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1. 发明申请

WO2016044689A1 CRYSTAL PULLER FOR INHIBITING MELT CONTAMINATION 审中-公开
标题翻译：用于抑制熔体污染的水晶拉丝机
公开(公告)号：WO2016044689A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/US2015/050859
申请日：2015-09-18
申请人： SUNEDISON, INC.
发明人： KIMBEL, Steven L. , MEYER, Benjamin Michael , ZEPEDA, Salvador , FERGUSON, Steven J.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/02
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/002 , C30B15/02 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/106 , Y10T117/1068
摘要： A crystal puller for growing a crystal ingot includes a housing, insulation, a crucible assembly, a heat shield, and a dust barrier. The housing encloses a growth chamber, and has an upper wall with an inner surface and an aperture. The insulation separates an inside of the housing into an upper area and a lower area, and has a central opening. The crucible assembly is within the lower area to contain the melt. The heat shield is adjacent the central opening of the insulation, and forms a labyrinth gas path with the crucible assembly. The dust barrier extends from the inner surface of the upper wall to one of the insulation and the heat shield, and forms a seal with the upper wall around the aperture to inhibit particles from entering the growth chamber through the upper area of the housing.
摘要翻译：用于生长晶体锭的晶体拉拔器包括壳体，绝缘体，坩埚组件，隔热罩和防尘屏障。壳体包围生长室，并且具有带有内表面和孔的上壁。绝缘体将壳体的内部分隔成上部区域和下部区域，并且具有中心开口。坩埚组件在容纳熔体的下部区域内。隔热板靠近绝缘体的中心开口，并与坩埚组件形成迷宫式气路。防尘屏障从上壁的内表面延伸到绝缘层和隔热层之一，并且与孔周围的上壁形成密封，以防止颗粒通过壳体的上部区域进入生长室。

2. 发明申请

WO2014058489A1 APPARATUS FOR FLOAT GROWN CRYSTALLINE SHEETS 审中-公开
标题翻译： FLOAT GROWN CRYSTALLINE SHEETS的装置
公开(公告)号：WO2014058489A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/US2013/049542
申请日：2013-07-08
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： SINCLAIR, Frank , KELLERMAN, Peter L.
IPC分类号： C30B15/06 , C30B15/14
CPC分类号： C30B15/06 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1068
摘要： An apparatus for forming a crystalline sheet from a melt may include a crucible to contain the melt. The apparatus may also include a cold block configured to deliver a cold region proximate a surface of the melt, the cold region operative to generate a crystalline front of the crystalline sheet and a crystal puller configured to draw the crystalline sheet in a pull direction along the surface of the melt, wherein a perpendicular to the pull direction forms an angle with respect to the crystalline front of less than ninety degrees and greater than zero degrees.
摘要翻译：用于从熔体形成结晶片的装置可以包括容纳熔体的坩埚。该装置还可以包括冷块，其被配置为输送靠近熔体表面的冷区域，该冷区域可操作以产生该结晶片材的结晶前沿，以及一个晶体拉出器，其被配置成沿着该拉伸方向熔体的表面，其中与拉伸方向的垂直方向相对于晶体前沿形成小于90度且大于零度的角度。

3. 发明申请

WO2013122668A1 APPARATUS FOR ACHIEVING SUSTAINED ANISOTROPIC CRYSTAL GROWTH ON THE SURFACE OF A SILICON MELT 审中-公开
标题翻译：用于在硅胶表面上实现持续的各向异性晶体生长的装置
公开(公告)号：WO2013122668A1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：PCT/US2012/069069
申请日：2012-12-12
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： MACKINTOSH, Brian H. , KELLERMAN, Peter L. , SUN, Dawei
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/06 , C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要： An apparatus for growing a crystalline sheet from a melt includes a cold block assembly. The cold block assembly may include a cold block and a shield surrounding the cold block and being at an elevated temperature with respect to that of the cold block, the shield defining an opening disposed along a surface of the cold block proximate a melt surface that defines a cold area comprising a width along a first direction of the cold block, the cold area operable to provide localized cooling of a region of the melt surface proximate the cold block. The apparatus may further include a crystal puller arranged to draw a crystalline seed in a direction perpendicular to the first direction when the cold block assembly is disposed proximate the melt surface.
摘要翻译：用于从熔体生长结晶片的设备包括冷块组件。冷块组件可以包括冷块和围绕冷块并且处于相对于冷块的升高的温度的护罩，所述护罩限定沿着冷块的表面设置的开口，所述开口靠近熔融表面，所述熔体表面限定冷区，其包括沿着冷块的第一方向的宽度，冷区域可操作以提供靠近冷块的熔体表面的区域的局部冷却。该装置还可以包括：当冷块组件靠近熔体表面设置时，该结晶器被设置成在垂直于第一方向的方向上拉结晶种子。

4. 发明申请

WO2012139865A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON MATERIAL MIT MONO- ODER MULTIKRISTALLINER STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：方法和设备材料与单声道和多结晶化结构的生产
公开(公告)号：WO2012139865A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/EP2012/054963
申请日：2012-03-21
申请人： STREICHER MASCHINENBAU GMBH & CO. KG , KÖCKEIS, Rupert
发明人： KÖCKEIS, Rupert
IPC分类号： C30B15/08 , C30B28/10
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/08 , C30B28/10 , Y10S117/91 , Y10T117/1004 , Y10T117/1068
摘要： Erfindungsgemäß werden eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von Materialen mit mono- oder multikristalliner Struktur vorgesehen, bei denen ein Behältnis zwischen zwei Druckbereichen angeordnet ist und über eine Einstellung des Differenzdrucks zwischen den Druckbereichen eine Einstellung der Höhe der Schmelze im Behältnis erfolgt. Im Ergebnis kann auch teilchenförmiges Material dem Behältnis kontinuierlich zugeführt und gleichmäßig aufgeschmolzen werden. Auch lässt sich aus dem Behältnis Ausgabematerial mit hoher Reinheit abziehen.
摘要翻译：根据被提供的装置和用于生产与单 - 或多晶结构的材料的方法，其中两个印刷区域之间的容器被布置并通过在容器中的熔融金属的高度的调整的压力区域之间的压力差的调节本发明。其结果是，甚至颗粒材料可以被连续地供给到容器中，并均匀地熔化。也可以从具有高纯度的容器输出材料被移除。

5. 发明申请

WO2012098826A1 単結晶製造装置及び単結晶製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造装置和单晶制造方法
公开(公告)号：WO2012098826A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/JP2012/000050
申请日：2012-01-06
申请人：信越半導体株式会社 , 菅原孝世 , 松本克 , 島田聡郎 , 星亮二
发明人：菅原　孝世 , 松本　克 , 島田　聡郎 , 星　亮二
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1068
摘要：　本発明は、原料融液を収容するルツボ、前記原料融液を加熱するヒーター、冷却媒体によって強制冷却される冷却筒及びこれらを収容する冷却チャンバーを有する単結晶製造装置であって、前記原料融液と引上げ中の単結晶との界面近傍において、前記引上げ中の単結晶を囲繞するように、断熱材を有する遮熱部材が配置され、該遮熱部材の上方に、前記引上げ中の単結晶を囲繞するように前記冷却筒が配置され、該冷却筒を囲繞するように、前記冷却筒外周との間に空隙を設けて冷却筒外周断熱材が配置されたものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
摘要翻译：本发明是一种单晶体制造装置，其具有用于容纳原料熔体的坩埚，用于加热原料熔体的加热器，由冷却介质强制冷却的冷却管，以及用于容纳冷却介质的冷却室，其特征在于，具有绝热材料的阻热构件设置在原料熔体和经受向上拉动的单晶之间的界面附近，以包围单个经历向上拉动的单晶; 冷却管设置在隔热构件的上方，以便围绕被上升的单晶; 并且冷却管外周绝热材料设置在冷却管周围，从冷却管的外周设置间隔。从而提供了一种单晶制造装置和制造方法，其能够提高单晶的生产率和产率，并且通过改善冷却管的冷却能力而不会在熔体表面上发生凝固或错位而使功率消耗最小化，并且通过增加在制造无缺陷单晶时的向上拉速度。

6. 发明申请

WO2012026062A1 半導体単結晶の製造装置及び製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造半导体单晶的装置和方法
公开(公告)号：WO2012026062A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/JP2011/003866
申请日：2011-07-06
申请人：信越半導体株式会社 , 高島祥 , 宮原祐一 , 岩崎淳 , 三田村伸晃 , 園川将
发明人：高島　祥 , 宮原　祐一 , 岩崎　淳 , 三田村　伸晃 , 園川　将
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1068
摘要：　本発明は、育成炉本体の内部に、ルツボと、該ルツボの周囲に配置された加熱ヒータとを具備する半導体単結晶の製造装置であって、前記育成炉本体内の前記加熱ヒータの周囲に保温筒が配置されており、該保温筒は内側面に上部と下部とを分ける段差部を有し、前記下部の内径が前記上部の内径よりも大きいものであり、前記育成炉本体内において前記加熱ヒータの下方かつ前記保温筒の下部の内側に断熱板が配置されており、該断熱板の外径が、前記保温筒の上部の内径よりも大きく、かつ前記保温筒の下部の内径よりも小さいものである半導体単結晶の製造装置である。これにより、原料融液を収容するルツボ周囲の保温効果を高め、かつルツボの外側に配置された加熱ヒータの発熱量（すなわち消費電力）を抑制しても、半導体単結晶の成長速度の高速化と品質の安定化を十分に図ることができる半導体単結晶の製造装置が提供される。
摘要翻译：该制造半导体单晶的装置在生长炉主体中设置有坩埚和设置在坩埚周围的加热器。保温筒设置在生长炉主体中的加热器的周围，保温筒在内表面具有台阶，所述台阶将圆筒分隔成上部和下部，内径为下部比上部大。在生长炉主体中，隔热板设置在保温筒的下部的内侧，内侧位于加热器的下方，绝热板的外径大于内侧保温筒的上部的直径小于保温筒的下部的内径。因此，提供了半导体单晶的制造装置，所述装置在包含原料熔融物的坩埚周围具有改善的保温效果，并且充分实现半导体单晶的高生长速度和稳定的质量，即使量通过设置在坩埚外部的加热器产生的热量（即消耗电力）被抑制。

7. 发明申请

WO2010064354A1 単結晶製造用上部ヒーターおよび単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法审中-公开
标题翻译：上一级制造单晶，单晶制造装置和单晶制造方法
公开(公告)号：WO2010064354A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/005234
申请日：2009-10-08
申请人：信越半導体株式会社 , 高野清隆
发明人：高野清隆
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06 , H05B3/14 , H05B3/64
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
摘要：　本発明は、少なくとも、電流が供給される電極と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容するルツボを囲繞するように配置される黒鉛ヒーターの上部に配置される上部ヒーターであって、発熱部は、リング状でルツボを囲繞するように配置され、発熱部の内側および外側から、それぞれ水平方向にスリットが形成されたものであることを特徴とする単結晶製造用上部ヒーターである。これにより、単結晶の結晶欠陥を効率的に制御することができる単結晶製造用上部ヒーター、および、その単結晶製造用上部ヒーターを用いて、結晶欠陥を効率的に制御し、また、酸素濃度の制御性を向上して、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置および単結晶製造方法が提供される。
摘要翻译：提供了一种上加热器，其至少设置有供给电流的电极和使用电阻加热的发热部，并且布置在石墨加热器的上部，该石墨加热器被布置成围绕包含硅熔体的坩埚用于使用Czochralski法制造单晶。用于制造单晶的上加热器的特征在于，发热部分围绕坩埚布置成环形，并且具有从发热部分的内侧和外侧沿水平方向形成的狭缝。因此，通过使用上加热器有效地控制晶体缺陷，可以有效地控制单晶的晶体缺陷的单晶的上加热器，单晶制造装置和用于制造高质量单晶的单晶制造方法并提供氧浓度的可控性。

8. 发明申请

WO2010005736A3 GERMANIUM-ENRICHED SILICON MATERIAL FOR MAKING SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：富含锗的硅材料用于制备太阳能电池
公开(公告)号：WO2010005736A3
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/US2009047539
申请日：2009-06-16
申请人： CALISOLAR INC , KIRSCHT FRITZ , ABROSIMOVA VERA , HEUER MATTHIAS , JOUINI ANIS , LINKE DIETER , KAES MARTIN , RAKOTONIAINA JEAN PATRICE , OUNADJELA KAMEL
发明人： KIRSCHT FRITZ , ABROSIMOVA VERA , HEUER MATTHIAS , JOUINI ANIS , LINKE DIETER , KAES MARTIN , RAKOTONIAINA JEAN PATRICE , OUNADJELA KAMEL
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B13/10 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B29/52 , H01L31/028 , Y02E10/547 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068
摘要： Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.
摘要翻译：描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。共同的特征是向熔体添加预定量的锗，并执行结晶以将锗掺入相应晶体硅材料的硅晶格中。这种掺入的锗导致各个硅材料特性的改进，主要是材料强度的增加。这导致在太阳能电池制造中应用这些材料以及从这些太阳能电池制造模块时产生积极效果。锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实际范围取决于所产生的材料质量。

9. 发明申请

WO2006132536A1 METHOD AND APPARATUS FOR REFINING A MOLTEN MATERIAL 审中-公开
标题翻译：精炼材料的方法和装置
公开(公告)号：WO2006132536A1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/NO2006/000174
申请日：2006-05-10
申请人： ELKEM SOLAR AS , FRIESTAD, Kenneth
发明人： FRIESTAD, Kenneth
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/1044 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088
摘要： A method for the directional solidification of silicon or other materials. A cooled plate (19) is lowered into a silicon melt (18) and an ingot (29) of solid silicon is solidified downwards.
摘要翻译：硅或其他材料的定向凝固的方法。冷却板（19）下降到硅熔体（18）中，固体硅锭（29）向下固化。

10. 发明申请

WO2006124103A1 METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF SILICON CARBIDE CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：用于生产碳化硅晶体的方法和装置
公开(公告)号：WO2006124103A1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：PCT/US2006/008992
申请日：2006-03-08
申请人： CREE, INC. , TSVETKOV, Valeri, F. , MALTA, David, Phillip
发明人： TSVETKOV, Valeri, F. , MALTA, David, Phillip
IPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36 , C30B35/00
CPC分类号： C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/36 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
摘要： A method and apparatus for growing silicon carbide crystals is provided. The apparatus includes a sublimation chamber with a plurality of spaced apart dividers that can direct the direction of silicon carbide crystal growth into passages between the dividers to form a plurality of silicon carbide crystal plates. The silicon carbide crystal plates can be used as seed crystals in subsequent sublimation steps in a manner that promotes the growth of silicon carbide crystals in different crystallographic directions to thereby terminate defect formation.
摘要翻译：提供一种生长碳化硅晶体的方法和装置。该装置包括具有多个间隔开的分隔器的升华室，其可以将碳化硅晶体生长的方向引导到分隔器之间的通道中，以形成多个碳化硅晶体板。碳化硅晶体板可以在随后的升华步骤中用作晶种，以促进碳化硅晶体在不同晶向上的生长，从而终止缺陷形成。

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