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1. 发明申请

WO2013114183A1 METHOD AND SYSTEM FOR ALUMINA NANOFIBERS SYNTHESIS FROM MOLTEN ALUMINUM 审中-公开
标题翻译：从铝合金合成的氧化铝纳米纤维的方法和系统
公开(公告)号：WO2013114183A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/IB2013/000120
申请日：2013-01-31
申请人： ANF TECHNOLOGY LIMITED
发明人： KUTUZOV, Mihhail
IPC分类号： C30B9/00 , B82Y30/00 , C01F7/42 , C30B29/20 , C30B29/60
CPC分类号： C30B9/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01F7/422 , C01P2004/16 , C30B29/20 , C30B29/60 , Y10S977/762 , Y10T117/1024
摘要： A method for synthesizing monocrystalline alumina nanofibers by controlled liquid phase oxidation of a melt including molten aluminum. The method comprises two stages. During the first stage, metallic aluminum is melted and various additives are introduced into the melt. During the second stage, the alumina nanofibers are synthesized from the resulting melt in the presence of oxygen. In one or more embodiments, the inventive method is performed in a reactor. The reactor is designed to provide the heating and to enable melting of metallic aluminum. In addition, the reactor is designed to maintain a sustained temperature of between 660°C and 1,000 °C. When the additives are introduced into the molten aluminum, it is desirable to provide steady and uniform the stirring of the melt. To this end, the reactor may be provided with a stirring mechanism.
摘要翻译：一种通过包含熔融铝的熔体的受控液相氧化合成单晶氧化铝纳米纤维的方法。该方法包括两个阶段。在第一阶段期间，金属铝熔化并且各种添加剂被引入熔体中。在第二阶段期间，氧化铝纳米纤维在氧气存在下由所得熔体合成。在一个或多个实施方案中，本发明的方法在反应器中进行。反应器设计用于提供加热并使金属铝熔化。另外，反应器被设计成维持在660℃和1000℃之间的持续温度。当添加剂被引入熔融铝中时，期望提供稳定和均匀的熔体搅拌。为此，反应器可以设置有搅拌机构。

2. 发明申请

WO2012007653A8 METHOD FOR DOPING A SEMICONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于掺杂半导体材料的方法
公开(公告)号：WO2012007653A8
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/FR2011000385
申请日：2011-07-01
申请人： APOLLON SOLAR , SILTRONIX , FORSTER MAXIME , FOURMOND ERWANN , STADLER JACKY , EINHAUS ROLAND , LAUVRAY HUBERT
发明人： FORSTER MAXIME , FOURMOND ERWANN , STADLER JACKY , EINHAUS ROLAND , LAUVRAY HUBERT
IPC分类号： C30B11/04
CPC分类号： H01L21/324 , C30B11/04 , C30B15/04 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： According to the invention, a load (4) of semiconductor material is placed in a crucible (1). A sealed sacrificial container (5) containing a dopant material (6) is placed inside the crucible (1). The contents of the crucible (1) are melted, thereby causing the dopant to be incorporated into the bath of molten material. The raising of the temperature is carried at a low pressure.
摘要翻译：根据本发明，将半导体材料的负载（4）放置在坩埚（1）中。将包含掺杂剂材料（6）的密封牺牲容器（5）放置在坩埚（1）的内部。坩埚（1）的内容物熔化，从而使掺杂剂掺入到熔融材料的熔池中。温度的升高在低压下进行。

3. 发明申请

WO2011074847A3 APPARATUS AND METHOD FOR EXTRACTING A SILICON INGOT 审中-公开
标题翻译：提取硅酮的装置和方法
公开(公告)号：WO2011074847A3
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/KR2010008917
申请日：2010-12-14
申请人： KCC CORP , CHANG KI HYUN , NAM DONG HYUN
发明人： CHANG KI HYUN , NAM DONG HYUN
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： C30B11/001 , C30B11/007 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： The present invention relates to an apparatus and method for extracting a silicon ingot. The apparatus of the present invention comprises: a chamber to which molten silicon is introduced from a cold crucible; a primary extraction device arranged in the chamber such that the primary extraction device is movable in a vertical direction, and the primary extraction device coagulates the molten silicon and extracts the thus-formed silicon ingot; a moving device which moves the primary extraction device in a horizontal direction; and a secondary extraction device arranged beneath the chamber such that the secondary extraction device is movable in a vertical direction, and the secondary extraction device extracts the silicon ingot at the state where the primary extraction device has moved in a lateral direction. According to the present invention, the height of the extraction device is reduced, and thus manufacturing costs including equipment costs can be reduced, and the space occupied by the extraction device can be reduced.
摘要翻译：本发明涉及一种用于提取硅锭的装置和方法。本发明的装置包括：从冷坩埚引入熔融硅的室; 初级提取装置，其布置在所述室中，使得所述主提取装置可在垂直方向上移动，并且所述主提取装置凝结所述熔融硅并提取如此形成的硅锭; 使第一提取装置沿水平方向移动的移动装置; 以及二次提取装置，其布置在所述室下方，使得所述二次提取装置可在垂直方向上移动，并且所述二次提取装置在所述主提取装置沿横向方向移动的状态下提取所述硅锭。根据本发明，提取装置的高度减小，从而可以减少包括设备成本在内的制造成本，并且可以减少由提取装置占据的空间。

4. 发明申请

WO2011074847A2 실리콘 잉고트의 인출장치 및 방법 审中-公开
标题翻译：提取硅锭的装置和方法
公开(公告)号：WO2011074847A2
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/KR2010/008917
申请日：2010-12-14
申请人： 주식회사 케이씨씨 , 장기현 , 남동현
发明人： 장기현 , 남동현
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： C30B11/001 , C30B11/007 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 실리콘 잉고트의 인출장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 냉도가니 내에 형성된 실리콘 융액이 유입되는 챔버와; 상기 챔버에 수직방향으로 이동 가능하게 설치되고, 상기 실리콘 융액을 응고시켜 실리콘 잉고트를 인출하는 1차 인출장치와; 상기 1차 인출장치를 수평방향으로 이동시키는 이동장치와; 상기 챔버의 하부에 수직방향으로 이동 가능하게 설치되고, 상기 1차 인출장치가 측방으로 이동된 상태에서 상기 실리콘 잉고트를 인출하는 2차 인출장치를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 인출장치의 높이가 감소함으로써 설비에 들어가는 제조비용이 절감될 수 있고, 인출장치가 설치되는 공간도 줄일 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：硅锭的提取装置和方法技术领域本发明涉及一种提取硅锭的装置和方法。蜂窝结构体技术领域本发明涉及一种蜂窝结构体，其包括：腔室，冷坩埚中形成的硅熔液流入该腔室; 一次抽选装置，其安装在所述腔室中以便能够在竖直方向上移动以通过固化所述硅熔体而抽出所述硅锭; 移动装置，用于沿水平方向移动主拉伸装置; 并且，二次描绘装置设置在腔室的下部，能够在上下方向上移动，在一次描绘装置横向移动的状态下拉伸硅锭。根据本发明，由于牵引装置的高度减小，所以可以降低设备的制造成本，并且可以减小用于安装牵引装置的空间。

5. 发明申请

WO2011010394A1 溶液法による単結晶成長用種結晶軸审中-公开
标题翻译：通过解决方案的单晶生长的SEED晶体轴
公开(公告)号：WO2011010394A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2009/063316
申请日：2009-07-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 坂元秀光 , 藤原靖幸
发明人：坂元秀光 , 藤原靖幸
IPC分类号： C30B15/32
CPC分类号： C30B9/00 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T428/2918
摘要：溶液法による多結晶の生成を防止乃至は抑制して高い成長速度で単結晶を成長させることを可能とし得る溶液法による結晶成長用種結晶軸を提供する。解決手段　溶液法による単結晶製造装置に用いられる種結晶軸であって、種結晶支持部材に種結晶が、原料溶液の溶液面と垂直方向に高熱伝導性を有し、炭素製薄膜を接着剤により複数枚積層させた積層カーボンシート、積層方向が異なる複数の小片が格子状に配置されている積層カーボンシート、炭素製帯を同心円状に中心から巻回した巻回型カーボンシート、又は厚さの異なる複数の炭素製帯を中心から外周に行くに従って厚さが厚くなるように積層巻回した積層巻回型カーボンシートを介在させて、接合されてなる溶液法による単結晶成長用種結晶軸にある。
摘要翻译：提供了通过溶液法生长单晶的晶种轴，其在溶液方法中防止或抑制多晶生成，并使单晶以高速率生长。通过溶液法生长单晶的籽晶轴是用于通过溶液法生产单晶的装置的晶种轴。种晶轴包括通过在垂直于原料溶液的表面的方向上具有高导热性的碳片与支撑构件接合的晶种支撑构件和晶种，碳片是获得的层压碳片通过粘合剂层叠多个薄碳膜，层压碳片，其包含多个层叠方向不同的小块，并且以格子排列配置，通过从中心同心地轧制碳带而获得的轧制碳片，或通过轧制多个厚度不同的碳带，以形成带状厚度从中心向周边增加的多层辊而获得的多层轧制碳片。

6. 发明申请

WO2010053964A1 NOVEL VESSEL DESIGNS AND RELATIVE PLACEMENTS OF THE SOURCE MATERIAL AND SEED CRYSTALS WITH RESPECT TO THE VESSEL FOR THE AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-III NITRIDE CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：关于第III组氮化物晶体的高温生长的船舶材料和种子晶体的新型船舶设计和相对放置
公开(公告)号：WO2010053964A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/US2009/063238
申请日：2009-11-04
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , PIMPUTKAR, Siddha , KAMBER, Derrick S. , SPECK, James S. , NAKAMURA, Shuji
发明人： PIMPUTKAR, Siddha , KAMBER, Derrick S. , SPECK, James S. , NAKAMURA, Shuji
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1024
摘要： Reactor designs for use in ammonothermal growth of group-Ill nitride crystals envision a different relative placement of source materials and seed crystals with respect to each other, and with respect to the vessel containing a solvent. This placement results in a difference in fluid dynamical flow patterns within the vessel.
摘要翻译：用于III族氮化物晶体的氨热生长的反应器设计设想了源材料和晶种相对于彼此以及相对于含有溶剂的容器的不同相对位置。该位置导致容器内的流体动力学流动模式的差异。

7. 发明申请

WO2010053963A1 CONTROLLING RELATIVE GROWTH RATES OF DIFFERENT EXPOSED CRYSTALLOGRAPHIC FACETS OF A GROUP-III NITRIDE CRYSTAL DURING THE AMMONOTHERMAL GROWTH OF A GROUP-III NITRIDE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：控制III-III型氮化物晶体的三元氮化镓晶体的不同暴露晶体生长面积的相对生长速率
公开(公告)号：WO2010053963A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/US2009/063236
申请日：2009-11-04
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , PIMPUTKAR, Siddha , KAMBER, Derrick S. , SPECK, James S. , NAKAMURA, Shuji
发明人： PIMPUTKAR, Siddha , KAMBER, Derrick S. , SPECK, James S. , NAKAMURA, Shuji
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B7/105 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02609 , H01L21/02628 , Y10T117/1024
摘要： A method for controlling the relative and absolute growth rates of all possible crystallographic planes of a group-Ill nitride crystal during ammonothermal growth. The growth rates of the various exposed crystallographic planes of the group-Ill nitride crystal are controlled by modifying the environment and/or conditions within the reactor vessel, which may be subdivided into a plurality of separate zones, wherein each of the zones has their own environment and conditions. The environment includes the amount of atoms, compounds and/or chemical complexes within each of the zones, along with their relative ratios and the relative motion of the atoms, compounds and/or chemical complexes within each of the zones and among the zones. The conditions include the thermodynamic properties each of the zones possess, such as temperatures, pressures and/or densities.
摘要翻译：一种用于在氨热生长期间控制III族氮化物晶体的所有可能的结晶平面的相对和绝对生长速率的方法。通过改变反应器容器内的环境和/或条件来控制第III族氮化物晶体的各种暴露的结晶面的生长速率，该环境和/或条件可分为多个分开的区域，其中每个区域都有自己的区域环境和条件。环境包括每个区域内的原子，化合物和/或化学配合物的数量，以及它们的相对比例以及每个区域内和区域之间的原子，化合物和/或化学配合物的相对运动。条件包括每个区域具有的热力学性质，例如温度，压力和/或密度。

8. 发明申请

WO2010016415A1 シリコン製造装置审中-公开
标题翻译：硅生产设备
公开(公告)号：WO2010016415A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/JP2009/063497
申请日：2009-07-29
申请人：株式会社トクヤマ , 能美浩男 , 若松智 , 義松信昭
发明人：能美　浩男 , 若松　智 , 義松　信昭
IPC分类号： C01B33/03
CPC分类号： C01B33/03 , B01J19/24 , B01J2219/00141 , B01J2219/00148 , C01B33/029 , Y10T117/1024
摘要：本発明は、シリコン製造装置の反応管を吊り下げることなく、反応管の熱膨張に追従することができる新規な反応管の取付構造を提供する。シリコン製造装置１の反応容器本体２内の反応部３内には、クロロシラン類及び水素を供給するガス供給管６と、シリコンを析出させる反応管７と、該反応管７の外周側に配設され析出したシリコンを溶融する高周波コイル１１と、反応管７と高周波コイル１１との間に設けられた断熱材９と、反応部３の下部に設けられ断熱材９を支持する中間壁８とを備えている。該中間壁８の上面には、反応管７を支持させるようにした。
摘要翻译：提供了采用新型反应管附接结构的硅制造装置。该装置可以符合反应管的热膨胀，而不需要悬挂反应管。硅生产装置（1）包括其中具有反应部分（3）的反应容器主体（2），反应部分装有：供给氯硅烷化合物和氢气的气体供给管（6）反应管（7），其中沉积硅; 已经设置在反应管（7）的外周的外侧的高频线圈（11），并熔融沉积的硅; 布置在反应管（7）和高频线圈（11）之间的绝热材料（9）; 以及设置在反应部（3）的下部并支撑隔热材料（9）的中间壁（8）。反应管（7）支撑在中间壁（8）的顶部。

9. 发明申请

WO2009081523A1 単結晶製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和制造方法
公开(公告)号：WO2009081523A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/003542
申请日：2008-12-01
申请人：信越半導体株式会社 , 阿部孝夫
发明人：阿部孝夫
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/16 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　本発明は、少なくとも、チャンバーと、チャンバー内のルツボと、ルツボの周囲に配されたヒーターと、種結晶を引き上げる引上げ機構と、種結晶および育成した単結晶の導通路とを具備し、ルツボ内に収容した原料多結晶をヒーターによって溶融し、溶融多結晶に種結晶を接触させて引き上げる単結晶製造装置において、底部を曲面状とした円筒状の石英管と、ドーム形状の石英板とを具備し、石英管は、チャンバーの上部より導通路を通して曲面状の底部がルツボ上に臨むように配置され、石英板は、石英管を取り囲むように配置されたものであって、石英管は、少なくとも底部が熱線を反射する反射構造で、石英板は、ルツボに向けて熱線を反射する反射構造であることを特徴とする単結晶製造装置である。これによって、多結晶の溶融時間を短縮してサイクルタイムを短縮することができ、生産コストの低減とともに、電力コストを低減させる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：单晶体制造装置包括室，坩埚在室内，在坩埚周围设置的加热器，用于提升晶种的提升机构，以及用于晶种的引导通道和生长的单晶。在单晶体制造装置中，包含坩埚的多晶体被加热器熔化，使晶种与熔融的多晶体接触并提升。单晶制造装置的特征在于包括具有弯曲底部的圆柱形石英管和圆顶状石英板，其中石英管被布置成使得其弯曲的底部从坩埚的上部面向坩埚通过导向通道，石英板被布置成包围石英管，并且石英管具有用于从至少其底部反射热射线的反射结构，而石英板具有用于反射的反射结构对坩埚的热射线。因此，单晶体制造装置可以缩短多晶体的熔融时间，从而缩短循环时间，降低生产成本和电力成本。

10. 发明申请

WO2009041685A1 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法审中-公开
标题翻译：用于拉丝硅单晶的QUARTZ玻璃可塑性及其制造方法
公开(公告)号：WO2009041685A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/067653
申请日：2008-09-29
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社 , 岸弘史
发明人：岸弘史
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C03C3/06 , C03C19/00 , C03C2201/80 , C03C2203/10 , C03C2204/08 , C30B35/002 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要：　結晶化促進剤を用いずに、使用時の高温下でもルツボの変形を生じ難く、かつ製造が容易な石英ガラスルツボを提供するために、シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボであって、外面層が気泡含有石英ガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されない石英ガラス層によって形成されており、外面層の表面に未溶融ないし半溶融の石英層（半溶融石英層と略称する）を有し、該半溶融石英層の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０μｍ～２００μｍであることを特徴とし、好ましくは、半溶融石英層の層厚が０．５～２．０ｍｍである。
摘要翻译：提供一种石英玻璃坩埚，其即使在没有结晶促进剂的情况下在高温下使用也容易变形，并且容易制造。在用于拉硅单晶的石英玻璃坩埚中，外层由含气泡的石英玻璃层形成，内层由未被肉眼观察到的气泡的石英玻璃层形成。在外层的表面上，形成未熔融或半熔融的石英层（简称为半熔融石英层），半熔融石英层的中心线平均粗糙度（Ra）为50μm〜200μm。优选地，半熔融石英层的厚度为0.5-2.0mm。

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