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1. 发明申请

WO2005080646A1 単結晶半導体の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶半导体的方法
公开(公告)号：WO2005080646A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002627
申请日：2005-02-18
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 浦雅富見 , 黒木英俊 , 指谷利治 , 古市登
发明人：浦雅富見 , 黒木英俊 , 指谷利治 , 古市登
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　　融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させることを目的とする単結晶半導体の製造方法であり、単結晶半導体（６）を引き上げる過程で、引き上げられる単結晶半導体（６）の回転速度（ω2）を所定値以上に調整し、かつ所定範囲の強度の磁場を融液（５）に印加する。特に、結晶周速度を０．１２６m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ１/３を３５．５≦Ｍ/Ｖ１/３≦６１．３に調整する。望ましくは、結晶周速度を０．１４１m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ１/３を４０．３≦Ｍ/Ｖ１/３≦５６．４に調整する。
摘要翻译：在制造单晶半导体的方法中，通过在单晶半导体中更均匀地吸收杂质，在通过从熔融物中拉出单晶半导体的工艺来降低半导体晶片平面内的杂质浓度不均匀性，以及因此，提高了晶片的平面性。在提升单晶半导体（6）的过程中，要上拉的单晶半导体（6）的旋转速度（ω）2被调节到规定值以上，并且具有强度在对熔体（5）施加规定的范围。特别地，晶体圆周速度调节为0.126m / sec或更高，M / V1 / 3在35.5 <= M / V1 / 3 <= 61.3。优选地，在40.3 <= M / V1 / 3 <= 56.4，将晶体圆周速度调节为0.141m / sec或更高，M / V1 / 3。

2. 发明申请

WO2006117939A1 シリコンウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产硅波的方法
公开(公告)号：WO2006117939A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/JP2006/305536
申请日：2006-03-20
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 黒木英俊 , 吉永元明 , 白石裕 , 柴田昌弘
发明人：黒木英俊 , 吉永元明 , 白石裕 , 柴田昌弘
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/206
摘要：　Ｉ－リッチ領域に入る引上げ成長条件でシリコン単結晶を引き上げ成長させるに際して、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しないようにするシリコンウエーハの製造方法であり、。肩部１０Ａから直胴部１０Ｂのトップ部までの範囲でスリップを発生させないために、シリコン単結晶１０の肩部１０Ａから直胴部１０Ｂのトップ部までの部位の酸素濃度Ｏiを、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しない所定濃度以上とする条件で、具体的には、９．０×１０１７ atoms/ｃｍ３以上とする条件で、シリコン単結晶１０を引き上げることを特徴とする。
摘要翻译：一种制造硅晶片的方法，其中当通过拉制法生长硅单晶时，从单晶的主体部分的肩部到顶部部分防止从晶格间点缺陷开始发生的滑移在成长条件下进入富裕地区。为了防止从肩部（10A）到主体部（10B）的顶部的范围内的滑动的发生，在从肩部（10A）的氧浓度Oi到从肩部（10A）到硅单晶（10）的主体部分（10B）的顶部不低于预定的浓度，用于防止从网格点间缺陷开始的滑动，更具体地，不低于9.0×10 17 SUP> atoms / cm 3。

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