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1. 发明申请

WO2018063242A1 CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION (CMP) PAD CONDITIONER BRUSH-AND-ABRASIVE HYBRID FOR MULTI-STEP, PREPARATION- AND RESTORATION-CONDITIONING PROCESS OF CMP PAD 审中-公开
标题翻译：化学机械平面化（CMP）垫调节器研磨和磨削混合多步骤，CMP-PAD的制备 - 和修复 - 调节过程
公开(公告)号：WO2018063242A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/US2016/054427
申请日：2016-09-29
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： TREGUB, Alexander , MOLLOY, Oisin J.
IPC分类号： B24B53/017 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B53/00 , B24B53/12
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B53/00 , B24B53/12 , B24D7/06 , B24D13/145
摘要： A multi-step conditioning process includes an initial step of preparation (i.e., pre-conditioning) and a subsequent step of restoration (i.e., conditioning and polishing intermittently, in situ conditioning, or combinations thereof). An example of such an enhancement is achieved using a CMP pad conditioner brush-and-abrasive hybrid that has a combination of brush bristles and abrasive elements. The abrasive elements are readily deployed for pre-conditioning as the brush bristles are pressed (flexed) so that they are not in use. And the brush bristles are readily deployed for conditioning during pad restoration as less downforce is applied to the conditioner. Thus, a universal hybrid conditioner is capable of alteration of its aggressiveness without physically changing a conditioner on a polisher tool.
摘要翻译：多步调节过程包括准备（即预调节）的初始步骤和随后的恢复步骤（即，间歇地，原位调节或其组合）的调节和抛光。使用具有刷毛和研磨元件组合的CMP垫修整器刷 - 研磨混合物可以实现这种增强的一个例子。当刷毛被挤压（弯曲）以使它们不被使用时，研磨元件容易展开用于预调节。刷子刷毛很容易在护垫修复过程中进行调节，因为调节器施加的下压力较小。因此，通用混合式调理器能够改变其侵略性，而无需在抛光工具上物理地改变调理剂。

2. 发明申请

WO2017127162A1 CARRIER FOR SMALL PAD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：用于化学机械抛光的小垫片载体
公开(公告)号：WO2017127162A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/US2016/064541
申请日：2016-12-02
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHEN, Hui , ZUNIGA, Steven M. , CHEN, Hung Chih , LAU, Eric , SIN, Garrett, Ho Yee , CHANG, Shou-Sung
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/105 , B24B37/22 , B24B37/26 , B24B37/30
摘要： A chemical mechanical polishing system includes a substrate support configured to hold a substrate during a polishing operation, a polishing pad assembly include a membrane and a polishing pad portion, a polishing pad carrier, and a drive system configured to cause relative motion between the substrate support and the polishing pad carrier. The polishing pad carrier includes a casing having a cavity and an aperture connecting the cavity to an exterior of the casing. The polishing pad assembly is positioned in the casing such that the membrane divides the cavity into a first chamber and a second chamber and the aperture extends from the second chamber. The polishing pad carrier and polishing pad assembly are positioned and configured such that at least during application of a sufficient pressure to the first chamber the polishing pad portion projects through the aperture.
摘要翻译：化学机械抛光系统包括：配置为在抛光操作期间保持衬底的衬底支撑件，抛光垫组件包括膜和抛光垫部分，抛光垫载体以及配置的驱动系统以引起衬底支撑件和抛光垫载体之间的相对运动。抛光垫载体包括具有腔体和将腔体连接到壳体外部的孔的壳体。抛光垫组件被定位在壳体中，使得膜将空腔分成第一腔室和第二腔室并且孔从第二腔室延伸。抛光垫载体和抛光垫组件被定位和构造成使得至少在向第一腔室施加足够的压力期间，抛光垫部分穿过孔突出。

3. 发明申请

WO2016076404A1 磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法审中-公开
标题翻译：制造磁盘基板的方法及制造磁盘的方法
公开(公告)号：WO2016076404A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/JP2015/081903
申请日：2015-11-12
申请人： HOYA株式会社 , ホーヤガラスディスクタイランドリミテッド
发明人：カムラー　サヨムプー　
IPC分类号： G11B5/84 , B24B37/11 , B24B37/20 , B24B53/00
CPC分类号： B24B37/11 , B24B37/20 , B24B53/00 , G11B5/84
摘要：　磁気ディスク用基板の製造方法は、一対のスエードタイプの研磨パッドで基板を挟み、前記研磨パッドと前記基板の間に研磨砥粒を含むスラリーを供給して、前記研磨パッドと前記基板を相対的に摺動させることにより、前記基板の両主表面を研磨する研磨処理を含む。前記基板の前記研磨処理前、前記研磨パッドは、前記定盤に設けられた前記研磨パッドの表面にクーラントを供給しながらドレッサと前記研磨パッドを相対的に摺動させることにより、前記研磨パッドの表面を除去するドレス処理が施される。前記ドレス処理では、前記研磨パッドから前記クーラントが奪う熱量は、前記ドレス処理の開始時点よりも終了時点の方が大きくなるように前記クーラントの温度又は単位時間当たりの供給量を制御する。
摘要翻译：一种磁盘基板的制造方法，其特征在于，包括：将基板夹在一对绒面型研磨垫之间，对该基板的两个主面进行研磨的抛光工序，在研磨垫和基板之间供给含有磨粒的浆料，抛光垫和基板相对于彼此。在研磨基板之前，通过相对于彼此滑动修整器和抛光垫而将抛光垫的表面去除的修整过程施加到抛光垫上，同时向设置在表面板处的抛光垫的表面供应冷却剂。在修整过程中，控制冷却剂每单位时间的温度或供应量，使得在终点比抛光垫从冷却剂移除的热量大于在修整过程的起始点。

4. 发明申请

WO2015170436A1 ＣＭＰ研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法审中-公开
标题翻译： CMP抛光剂，其制造方法以及抛光底材的方法
公开(公告)号：WO2015170436A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：PCT/JP2015/001729
申请日：2015-03-26
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：高橋　光人
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/00 , B24B37/044 , B24B37/105 , B24B37/20 , C01F17/0043 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09G1/02 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/76224
摘要：　本発明は、研磨粒子、保護膜形成剤、及び水を含むＣＭＰ研磨剤であって、前記保護膜形成剤は、スチレンとアクリロニトリルの共重合体であり、その平均分子量が５００以上２００００以下のものであることを特徴とするＣＭＰ研磨剤である。これにより、ＣＭＰ工程において、絶縁膜を低研磨傷で研磨でき、さらに絶縁膜の研磨停止膜に対する高い研磨選択性を有する研磨剤及び該研磨剤の製造方法、並びにその研磨剤を用いた基板の研磨方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种用于化学机械抛光（CMP）的抛光剂，其包括磨粒，保护膜形成剂和水，其特征在于保护膜形成剂是苯乙烯和丙烯腈的共聚物，并且具有平均分子量重量500-20,000。由此，绝缘膜可以在CMP步骤中抛光，同时很少引起抛光划痕。抛光剂对于抛光停止膜上的绝缘膜具有高的抛光选择性。还提供了用于制造抛光剂的方法和使用抛光剂研磨基材的方法。

5. 发明申请

WO2015136840A1 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法审中-公开
标题翻译：用于制造双面抛光装置载体的方法，双面抛光装置载体和双面抛光方法
公开(公告)号：WO2015136840A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/JP2015/000662
申请日：2015-02-13
申请人：信越半導体株式会社
发明人：佐藤　一弥 , 田中　佑宜 , 小林　修一
IPC分类号： B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
摘要：　本発明は、半導体ウェーハを保持するための保持孔が形成された歯車形の両面研磨装置用キャリアをラッピング加工して両面研磨装置用キャリアを製造する方法であって、両面研磨装置用キャリアを保持するためのホールを有し両面研磨装置用キャリアよりも大きいサイズのアウターキャリアを用意し、ホールの中心がアウターキャリアの中心に対し偏芯したものとし、ホールに両面研磨装置用キャリアを収納して両面研磨装置用キャリアを保持し、ホールの中心がアウターキャリアの中心に対して偏芯した状態で両面研磨装置用キャリアをラッピング加工することを特徴とする両面研磨装置用キャリアの製造方法である。これにより、両面研磨装置用キャリアをラッピングする場合に発生する厚み分布のバラツキを改善できる両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア並びにこの両面研磨装置用キャリアを用いた両面研磨方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种双面抛光装置载体的研磨方法，该双面研磨装置载体通过研磨装有齿轮的双面抛光装置载体并具有用于保持半导体晶片的保持孔，其特征在于：具有用于保持双面抛光装置载体并且大于双面抛光装置载体准备，孔的中心偏心于外载体的中心; 将双面抛光装置载体放置并保持在孔内; 并且双面抛光装置载体在孔的中心偏心于外部载体的中心的状态下重叠。这允许提供用于制造双面抛光装置载体的方法，双面抛光装置载体和使用双面抛光装置载体的双面抛光方法，使得研磨期间厚度分布的变化的双面抛光装置载体可以减少。

6. 发明申请

WO2015035088A1 METHODS AND APPARATUS FOR FORMING A RESIST ARRAY USING CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION 审中-公开
标题翻译：使用化学机械平面化形成耐力阵列的方法和装置
公开(公告)号：WO2015035088A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/US2014/054147
申请日：2014-09-04
申请人： APPLIED MATERIALS, INC
发明人： BENCHER, Christopher Dennis
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31058 , B24B37/015 , B24B37/04 , B24B37/20 , G03F7/0035 , G03F7/094 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/31056 , H01L23/528
摘要： Methods, apparatus, and systems are provided for forming a resist array on a material to be patterned using chemical-mechanical planarization. The resist array may include an arrangement of two different materials that are adapted to react to activation energy differently relative to each other to enable selective removal of only one of the materials (e.g., one is reactive and the other is not reactive; one is slightly reactive and the other is very reactive; one is reactive in one domain and the other in an opposite domain). The first material may be disposed as isolated nodes between the second material. A subset of nodes may be selected from among the nodes in the array and the selected nodes may be exposed to activation energy to activate the nodes and create a mask from the resist array. Numerous additional aspects are disclosed.
摘要翻译：提供了使用化学机械平面化在待图案化材料上形成抗蚀剂阵列的方法，装置和系统。抗蚀剂阵列可以包括两种不同材料的布置，其适于相对于彼此不同地对激活能量作出反应以使得能够仅选择性地去除材料中的一种（例如，一个是反应性的，另一个不是反应性的;一个略微另一个是非常反应的;一个在一个域中是反应性的，另一个在相反的结构域中）。第一材料可以被布置为第二材料之间的隔离节点。可以从阵列中的节点中选择节点的子集，并且所选择的节点可以暴露于激活能量以激活节点并从抗蚀剂阵列创建掩模。公开了许多附加方面。

7. 发明申请

WO2011114658A1 研磨装置、研磨パッドおよび研磨情報管理システム审中-公开
标题翻译：抛光设备，抛光垫和抛光信息管理系统
公开(公告)号：WO2011114658A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/001379
申请日：2011-03-09
申请人：ニッタ・ハース株式会社 , 朴栽弘
发明人：朴　栽弘
IPC分类号： B24B37/00 , B24B49/10 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/015 , B24B49/10
摘要：　研磨パッドに、センサと、センサにより得られる検出情報を記憶するメモリと、電源部の駆動により外部と非接触で通信する通信器とが埋設されている。上記構成の研磨パッドと、研磨パッドに備える通信器と非接触で通信が可能な通信部とを含んで研磨情報管理システムが構成される。さらに、研磨装置は、上記構成の研磨パッドと、研磨パッドに備える通信器と非接触で送受信が可能な通信部とを有する。
摘要翻译：传感器，存储由传感器获得的检测信息的存储器以及通过由电源部驱动而以非接触方式与外部进行通信的通信装置安装在抛光垫的内部。通过包括如上构造的抛光垫和能够以与设置在抛光垫中的通信工具非接触的方式进行通信的通信部形成抛光信息管理系统。此外，抛光装置包括如上构造的抛光垫，以及能够以非接触方式向通信工具发送信息和从通信工具接收信息的通信部，所述通信工具是设置在抛光垫中的通信工具。

8. 发明申请

WO2008156002A1 研磨シートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：抛光片及其制造方法
公开(公告)号：WO2008156002A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/JP2008/060522
申请日：2008-06-09
申请人： NECエレクトロニクス株式会社 , 東レ株式会社 , 吉田茂之 , 本田智之 , 杉村正宏
发明人：吉田茂之 , 本田智之 , 杉村正宏
IPC分类号： B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20 , B24D18/00
摘要：　本発明の目的は、立ち上げまでの時間が短くて済む研磨シートを提供することにあり、さらに、そのような研磨シートの製造方法を提供することにある。　本発明の研磨シートは、シート状の発泡体からなり、その表面が、最終仕上げとして６０～２００番手（６０～２００メッシュ）の砥粒径の研磨剤でバフ掛けが行われて仕上げられていることを特徴とする研磨シートである。
摘要翻译：提供了在启动之前仅需要很短时间的抛光片。还提供了制造这种抛光片的方法。抛光片由片状泡沫构成。抛光片的特征在于，通过用纱线计数（60-200目）的晶粒直径为60-200的研磨剂进行抛光，最终抛光来表面抛光。

9. 发明申请

WO2007086529A1 化学機械研磨パッドおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光垫及其制造方法
公开(公告)号：WO2007086529A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051315
申请日：2007-01-22
申请人： JSR株式会社 , 保坂幸生 , 辻昭衛
发明人：保坂幸生 , 辻昭衛
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24D18/00 , B24B37/20 , H01L21/67294
摘要：本発明の化学機械研磨パッドは、円形の研磨面と該研磨面の裏面である非研磨面とを有し、内部に電磁波を用いて非接触に読み取りまたは読み書き可能な情報記録媒体を含んでなり、好ましくは研磨面の半径方向における情報記録媒体の重心の位置が、研磨面の半径上の中心から外周へと向かう方向で研磨面の半径の0～10％または80～100％の範囲内にある。
摘要翻译：化学机械抛光垫设置有圆形抛光表面和非抛光表面，即抛光表面的后表面，并且包括信息记录介质内的信息，其中信息可以被读取或读取/写入而不接触通过使用电磁波。优选地，信息记录介质在研磨表面的半径方向上的重心的位置在抛光表面的半径方向上的距离为半径的中心的方向的0-10％或80-100％抛光面向外圆周。

10. 发明申请

WO2003022518A2 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING TOOL, APPARATUS AND METHOD 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光工具，装置和方法
公开(公告)号：WO2003022518A2
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/US2002/027550
申请日：2002-08-30
申请人： ORIOL, INC. , JEONG, In-Kwon
发明人： JEONG, In-Kwon
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/20 , B24B41/047
摘要： A chemical mechanical polishing tool, apparatus and method. The polishing tool includes a central polishing assembly comprised of a central pad mount on a central shaft. That central pad mount beneficially retains a center polishing pad. Also included is a ring polishing assembly comprised of a ring pad mount with a central aperture on a ring shaft with a central aperture. The ring pad mount beneficially retains a ring polishing pad having a central aperture. The central polishing assembly and the ring polishing assembly beneficially rotate and move axially independently of one another. The apparatus includes the CMP polishing tool and a rotating polishing table. The method includes rotating a semiconductor wafer on the rotating polishing table. Then, selectively and independently moving a solid center polishing pad having an axis of rotation and/or an axially aligned ring-shaped polishing pad into contact with the surface of the semiconductor wafer.
摘要翻译：化学机械抛光工具，设备和方法。抛光工具包括中心抛光组件，其包括在中心轴上的中心衬垫安装件。该中心衬垫有利地保留了中心抛光垫。还包括一种环形抛光组件，其由具有中心孔的环形垫安装件组成，环形轴线具有中心孔。环形垫安装件有利地保留具有中心孔的环形抛光垫。中心抛光组件和环抛光组件有利地彼此独立地旋转和轴向移动。该装置包括CMP抛光工具和旋转抛光台。该方法包括在旋转的抛光台上旋转半导体晶片。然后，选择性地且独立地移动具有旋转轴和/或轴向对准的环形抛光垫的固体中心抛光垫与半导体晶片的表面接触。

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