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1. 发明申请

WO2019120921A1 LITHOGRAPHY SUPPORTS WITH DEFINED BURLTOP TOPOGRAPHY 审中-公开
公开(公告)号：WO2019120921A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/EP2018/082984
申请日：2018-11-29
申请人： ASML HOLDING N.V.
发明人： LIPSON, Matthew , HEALD, David, Allen , SIGAL, Iliya
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/687
CPC分类号： G03F7/70783 , G03F7/707 , H01L21/6875 , H01L21/68757
摘要： Methods and systems are described for reducing adhesion and controlling friction between a wafer and a wafer table during semiconductor photolithography wherein the tops of burls on the wafer table have a layer with a nanoscale topography.

2. 发明申请

WO2018209160A1 FLOATING WAFER CHUCK 审中-公开
公开(公告)号：WO2018209160A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/US2018/032175
申请日：2018-05-11
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION
发明人： BALAN, Aviv , VISHAL, Vaibhaw
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68721 , H01L21/67017 , H01L21/6838 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68757
摘要： Edge grippers are disposed around an outer edge of a chuck. Each of the edge grippers includes a finger configured to pivot around a point; a contact pad configured to contact the wafer; and a flexure disposed between the contact pad and the finger. The flexure is configured to flex toward and away from the chuck. The chuck can use a matrix of vacuum and pressure nozzles designed to keep a wafer floating above the chuck. The edge grippers can hold the wafer at the edge while minimizing deformation of the wafer or without affecting z-jitter of the wafer.

3. 发明申请

WO2017204978A1 DIAMOND-LIKE CARBON COATED SEMICONDUCTOR EQUIPMENT 审中-公开
标题翻译：类金刚石碳涂层半导体设备
公开(公告)号：WO2017204978A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：PCT/US2017/029649
申请日：2017-04-26
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： CULIC-VISKOTA, Jelena , ABAZARNIA, Nader N.
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324
CPC分类号： G01R31/2601 , C23C14/0605 , C23C14/16 , C23C16/06 , C23C16/26 , C23C28/32 , C23C28/322 , C23C28/343 , G01R1/04 , G01R1/44 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/68757
摘要： Embodiments of the present disclosure describe semiconductor equipment devices having a metal workpiece and a diamond-like carbon (DLC) coating disposed on a surface of the metal workpiece, thermal semiconductor test pedestals having a metal plate and a DLC coating disposed on a surface of the metal plate, techniques for fabricating thermal semiconductor test pedestals with DLC coatings, and associated configurations. A thermal semiconductor test pedestal may include a metal plate and a DLC coating disposed on a surface of the metal plate. The metal plate may include a metal block formed of a first metal and a metal coating layer formed of a second metal between the metal block and the DLC coating. An adhesion strength promoter layer may be disposed between the metal coating layer and the DLC coating. Other embodiments may be described and/or claimed.
摘要翻译：本公开的实施例描述了具有金属工件和设置在金属工件的表面上的类金刚石碳（DLC）涂层的半导体设备装置，具有金属板和热敏半导体测试基座的热半导体测试基座设置在金属板表面上的DLC涂层，用于制造具有DLC涂层的热半导体测试基座的技术以及相关配置。热半导体测试基座可以包括金属板和设置在金属板的表面上的DLC涂层。金属板可以包括由第一金属形成的金属块和在金属块和DLC涂层之间由第二金属形成的金属涂层。粘合强度促进剂层可以设置在金属涂层和DLC涂层之间。其他实施例可以被描述和/或要求保护。

4. 发明申请

WO2017163409A1 基板支持台、基板処理装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：衬底支撑台，衬底处理设备和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2017163409A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/JP2016/059675
申请日：2016-03-25
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：佐藤　崇之 , 松浦　直哉
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68757 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J2237/24564 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L21/68785
摘要： [課題]　熱膨張により変形したリフレクタが、石英で形成されたサセプタに接触することによりサセプタを破損させることを防止する技術を提供する。 [解決手段]　基板が上部に載置される、石英で構成された上側サセプタと、石英で構成された下側サセプタと、面状に形成された金属により構成された熱を反射するリフレクタと、を有し、上側サセプタの下面と下側サセプタの上面はその間にリフレクタを挟むように接着されており、下側サセプタの上面にはリフレクタを収容する第１の凹部が形成されており、上側サセプタの下面であって第１の凹部に対向する部分は表面を粗面化する加工が施されている基板支持台を提供する。
摘要翻译：
[问题]通过反射器的热膨胀而变形，以提供用于防止由石英制成的基座接触损坏基座的技术。 [解决方案]衬底被放置在上面，和用于反射由石英制成的一高位感受器，一个反射器，以及由石英制成的下部基座，其由被以平面形状形成的金属的热量，具有下表面和下部基座上基座的上表面接合，以便夹在其间反射，下部基座的上表面形成有第一凹部形成有用于容纳所述反射器，上基座并且处理与衬底支撑件的下表面上的第一凹入部分相对的部分以使表面变粗糙。

5. 发明申请

WO2017116685A1 PREHEAT PROCESSES FOR MILLISECOND ANNEAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译： MILLISECOND ANNEAL系统的预热过程
公开(公告)号：WO2017116685A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/US2016/066341
申请日：2016-12-13
申请人： MATTSON TECHNOLOGY, INC.
发明人： LIEBERER, Markus , PFAHLER, Christian , HAGEDORN, Markus , VANABBEMA, Michael , COSCEEV, Alexandr
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/683 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/68757
摘要： Preheat processes for a millisecond anneal system are provided. In one example implementation, a preheat process can include receiving a substrate on a wafer support plate in a processing chamber of a millisecond anneal system; obtaining one or more temperature measurements of the wafer support plate using a temperature sensor; and applying a preheat recipe to heat the wafer support plate based at least in part on the temperature of the wafer support plate. In one example implementation, a preheat process can include obtaining one or more temperature measurements from a temperature sensor having a field of view of a wafer support plate in a millisecond anneal system; and applying a pulsed preheat recipe to heat the wafer support plate in the millisecond anneal system based at least in part on the one or more temperature measurements.
摘要翻译：提供毫秒退火系统的预热过程。在一个示例实施方式中，预热过程可以包括：在毫秒退火系统的处理室中的晶片支撑板上接收衬底; 使用温度传感器获得所述晶片支撑板的一个或多个温度测量结果; 以及至少部分基于晶片支撑板的温度应用预热配方来加热晶片支撑板。在一个示例实施方式中，预热过程可以包括：在毫秒退火系统中从具有晶片支撑板的视场的温度传感器获得一个或多个温度测量结果; 以及至少部分地基于所述一个或多个温度测量，施加脉冲式预加热配方以在所述毫秒退火系统中加热所述晶片支撑板。

6. 发明申请

WO2017099919A1 AMALGAMATED COVER RING 审中-公开
公开(公告)号：WO2017099919A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/US2016/060823
申请日：2016-11-07
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： RAJ, Govinda , PANAVALAPPIL KUMARANKUTTY, Hanish Kumar , WU, Stanley
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/205 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/68757
摘要： The present disclosure generally relates to generally relates to equipment for performing semiconductor device fabrication, and more particularly, to a cover ring for partially covering a surface of a substrate support in high-density plasma chemical vapor deposition processing. In one embodiment, the cover ring may include an annular body, an inner support block with a beveled first edge for stability, one or more thermal breaks to increase thermal movement towards the outer diameter, a rounded shoulder to prevent particle deposition, an outer lip configured to a substrate support pedestal, a vertical appendage to support the substrate, and a thermally conductive coating disposed on the annular ring to direct thermal conductivity towards the outer edge of the ring and prevent particle accumulation.
摘要翻译：本发明总体上涉及用于执行半导体器件制造的设备，并且更具体地涉及用于在高密度等离子体化学气相沉积工艺中部分地覆盖基板支撑件的表面的覆盖环。在一个实施例中，盖环可以包括环形主体，具有用于稳定的倾斜的第一边缘的内支撑块，用于增加朝向外直径的热运动的一个或多个热断口，用于防止颗粒沉积的圆形肩部，其被配置为用于衬底支撑基座，用于支撑衬底的垂直附件以及设置在环形环上的导热涂层，以将热导率朝向环的外边缘引导并防止颗粒积聚。

7. 发明申请

WO2017079338A1 ELECTROSTATIC CHUCK FOR CLAMPING IN HIGH TEMPERATURE SEMICONDUCTOR PROCESSING AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：用于高温半导体加工中夹持的静电卡盘及其制造方法
公开(公告)号：WO2017079338A1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/US2016/060169
申请日：2016-11-02
申请人： COMPONENT RE-ENGINEERING COMPANY, INC.
发明人： ELLIOT, Brent D. A. , BALMA, Frank , PARKER, Michael , STEPHENS, Jason , HUSSEN, Guleid
IPC分类号： H02N13/00 , H01L21/683 , H01L21/687 , B23Q3/15 , C04B37/00 , B23K1/00
CPC分类号： H01L21/6833 , B23K1/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/206 , B23K2201/42 , B23K2203/18 , B23K2203/52 , B23K2203/54 , B23Q3/15 , C04B37/00 , C04B37/003 , C04B2237/121 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/50 , C04B2237/68 , H01L21/6831 , H01L21/68757 , H02N13/00
摘要： An electrostatic chuck with a top surface adapted for Johnsen-Rahbek clamping in the temperature range of 500C to 750C. The top surface may be sapphire. The top surface can be attached to the lower portion of the electrostatic chuck using a braze layer able to withstand corrosive processing chemistries. A method of manufacturing an electrostatic chuck with a top surface adapted for Johnsen-Rahbek clamping in the temperature range of 500C to 750C is provided.
摘要翻译：在500℃至750℃的温度范围内具有适于Johnsen-Rahbek夹紧的顶表面的静电吸盘。顶面可以是蓝宝石。可以使用能够承受腐蚀性处理化学物质的钎焊层将顶表面附着到静电吸盘的下部。提供了一种制造静电卡盘的方法，该静电卡盘的顶面适用于在500℃至750℃的温度范围内进行Johnsen-Rahbek夹持。

8. 发明申请

WO2017030873A1 WAFER CHUCK FEATURING REDUCED FRICTION SUPPORT SURFACE 审中-公开
标题翻译：减速器减速摩擦支撑表面
公开(公告)号：WO2017030873A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：PCT/US2016/046436
申请日：2016-08-10
申请人： M CUBED TECHNOLOGIES, INC.
发明人： GRATRIX, Edward J.
IPC分类号： B24B37/14 , B24B37/16 , G03F7/20 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68735 , B24B37/14 , B24B37/16 , B24B37/30 , G03F7/707 , H01L21/6875 , H01L21/68757
摘要： Grinding, lapping and polishing basically work by making scratches in the body being ground, lapped or polished. The scratches typically are linear. The scratches gives rise to a directionality component of friction: the friction coefficient is less in the direction along the scratch than in a direction orthogonal, or across, the scratch. In a wafer handling/chucking situation, one wants the wafer to settle on the chuck, which involves the outer regions of the wafer moving radially with respect to the chuck. One can reduce friction in the radial direction by giving the lapping scratches a preferred orientation, namely, radial. This can be achieved by making the final passes of the lapping tool move predominantly in radial directions.
摘要翻译：研磨，研磨和抛光基本上通过在身体上划伤，研磨或抛光来进行。划痕通常是线性的。划痕引起了摩擦的方向性分量：摩擦系数沿着划痕的方向小于沿着正交或横过划痕的方向。在晶片处理/夹紧情况下，希望晶片沉降在卡盘上，其包括晶片的外部区域相对于卡盘径向移动。通过给研磨划痕提供优选的取向，即径向，可以减小径向摩擦。这可以通过使研磨工具的最终通过主要沿径向移动来实现。

9. 发明申请

WO2017018275A1 ガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法审中-公开
标题翻译：玻璃基板，层压基板，层压基板制造方法，层压板，包装和玻璃基板制造方法
公开(公告)号：WO2017018275A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/JP2016/071172
申请日：2016-07-19
申请人：旭硝子株式会社
发明人：塙　優 , 野村　周平 , 小野　和孝 , 竹下　暢彦 , 花島　圭輔
IPC分类号： C03C23/00 , B65D85/48 , C03B33/02 , C03C27/00
CPC分类号： H01L21/68757 , B65D85/48 , C03B33/02 , C03B33/0235 , C03C23/00 , C03C27/00 , H01L21/56 , H01L21/67282 , Y02P40/57
摘要：本発明のガラス基板は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、前記ガラス基板が凹面と凸面とを有し、前記凹面と前記凸面とを識別できる印を有する。
摘要翻译：根据本发明的玻璃基板，当与含有硅的基板层叠时，形成层压基板。玻璃基板具有凹面和凸面，并且具有能够区分凹面和凸面的标记。

10. 发明申请

WO2016152345A1 静電チャック装置审中-公开
标题翻译：静电切割装置
公开(公告)号：WO2016152345A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/JP2016/054765
申请日：2016-02-18
申请人：住友大阪セメント株式会社
发明人：伊藤　智海 , 三浦　幸夫
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/6831 , B32B7/12 , C08K2003/2227 , C09D183/04 , C09J183/04 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/68757 , H02N13/00
摘要：　一主面を、板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵した静電チャック部１０と、スペーサー２２及びシリコーン接着剤２４を含有し、層厚Ｄが３～２５μｍであり、層厚Ｄと、スペーサー２２の平均粒子径φ Ｓとの比（φ Ｓ／Ｄ）が、０．１～１．０である第１の接着層２０と、第１の接着層２０により、静電チャック部１０の前記載置面と反対側の面に互いに間隙を有して接着された複数の加熱部材３０と、シリコーン接着剤を含有する第２の接着層４０と、静電チャック部１０を冷却する機能を有するベース部６０とをこの順に備えることにより、加熱部材３０を静電チャック部１０に接着する第１の接着層２０の層厚を確保して、接着力低下を抑制することができ、第１の接着層２０と該第１の接着層２０に隣接する第２の接着層４０との接着力に優れる静電チャック装置を提供する。
摘要翻译：本发明提供了一种静电吸盘装置，其依次依次设置有静电吸盘部件10，其内部包括用于静电吸引的内部电极，其一个主表面用作台板表面样品放置; 包含间隔物22和硅氧烷粘合剂24的第一粘合剂层20，其层厚度D为3〜25μm，间隔物22的平均粒径φs与层厚度D的比值即φs/ D为0.1-1.0; 多个加热构件30，其通过第一粘合剂层20彼此间隔地结合到静电卡盘部10的表面，所述表面位于载物台表面的相反侧; 含有硅酮粘合剂的第二粘合层40; 以及具有冷却静电卡盘部10的功能的基部60.因此，该静电卡盘装置能够通过确保将加热部件30接合的第一粘接层20的层厚度变为静电卡盘部10，并且与第一粘合层20相邻的第一粘合层20和第二粘合层40之间的粘附性优异。

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