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1. 发明申请

WO2009028273A1 ＣＺ法による単結晶引き上げ装置内の液面レベル測定方法审中-公开
标题翻译：采用CZ方法测量单晶拉伸装置液位的方法
公开(公告)号：WO2009028273A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/063001
申请日：2008-07-18
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 林田寿男 , 木原亜由美 , 高見拓章
发明人：林田寿男 , 木原亜由美 , 高見拓章
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　引き上げ単結晶の育成条件に応じて、複数の反射法から最適の反射法を選択することにより液面レベルの測定を確実にしかも容易に行える方法を提供するために、液面レベルの求め方が異なる複数の測定法を設定し、熱遮蔽物と単結晶の外周面との間にある所定位置と単結晶の外周面との間隔とを対応づけた情報を予め作成し、製造条件に応じて間隔を決定し、決定した間隔に対応する測定法を情報から選択し、選択した測定法で前記融液液面の液面レベルを測定している。
摘要翻译：提供了一种通过根据拉晶体的生长条件从多种反射方法中选择最佳反射方法来确定和容易地测量液面的方法。设定不同程度地得到液面的多种测定方法。预先产生在单晶体的外周面与隔热材料和单晶的外周面之间的规定位置之间的间隔与单晶的外周面相关联的信息，该间隔根据制造条件，从信息中选择适用于确定的间隔的测量方法，并且通过所选择的测量方法测量熔体的液面。

2. 发明申请

WO2008025872A3 CRYSTAL MANUFACTURING 审中-公开
标题翻译：水晶制造
公开(公告)号：WO2008025872A3
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/FI2007000217
申请日：2007-08-31
申请人： OKMETIC OYJ , ANTTILA OLLI , SAARNIKKO ARI , PALOHEIMO JARI
发明人： ANTTILA OLLI , SAARNIKKO ARI , PALOHEIMO JARI
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/20 , Y10T117/10 , Y10T117/104 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： An implementation of a Czochralski-type crystal growth has been shown and embodied. More particularly, a furnace with suitable insulation and flow arrangement is shown to improve the cost-efficiency of production of crystals. That is achieved by the shown new hot-zone structure, gas flows and the growth process which can decrease the power consumption, increase the lifetime of hot-zone parts and improve the productivity, e.g., by giving means for opening the hot-zone and easily adapting the hot-zone to a new crystal diameter.
摘要翻译：已经显示和体现了切克劳斯基型晶体生长的实现。更具体地，示出了具有合适的绝缘和流动布置的炉子，以提高晶体生产的成本效率。这是通过所示的新的热区结构，气体流动和生长过程实现的，其可以降低功率消耗，增加热区部件的寿命并提高生产率，例如通过提供用于打开热区的装置，容易使热区适应新的晶体直径。

3. 发明申请

WO2007013148A1 シリコン単結晶引上装置及びその方法审中-公开
标题翻译：硅单晶拉丝装置及其方法
公开(公告)号：WO2007013148A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2005/013715
申请日：2005-07-27
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 符森林 , 小野直樹
发明人：符森林 , 小野直樹
IPC分类号： C30B29/06 , C30B30/04
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/305 , Y10T117/1072
摘要：　シリコン融液を貯留する石英るつぼを所定の回転速度で回転させ、そこから引上げられるシリコン単結晶棒を所定の回転速度で回転させる。るつぼの回転中心をそれぞれ中心とする第１コイル及び第２コイルを鉛直方向に所定の間隔をあけて配設し、第１及び第２コイルにそれぞれ同じ向きの電流を流すことにより磁場を発生させる。第１コイルはチャンバ外に設けられ、第２コイルはチャンバ内に設けられる。第１及び第２コイルの所定間隔の中間位置と、シリコン融液の表面との距離が０ｍｍ以上１００００ｍｍ以下となるように、中間位置をシリコン融液の表面又はその下方に制御する。
摘要翻译：保持硅熔体的石英坩埚以规定的转速旋转，从石英坩埚拉出的硅单晶棒以规定的转速旋转。具有中心的坩埚旋转中心的第一线圈和第二线圈以规定的间隔在垂直方向上排列，允许相同方向的电流在第一和第二线圈中流动以产生磁场。第一线圈布置在室外，第二线圈布置在室内。在第一和第二线圈之间的规定间隔的中间位置被控制在硅熔体的表面以下，使得中间位置与硅熔体的表面之间的距离为0mm以上但不大于万毫米。

4. 发明申请

WO02053811A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于生长单晶的方法和装置
公开(公告)号：WO02053811A1
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：PCT/JP2001/011491
申请日：2001-12-26
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14 , C30B29/06 , H01L21/208
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： A method and an apparatus for growing a single crystal by the Czochralski method, characterized in that a cooling cylinder made of copper or a metal having a heat conductivity of greater than that of copper is disposed in a manner such that a single crystal under being pulled up is surrounded by the cylinder and a cooling medium is streamed through the cooling cylinder, to thereby grow a single crystal while cooling forcedly the vicinity of the interface of crystal growth. The method allows the maximization of the effect of cooling a growing single crystal even in the case of growing a silicon single crystal having a diameter of 300 mm or more, which leads to the achievement of an enhanced speed for the crystal growth.
摘要翻译：一种通过切克劳斯基法生长单晶的方法和装置，其特征在于，由铜或金属制成的导热率大于铜的冷却圆筒以这样的方式设置，使得在被拉出的单晶由气缸包围，冷却介质通过冷却筒流动，从而生长单晶，同时强制地冷却晶体生长界面附近。该方法即使在生长直径为300mm以上的硅单晶的情况下也能够使生长中的单晶的冷却效果最大化，这样可以实现晶体生长速度的提高。

5. 发明申请

WO01094669A1 POLYCRYSTALLINE SILICON ROD AND METHOD FOR PROCESSING THE SAME 审中-公开
标题翻译：多晶硅棒及其加工方法
公开(公告)号：WO01094669A1
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：PCT/JP2001/004636
申请日：2001-06-01
IPC分类号： B24B5/50 , B28D5/00 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B29/06 , C01B33/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B15/02 , Y10S117/90 , Y10S117/911 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072 , Y10T428/2973
摘要： A polycrystalline silicon rod having a jointing structure which allows jointing a plurality of rods with one another at their end portions with stability and in a manner such that the plurality of rods can be suspended with ease; and a method for processing a polycrystalline silicon rod which allows forming a flute or the like in it without annealing. The polycrystalline silicon rod can improve significantly the efficiency of the melting of polycrystalline silicon. Further, the removal of a part or the whole of the outer regions of a polycrystalline silicon rod and the processing of the residual central regions permits the elimination of the need for annealing treatment.
摘要翻译：一种具有接合结构的多晶硅棒，其允许多个杆在其端部处相互连接并具有稳定性并且可以容易地悬挂多个杆的方式; 以及能够在不退火的状态下形成其中的凹槽等的多晶硅棒的加工方法。多晶硅棒可以显着提高多晶硅熔化的效率。此外，去除多晶硅棒的一部分或全部外部区域以及残留中心区域的处理允许消除对退火处理的需要。

6. 发明申请

WO99035310A1 CRYSTAL GROWING APPARATUS WITH MELT-DOPING FACILITY 审中-公开
标题翻译：水晶成型设备
公开(公告)号：WO99035310A1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：PCT/US1998/026198
申请日：1998-12-09
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , Y10S117/911 , Y10T117/1056 , Y10T117/1072
摘要： A crystal growing apparatus is able to provide dopant to a melt in the apparatus. A hopper carrying dopant is integrated into a pull shaft of the apparatus so that dopant can be added to the melt without providing additional orifices in the apparatus or by opening the interior of the apparatus to the atmosphere.
摘要翻译：晶体生长装置能够向装置中的熔体提供掺杂剂。携带掺杂剂的料斗被集成到设备的牵引轴中，使得可以在设备中不添加附加孔或者将设备的内部打开到大气中而将掺杂剂添加到熔体中。

7. 发明申请

WO99015717A1 SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：单晶拉丝装置
公开(公告)号：WO99015717A1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：PCT/JP1998/004131
申请日：1998-09-14
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/30 , Y10S117/911 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
摘要： A single crystal pulling apparatus for preventing contamination of a single crystal and its first dislocation by moving softly the self-weight of the single crystal when the single crystal is clamped by a clamper, etc., during pulling, effecting pulling-driving after the self-weight movement by a single driving source and disposing all driving devices outside a vacuum chamber for storing the single crystal. The apparatus is provided with a support body (70) for supporting from below an increased diameter portion (5) below a seed crystal (3), a through-hole (73) so formed in the support body (70) as to communicate with the outer circumferential portion through slits (74), and a motor (40) for rotating the support body (70) between a non-holding position and a holding position in the horizontal direction. The position of the support body (70) is controlled in the vertical direction with respect to a seed crystal holder (2), a power for seed crystal pulling means (20) is transmitted to the support body (70) except when its position is controlled in the vertical direction so that the support body (70) and the seed crystal holder (2) can be moved up and down integrally, and the driving sources for these members are disposed outside a vacuum chamber (18) for storing the single crystal.
摘要翻译：一种单晶拉制装置，用于防止单晶体的污染及其第一位错，当拉伸时，单晶体被夹持器等夹持时，轻轻地移动单晶的自重，在自身之后进行牵引驱动通过单个驱动源的重量运动，并将所有驱动装置设置在真空室外部用于存储单晶。该装置设置有用于从晶种（3）下面的增加直径部分（5）的下方支撑的支撑体（70），形成在支撑体（70）中的通孔（73），以与外周部分通过狭缝74和用于使支撑体70在水平方向上的非保持位置和保持位置之间转动的马达40。支撑体（70）的位置相对于籽晶保持器（2）在垂直方向上被控制，用于晶种拉动装置（20）的功率被传递到支撑体（70），除了其位置是控制在垂直方向上，使得支撑体（70）和籽晶保持器（2）能够一体地上下移动，并且这些构件的驱动源设置在用于存储单晶的真空室（18）的外侧。

8. 发明申请

WO1998010125A1 SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：单晶拉丝装置
公开(公告)号：WO1998010125A1
公开(公告)日：1998-03-12
申请号：PCT/JP1997003042
申请日：1997-08-29
申请人： SUMITOMO SITIX CORPORATION , NISHIURA, Kiyofumi
发明人： SUMITOMO SITIX CORPORATION
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/32 , C30B15/30 , Y10S117/911 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
摘要： A single crystal pulling apparatus which is suitable for silicon single crystal pulling techniques developed for improving the semiconductor manufacturing efficiency and which can be utilized in the field of production of semiconductors. This apparatus comprises a pulling means for forming a stepped locking portion on a single crystal and a retainer mechanism for gripping the stepped locking portion of the crystal. When the weight of a single crystal increases while the crystal pulling operation progresses, the pulling operation is shifted to a single crystal retaining operation, which is carried out by the retainer mechanism, before the weight of the crystal has reached a limit of a load which can be borne by a dash neck section. Accordingly, even when a single crystal of a large weight is pulled, the locking and gripping thereof can be done reliably, and a single crystal can be manufactured safely without involving crystal dropping accidents.
摘要翻译：开发用于提高半导体制造效率并可用于半导体生产领域的单晶拉制技术的单晶拉制装置。该装置包括用于在单晶上形成阶梯式锁定部分的拉动装置和用于夹持晶体的阶梯式锁定部分的保持器机构。当结晶拉动操作进行时，单晶的重量增加，在晶体的重量达到负载的极限之前，拉动操作转移到由保持器机构执行的单晶保持操作可以由破折号的颈部承担。因此，即使拉动大重量的单晶，也可以可靠地进行锁定和夹持，并且可以安全地制造单晶而不引起晶体滴落事故。

9. 发明申请

WO1990004054A1 PROCESS AND DEVICE FOR PULLING CRYSTALS ACCORDING TO THE CZOCHRALSKI METHOD 审中-公开
标题翻译：根据CZOCHRALSKI方法拉伸结晶的方法和装置
公开(公告)号：WO1990004054A1
公开(公告)日：1990-04-19
申请号：PCT/EP1988000912
申请日：1988-10-12
申请人： SCHEEL, Hans, J.
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/30 , Y10T117/1052 , Y10T117/1072
摘要： Process and device for pulling crystals (22) according to the Czochralski method. One area (24) of the molten mass (12) from which the crystal grows is made to rotate in a movement which preferably matches that of a crystal holding device (16) pulling the crystal.

10. 发明申请

WO2010013719A1 シリコン単結晶引上装置审中-公开
标题翻译：硅胶单晶拉丝装置
公开(公告)号：WO2010013719A1
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/JP2009/063440
申请日：2009-07-28
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 久保田利通 , 福田朋広
发明人：鳴嶋　康人 , 川添　真一 , 小川　福生 , 久保田　利通 , 福田　朋広
IPC分类号： C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　試料管と供給管とを接続する接続手段の密閉性を高め、昇華性ドーパントが接続手段から漏れることを防止するシリコン単結晶引上装置を提供すること。　シリコン単結晶引上装置１は、引上炉２と、昇華性ドーパント２３を収容する試料室２０と、試料室２０の内部と引上炉２の内部との間を昇降可能な試料管２１と、試料管２１を昇降させる昇降手段２５と、引上炉２の内部に設けられ、昇華性ドーパント２３を融液５に供給する供給管２２と、試料管２１と供給管２２とを接合する接合手段と、を含む。接合手段は、試料管２１の一端から突出する凸部２１１と、供給管２２の一端に設けられ凸部２１１が嵌合可能に形成された凹部２２１と、からなり、凸部２１１と凹部２２１との接触面が曲面となるように形成されるボールジョイント構造により構成され、試料管２１と供給管２２との間には、流路が形成される。
摘要翻译：提供了一种硅单晶上拉装置，其中用于连接样品管和供给管的连接装置的气密性得到改善，并且防止了可升华的掺杂剂从连接装置泄漏。硅单晶上拉装置（1）包括上拉炉（2），容纳升华掺杂剂（23）的样品室（20），可升高和降低的样品管（21）在样品室（20）的内部和上拉炉（2）的内部之间，具有用于升高和降低样品管（21）的升降装置（25），供应管（22）安装在上拉炉（2）内部，并将升华性掺杂剂（23）供应到熔体（5），以及用于粘合样品管（21）和供给管（22）的接合装置。接合装置由包括从试样管（21）的一端突出的凸部件（211）和设置在供给管（22）的一端的凹部件（221））的球接头结构构成，以及形成为能够与凸部件（211）接合。凸部件（211）和凹部件（221）的接触表面形成为弯曲表面，并且在样品管（21）和供给管（22）之间形成流路。

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