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1. 发明申请

WO01059187A1 PRODUCTION DEVICE FOR HIGH-QUALITY SILICON SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：高品质硅单晶生产设备
公开(公告)号：WO01059187A1
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：PCT/JP2001/000901
申请日：2001-02-08
IPC分类号： H01L21/208 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1068
摘要： A device used for producing a silicon-wafer single crystal used as a semiconductor material and capable of constantly producing a large-diameter, long-size, high-quality single crystal from which a wafer, with minimum grown-in defects such as a dislocation cluster and an IR scattering body, can be gathered. The device comprises a cooling member surrounding a single crystal to be pulled up and having an inner peripheral surface coaxial with a pulling-up shaft, and a thermal shielding material provided on the outer side of the outer surface and the lower side of the lower end surface of the cooling member, wherein, when the diameter of a single crystal is D, the inner peripheral surface diameter of the cooling member is 1.20D-2.50D, its length at least 0.25D, and the distance from the surface of a melt to the lower end surface of the cooling member 0.30D-0.85D, the thermal shielding material on the lower side of the lower end surface of the cooling member being smaller in inner diameter than the lower end surface of the cooling member.
摘要翻译：用于制造用作半导体材料的硅晶片单晶并且能够不断生产大直径，长尺寸，高质量的单晶的器件，晶片从该晶片以最小的成长缺陷如位错集群和红外散射体，可以聚集。该装置包括围绕单个被拉起并具有与提升轴同轴的内周表面的冷却构件，以及设置在下端的外表面和下侧的外侧的热屏蔽材料冷却部件的表面，其中，当单晶直径为D时，冷却部件的内周面直径为1.20D-2.50D，其长度为至少0.25D，并且与熔体表面的距离在冷却部件0.30D-0.85D的下端面上，冷却部件的下端面的下侧的热屏蔽材料的内径比冷却部件的下端面小。

2. 发明申请

WO2013161999A1 保持体、結晶成長方法および結晶成長装置审中-公开
标题翻译：保持身体，晶体生长方法和晶体生长装置
公开(公告)号：WO2013161999A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/JP2013/062393
申请日：2013-04-26
申请人：京セラ株式会社
发明人：正木　克明 , 久芳　豊 , 堂本　千秋
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06
CPC分类号： C30B15/32 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/106
摘要：　本発明の保持体は、上端に開口部５ａを有する坩堝５の内部に収容された炭素を含む珪素の溶液６に種結晶２の下面２Ｂを接触させて下面２Ｂに結晶を成長させる溶液成長法に用いられる保持体１であって、下面３Ａに種結晶２を保持する保持部材３と、保持部材３の下面３Ａに保持された、下面３Ａよりも大きい上面を持つ、炭化珪素からなる種結晶２と、保持部材３の側面３Ｂに固定されるとともに、平面視して側面３Ｂから種結晶２の外周よりも外側に連続する、溶液６からの蒸気の上方への移動を抑制する抑制部材８とを有する。
摘要翻译：本发明的保持体（1）以溶液生长法使用，其中通过使底面（2B）与底面（2B）接触而在晶种（2）的底面（2B）上生长晶体包含在其上端具有开口（5a）的坩埚（5）中的含碳硅溶液（6）。保持体具有将晶种（2）保持在下表面（3A）上的保持构件（3）。保持在保持部件（3）的下表面（3A）上的晶种（2）具有比下表面（3A）大的上表面，由碳化硅构成; 和固定在保持部件（3）的侧面（3B）的抑制部件（8），从侧面（3B）向晶种（2）的外周的外侧连续，在平面视图中，并且其抑制从溶液（6）向上蒸气转移。

3. 发明申请

WO2005073129A1 鋳型及びその形成方法、並びにその鋳型を用いた多結晶シリコン基板の製造方法审中-公开
标题翻译：模具，其形成方法以及使用这种模具生产多晶硅基材的方法
公开(公告)号：WO2005073129A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/JP2005/001545
申请日：2005-01-27
申请人：京セラ株式会社 , 坂井洋平 , 天野幸薫
发明人：坂井洋平 , 天野幸薫
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： B22C9/00 , C01B33/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/106 , Y10T117/1092
摘要：本発明は、一つの底面部材２と四つの側面部材３とを組み合わせた鋳型であって、各側面部材３の側部には側面部材３同士を結合するための凸部５と凹部６を備え、隣接する側面部材の凸部５と凹部６を嵌め合わせる構造を有する。一つの底板２と四つの側板３を組み立てる場合に、これらを固定のためのネジ、ボルトを使用せずに鋳型の組み立て解体作業を行うことができ、鋳型の組み立て解体の作業が飛躍的に簡素化し、作業効率が大幅に向上する。
摘要翻译：公开了一种模具，其中组装有一个底表面构件（2）和四个侧表面构件（3）。每个侧面构件（3）的侧面分别设置有用于将侧面构件组合在一起的突起（5）和凹部（6），并且一个侧面构件（3）的突起（5）与相邻侧面构件（3）的凹部（6）。通过使用一个底面构件（2）和四个侧面构件（3），可以在不使用螺钉或螺栓的情况下组装或拆卸模具。因此，模具的组装或拆卸工作大大简化，从而显着提高了工作效率。

4. 发明申请

WO2010001519A1 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和制造方法
公开(公告)号：WO2010001519A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/002018
申请日：2009-05-08
申请人：信越半導体株式会社 , 添田聡 , 藤井敏史
发明人：添田聡 , 藤井敏史
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/206 , Y10T117/10 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　本発明は、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、引上げチャンバに設けられたガス導入口と、メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、整流筒の下端部から、整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、窓の開口面積が、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、単結晶から熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：公开了一种根据Czochralksi方法制造单晶的单晶制造装置，至少包括：容纳用于保持原料熔体的坩埚的主室和用于加热原料熔体的加热器; 连续设置在主室的上部的拉动室，其中生长的单晶被拉起并容纳在其中; 设置在所述拉动室中的气体入口; 石墨整流管，设置成从主室的顶部向下延伸; 以及绝缘环，其设置成从整流管的底端延伸并且以围绕整流管的方式向外向外扩张，其中至少一个窗口设置在距底部50至200mm的区域中整流管的端部，窗口的开放表面积占整流管底端50〜200mm区域的50％以上。因此，可以抑制来自单晶的辐射热的阻挡，可以提高对单晶的冷却效果。

5. 发明申请

WO00000674A2 PROCESS FOR GROWTH OF DEFECT FREE SILICON CRYSTALS OF ARBITRARILY LARGE DIAMETERS 审中-公开
标题翻译：无缺陷硅晶体和任意直径结晶成核工艺
公开(公告)号：WO00000674A2
公开(公告)日：2000-01-06
申请号：PCT/US1999/014285
申请日：1999-06-25
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B33/00 , C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , Y10T117/1032 , Y10T117/106 , Y10T117/1072
摘要： A process for growing single crystal silicon ingots which are substantially free of agglomerated intrinsic point defects. An ingot is grown generally in accordance with the Czochralski method. No portion of the ingot cools to a temperature which is less than a temperature TA at which agglomeration of intrinsic point defects in the ingot occurs during the time the ingot is being grown. The achievement of defect free ingots is thus substantially decoupled from process parameters, such as pull rate, and system parameters, such as axial temperature gradient in the ingot.
摘要翻译：本发明涉及一种晶体生成方法，其能够获得基本上没有内在团聚点缺陷的单晶硅锭。锭通常通过绘制切克拉斯基获得。没有一部分铸锭在低于温度TA的温度下冷却，该温度是在拉伸过程中铸锭中本征点缺陷聚集的温度。因此，获得无缺陷铸锭基本上与工艺参数无关，例如拉制速率和系统参数，例如铸锭内的轴向温度梯度。

6. 发明申请

WO2006064797A1 半導体単結晶製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：半导体单晶生产设备及生产方法
公开(公告)号：WO2006064797A1
公开(公告)日：2006-06-22
申请号：PCT/JP2005/022867
申请日：2005-12-13
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 野田暁子 , 飯田哲広
发明人：野田暁子 , 飯田哲広
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1052 , Y10T117/106 , Y10T117/108
摘要：　炉内で発生した蒸発物、反応生成物を黒鉛るつぼ、ヒータに触れさせることなく排気できるようにするとともに、排気管自体を高温に保持できるようにして、蒸発物、反応生成物の付着、凝縮を抑制して排気管の詰まりを防止し、また、排気管自体のＳiＣ化を抑制して排気管の耐久性を向上させ、また、熱膨張率の変化を抑制して熱単結晶を高品質で引上げることができるようにする。また、排気管を、少ない材料で構成されるようにすることで、製造コストを低減する。ヒータ（６）の外側に、断熱材で構成されたヒートシールド（１２）が設けられ、ヒータ（６）とヒートシールド（１２）との間に、複数の排気管（２０）が設けられる。複数の排気管（２０）は、チャンバ（１）の底部に設けられた複数の排気口（８ｂ（２２ｂ））に連通している。
摘要翻译：控制蒸发物和反应产物的沉积和冷凝，以通过允许在炉中产生的蒸发物质和反应产物在不接触石墨坩埚和加热器的情况下排出并且通过将排气管本身保持在高温来排除排气管堵塞温度，防止排气管形成SiC以提高排气管的耐久性，并且通过防止热膨胀系数的变化，可以高质量地拉高热单晶。由少量材料构成的排气管将降低生产成本。在加热器（6）的外侧设置有由绝缘材料形成的隔热罩（12），并且在加热器（6）和隔热罩（12）之间设置有多个排气管（20）。允许多个排气管（20）与设置在室（1）底部的多个排气口（8b（22b））连通。

7. 发明申请

WO0000674A3 PROCESS FOR GROWTH OF DEFECT FREE SILICON CRYSTALS OF ARBITRARILY LARGE DIAMETERS 审中-公开
标题翻译：大直径缺陷自由硅晶体生长工艺
公开(公告)号：WO0000674A3
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/US9914285
申请日：1999-06-25
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS
发明人： FALSTER ROBERT J
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B33/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , Y10T117/1032 , Y10T117/106 , Y10T117/1072
摘要： A process for growing single crystal silicon ingots which are substantially free of agglomerated intrinsic point defects. An ingot is grown generally in accordance with the Czochralski method. No portion of the ingot cools to a temperature which is less than a temperature TA at which agglomeration of intrinsic point defects in the ingot occurs during the time the ingot is being grown. The achievement of defect free ingots is thus substantially decoupled from process parameters, such as pull rate, and system parameters, such as axial temperature gradient in the ingot.
摘要翻译：生长单晶硅锭的方法，其基本上不含聚集的固有点缺陷。锭通常根据Czochralski法生长。锭的任何部分都不会冷却到低于温度TA的温度，在铸锭生长期间发生铸锭内部点缺陷的凝聚。因此，无缺陷锭的实现与工艺参数（例如拉速率）和系统参数（例如锭中的轴向温度梯度）脱钩。

8. 发明申请

WO1992001826A1 METHOD AND APPARATUS FOR MAKING SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：制造单晶的方法和装置
公开(公告)号：WO1992001826A1
公开(公告)日：1992-02-06
申请号：PCT/JP1991000987
申请日：1991-07-24
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , MATSUMOTO, Kazuhisa , TATSUMI, Masami , KAWASE, Tomohiro
发明人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
IPC分类号： C30B15/12
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/02 , C30B15/10 , Y10S117/907 , Y10T117/1052 , Y10T117/106 , Y10T117/1064
摘要： A method and apparatus for pulling up a single crystal from a molten material flowing into a second crucible through a through hole formed at its bottom, said second crucible being placed in a first crucible containing therein a molten material continuously prepared from a plurality of starting materials. A long single crystal can be obtained in one step of pulling up, because the single crystal is pulled up while the molten material is continuously prepared from the plurality of starting materials. Further it is possible to keep a good solid-liquid boundary state, because the single crystal is pulled up from the molten material in the second crucible.

9. 发明申请

WO2016044689A1 CRYSTAL PULLER FOR INHIBITING MELT CONTAMINATION 审中-公开
标题翻译：用于抑制熔体污染的水晶拉丝机
公开(公告)号：WO2016044689A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/US2015/050859
申请日：2015-09-18
申请人： SUNEDISON, INC.
发明人： KIMBEL, Steven L. , MEYER, Benjamin Michael , ZEPEDA, Salvador , FERGUSON, Steven J.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/02
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/002 , C30B15/02 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/106 , Y10T117/1068
摘要： A crystal puller for growing a crystal ingot includes a housing, insulation, a crucible assembly, a heat shield, and a dust barrier. The housing encloses a growth chamber, and has an upper wall with an inner surface and an aperture. The insulation separates an inside of the housing into an upper area and a lower area, and has a central opening. The crucible assembly is within the lower area to contain the melt. The heat shield is adjacent the central opening of the insulation, and forms a labyrinth gas path with the crucible assembly. The dust barrier extends from the inner surface of the upper wall to one of the insulation and the heat shield, and forms a seal with the upper wall around the aperture to inhibit particles from entering the growth chamber through the upper area of the housing.
摘要翻译：用于生长晶体锭的晶体拉拔器包括壳体，绝缘体，坩埚组件，隔热罩和防尘屏障。壳体包围生长室，并且具有带有内表面和孔的上壁。绝缘体将壳体的内部分隔成上部区域和下部区域，并且具有中心开口。坩埚组件在容纳熔体的下部区域内。隔热板靠近绝缘体的中心开口，并与坩埚组件形成迷宫式气路。防尘屏障从上壁的内表面延伸到绝缘层和隔热层之一，并且与孔周围的上壁形成密封，以防止颗粒通过壳体的上部区域进入生长室。

10. 发明申请

WO2010078205A1 METHODS AND PULLING ASSEMBLIES FOR PULLING A MULTICRYSTALLINE SILICON INGOT FROM A SILICON MELT 审中-公开
标题翻译：用于从硅胶中拉出多晶硅的方法和拉拔装置
公开(公告)号：WO2010078205A1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/US2009/069488
申请日：2009-12-23
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. , KIMBEL, Steven, L.
发明人： KIMBEL, Steven, L.
IPC分类号： C30B15/32 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/32 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106
摘要： Methods for producing multicrystalline silicon ingots by use of a Czochralski-type crystal puller and pulling assemblies that include a plurality of seed crystals for pulling multicrystalline silicon ingots.
摘要翻译：通过使用Czochralski型晶体拉拔器制造多晶硅锭的方法和包括用于拉取多晶硅锭的多个晶种的拉组件。

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