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1. 发明申请

WO2010078205A1 METHODS AND PULLING ASSEMBLIES FOR PULLING A MULTICRYSTALLINE SILICON INGOT FROM A SILICON MELT 审中-公开
标题翻译：用于从硅胶中拉出多晶硅的方法和拉拔装置
公开(公告)号：WO2010078205A1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/US2009/069488
申请日：2009-12-23
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. , KIMBEL, Steven, L.
发明人： KIMBEL, Steven, L.
IPC分类号： C30B15/32 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/32 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106
摘要： Methods for producing multicrystalline silicon ingots by use of a Czochralski-type crystal puller and pulling assemblies that include a plurality of seed crystals for pulling multicrystalline silicon ingots.
摘要翻译：通过使用Czochralski型晶体拉拔器制造多晶硅锭的方法和包括用于拉取多晶硅锭的多个晶种的拉组件。

2. 发明申请

WO2009130943A1 単結晶育成装置および原料供給方法审中-公开
标题翻译：单晶生长装置和原材料供应方法
公开(公告)号：WO2009130943A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2009/053509
申请日：2009-02-26
申请人：株式会社SUMCO , 藤原俊幸 , 細井健彦 , 四ッ井拓也 , 降屋久
发明人：藤原俊幸 , 細井健彦 , 四ッ井拓也 , 降屋久
IPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
摘要：　単結晶育成装置は、プルチャンバ内に収納された原料蓄積管と、原料蓄積管の下端開口部に装着された底蓋と、底蓋に連結され蓄積管と底蓋を昇降させるシャフトと、プルチャンバの側面を貫通して原料蓄積管内に先端が挿入される進退可能な原料案内管と、原料案内管を介して固形原料を原料蓄積管内に供給する原料供給装置と、を備え、原料案内管の先端を挿入させた状態の原料蓄積管に、固形原料を原料供給装置より原料案内管を介し供給して蓄積し、この固形原料を底蓋の下降によりルツボ内に投下させる。これにより、単結晶育成の際ルツボ内に効率良く大量の原料融液を形成できる。
摘要翻译：公开了一种单晶生长装置，包括储存在抽屉室内的原料储存管，安装在原料储存管的底部开口的底盖，连接到底盖的轴，其升高并降低材料储存管和底盖，可插入和伸缩的原料引导管，其穿过抽吸室的侧表面并且具有插入原料储存管中的前端，以及原料供给装置其通过原料引导管供给固体原料并进入原料储存管。原料引导管的前端插入原料储存管中，从原材料供给装置通过原料引导管供给固体原料，并储存在原料储存管。这种固体原料通过底盖的向下移动而落入坩埚中。因此，在单晶生长期间，在坩埚中有效形成大量的原料熔体。

3. 发明申请

WO2006007082A2 SYSTEMS AND METHODS FOR MANUFACTURING GRANULAR MATERIAL, AND FOR MEASURING AND REDUCING DUST IN GRANULAR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于制造颗粒材料的系统和方法，以及用于测量和减少颗粒材料中的灰尘
公开(公告)号：WO2006007082A2
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/US2005/016527
申请日：2005-05-11
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. , HOLDER, John, D. , SREEDHARAMURTHY, Hariprasad , HILKER, John, D.
发明人： HOLDER, John, D. , SREEDHARAMURTHY, Hariprasad , HILKER, John, D.
IPC分类号： C01B33/027 , C30B15/00 , C30B21/06 , C30B30/04
CPC分类号： B07B4/04 , C01B33/027 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
摘要： The invention is directed to methods of manufacturing granular polysilicon, and to a supply of granular polysilicon. The invention is also directed to apparatus and methods for measuring and for reducing dust in granular polysilicon. In one aspect, a system includes a process vessel having a vacuum port for pulling dust from the polysilicon. Another system of the invention includes a baffle tube for receiving a polysilicon flow. A measuring system includes a manifold and filter for separating and measuring the dust from a flow of polysilicon.
摘要翻译：本发明涉及制造颗粒状多晶硅的方法以及颗粒状多晶硅的供给。本发明还涉及用于测量和减少颗粒状多晶硅中的灰尘的装置和方法。一方面，系统包括具有用于从多晶硅拉出灰尘的真空端口的处理容器。本发明的另一个系统包括用于接收多晶硅流的挡板管。测量系统包括用于分离和测量多晶硅流中的灰尘的歧管和过滤器。

4. 发明申请

WO2005084225A2 SYSTEM FOR CONTINUOUS GROWING OF MONOCRYSTALLINE SILICON 审中-公开
标题翻译：单晶硅连续生长系统
公开(公告)号：WO2005084225A2
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/US2005/006058
申请日：2005-02-25
申请人： SOLAICX, INC.
发明人： BENDER, David, L.
IPC分类号： C30B1/00 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： An improved system based on the Czochralski process for continuous growth of a single crystal ingot comprises a low aspect ratio, large diameter, and substantially flat crucible, including an optional weir surrounding the crystal. The low aspect ratio crucible substantially eliminates convection currents and reduces oxygen content in a finished single crystal silicon ingot. A separate level controlled silicon pre-melting chamber provides a continuous source of molten silicon to the growth crucible advantageously eliminating the need for vertical travel and a crucible raising system during the crystal pulling process. A plurality of heaters beneath the crucible establish corresponding thermal zones across the melt. Thermal output of the heaters is individually controlled for providing an optimal thermal distribution across the melt and at the crystal / melt interface for improved crystal growth. Multiple crystal pulling chambers are provided for continuous processing and high throughput.
摘要翻译：基于用于连续生长单晶锭的切克劳斯基方法的改进的系统包括低纵横比，大直径和基本平坦的坩埚，包括围绕晶体的可选堰。低长宽比坩埚基本上消除了对流，并降低了成品单晶硅锭中的氧含量。单独的水平控制的硅预熔化室向生长坩埚提供连续的熔融硅源，有利地消除了在晶体拉制过程期间的垂直行进和坩埚升高系统的需要。坩埚下面的多个加热器在熔体上建立相应的热区。加热器的热输出被单独控制，以提供跨熔体和晶体/熔融界面的最佳热分布，以改善晶体生长。提供多个晶体拉伸室用于连续处理和高通量。

5. 发明申请

WO2004097079A2 SOURCE MATERIAL FEEDER APPARATUS FOR INDUSTRIAL CRYSTAL GROWTH SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：工业晶体生长系统的源材料进料装置
公开(公告)号：WO2004097079A2
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/US2004012642
申请日：2004-04-23
申请人： FICKETT BRYAN , BUSHMAN ROBERT
发明人： FICKETT BRYAN , BUSHMAN ROBERT
IPC分类号： C30B11/04 , C30B15/02 , C30B
CPC分类号： C30B11/04 , C30B15/02 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1072
摘要： A raw material feeder apparatus for industrial crystal growth systems includes a hopper disposed within a vacuum chamber and adapted to hold a quantity of raw material therein. A slide is disposed adjacent to an opening of the hopper and configured to receive the raw material from the hopper thereon. The slide is selectively moved between an open feeding position and a closed non-feeding position. The slide and a door cooperatively close the opening of the hopper, or in their open state, control the flow of raw material from the hopper. A vibrator associated with the slide feeds the raw material from the slide into an outlet tube for conveyance of the raw material to the crystal growth system.
摘要翻译：用于工业晶体生长系统的原料馈送装置包括设置在真空室内并适于在其中容纳一定量原料的料斗。滑块邻近料斗的开口设置并构造成从料斗上接收原料。滑动件选择性地在打开的进给位置和关闭的非进给位置之间移动。滑块和门协同地关闭料斗的开口，或处于打开状态，控制原料从料斗的流动。与滑块相关联的振动器将原料从载玻片供给到出口管中，用于将原料输送到晶体生长系统。

6. 发明申请

WO2014102387A1 LIQUID DOPING SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLED DOPING OF SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于单晶硅半导体材料的控制掺杂的液体掺杂系统和方法
公开(公告)号：WO2014102387A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/EP2013/078163
申请日：2013-12-31
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS S.P.A.
发明人： HARINGER, Stephan , GIANNATTASIO, Armando , SCALA, Roberto , BONANNO, Luigi , MOSER, Valentino
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , Y10T117/1056
摘要： A doping system for introducing liquid dopant into a melt of semiconductor or solar-grade material includes a dopant reservoir for holding dopant and a feeding tube. The dopant reservoir includes a body and a tapered end defining an opening having a smaller cross-sectional area than a cross- sectional area of the body. The feeding tube includes a first end extending from the opening of the reservoir, a second end distal from the first end, an angled tip disposed at the second end of the feeding tube, a first restriction for inhibiting the passage of solid dopant through the feeding tube, and a second restriction for controlling the flow of liquid dopant, the second restriction disposed near the second end of the feeding tube.
摘要翻译：用于将液体掺杂剂引入半导体或太阳能级材料的熔体中的掺杂系统包括用于保持掺杂剂的掺杂剂储存器和进料管。掺杂剂储存器包括主体和限定具有比主体的横截面面积小的横截面面积的开口的锥形端。进料管包括从储存器的开口延伸的第一端，远离第一端的第二端，设置在进料管的第二端的成角度的尖端，用于抑制固体掺杂剂通过进料的第一限制管，以及用于控制液体掺杂剂流动的第二限制，第二限制设置在供给管的第二端附近。

7. 发明申请

WO2012142463A3 SILICON INGOT HAVING UNIFORM MULTIPLE DOPANTS AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译：具有均匀多重掺杂物的硅芯及其制造方法和装置
公开(公告)号：WO2012142463A3
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/US2012033593
申请日：2012-04-13
申请人： GT ADVANCED CZ LLC , JOHNSON BAYARD K , DELUCA JOHN P , LUTER WILLIAM L
发明人： JOHNSON BAYARD K , DELUCA JOHN P , LUTER WILLIAM L
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L31/042
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/002 , C30B15/12 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
摘要： A Czochralski growth system is disclosed comprising a crucible, a silicon delivery system comprising a feeder having a delivery point overhanging the crucible and delivering a controllable amount of silicon into the crucible, and at least one doping mechanism controllably delivering at least one dopant material to the feeder. The system can comprise two or more doping mechanisms each loaded with a different dopant material and can therefore be used to prepare silicon ingots having multiple dopants. The resulting ingots have substantially constant dopant concentrations along their axes. Also disclosed is a method of Czochralski growth of at least one silicon ingot comprising at least one dopant material, which is preferably a continuous Czochralski method.
摘要翻译：公开了一种切克劳斯基生长系统，其包括坩埚，硅输送系统，其包括具有突出坩埚的输送点并将可控量的硅输送到坩埚中的进料器，以及至少一种掺杂机制，其可控制地将至少一种掺杂剂材料输送到给料机。该系统可以包括两个或更多个掺杂机制，每个掺杂机制装载有不同的掺杂剂材料，因此可以用于制备具有多种掺杂剂的硅锭。所产生的锭沿其轴线具有基本恒定的掺杂剂浓度。还公开了至少一个含有至少一种掺杂剂材料的硅锭生长Czochralski的方法，其优选是连续的Czochralski法。

8. 发明申请

WO2012142463A2 SILICON INGOT HAVING UNIFORM MULTIPLE DOPANTS AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译：具有均匀多元素的硅芯及其制造方法和装置
公开(公告)号：WO2012142463A2
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/033593
申请日：2012-04-13
申请人： GT ADVANCED CZ, LLC , JOHNSON, Bayard K. , DELUCA, John P. , LUTER, William L.
发明人： JOHNSON, Bayard K. , DELUCA, John P. , LUTER, William L.
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L31/042
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/002 , C30B15/12 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
摘要： A Czochralski growth system is disclosed comprising a crucible, a silicon delivery system comprising a feeder having a delivery point overhanging the crucible and delivering a controllable amount of silicon into the crucible, and at least one doping mechanism controllably delivering at least one dopant material to the feeder. The system can comprise two or more doping mechanisms each loaded with a different dopant material and can therefore be used to prepare silicon ingots having multiple dopants. The resulting ingots have substantially constant dopant concentrations along their axes. Also disclosed is a method of Czochralski growth of at least one silicon ingot comprising at least one dopant material, which is preferably a continuous Czochralski method.
摘要翻译：公开了一种切克劳斯基生长系统，其包括坩埚，硅输送系统，其包括具有突出坩埚的输送点并将可控量的硅输送到坩埚中的进料器，以及至少一种掺杂机制，可控制地将至少一种掺杂剂材料输送到给料机。该系统可以包括两个或更多个掺杂机制，每个掺杂机制装载有不同的掺杂剂材料，因此可用于制备具有多种掺杂剂的硅锭。所得的锭沿其轴线具有基本恒定的掺杂剂浓度。还公开了包含至少一种掺杂剂材料的至少一个硅锭的切克劳斯生长的方法，其优选地是连续的切克劳斯基（Czochralski）方法。

9. 发明申请

WO2012053782A3 PROCESS FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND DEVICE FOR THE SAME 审中-公开
标题翻译：生长碳化硅单晶的方法及其装置
公开(公告)号：WO2012053782A3
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/KR2011007701
申请日：2011-10-17
申请人： SK INNOVATION CO LTD , HONG SUNG WAN , KIM YOUNG SHOL
发明人： HONG SUNG WAN , KIM YOUNG SHOL
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC分类号： C30B15/002 , C30B11/001 , C30B15/02 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02628 , Y10T117/1032 , Y10T117/1056
摘要： Provided is a method for manufacturing a silicon carbide single crystal using a solution process including coming a seed crystal substrate for growing silicon carbide into contact with a Si-C alloy solution including at least one additive metal and growing the silicon carbide single crystal on a seed crystal for growing silicon carbide, including feeding a silicon feedstock into an alloy solution when a molar ratio of Si and the additive metal is lower than an initially set value as the reaction progresses. The method increases a crystal growth speed, maintains the growth speed, and prevents the growth from unwillingly stopping when the silicon carbide single crystal is manufactured using a solution growth process.
摘要翻译：本发明提供一种使用溶液法制造碳化硅单晶的方法，该方法包括：使用于生长碳化硅的籽晶衬底与包含至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触，并在该籽晶上生长该碳化硅单晶包括在反应进行时当Si和添加金属的摩尔比低于初始设定值时将硅原料供给到合金溶液中。当使用溶液生长工艺制造碳化硅单晶时，该方法增加晶体生长速度，保持生长速度，并且防止生长不希望地停止。

10. 发明申请

WO2006016659A1 窒素ドープシリコンウェーハとその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化硅陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：WO2006016659A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014773
申请日：2005-08-11
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 中村浩三 , 前田進 , 林田広一郎 , 杉万貴久 , 杉澤克彦
发明人：中村浩三 , 前田進 , 林田広一郎 , 杉万貴久 , 杉澤克彦
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1056
摘要：　エピタキシャル成長または高温熱処理を行うことにより、高いゲッタリング能を有するエピタキシャルウェーハおよび高温熱処理ウェーハを得る。窒素を添加したシリコン結晶における結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す関係式を、窒素濃度と結晶成長中の１１００°C近傍での冷却速度から導出し、導出された酸素析出物の半径毎の密度を表す関係式と酸素濃度およびウェーハ熱処理プロセスを与えることにより、熱処理後に得られる酸素析出物密度を予測できる。また、その方法を用いて予測される条件を用いて適正な酸素析出物密度に制御されたエピタキシャル成長ウェーハおよび高温アニールウェーハを得る。
摘要翻译：通过外延生长或高温热处理提供高吸收性能外延晶片和高温热处理晶片。用于在生长添加氮的硅晶体时引入的氧沉积物的半径表示密度的关系表达式来自在1100℃左右的晶体生长期间的氮浓度和冷却速度，以及热处理后的氧沉积密度可以通过给出通过半径和氧浓度表达衍生的氧沉积物的密度并通过进行晶片热处理工艺的关系表达来预测。提供外延生长的晶片和通过使用通过这种方法预测的条件正确控制其氧沉积密度的高温退火晶片。

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