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1. 发明申请

WO2006003955A1 音響光学素子及びそれを用いた光描画装置审中-公开
标题翻译：光学元件和光学绘图装置
公开(公告)号：WO2006003955A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/JP2005/011994
申请日：2005-06-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 根上卓之 , 高橋康仁 , 西山寿美 , 渋谷公彦
发明人：峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 根上卓之 , 高橋康仁 , 西山寿美 , 渋谷公彦
IPC分类号： G02F1/33
CPC分类号： G02F1/0072
摘要：　紫外領域の光でも利用可能で、レーザダメージや光損傷がなく、音響光学性能に優れる音響光学素子及びそれを用いた光描画装置を提供する。　本発明の音響光学素子は、高周波信号入力部（６５）、トランスデューサ部（６４）および音響光学媒体（６）を含み、前記高周波信号入力部（６５）から入力した高周波信号を、前記トランスデューサ部（６４）により機械振動に変換し、前記機械振動により前記音響光学媒体（６）の光学的な特性が変化する音響光学素子であって、前記音響光学媒体が、ＩＩＩ族窒化物結晶であることを特徴とする。また、本発明の光描画装置は、光源、音響光学素子、駆動回路および描画面を有し、前記光源からの光が、前記駆動回路からの信号に応じて前記音響光学素子において回折され、その回折光が、前記描画面に描画される光描画装置であって、前記音響光学素子の音響光学媒体が、ＩＩＩ族窒化物結晶であることを特徴とする。
摘要翻译：一种即使在紫外线区域也可以使用光的声光元件，没有激光损伤和光学损伤，并且具有优异的声光性能。声光元件包括高频信号输入部分（65），换能器部分（64）和声光介质（6）。从高频输入部（65）输入的高频信号由换能器部（64）转换为机械振动。机械振动改变声光介质（6）的光学特性。声光元件的特征在于声光介质是III族氮化物晶体。光学绘图装置包括光源，声光元件，驱动电路和绘图屏。根据来自驱动电路的信号，来自光源的光被声光元件衍射，并且衍射光被绘制在绘图屏上。光学绘图装置的特征在于，声光元件的声光介质是III族氮化物晶体。

2. 发明申请

WO2005080648A1 化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产化合物单晶和生产装置的方法
公开(公告)号：WO2005080648A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002560
申请日：2005-02-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 北岡康夫 , 峯本尚 , 木戸口勲 , 高橋康仁 , 佐々木孝友 , 川村史朗
发明人：森勇介 , 北岡康夫 , 峯本尚 , 木戸口勲 , 高橋康仁 , 佐々木孝友 , 川村史朗
IPC分类号： C30B19/02
CPC分类号： C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
摘要：　成長レートを向上し、結晶均一性が高く大きな単結晶を短時間で育成できる化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置を提供する。原料液において、原料ガスと接する気液界面から前記原料液の内部に向かう流れが生じるように、前記原料液を攪拌しながら化合物単結晶を成長させる。前記攪拌によって、原料ガスを容易に原料液に溶解することができ、短時間で過飽和状態を実現することが可能であり、化合物単結晶の成長レートを向上させることができる、しかも、前記攪拌によって、原料ガス濃度の高い気液界面から原料ガス濃度の低い原料液内部への流れが形成され、原料ガスの溶解も均一となるので、気液界面での不均一な核発生を抑制でき、得られる化合物単結晶の品質も向上する。
摘要翻译：一种制造包含气态原料与液体原料反应的化合物单晶的方法，其中，化合物单晶以液态原料搅拌生长，从而在液体原料中形成流动，气体和液体彼此接触的气液界面到液体原料的内部; 以及用于该方法的装置。上述搅拌使得气态原料容易地溶解在液体原料中并在短时间内达到过饱和状态，从而提高了化合物单晶的生长速度，并且还允许更均匀地溶解气态原料通过从具有高含量的气态原料的气 - 液界面形成到具有低含量气态原料的液体原料的内部，导致非气态原料的抑制，在气 - 液界面中均匀地产生核，这又导致所得化合物单晶质量的提高。结果，上述化合物单晶的制造方法能够以提高的生长速度在短时间内生长具有高均匀度的大单晶。

3. 发明申请

WO2008111289A1 ＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶审中-公开
标题翻译：生产第三类氮化钠晶体的方法和第三类元素氮化物晶体
公开(公告)号：WO2008111289A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/JP2008/000444
申请日：2008-03-05
申请人：松下電器産業株式会社 , 山田修 , 峯本尚 , 平中弘一 , 畑山健 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 北岡康夫
发明人：山田修 , 峯本尚 , 平中弘一 , 畑山健 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 北岡康夫
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
摘要：　結晶成長レートが高く、高品質の結晶が得られるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法、およびＩＩＩ族元素窒化物結晶を提供する。ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶を結晶成長容器に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器を加圧加熱し、ＩＩＩ族元素、アルカリ金属および窒素を含む融液中でＩＩＩ族元素および窒素を反応させ、種結晶を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、結晶成長容器を加圧加熱する前に、沸点がアルカリ金属の融点よりも高い炭化水素を添加する。
摘要翻译：本发明提供一种可以实现高晶体生长速度并能够生产高质量晶体的III族元素氮化物晶体和III族元素氮化物晶体的制造方法。在制造方法中，将III族元素，碱金属和III族元素氮化物的晶种置于晶体生长容器中。将晶体生长容器在含氮气体气氛下加压和加热，使III族元素和氮在含有III族元素，碱金属和氮的熔体中反应，从而生长III族元素氮化物晶体使用晶种作为核。在晶体生长容器被加压和加热之前，加入沸点高于碱金属的烃。

4. 发明申请

WO2005095681A1 III族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子审中-公开
标题翻译：用于生产III族元素氮化物晶体的方法，其使用的生产装置和生产的半导体元件
公开(公告)号：WO2005095681A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006365
申请日：2005-03-31
申请人：松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 高橋康仁
发明人：森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 高橋康仁
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
摘要：　成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるIII族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子を提供する。　アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素と窒素とを含む原料液中において、窒素含有ガス雰囲気下、加圧加熱して前記原料液中の窒素とIII族元素とを反応させ結晶を成長させる結晶成長工程を有するIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記結晶成長工程に先立ち、さらに、原料調製工程を有し、前記原料調製工程は、窒素含有ガス雰囲気下、雰囲気温度および雰囲気圧力の少なくとも一方を前記結晶成長工程の条件よりも高く設定して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素とを含む融液中に窒素を溶解させて前記原料液を調製する工程である。本発明の方法は、例えば、図７に示す製造装置により行うことができる。
摘要翻译：一种生产III族元素氮化物晶体的方法，其具有晶体生长步骤，在压力下加热含有碱金属和碱土金属，III族元素和氮气中的至少一种的原料流体，所述气体含有从而使上述原料流体中的氮和III族元素反应，并且生长晶体，其进一步包括原料制备步骤，在上述晶体生长步骤之前，将氮溶解在含有至少一种的碱金属和碱土金属在含氮气体的气氛中，其中将气氛的温度和压力中的至少一个设定在比上述晶体生长步骤高的水平的条件下，制备以上原料液; 实施上述方法的制造装置，例如图1所示。 7; 以及由上述制造的半导体元件。该方法允许在短时间内生产具有高质量和大尺寸的III族元素氮化物的晶体，并具有改善的生长速率。

5. 发明申请

WO2010079655A1 単結晶育成用の反応容器および単結晶の育成方法审中-公开
标题翻译：用于生长单晶的反应容器和用于生长单晶的方法
公开(公告)号：WO2010079655A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/JP2009/070271
申请日：2009-11-26
申请人：日本碍子株式会社 , 豊田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 岩井真 , 東原周平 , 北岡康夫 , 森勇介 , 佐藤峻之 , 永井誠二
发明人：岩井真 , 東原周平 , 北岡康夫 , 森勇介 , 佐藤峻之 , 永井誠二
IPC分类号： C30B9/10 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002
摘要：ナトリウムを含む融液からフラックス法によって単結晶を育成する方法であって、イットリウム・アルミニウム・ガーネットからなる反応容器内にフラックスを収容する。アルミナ容器やイットリア容器を使用した場合と比較して、酸素、珪素等の不純物の取り込み量を著しく削減でき、残留キャリア濃度が低く、電子移動度が大きく、比抵抗が高い単結晶を得ることに成功した。
摘要翻译：公开了一种通过助熔剂技术从含钠助焊剂生长单晶的方法，其特征在于将助熔剂包括在包含钇，铝和石榴石的反应容器中。通过使用反应容器，能够显着降低诸如氧和硅的杂质的污染，并且生产具有较低残留载流子浓度，较高电子迁移率和较高电阻率的单晶，与其中使用氧化铝容器或氧化钇容器。

6. 发明申请

WO2008117564A1 窒化物単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造硝酸单晶的方法
公开(公告)号：WO2008117564A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2008/051463
申请日：2008-01-24
申请人：日本碍子株式会社 , 市村幹也 , 今井克宏 , 岩井真 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 北岡康夫
发明人：市村幹也 , 今井克宏 , 岩井真 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 北岡康夫
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208
CPC分类号： C30B29/406 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02625
摘要：育成容器１内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液２中で種結晶基板５上に窒化物単結晶を製造するのに際して、育成容器１内の融液２に、水平方向において温度勾配を設ける。これによって、フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶への雑晶の付着を抑制し、かつ単結晶の膜厚を均一化する。
摘要翻译：在生长容器（1）中，在含有助熔剂和单晶材料的溶液（2）中的晶种基板（5）上制造氮化物单晶。生长容器（1）中的溶液（2）在水平方向上具有温度梯度。在通过助熔剂法生长氮化物单晶时，抑制了劣质结晶对单晶的粘附，并且单晶的膜厚均匀化。

7. 发明申请

WO2007083768A1 半導体発光素子、ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件，III族氮化物半导体基板及其制造这种III族氮化物半导体基板的方法
公开(公告)号：WO2007083768A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2007/050837
申请日：2007-01-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 川口靖利 , 高橋康仁 , 長谷川義晃
发明人：峯本尚 , 北岡康夫 , 川口靖利 , 高橋康仁 , 長谷川義晃
IPC分类号： H01L33/00 , C30B19/02 , C30B29/38 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/22 , H01S5/305
摘要：　ＩＩＩ族窒化物半導体基板を用いた半導体発光素子において、基板のドーパント種とその濃度を制御し、光取り出し特性に優れた半導体発光素子を得ることを目的とする。ドーパントとしてゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる基板と、基板上に設けられているＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に設けられているＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、活性層上に設けられているＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層とを有する半導体発光素子であって、前記基板中のゲルマニウム（Ｇｅ）濃度が２×１０ 17 ～２×１０ 19 ｃｍ -3 である。また、前記基板は、窒素を含む雰囲気下において、少なくとも、ＩＩＩ族元素と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と、ゲルマニウム（Ｇｅ）と、窒素とを含む融液を用いて製造された基板である。
摘要翻译：在使用III族氮化物半导体衬底的半导体发光元件中，控制衬底的掺杂物种类和掺杂剂物质的浓度，并且获得具有优异的光提取特性的半导体发光元件。半导体发光元件设置有由包含锗（Ge）作为掺杂剂的III族氮化物半导体构成的衬底; n型半导体层，其配置在基板上，由III族氮化物半导体构成; 以及配置在有源层上并由III族氮化物半导体构成的p型半导体层。衬底中锗（Ge）的浓度为2×10 17 -2×10 9 cm -3 -3。通过在包括氮气的气氛下使用至少包含III族元素，碱金属或碱土金属，锗（Ge）和氮的熔体来制造基板。

8. 发明申请

WO2007029655A1 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产六角形氮化物单晶，六方晶氮化镓半导体晶体的方法和用于生产六面体氮化物单晶的方法
公开(公告)号：WO2007029655A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317474
申请日：2006-09-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 北岡康夫 , 峯本尚 , 川口靖利 , 森勇介 , 佐々木孝友 , 川村史朗
发明人：北岡康夫 , 峯本尚 , 川口靖利 , 森勇介 , 佐々木孝友 , 川村史朗
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/10
CPC分类号： C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403
摘要：　成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。　液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。
摘要翻译：可以在短时间内生长获得改善的生长速度的六方氮化物单晶和高质量的大晶体的方法; 和通过该方法获得的六方氮化物单晶。该方法的特征在于通过液相外延在平面晶种衬底的每一侧同时生长六方晶氮化物单晶。晶体生长优选在将晶种衬底设置在包括选自镓，铝和铟的至少一种III族元素的熔体中，同时将包含碱金属和碱土金属中的至少一种的焊剂，和氮气，使得晶种基板的两侧与熔体接触。

9. 发明申请

WO2005064661A1 III族窒化物結晶の製造方法およびそれにより得られるIII族窒化物結晶ならびにそれを用いたIII族窒化物基板审中-公开
标题翻译：通过这种方法生产III族氮化物晶体，III族氮化物晶体的方法和使用其的III族氮化物衬底
公开(公告)号：WO2005064661A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/JP2004/019249
申请日：2004-12-22
申请人：松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 北岡康夫 , 峯本尚 , 木戸口勲 , 佐々木孝友 , 川村史朗
发明人：森勇介 , 北岡康夫 , 峯本尚 , 木戸口勲 , 佐々木孝友 , 川村史朗
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
摘要： In an atmosphere containing nitrogen, a flux containing at least one group III element selected from Ga, Al and In and an alkali metal is caused to contain Mg, and a group III nitride crystal is grown in the resulting flux, thereby forming a group III nitride substrate. Since Mg is a p-type dopant material for the group III nitride crystal, the crystal can still exhibit p-type or semi-insulating electrical characteristics even when Mg is mixed into the crystal. Consequently, mixing of Mg causes no problem in application of the group III nitride crystal to an electronic device. By having the flux contain Mg, the amount of nitrogen dissolved in the flux is increased. Consequently, a crystal can be grown at a high growth rate, thereby improving reproducibility of crystal growth.
摘要翻译：在含氮气氛中，含有选自Ga，Al，In中的至少一种III族元素的助熔剂和碱金属含有Mg，在所得助焊剂中生长III族氮化物晶体，形成III族氮化物衬底。由于Mg是用于III族氮化物晶体的p型掺杂剂材料，所以即使将Mg混入晶体中，晶体仍然可以呈现p型或半绝缘电特性。因此，Mg的混合对于将III族氮化物晶体应用于电子器件没有问题。通过使助熔剂含有Mg，溶解在助熔剂中的氮的量增加。因此，可以以高生长速度生长晶体，从而提高晶体生长的再现性。

10. 发明申请

WO2006070749A1 炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶の製造方法及びそれにより得られた炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶审中-公开
标题翻译：用于生产碳化硅（SiC）单晶和碳化硅（SiC）单晶的方法
公开(公告)号：WO2006070749A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/JP2005/023798
申请日：2005-12-26
申请人：松下電器産業株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 北岡康夫 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 川原実
发明人：北岡康夫 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 川村史朗 , 川原実
IPC分类号： C30B29/36 , C30B9/10 , C01B31/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　低コストで大型の炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶を製造可能な製造方法を提供する。　アルカリ金属フラックス中において、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）とを溶解し、これらを反応させることにより、炭化珪素単結晶を生成又は成長させる。前記アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）が好ましい。この方法によれば、例えば、１５００°C以下の低温条件であっても、炭化珪素単結晶が製造可能である。本発明の方法により得られる炭化珪素単結晶の一例を、図３（Ｂ）の写真に示す。
摘要翻译：公开了一种以低成本制造大尺寸碳化硅（SiC）单晶的方法。具体地，通过在碱金属助熔剂中使硅（Si）和碳（C）熔融和反应来生产或生长碳化硅单晶。优选锂（Li）作为碱金属。通过该方法，可以在低温条件下例如在1500℃以下制造碳化硅单晶。通过该方法获得的碳化硅单晶的一个实例在图1的照片中示出。图3（B）。

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