专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2017053685A1 POLYURETHANE CMP PADS HAVING A HIGH MODULUS RATIO 审中-公开
标题翻译：具有高模量比的聚氨酯CMP垫
公开(公告)号：WO2017053685A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/US2016/053283
申请日：2016-09-23
申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人： FU, Lin , MA, Rachel , SPEER, Nathan , TSAI, Chen-Chih , BERGMAN, Kathryn
IPC分类号： B24B37/24 , B24D11/00 , B24D3/32 , C08L75/04 , C08J5/18
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/042 , B24B37/22
摘要： A chemical-mechanical polishing pad comprising a polyurethane polishing layer having a high storage modulus at low temperatures and a low storage modulus at high temperatures is disclosed. For example, the disclosed pad embodiments may be fabricated from a thermoplastic polyurethane having a ratio of storage modulus at 25 degrees C to storage modulus at 80 degrees C of 50 or more. The thermoplastic polyurethane polishing layer may further optionally have a Shore D hardness of 70 or more, a tensile elongation of 320 percent or less, a storage modulus at 25 degrees C of 1200 MPa or more, and/or a storage modulus at 80 degrees C of 15 MPa or less.
摘要翻译：公开了一种化学机械抛光垫，其包括在低温下具有高储存模量和高温下的低储存模量的聚氨酯抛光层。例如，所公开的焊盘实施例可以由热塑性聚氨酯制成，其具有25℃下的储能模量与80℃下的储能模量的比为50或更大。热塑性聚氨酯抛光层还可以任选地具有70或更高的肖氏D硬度，320％或更小的拉伸伸长率，在25℃下的储能模量为1200MPa或更高，和/或80℃下的储能模量为15MPa以下。

2. 发明申请

WO2016125404A1 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置审中-公开
标题翻译：制造硅碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件
公开(公告)号：WO2016125404A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/JP2015/085248
申请日：2015-12-16
申请人：富士電機株式会社
发明人：宮崎　正行
IPC分类号： C30B29/36 , B24B37/10 , C30B25/20 , C30B33/02 , C30B33/08 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC分类号： C30B33/005 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/245 , C23C16/325 , C23C16/56 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B33/02 , C30B33/08 , C30B33/10 , H01L21/0206 , H01L21/02236 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L29/1608
摘要：　ＳｉＣ基板上に形成されるＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥を低減できるＳｉＣ半導体装置の製造方法、及びそれによって得られるＳｉＣ半導体装置を提供する。ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程（Ａ）と、該エピタキシャル膜の表面を化学機械研磨して、算術平均表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下となるまで平坦化処理する工程（Ｂ）と、前記エピタキシャル膜の表面を熱酸化して犠牲酸化膜を形成する工程（Ｃ）と、該犠牲酸化膜を除去する工程（Ｄ）と、前記犠牲酸化膜を除去したエピタキシャル膜の表面を純水で洗浄する工程（Ｅ）とを含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法を用いる。
摘要翻译：提供一种制造SiC半导体器件的方法，由此可以减少在SiC衬底上形成的SiC外延膜中的缺陷，以及通过该方法获得的SiC半导体器件。一种SiC半导体器件的制造方法，包括在SiC衬底上形成SiC外延膜的工序（A）的方法，对所述外延膜的表面进行化学机械研磨并使所述外延膜平坦化的工序（B）直到其算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下，对外延膜的表面进行热氧化并形成牺牲氧化膜的工序（C），去除牺牲氧化膜的工序（D）和工序 E）用纯水清洗去除牺牲氧化膜的外延膜的表面。

3. 发明申请

WO2016057319A1 TEXTURED ABRASIVE ARTICLE AND RELATED METHODS 审中-公开
标题翻译：纹理磨砂物品及相关方法
公开(公告)号：WO2016057319A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2015/053649
申请日：2015-10-02
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人： WHITTAKER, Kim E.
IPC分类号： B24D11/00 , B24D11/02 , B24D3/00
CPC分类号： B24D11/02 , B24B37/042 , B24D3/002 , B24D11/001 , B24D11/005
摘要： Provided are multilayered abrasive articles that include an abrasive composite having shaped features, a carrier film, and a nonwoven web, where the nonwoven web and the carrier film have respective patterns of discrete, three-dimensional protrusions that are aligned with each other. A compressible foam backing extending across a major surface of the nonwoven web opposite the carrier film. Further provided are multilayered abrasive articles that include an abrasive composite, a carrier film, and a nonwoven web. The nonwoven web and the carrier film have respective patterns of discrete, three-dimensional protrusions that are aligned with each other and the shaped features and the three-dimensional protrusions of the nonwoven web have an average diameter:average diameter ratio ranging from 1:50 to 1:5.
摘要翻译：提供了包括具有成形特征的研磨复合材料，载体膜和非织造纤维网的多层磨料制品，其中非织造纤维网和载体膜具有彼此对准的离散的三维突起的相应图案。可伸缩的泡沫背衬延伸穿过与载体膜相对的非织造织物的主表面。还提供了包括磨料复合物，载体膜和非织造纤维网的多层磨料制品。非织造纤维网和载体膜具有彼此对准的离散的三维突起的各自的图案，并且非织造纤维网的成形特征和三维突起具有1:50的平均直径：平均直径比至1：5。

4. 发明申请

WO2015171468A1 MODIFYING SUBSTRATE THICKNESS PROFILES 审中-公开
标题翻译：修改衬底厚度剖面
公开(公告)号：WO2015171468A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：PCT/US2015/028938
申请日：2015-05-01
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： ZHANG, Jimin , WANG, Zhihong , TU, Wen-Chiang
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , B24B9/065 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/105 , B24B37/205 , B24B37/30 , B24B37/345 , H01L21/304 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26
摘要： Before a first surface of a substrate is polished using a chemical mechanical process, the substrate is transferred to a modification station. The substrate comprises a side wall connected with the first surface at an edge and a second surface opposite to the first surface and also connected to the side wall. The first surface is substantially flat. The side wall is substantially perpendicular to the first surface. The edge of the substrate is modified at the modification station by removing material from a region of the first surface. The side wall of the substrate is a boundary of the region. The modified edge comprises a modified first surface that tapers within the region towards the second surface. The side wall remains substantially perpendicular to the first surface.
摘要翻译：在使用化学机械工艺抛光衬底的第一表面之前，将衬底转移到改性站。衬底包括在边缘处与第一表面连接的侧壁和与第一表面相对的第二表面，并且还连接到侧壁。第一表面基本平坦。侧壁基本上垂直于第一表面。通过从第一表面的区域去除材料，在改性站处改变基底的边缘。基板的侧壁是该区域的边界。改进的边缘包括在该区域内朝着第二表面逐渐变细的经修改的第一表面。侧壁基本上保持垂直于第一表面。

5. 发明申请

WO2015115043A1 ワークの加工装置およびワークの加工方法审中-公开
标题翻译：工件加工设备和工件加工方法
公开(公告)号：WO2015115043A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/JP2015/000170
申请日：2015-01-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：安田　太一 , 榎本　辰男
IPC分类号： B24B37/34 , B24B7/17 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/08 , B24B49/16
摘要：　本発明は、キャリアの保持孔にワークを挿入して保持し、上定盤を固定位置まで下降させて前記ワークを保持した前記キャリアを前記上定盤と下定盤で挟み込み、前記ワークの両面を同時に加工するワークの加工装置であって、前記ワークが前記キャリアの保持孔に正常に保持された状態で前記上定盤を前記固定位置まで下降させた時の研磨荷重を予め記録しておく記憶媒体を有し、前記ワークが前記キャリアの保持孔に保持された状態で前記上定盤を前記固定位置まで下降させた時の研磨荷重と前記記憶媒体に記録した研磨荷重の差を算出し、該算出した差が閾値を超えた場合に、前記ワークの保持異常と判定する制御装置を有することを特徴とするワークの加工装置である。これにより、ワークの加工前にワークの保持異常を短時間で精度良く検出し、ワークや加工装置の破損を防止可能となる。
摘要翻译：本发明提供一种工件加工装置，其中工件插入并保持在载体的保持孔中，上表面板向下移动到预定位置，使得保持工件的载体被上表面板夹持，下表面板和工件的两个表面同时加工。工件加工装置的特征在于具有存储介质和控制器，其中：存储介质预先存储当上表面板向下移动到预定位置时产生的抛光负载，同时工件被正常地保持在保持载体孔; 并且控制器计算存储在存储介质中的研磨负荷与在将工件保持在载体的保持孔中时将上表面板向下移动到规定位置时产生的研磨载荷之间的差，并且确定当计算的差异超过阈值时，工件被异常地保持。这使得可以在加工工件之前快速准确地检测工件是否正在保持异常，从而防止对工件和加工装置的损坏。

6. 发明申请

WO2015026614A1 POLISHING PAD WITH POROUS INTERFACE AND SOLID CORE, AND RELATED APPARATUS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：具有多孔界面和固体芯的抛光垫及相关装置和方法
公开(公告)号：WO2015026614A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/US2014/050997
申请日：2014-08-14
申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人： VACASSY, Robert , FOTOU, George
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/042 , B24B37/22 , C08J9/122 , C08J2201/032 , C08J2203/06 , C08J2205/044 , C08J2205/052 , C08J2207/00 , C08J2300/22 , C08J2300/26 , C08J2375/04
摘要： Disclosed is a polishing pad for chemical-mechanical polishing. The polishing pad has a porous interface and a substantially non-porous bulk core. Also disclosed are related apparatus and methods for using and preparing the polishing pad.
摘要翻译：公开了一种用于化学机械抛光的抛光垫。抛光垫具有多孔界面和基本上无孔的块体。还公开了用于使用和制备抛光垫的相关装置和方法。

7. 发明申请

WO2013106777A1 SYSTEMS AND METHODS OF PROCESSING SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：系统和处理基板的方法
公开(公告)号：WO2013106777A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/US2013/021319
申请日：2013-01-11
申请人： STRASBAUGH
发明人： KALENIAN, William J. , WALSH, Thomas A. , VOGTMANN, Michael R. , SMEDLEY, Benjamin C. , SPIEGEL, Larry A. , BRAKE, Thomas E.
IPC分类号： B24B49/04
CPC分类号： B24B49/04 , B24B7/228 , B24B37/042
摘要： Some embodiments provide methods of processing wafers comprising: positioning a stacked wafer into a position to be ground, wherein the stacked wafer comprises a first wafer secured with a carrier-wafer, wherein the first wafer is secured with the carrier-wafer such that a surface of the first wafer is exposed to be ground; initiating a grinding of the first wafer while supported by the carrier-wafer; activating one or more sensors relative to the first wafer while grinding the first wafer; determining, while grinding the first wafer, a thickness of the first wafer separate from a thickness of the carrier-wafer as a function of data from the one or more sensors; determining whether the determined thickness of the first wafer has a predefined relationship with a first thickness threshold; and halting the wafer grinding when the thickness of the first wafer has the predefined relationship with the first thickness threshold.
摘要翻译：一些实施例提供了处理晶片的方法，包括：将堆叠的晶片定位到待研磨的位置，其中堆叠的晶片包括用载体晶片固定的第一晶片，其中第一晶片与载体晶片固定，使得表面的第一个晶片暴露于地面; 在由载体晶片支撑的同时开始研磨第一晶片; 在研磨第一晶片时相对于第一晶片激活一个或多个传感器; 在研磨所述第一晶片的同时，根据来自所述一个或多个传感器的数据的函数，确定所述第一晶片的厚度与所述载体晶片的厚度分离; 确定所确定的所述第一晶片的厚度是否具有与第一厚度阈值的预定关系; 以及当所述第一晶片的厚度与所述第一厚度阈值具有预定关系时，停止所述晶片研磨。

8. 发明申请

WO2013015750A1 A METHOD OF MANUFACTURING GLASS SUBSTRATES FOR INFORMATION RECORDING MEDIUM 审中-公开
标题翻译：一种用于记录信息记录介质的玻璃基板的方法
公开(公告)号：WO2013015750A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/TH2011/000029
申请日：2011-07-25
申请人： HOYA GLASS DISK (THAILAND) LTD , HOYA CORPORATION , DEEPLUB, Supagan
发明人： HOYA CORPORATION , DEEPLUB, Supagan
IPC分类号： G11B5/84 , B24B1/00 , B24B37/00 , C03C19/00
CPC分类号： G11B5/8404 , B24B37/015 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B49/14 , C03C19/00
摘要： The present invention provides a method of manufacturing glass substrates for information recording medium comprising steps of polishing of several glass substrates polished at a time using sun-and-planet gear type polishing machine; selectively determining at least two different annular zones of the polishing plate and controlling the temperature variation of the determined annular zones of the polishing machine so as to suppress and control thickness variation of glass substrates. Thickness variation can be suppressed and controlled when temperature gap on different zones of polishing plate is low. It is also the object of the present invention that the temperature variation of at least two different annular zones of polishing plate of the polishing machine is determined to be not over 2 °C. By such a method according to this invention, the surface of glass substrates on different annular zones of polishing plate can be polished so as to have low thickness variations.
摘要翻译：本发明提供一种制造用于信息记录介质的玻璃基板的方法，包括以下步骤：使用太阳与行星齿轮式抛光机一次抛光几个玻璃基板; 选择性地确定抛光板的至少两个不同的环形区域并控制抛光机的确定的环形区域的温度变化，以便抑制和控制玻璃基板的厚度变化。当抛光板的不同区域的温度差低时，可以抑制和控制厚度变化。本发明的另一个目的是将抛光机的抛光板的至少两个不同环形区域的温度变化确定为不超过2℃。通过根据本发明的这种方法，抛光板的不同环形区域上的玻璃基板的表面可被抛光以具有低的厚度变化。

9. 发明申请

WO2012145418A3 CONSTRUCTION OF REFERENCE SPECTRA WITH VARIATIONS IN ENVIRONMENTAL EFFECTS 审中-公开
标题翻译：建筑环境影响变化参考光谱
公开(公告)号：WO2012145418A3
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/US2012034109
申请日：2012-04-18
申请人： APPLIED MATERIALS INC , DAVID JEFFREY DRUE
发明人： DAVID JEFFREY DRUE
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/12 , B24B37/013 , B24B37/042 , G01B11/0683 , G01J3/28 , G01N21/59 , G01N21/9501 , G01N2021/8416 , G01N2021/8438
摘要： A method of generating a library of reference spectra includes storing at least one reference spectrum, storing a plurality of different transmission curves, and for at least two transmission curves from the plurality of different transmission curves, calculating a modified reference spectrum from the reference spectrum and the transmission curve to generate a plurality of modified reference spectra. The transmission curves represent distortion to a spectrum introduced by variations in components in an optical path before a substrate surface.
摘要翻译：生成参考光谱库的方法包括存储至少一个参考光谱，存储多个不同的透射曲线，以及存储来自多个不同透射曲线的至少两个透射曲线，从参考光谱计算修改的参考光谱，以及传输曲线以产生多个修改的参考光谱。透射曲线表示在基板表面之前的光路中的分量变化引入的光谱的失真。

10. 发明申请

WO2012142035A3 METHOD AND APPARATUS FOR REFURBISHING GAS DISTRIBUTION PLATE SURFACES 审中-公开
标题翻译：用于改造气体分布板表面的方法和装置
公开(公告)号：WO2012142035A3
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/US2012032915
申请日：2012-04-10
申请人： APPLIED MATERIALS INC , BANDA SUMANTH , SUN JENNIFER , DUAN REN-GUAN , GRAVES THOMAS , BOYD WENDELL GLEN JR , DUDLEY RANDOLPH WILLIAM JR , DOAN KHOI , LU WILLIAM MING-YE
发明人： BANDA SUMANTH , SUN JENNIFER , DUAN REN-GUAN , GRAVES THOMAS , BOYD WENDELL GLEN JR , DUDLEY RANDOLPH WILLIAM JR , DOAN KHOI , LU WILLIAM MING-YE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： B24B37/042 , B08B1/04 , B24B27/033 , B24B37/107 , B24B37/245 , B24B37/26 , C23C16/4407 , Y10T137/85938 , Y10T156/11
摘要： Embodiments described herein generally relate to methods and apparatus for refurbishing a gas distribution plate assembly utilized in a deposition chamber or etch chamber. In one embodiment, a method for refurbishing a gas distribution plate assembly is provided. The method includes urging a faceplate of a gas distribution plate assembly against a polishing pad of a polishing device, the faceplate having a plurality of gas distribution holes disposed therein, providing relative motion between the faceplate and the polishing pad, and polishing the faceplate against the polishing pad.
摘要翻译：本文描述的实施例一般涉及用于翻新在沉积室或蚀刻室中使用的气体分配板组件的方法和装置。在一个实施例中，提供了一种用于翻新气体分配板组件的方法。该方法包括将气体分配板组件的面板推压到抛光装置的抛光垫上，该面板具有设置在其中的多个气体分配孔，在面板和抛光垫之间提供相对运动，并且将面板抵靠抛光垫

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式