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1. 发明申请

WO2005080646A1 単結晶半導体の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶半导体的方法
公开(公告)号：WO2005080646A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002627
申请日：2005-02-18
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 浦雅富見 , 黒木英俊 , 指谷利治 , 古市登
发明人：浦雅富見 , 黒木英俊 , 指谷利治 , 古市登
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　　融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させることを目的とする単結晶半導体の製造方法であり、単結晶半導体（６）を引き上げる過程で、引き上げられる単結晶半導体（６）の回転速度（ω2）を所定値以上に調整し、かつ所定範囲の強度の磁場を融液（５）に印加する。特に、結晶周速度を０．１２６m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ１/３を３５．５≦Ｍ/Ｖ１/３≦６１．３に調整する。望ましくは、結晶周速度を０．１４１m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ１/３を４０．３≦Ｍ/Ｖ１/３≦５６．４に調整する。
摘要翻译：在制造单晶半导体的方法中，通过在单晶半导体中更均匀地吸收杂质，在通过从熔融物中拉出单晶半导体的工艺来降低半导体晶片平面内的杂质浓度不均匀性，以及因此，提高了晶片的平面性。在提升单晶半导体（6）的过程中，要上拉的单晶半导体（6）的旋转速度（ω）2被调节到规定值以上，并且具有强度在对熔体（5）施加规定的范围。特别地，晶体圆周速度调节为0.126m / sec或更高，M / V1 / 3在35.5 <= M / V1 / 3 <= 61.3。优选地，在40.3 <= M / V1 / 3 <= 56.4，将晶体圆周速度调节为0.141m / sec或更高，M / V1 / 3。

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