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    • 5. 发明申请
    • 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法
    • 薄膜晶体管器件及其生产薄膜晶体管器件的方法
    • WO2013001580A1
    • 2013-01-03
    • PCT/JP2011/003754
    • 2011-06-30
    • パナソニック株式会社パナソニック液晶ディスプレイ株式会社鐘ヶ江 有宣川島 孝啓林 宏河内 玄士朗
    • 鐘ヶ江 有宣川島 孝啓林 宏河内 玄士朗
    • H01L29/786H01L21/336
    • H01L29/78606H01L29/66765H01L29/78669H01L29/78678H01L29/78696
    •  本発明に係る薄膜トランジスタ装置(10)は、基板(1)上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極(2)上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜(3)上に形成され、チャネル領域を有する結晶シリコン薄膜(4)と、チャネル領域の上に形成された半導体層(5)と、半導体層(5)上であってチャネル領域に対応する領域に形成された、有機材料からなる絶縁膜(7)と、絶縁膜(7)の両側それぞれの半導体層(5)上に形成された真性非結晶質シリコン薄膜(6)と、一方の真性非結晶質シリコン薄膜(6)の上方に形成されたソース電極(9S)と、他方の真性非結晶質シリコン薄膜(6)の上方に形成されたドレイン電極(9D)と、を具備し、半導体層(5)の局在準位密度が真性非結晶質シリコン薄膜(6)の局在準位密度より低く、半導体層(5)のバンドギャップが真性非結晶質シリコン薄膜(6)のバンドギャップより小さい。
    • 该薄膜晶体管器件(10)配备有形成在基板(1)上的栅电极(2)。 形成在栅电极(2)上的栅绝缘膜(3); 形成在所述栅极绝缘膜(3)上并具有沟道区域的晶体硅薄膜(4) 形成在所述沟道区上的半导体层(5) 绝缘膜(7),其形成在所述半导体层(5)上并且对应于所述沟道区域的区域上并且包括有机材料; 在所述绝缘膜(7)的两侧形成在所述半导体层(5)上的本征非晶硅薄膜(6)。 在本征非晶硅薄膜(6)之上形成的源电极(9S); 以及在本征非晶硅薄膜(6)的另一个之上形成的漏电极(9D)。 半导体层(5)的局部能级密度低于本征非晶硅薄膜(6)的能级密度,并且半导体层(5)的带隙比本征非晶硅薄膜的带隙密度小 (6)。