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1. 发明申请

WO2010001519A1 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和制造方法
公开(公告)号：WO2010001519A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/002018
申请日：2009-05-08
申请人：信越半導体株式会社 , 添田聡 , 藤井敏史
发明人：添田聡 , 藤井敏史
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/206 , Y10T117/10 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　本発明は、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、引上げチャンバに設けられたガス導入口と、メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、整流筒の下端部から、整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、窓の開口面積が、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、単結晶から熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：公开了一种根据Czochralksi方法制造单晶的单晶制造装置，至少包括：容纳用于保持原料熔体的坩埚的主室和用于加热原料熔体的加热器; 连续设置在主室的上部的拉动室，其中生长的单晶被拉起并容纳在其中; 设置在所述拉动室中的气体入口; 石墨整流管，设置成从主室的顶部向下延伸; 以及绝缘环，其设置成从整流管的底端延伸并且以围绕整流管的方式向外向外扩张，其中至少一个窗口设置在距底部50至200mm的区域中整流管的端部，窗口的开放表面积占整流管底端50〜200mm区域的50％以上。因此，可以抑制来自单晶的辐射热的阻挡，可以提高对单晶的冷却效果。

2. 发明申请

WO2008146439A1 シリコン単結晶の引上げ方法审中-公开
标题翻译：拉丝硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2008146439A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/000976
申请日：2008-04-14
申请人：信越半導体株式会社 , 添田聡 , 森昌洋
发明人：添田聡 , 森昌洋
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22
摘要：　本発明は、種結晶を融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法において、前記種結晶を融液に接触させた後種結晶の下部にネッキング部を形成し、その後拡径して前記ネッキング部の下部にシリコン単結晶を形成する際、前記ネッキング部形成時の引上げ速度を２ｍｍ／ｍｉｎ以下とし、前記拡径したシリコン単結晶は肩部の抵抗率が１．５ｍΩ・ｃｍ以下のボロンドープシリコン単結晶としてシリコン単結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法である。これにより、チョクラルスキー法により製造された低抵抗率のボロンドープシリコン単結晶インゴットをウェーハに加工した場合に、ウェーハの表面に傷などの欠陥が発生することのないシリコン単結晶の引上げ方法が提供される。　
摘要翻译：提供了一种通过使晶种与熔体接触并拉动晶体来生长硅单晶的切克劳斯基法。在该方法中，在使晶种与熔融物接触之后，在晶种的下部形成颈缩部，直径增大，并且在颈缩部的下部形成硅单晶。在形成颈缩部时，将拉拔速度设定为2mm / min以下，直径增大的单晶硅作为电阻率为1.5mO以上的硼掺杂硅单晶而被拉伸，肩部。因此，当通过切克劳斯基法（Czochralski）制造的低电阻率掺杂硼的硅单晶锭被加工成晶片时，在晶片的表面上不产生划痕等缺陷。

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