリコン融液とシリコン単結晶との境界のフュージョンリングから計測した第一の結晶直径と、シリコン単結晶の結晶直径の両端に向かって各々平行に設置した２台のＣＣＤカメラを用いて計測した第二の結晶直径を求め、該第一の結晶直径と第二の結晶直径の差から、シリコン単結晶引上げ中におけるルツボ内のシリコン融液面の高さ位置を算出するシリコン融液面の高さ位置の算出方法を提供する。これにより、シリコン単結晶を引上げているときのシリコン融液面の高さ位置をより正確に算出することができる方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种在绘制CZ单晶硅时计算硅熔体表面的高度位置的方法。使用相对于单晶硅以选定角度设置的CCD照相机在硅熔体和单晶硅之间的边界处的熔融环测量的第一晶体直径，以及使用两个平行设置的两个CCD照相机测量的第二晶体直径面对单晶硅的晶体直径的各个端部。根据第一晶体直径和第二晶体直径之间的差异，计算作为单晶硅在坩埚中的硅熔体表面的高度位置。因此提供了当单晶硅被拉伸时能够更精确地计算硅熔体表面的高度位置的方法。

2. 发明申请

WO2012081789A1 SYSTEM OF CONTROLLING DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL INGOT AND SINGLE CRYSTAL INGOT GROWING APPARATUS INCLUDING THE SAME 审中-公开
标题翻译：控制单晶和单晶生长装置的直径的系统
公开(公告)号：WO2012081789A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/005397
申请日：2011-07-21
申请人： LG SILTRON INC. , HONG, Young-Ho , HA, Se-Geun , JUNG, Yo-Han
发明人： HONG, Young-Ho , HA, Se-Geun , JUNG, Yo-Han
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , H01L21/02 , C01B33/021
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/20 , C30B15/22 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024
摘要： Provides are a system of controlling a diameter of a single crystal ingot and a single crystal ingot growing apparatus including the same. The system of controlling a diameter of a single crystal ingot includes: a diameter measuring sensor measuring a diameter of a single crystal ingot; a LowPass Filter (LPF) removing short period noise from measured data from the diameter measuring sensor; and an Automatic Diameter Control (ADC) sensor controlling the diameter of the single crystal ingot through controlling of a pull speed by using data having the noise removed as current data.
摘要翻译：提供一种控制单晶锭的直径的系统和包括该单晶锭的单晶锭生长装置。控制单晶锭直径的系统包括：测量单晶锭直径的直径测量传感器; 低通滤波器（LPF），从直径测量传感器的测量数据中消除短周期噪声; 以及通过使用具有作为当前数据去除的噪声的数据来控制拉速来控制单晶锭直径的自动直径控制（ADC）传感器。

3. 发明申请

WO2010121060A1 LOW TEMPERATURE CONTINUOUS CIRCULATION REACTOR FOR THE AQUEOUS SYNTHESIS OF ZNO FILMS, NANOSTRUCTURES, AND BULK SINGLE CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：低温连续循环反应器，用于ZNO膜，纳米结构和块状单晶的水合物
公开(公告)号：WO2010121060A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/US2010/031286
申请日：2010-04-15
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , RICHARDSON, Jacob J. , LANGE, MaryAnn, E.
发明人： RICHARDSON, Jacob J.
IPC分类号： H01L21/20 , B01J23/06
CPC分类号： C30B19/10 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2006/60 , C30B19/06 , C30B19/08 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024
摘要： A method for synthesizing ZnO, comprising continuously circulating a growth solution that is saturated with ZnO between a warmer deposition zone, which contains a substrate or seed, and a cooler dissolution zone, which is contains ZnO source material.
摘要翻译：一种合成ZnO的方法，包括在包含ZnO源材料的含有底物或种子的较热沉积区和较冷的溶解区之间连续循环ZnO饱和的生长溶液。

4. 发明申请

WO2009028273A1 ＣＺ法による単結晶引き上げ装置内の液面レベル測定方法审中-公开
标题翻译：采用CZ方法测量单晶拉伸装置液位的方法
公开(公告)号：WO2009028273A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/063001
申请日：2008-07-18
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 林田寿男 , 木原亜由美 , 高見拓章
发明人：林田寿男 , 木原亜由美 , 高見拓章
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　引き上げ単結晶の育成条件に応じて、複数の反射法から最適の反射法を選択することにより液面レベルの測定を確実にしかも容易に行える方法を提供するために、液面レベルの求め方が異なる複数の測定法を設定し、熱遮蔽物と単結晶の外周面との間にある所定位置と単結晶の外周面との間隔とを対応づけた情報を予め作成し、製造条件に応じて間隔を決定し、決定した間隔に対応する測定法を情報から選択し、選択した測定法で前記融液液面の液面レベルを測定している。
摘要翻译：提供了一种通过根据拉晶体的生长条件从多种反射方法中选择最佳反射方法来确定和容易地测量液面的方法。设定不同程度地得到液面的多种测定方法。预先产生在单晶体的外周面与隔热材料和单晶的外周面之间的规定位置之间的间隔与单晶的外周面相关联的信息，该间隔根据制造条件，从信息中选择适用于确定的间隔的测量方法，并且通过所选择的测量方法测量熔体的液面。

5. 发明申请

WO2008038450A1 単結晶製造装置及び方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和方法
公开(公告)号：WO2008038450A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：PCT/JP2007/064363
申请日：2007-07-20
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 飯田哲広 , 松隈伸
发明人：飯田哲広 , 松隈伸
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/14 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要：　複数段のヒータを用いたチョクラルスキー単結晶製造装置において、結晶直径の制御性が改善される。結晶直径を制御するために、引上速度が操作される。引上速度を所定の速度設定値に近づけるともにヒータ温度を所定の温度目標値に近づけるために、複数段のヒータ（１６，１８）の電力が操作される。ヒータ（１６，１８）の電力比率は、所定の電力比率設定値に一致するように制御される。電力比率設定値は、結晶引上長さに応じて変化し、その変化に伴ってヒータ温度が変化して、これが直径制御の外乱となる。この外乱を補償するために、温度目標値を決定する基礎となる温度設定値には、電力比率設定値の変化に伴うヒータ温度の変化が予め加味される。従って、温度設定値は、電力比率設定値の変化に伴って、現在の電力比率設定値に適した値へと変化する。
摘要翻译：使用加热器级的切克劳斯基单晶制造装置显示出晶体直径的可控性提高。为了控制晶体直径，控制上拉速度。调节供给到加热器台（16,18）的功率，使上拉速度接近预定的设定值，并使加热器温度达到预定的温度目标值。加热器（16,18）的功率比被控制为与预定功率比设定值一致。功率比设置值随晶体上拉长度而变化。加热器温度随变化而变化，这导致直径控制的干扰。为了补偿该干扰，当设定基于温度目标值的温度设定值时，使用随功率比设定值变化的加热器温度的变化。因此，温度设定值通过功率比设定值变化为适合于当前功率比设定值的值。

6. 发明申请

WO2007128522A3 PROCESS FOR PRODUCING A III-N BULK CRYSTAL AND A FREE-STANDING III -N SUBSTRATE, AND III -N BULK CRYSTAL AND FREE-STANDING IH-N SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：制备III-N体积晶体和自由基III-N底物的方法和III-N大块晶体和自由置换的III-N底物
公开(公告)号：WO2007128522A3
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/EP2007003961
申请日：2007-05-04
申请人： FREIBERGER COMPOUND MAT GMBH , LEIBIGER GUNNAR , HABEL FRANK , EICHLER STEFAN
发明人： LEIBIGER GUNNAR , HABEL FRANK , EICHLER STEFAN
IPC分类号： C30B25/16 , C30B29/40
CPC分类号： C30B25/16 , C30B25/00 , C30B29/40 , C30B29/403 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： The invention describes a process for producing a III -N bulk crystal, wherein III denotes at least one element selected from group III of the periodic system, selected from Al, Ga and In, wherein the III -N bulk crystal is grown by vapor phase epitaxy on a substrate, and wherein the growth rate is measured in real-time. By actively measuring and controlling the growth rate in situ, i.e. during the epitaxial growth, the actual growth rate can be maintained essentially constant. In this manner, III-N bulk crystals and individualized III-N single crystal substrates separated therefrom, which respectively have excellent crystal quality both in the growth direction and in the growth plane perpendicular thereto, can be obtained.
摘要翻译：本发明描述了一种制备III-N体晶的方法，其中III表示选自Al，Ga和In的周期系的III族中的至少一种元素，其中III-N体结晶通过气相生长在衬底上的外延，并且其中实时测量生长速率。通过主动地测量和控制原位生长速率，即在外延生长期间，实际生长速率可以保持基本恒定。以这种方式，可以获得在其生长方向和与其垂直的生长平面中分别具有优异的晶体质量的分离的III-N本体晶体和个体化III-N单晶基板。

7. 发明申请

WO2005029138A2 SYSTEMS AND METHODS FOR INDUCING CRYSTALLIZATION OF THIN FILMS USING MULTIPLE OPTICAL PATHS 审中-公开
标题翻译：使用多个光学PATHS诱导薄膜的结晶的系统和方法
公开(公告)号：WO2005029138A2
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/US2004/030357
申请日：2004-09-15
申请人： THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OFNEW YORK , IM, James
发明人： IM, James
IPC分类号： G02B
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B1/04 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , H01L21/02595 , H01L21/0268 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： The present invention is directed to systems and methods for irradiating regions of a thin film sample(s) with laser beam pulses having different energy beam characteristics that are generated and delivered via different optical paths. Exemplary methods include the steps of generating a plurality of laser beam pulses having energy beam characteristics, directing a generated laser beam pulse onto a first optical path, modulating the energy beam characteristics of the first optical path-directed laser beam pulse, irradiating at least a portion of a first region of the thin film with the first optical pathdirected laser beam pulse to induce crystallization of the portion of the first region, directing a generated laser beam pulse onto a second optical path, modulating the energy beam characteristics of the second optical path-directed laser beam pulse, wherein the energy beam characteristics of the second optical path-directed laser beam pulse is different from the energy beam characteristics of the first optical path-directed laser beam pulse, and irradiating at least a portion of a second region of the thin film with the second optical path-directed laser beam pulse to induce crystallization of the portion of the second region. An exemplary system includes a first optical path, a second optical path, a beam steering element for directing laser beam pulses onto the first optical path and the second optical path; and a handling stage for controlling the position of a thin film relative to the laser beam pulses being directed via the first and second optical paths.
摘要翻译：本发明涉及用于通过具有不同能量束特性的激光束脉冲照射薄膜样品的区域的系统和方法，其通过不同的光路产生和传送。示例性方法包括以下步骤：产生具有能量束特性的多个激光束脉冲，将产生的激光束脉冲引导到第一光路上，调制第一光路定向激光束脉冲的能量束特性，至少照射所述薄膜的第一区域的所述第一区域具有所述第一光程定向激光束脉冲，以引起所述第一区域的所述部分的结晶，将所产生的激光束脉冲引导到第二光路上，调制所述第二光路的能量束特性定向激光束脉冲，其中所述第二光路定向激光束脉冲的能量束特性与所述第一光程指向激光束脉冲的能量束特性不同，并且照射所述第二光路定向激光束脉冲的第二区域的至少一部分该薄膜具有第二光程定向激光束脉冲，以诱导该部分的结晶化 nd区域。示例性系统包括第一光路，第二光路，用于将激光束脉冲引导到第一光路和第二光路上的光束操纵元件; 以及用于控制薄膜相对于经由第一和第二光路引导的激光束脉冲的位置的处理阶段。

8. 发明申请

WO2004007793A3 METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING GAS TO A PROCESSING CHAMBER 审中-公开
标题翻译：用于向处理室提供气体的方法和设备
公开(公告)号：WO2004007793A3
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/US0322186
申请日：2003-07-16
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： GANGULI SESHADRI , CHEN LING , KU VINCENT W
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/31 , B01D7/00 , H01L21/00
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/4402 , C23C16/4481 , C23C16/4482 , C23C16/4487 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： A method and apparatus for generating gas for a processing system is provided. In one embodiment, an apparatus for generating gas for a processing system includes a canister having at least one baffle disposed between two ports and containing a precursor material. The precursor material is adapted to produce a gas vapor when heated to a defined temperature at a defined pressure. The baffle forces a carrier gas to travel an extended mean path between the inlet and outlet ports. In another embodiment, an apparatus for generating gas includes a canister having a tube that directs a carrier gas flowing into the canister away from a precursor material disposed within the canister.
摘要翻译：提供了一种用于为处理系统产生气体的方法和装置。在一个实施例中，用于为处理系统产生气体的装置包括罐，所述罐具有设置在两个端口之间并包含前体材料的至少一个挡板。当在限定的压力下加热到限定的温度时，前体材料适于产生气体蒸汽。挡板迫使载气在入口和出口之间延伸平均路径。在另一个实施例中，用于产生气体的装置包括具有管的罐，该管将流入罐中的载气引导离开布置在罐内的前体材料。

9. 发明申请

WO2004035879A1 シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法审中-公开
标题翻译：测量单晶晶体点缺陷分布的方法
公开(公告)号：WO2004035879A1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/JP2003/013320
申请日：2003-10-17
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 栗田一成 , 古川純
发明人：栗田一成 , 古川純
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B33/00 , C04B24/003 , C04B28/146 , C04B2111/00836 , C30B15/00 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , C04B22/147 , C04B24/04 , C04B2103/69
摘要：単結晶インゴットを軸方向にインゴット中心軸を含むように切断して、領域［Ｖ］、領域［Ｐv］、領域［Ｐi］及び領域［Ｉ］を含む測定用サンプルとし、中心軸に対して対称となるように２分割して第１及び第２サンプルを作製する。第１遷移金属を第１サンプルの表面に金属汚染し、第１遷移金属と異なる第２遷移金属を第２サンプルの表面に金属汚染する。金属汚染された第１及び第２サンプルを熱処理して第１及び第２遷移金属をサンプル内部に拡散させる。第１及び第２サンプル全体における再結合ライフタイムをそれぞれ測定し、第１サンプルの鉛直方向の測定値を第２サンプルの鉛直方向の測定値に重ね合わせる。重ね合わせた結果から、領域［Ｐi］と領域［Ｉ］の境界及び領域［Ｖ］と領域［Ｐv］の境界をそれぞれ規定する。
摘要翻译：首先，将单晶锭沿轴向切片以容纳锭的中心轴，得到含有区域[V]，区域[Pv]，区域[Pi]和区域[I]的测定样品。将该样品减半，以实现跨越中心轴的对称性，从而获得第一样品和第二样品。在第一样品的表面上进行用第一过渡金属的金属染色，并且在第二样品的表面上进行与第一过渡金属不同的第二过渡金属的金属染色。对金属染色的第一和第二样品进行热处理，以将第一和第二过渡金属扩散到样品内部。测量第一和第二样品全部的各自的复合寿命，并将第一样品的垂直测量叠加在第二样品的垂直测量上。基于叠加结果，区域[Pi]和区域[I]之间的边界以及区域[V]和区域[Pv]之间的边界被单独定义。

10. 发明申请

WO2003097905A2 FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：形成单晶碳化硅
公开(公告)号：WO2003097905A2
公开(公告)日：2003-11-27
申请号：PCT/FR2003/001480
申请日：2003-05-15
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE , NOVASIC , MADAR, Roland , PONS, Michel , BAILLET, Francis , CHARPENTIER, Ludovic , PERNOT, Etienne , CHAUSSENDE, Didier , TUROVER, Daniel, M.
发明人： MADAR, Roland , PONS, Michel , BAILLET, Francis , CHARPENTIER, Ludovic , PERNOT, Etienne , CHAUSSENDE, Didier , TUROVER, Daniel, M.
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B23/005 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： L'invention concerne un dispositif (10) de formation à l'état monocristallin d'un corps composé à évaporation non congruente, susceptible d'exister sous forme monocristalline ou polycristalline, comportant une première enceinte (20) contenant un substrat (42) au niveau duquel est formée une source polycristalline dudit corps et un germe (46) monocristallin dudit corps ; une seconde enceinte (14), ledit substrat étant disposé entre les deux enceinte ; des moyens d'apport (36) de précurseurs gazeux dudit corps dans la seconde enceinte propres à provoquer le dépôt dudit corps sous forme polycristalline sur le substrat ; et des moyens de chauffage (26) pour maintenir le substrat à une température supérieure à la température du germe de façon à provoquer la sublimation de la source polycristalline et le dépôt sur le germe dudit corps sous forme monocristalline.
摘要翻译：本发明涉及一种用于以单晶状态形成具有不一致蒸发的化合物，其能够是单晶或多晶形式的装置（10），其包括至少一个第一室（20），所述第一室包含衬底（42），所述第一室所述体的多晶体源和所述体的单晶细菌（46）; 第二室（14），所述衬底布置在所述两个室之间; 用于将所述主体的气体前体输入（36）到所述第二室中的装置，其能够使所述主体以多晶形式沉积在所述基板上; 以及加热装置（26），用于将基材保持在高于胚芽温度的温度下，以便以单晶形式引起多晶体源的升华和沉积在所述主体的胚芽上。

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